Mô phỏng hệ thống truyền động điện nạp từ bôh biến tần PWM doc

1

Mô phỏng hệ thống truyền động điện nạp từ
bộ biến tần PWM
pgstskh thân ngọc hoàn
đại học hàng hải
1. Mở đầu
Những năm gần đây do sự phát triển của công nghệ điện tử, đã xuất hiện nhiều loại van bán
dẫn công suất mới có những u điểm hơn các van cũ. Một trong loại van mới đó là IGBT. Sự ra
đời của loại van này giúp cho ta chế tạo các bộ biến tần loại PWM một cách dễ dàng, chính vì thế
các hệ thống truyền động điện nạp từ bộ biến tần PWM đang đợc nghiên cứu rộng rãi. Dới đây
trình bày phơng pháp nghiên cứu mô phỏng hệ thống truyền động điện động cơ dị bộ rô to lồng
sóc nạp từ bộ biến tần PWM giúp cho ta nghiên cứu hệ thống ở chế độ quá độ.
2. Mô phỏng bộ biến tần PWM
2.1.Mô phỏng transistor
Trên hình 1 biểu diễn mạch điện gồm một transistor IGBT đợc nạp từ nguồn điện một
chiều U
d
, transistor cấp điện cho một tổng trở R và cảm kháng L.
Ta biết rằng transistor IGBT dẫn điện phải thoả mãn các điều kiện sau:
- Khi có điện áp dơng đặt lên cực colectơ của transistor (tức là điện áp đặt lên hai cực
colectơ và emitơ của transistor là U
CE
phải lớn hơn 0) và có xung điện áp điều khiển U
GE
đa vào
cực cửa của transistor thì transistor sẽ cho dòng điện chạy qua, nếu không thoả mãn các điều kiện
trên thì transistor sẽ tắc.
Để mô phỏng các transistor ta giả thiết rằng: transistor là một khóa lý tởng nghĩa là khi
dẫn điện thì điện trở của nó bằng không còn khi không dẫn điện thì điện trở của nó vô cùng lớn.

+U
d





i

U
dk


U
r
U
d






Hình 1 Sơ đồ mạch điện đơn giản của transistor IGBT

Gọi U
c
, X, T là các biến logic, chúng có giá trị nh sau:
1 - khi điện áp trên cực colectơ của transistor IGBT dơng

U
c
=
0 - khi điện áp trên cực colectơ của transistor IGBT âm
1- khi có tín hiệu điều khiển đa vào cực điều khiển của transistor IGT
X =
0- khi không có tín hiệu điều khiển đa vào cực điều khiển của IGBT
1- khi transistor dẫn điện
T =
0- khi transistor không dẫn điện

R


L



2
Theo nguyên lý hoạt động của transistor IGBT, phơng trình trạng thái của tran-si-to
IGBT có thể biểu diễn nh sau:
T = U
c
. X (1)
Điện áp ra của transistor IGBT có thể biểu diễn:
U
r
= U
d
.T (2)

Phơng trình cân băng điện áp theo Kiếc khốp khi tran-si-to dẫn có dạng:
U
r
= R.i + L.
d
t
di
(3)
Trong đó: U
d
là điện áp một chiều lới nạp, U
r
là điện áp ra trên tải, R là giá trị điện trở
trên tải, L là giá trị điện cảm trên tải, i là dòng tải, di

/ dt là thành phần đạo hàm dòng tải .

2. Thuật giải mô phỏng transistor IGBT
Trên cơ sở phân tích trên ta xây dựng thuật giải mô phỏng tran-si-to (H.2)

H.2 Thuật giải mô phỏng tran-si-to
Hoạt động của thuật giải nh sau:
Nhập giá trị điện áp nạp U
d
, giá trị diện trở R, điện cảm L, giá trị đầu của
dòng điện tải i và đạo hàm của nó. Sau đó kiểm tra trạng thái dẫn của transistor IGBT bằng tín
hiệu điều khiển X. Khi có điện áp điều khiển trên cực điều khiển của transistor thì tín hiệu X = 1
làm cho transistor dẫn (T = 1). Khi đã có trạng thái logic T, ta tính điện áp trên tải U
r
theo
phơng trình (1.7) rồi giải phơng trình vi phân (1.8) bằng phơng pháp Rung Kutte bậc 4, in kết
quả rồi dừng máy.
1.2.1 Mô phỏng tín hiệu điều khiển tran-si-to

Tín hiệu điều khiển tran si to thờng là tín hiệu xung. Để lập trình tính hàm điều khiển
ta có nhận xét sau: Trong một chu kỳ khi t<T/2 thì U
r
=U
rmc
còn khi t>T/2 thì U
r
=0; Trong đó T-
KT
BĐ
Nhậ
p
Ud, R, L, Is(t,0) di(t,0)/ d
t
Uc > 0
X =1
T = 1
T = 0
Tính Ur theo
(
2
)
Giải prơng trình vi phân (1.8)
bằn
g
Run
g
Kutte b
ậ
c 4

