bài tập thí nghiệm chuyên môn mạch hồi tiếp mwt 530

<span class="text_page_counter">Trang 1</span><div class="page_container" data-page="1">

<b>TRƯỜNG ĐẠI HỌC GIAO THÔNG VẬN TẢIKHOA ĐIỆN -ĐIỆN TỬ</b>

</div><span class="text_page_counter">Trang 2</span><div class="page_container" data-page="2">

BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO

TRƯỜNG ĐẠI HỌC GIAO THÔNG VẬN TẢINHẬN XÉT CỦA GIÁO VIÊN HƯỚNG DẪN

</div><span class="text_page_counter">Trang 3</span><div class="page_container" data-page="3">

<b>Lời nói đầu: </b>

</div><span class="text_page_counter">Trang 4</span><div class="page_container" data-page="4">

<b>Mục lục :</b>

</div><span class="text_page_counter">Trang 5</span><div class="page_container" data-page="5">

GIỚI THIỆU VÀ MÔ TẢ 1.1 GIỚI THIỆU

Mạch hồi tiếp MWT 530 là một thiết bị tạo sóng cực ngắn. Nó cho phép sinhviên hiểu biết đầy đủ về bộ phận dẫn sóng cơ bản lâm từ hệ thống sơng vi ba. Đólà một hệ thống nhỏ gọn, dễ sử dụng và hoàn toàn độc lập. Nó cho phép sinhviên tự lắp đặt và tạo ra các bài thí nghiệm lên quan tới việc đo sóng vi ba vànghiên cứu những bộ phận làm nên phần truyền dẫn tần số vơ tuyến của máyphát sóng vi ba và máy thu hệ thống Radar. Thiết bị và hướng dẫn sử dụng cungcấp phương thức cho sinh viên gia tăng kiến thức thực hành về sóng vi ba vànhững ứng dụng của nó, tiến hành nghiên cứu hệ thống vi ba cơ bản. Hướng dẫnsử dụng được viết đơn giản, tường minh và thiết bị phù hợp với kỹ thuật viêntừng cấp độ đào tạo và học tập.

1.2 THIẾT BỊ

Thiết bị bao gồm các thành phần dẫn sóng và một thiết bị điều khiển trong đó cónguồn sóng vi ba và các mạch cầu, khuếch đại dùng đo cơng suất vi ba và cườngđộ tín hiệu các thành phần và nguồn được thiết kế theo chuẩn WG 16, hoạt độngtại băng tần X từ 8,2 +12.4 GHZ, một băng tần rất quan trọng cho sóng vi ba,thơng tin vệ tinh và sóng Radar. Nguồn sẽ hoạt động tại một tần số cố định là10,69 GHZ.

1.3 THÀNH PHẦN CƠ BẢN CỦA HỆ THỐNG

 Hệ thống dẫn sóng WG 16(WR 90) có những đặc tính kỹ thuật dưới đây: -Kích thước bên trong: 0,9" x0,4" hoặc 22,86x10,16mm

- Tần số cất và độ rộng bước sóng 6,56Ghz và 45,7mm- Độ rộng băng tần hoạt động thông thường 8,2 ->12.4 Ghz

</div><span class="text_page_counter">Trang 7</span><div class="page_container" data-page="7">

 B

Ống dẫn sóng có khe, cho dạng lấy mẫu của trường điện trong ống dẫn sóng;được sử dụng với bộ tách sóng diode để đo chiều dài ống dẫn sóng, vswr vàtrở kháng.

 C

Nút điều chỉnh dòng dò, được sử dụng như một mạch phối hợp trở kháng.

</div><span class="text_page_counter">Trang 8</span><div class="page_container" data-page="8">

 D

Máy đo sóng hốc cộng hưởng. Đường tròn mặt cắt ngang hốc cộng hưởng đohốc cộng hưởng trong chế độ Eoll và được thiết kế để đo tần số trong băng X. E

Mặt phẳng ống dẫn sóng đấu nối chữ H hoặc chữ T shunt hoạt động như mộtbộ chia công suất trong mặt phẳng chứa mặt phẳng tới H (trường từ).

</div><span class="text_page_counter">Trang 10</span><div class="page_container" data-page="10">

 H

Bộ lai ghép T cũng được biết tới như bộ dẫn sóng T, là một sự xếp chồng củađiện trở shunt và chuỗi chỗ nối chữ T được 4 dạng mối nối; được sử dụng đểtạo ảnh hưởng thống nhất đến anten phát hoặc anten thu hoạt động trongmạch trộn cân bằng.