In kết
q
u
ả
Đ
S
Đ

3
chu kỳ, u
r
- xung điện áp điều khiển , U
rmc
biên độ của xung. Để có chuỗi xung ta lại thấy rằng
khi thời gian nhỏ hơn số nguyên chu kỳ thì thời gian t=t nhng khi t lớn hơn số nguyên chu kỳ thì
thời gian bằng 0 ( t=0) rồi lặp lại. Ta có thuật giải sau đây để mô phỏng điện áp điều khiển tran-
si-to

Đi tiếp
H.2 Thuật giải tính tín hiệu điều khiển tran-si to
Kết quả mô phỏng biểu diễn trên H.3

H.3 Tín hiều điều khiển tran-si to

12.2 Mô phỏng bộ biến tần gián tiếp ba pha nguồn áp PWM dùng transistor IGBT

1.2.2.1 Nguyên lý hoạt động của bộ biến tần

Bộ biến tần gián tiếp ba pha nguồn áp PWM dùng transistor IGBT, biểu diễn trên h.4. Sơ
đồ gồm 6 transistor IGBT: T1, T2, T3, T4, T5, T6 mắc theo sơ đồ cầu. Do các tran-si-to không có
khả năng chịu đợc điện áp âm nên ta dùng các diod mắc song song với các ti-ri-sto để bảo vệ
tran-si-to khỏi điện áp ngợc và khép kín công suất kháng. Mỗi transistor dẫn 120

. Nhóm
O
t=0

t>kT
k:=k+1
k:=k
t:=t-(k-1).T
u
r
=U
mrc
t >T/2
u
r
=0
B
Đ
U
rmc

^

4
transistor mắc chung colectơ sẽ tạo nửa chu kỳ điện áp ra dơng. Nhóm transistor mắc chung
emitơ sẽ tạo nửa chu kỳ điện áp ra âm

H.4 Sơ đồ nguyên lý bộ biến tần gián tiếp PWM dùng IGBT

1.2.2.2 Mô phỏng điện áp điều khiển tran-si to
Vì bộ biến tần gián tiếp PWM dùng transistor IGBT nên điện áp ra trên tải lặp lại điện áp
điều khiển trên cực cửa của transistor. Do đó muốn mô phỏng bộ biến tần gián tiếp PWM dùng
transistor IGBT để tạo điện áp ra trên tải có dạng xung hình chữ nhật mong muốn thì trớc hết ta
phải đi mô phỏng tín hiệu điện áp điều khiển các transistor của bộ nghịch lu trong bộ biến tần.
Để tạo điện áp điều khiển các transistor IGBT có dạng xung PWM ta dựa vào nguyên lý
đã trình bày ở phần trên. Cụ thể ta đa vào bộ so sánh một điện áp mang dạng tam giác cân tần số
fr và 3 điện áp điều biên có dạng hình sin nh sau:

H.5 Điện áp điều khiển tran-si-to của bộ biến tần PWM

U
a
= U
đk
.sint.
U
b
= U
đk
.sin(

t - 120

)
U
c
= U
đk
.sin(t + 120

)
U
đk
là giá trị biên độ của điện áp hình sinus,

= 2

f - tần số góc của điện áp chuẩn hình sinus.
Khoảng điện áp mang nằm dới điện áp điều biên hình sin xác định độ dài tồn tại các xung điều
khiển cũng là khoảng mở của tran-si to. Trên H.5 biểu diễn cách xác định điện áp điều khiển
tran-si-to theo nguyên lý điều khiển độ rộng xung cho một pha.
Để có đợc tín hiệu điều khiển Xi, ta thực hiện nh sau: Đa vào thiết bị so sánh 3 điện áp điều
khiển transistor của các pha a, b, c có dạng xung hình chữ nhật mà ta vừa mô phỏng trên và 3

U
~3,f1
B

C
Usc
A
T4

T6
T2
T1 T3 T5
u
mang

u
db

u
đ
k

5
điện áp hình sin. Do các tran-si-to chỉ dẫn trong khoảng 120
0
nên các tran-si-to chỉ dẫn khi thỏa
mãn các điều kiện sau:
Cho T1: u
a
>u
b
>u
c
và U
đka
>0 thì X1 =1 suy ra T1=1
Cho T2: u
b
>u

a
>u
c
và U
đkb
>0 thì X3 =1 suy ra T3=1
Cho T5: u
c
>u
b
>u
a
và U
đkc
>0 thì X5 =1 suy ra T5=1
Cho T4: u
a
<u
b
<u
c
và U
đka
<0 thì X4 =1 suy ra T4=1
Cho T6: u
b
<u
c
>u
a

và U
đkb
<0 thì X6 =1 suy ra T6=1
Cho T1: u
c
<u
b
<u
a
và U
đkc
<0 thì X2 =1 suy ra T2=1
Sau khi xác định đợc trạng thái các tran-si-to ta còn phải loại trừ khoảng dẫn trùng của chúng
theo nguyên tắc sau:
if (T1+T3>1) then T1:=0;
if (T3+T5>1) then T3:=0;
if (T1+T5>1) then T5:=0;
if (T4+T6>1) then T4:=0;
if (T6+T2>1) then T6:=0;
if (T4+T2>1) then T2:=0;
Giá trị điện áp ra của bộ biến tần xác định nh sau:
u
a
:=ud*(T1-T4); u
b
:=ud*(T3-T6); u
c
:=ud*(T5-T2);
Điện áp dây xác định nh sau:
u

ab
:=u
a
-u
b
; u
bc
:=u
b
-u
c
u
ca
:=u
c
-u
a

Kết quả mô phỏng biểu diễn trên H.7 (từ ct.BBT_DGT.PAS)

H.6. Kết quả mô phỏng bộ biến tần tran-si-to IGBT




u
a

u
ab

u
đk

u
đb
,u
mang


6


3. Mô hình toán động cơ dị bộ
Động cơ dị bộ lồng sóc ở đại lợng tơng đối viết trong hệ trục vuông góc gắn vào từ trờng
quay có dạng:
pi
ds
= a
1
{L
r
u
ds
- L
r
R
s
i
ds

+


s
b
L
r
(L
s
i
qs
+Mi
qr
) +MR
r
i
dr
-(



sr
b

)M

(Mi
qs
+ L
r

i
qr
)}
pi
qs
= a
1
{L
r
u
qs
-L
r
R
s
i
qs
-


s
b
L
r
(L
s
i
ds
+Mi
dr

) + R
r
Mi
qr
+(



sr
b

)M

(Mi
ds
+L
r
i
dr
)}
pi
dr
= a
1
{-Mu
ds
+MR
s
i
ds

-


s
b
M(L
s
i
qs
+Mi
qr
)-R
r
L
s
i
dr
+ (



sr
b

)L
s
(Mi
qs
+L
r

i
qr
)}
pi
qr
= a
1
{-Mu
qs
+L
s
Mi
qs
+


s
b
M(L
s
i
ds
+Mi
dr
) -R
r
L
s
i
qr

- (



sr
b

)L
s
(Mi
ds
+L
r
i
dr
)}
Trong đó a
1
=

b
rs
LL M
2
, L
r
,L
s
,M,R
s

,R
r
là độ tự cảm cuộn stato, cuộn rô to, cảm ứng tơng hỗ,
điện trở stato, điện trở rô to của động cơ.
Mô men quay của động cơ có dạng:
m
e
= M(i
qs
i
dr
- i
ds
i
qr
) (2.13)
Phơng trình cân bằng truyền động điện nh sau
T
m
d
d
t
r

= m
e
- m
0
(2.14)
4.

Mô phỏng hệ thống truyền động điện nạp từ bộ biến tần PWM
Hệ thống truyền động điện cần mô phỏng biểu diễn trên h.7





H.7 Hệ thống truyền động điện cần mô phỏng
Dựa vào kết quả mô phỏng bộ biến tần và mô hình toán của động cơ dị bộ lồng sóc ở trên ta
tiến hành mô phỏng cho hệ truyền động động cơ dị bộ nạp từ bộ biến tần PWM. Thuật giải biểu
diễn ở H.8. Trên H.9 biểu diễn kết quả mô phỏng. Từ kết quả mô phỏng hệ thống truyền động
điện động cơ dị bộ nạp từ bộ biến tần ta thấy giá trị tức thời của mô men bị dao động mạnh so với
hệ thống truyền động điện nạp từ lứơi cứng. Giá trị của mô men động cơ ngay ở chế độ ổn định
cũng có giá trị biến đổi. ở chế độ này mô men trung bình có giá trị không đổi còn giá trị tức thời
của mô men vẫn bị dao động. Nguyên nhân của sự dao động mô men là do điện áp và dòng nạp
động cơ không có dạng hình sin, s tham gia của mô men các sóng bậc cao làm mô men dao
động. Trong những hệ thống có quán tính lớn sự dao động của mô men bị dập đi nhiều.




Bổ biặn
tãn PWM

Tăi
C

7

H.2.10 Đặc tính tốc độ và mô men của hệ thống TĐĐ [MDB-BBT.PAS]

M
e
,

r

H.8
Thuật giải mô phỏng hệ thống TĐĐ-bộ biến tần gián tiếp PWM

Vào điều kiện đầu, số liệu động cơ, bộ biến tần
Tẽnh cc gi tr cãn thiặt
Tẽnh u
sd
, u
sq
ca bổ biặn
tn
giăi phừỗng trệnh vi phàn
Tẽnh i
a
, m
e
,


t<T
ma x
t=t+h
In k.quă
B
KT