 J

Ống dẫn sóng tới các máy biến thế đồng trục được sử dụng để kết nối ốngdẫn sóng đến máy biến thế đồng trục.

</div><span class="text_page_counter">Trang 11</span><div class="page_container" data-page="11">

 K

Trở kháng của thiết bị đầu cuối, phần ống dẫn sóng chứa một phần đi(dạngtháp nhọn ) của vật liệu tổn hao để hấp thụ tín hiệu vi ba, theo lý tưởng nênhấp thụ hồn tồn tín hiệu bên ngồi bất cứ sự phản xạ nào- tiếp đó nó hoạtđộng như một bộ phận tái kết hợp.

 L

Điện trở loại vi nhiệt kế, một điện trở cảm biến nhiệt độ được thiết lập và sửdụng trong sự kết hợp với một mạch cầu Wheatstone để đo công suất vi ba. 

</div><span class="text_page_counter">Trang 12</span><div class="page_container" data-page="12">

 M

Diode tách sóng trong ống dẫn sóng được thiết lập và sử dụng để chỉnh lưutín hiệu vi ba cho bộ chỉnh lưu của chúng tại cấp độ công suất cường độ đầura diode tách sóng là tỉ lệ trực tiếp với cơng suất sóng vi ba bắt đầu địnhhướng.

 N

Anten Horn là một anten vi ba quan trọng được sử dụng như một bộ nạpanten chảo vi ba trong kỹ thuật vô tuyến, hệ thống vệ tinh, radar và thậm chínhư một anten trong bên phải của riêng nó.

</div><span class="text_page_counter">Trang 13</span><div class="page_container" data-page="13">

 R

Thiết bị đầu cuối ngắn mạch, là kim loại được sử dụng để ngắn mạch ống dẫnsóng, sử dụng ở trong phép đo trở kháng để xác định mặt phẳng tham chiếu.Thậm chí được sử dụng để đo bước sóng dẫn và luật tách sóng tinh thể trongsự kết hợp với ống dẫn sóng có khe.

 S

Diode cảm biến, diode tách sóng được thiết lập trong phần đồng trục hoạtđộng như một bộ cảm biến, sử dụng để đo đường dây và điều khiển bộ nối đểtách sóng vi ba.

</div><span class="text_page_counter">Trang 14</span><div class="page_container" data-page="14">

ASSIGNMENT 1: GIỚI THIỆU VỀ ĐO LƯỜNG TẦN SỐ VÀ BƯỚC SĨNG Tiến trình thí nghiệm:

Cảnh báo!

Mặc dù mức công suất tạo ra bởi thiết bị khá thấp (10mW), thường là không gâynguy hiểm, nhưng mắt vẫn có thể bị ảnh hưởng khi nhìn thẳng vào bức xạ vi ba. Dođó khơng nhìn thẳng vào ống dẫn sóng đang mở

a/ Đo tần số sử dụng máy đo sóng dạng hốc

1. Thiết lập thiết bị như hình 2.1.7 với vị trí các cơng tắc như sau: Cơng tắc nguồn chính màu xanh: off

 Núm điều khiển độ nhạy thu và khuếch đại: tới vị trí chính giữ Đồng hồ đo: chuyển tới vị trí “detector output"

 Bộ tạo dao động băng X:

-Công tắc trái: chế độ “internal keying"-Cơng tắc phải: off

-> Hình 2.1.7:

</div><span class="text_page_counter">Trang 15</span><div class="page_container" data-page="15">

-> Thực hành:

-> Chỉnh bàn điều khiển:

2. Cần chắc chắn rằng các cáp đồng trục đã được dùng để nối nguồn cho bộ tạo daođộng băng X và cũng đã kết nối đầu ra bộ tách sóng diode tới đầu vào bộ khuếch đạivà tách sóng trên bàn điều khiển.

3. Thiết lập vị trí của trắc vi kế của máy đo sóng dạng hốc ở thang > 21mm. Ở vị trínày, pitton của mạch ngắn giới hạn đầu xa của hốc đồng thời đây cũng là vị trí màhốc có độ dài lớn nhất.

-> Thiết lập trắc vi kế ở thang 21mm:

</div><span class="text_page_counter">Trang 16</span><div class="page_container" data-page="16">

4. Lập vị trí góc của van điện trở cho cả hai bộ suy hao là 20 độ. Tại đây các bộ suyhao giảm cơng suất sóng viba khoảng 10dB và tránh cho bộ tách sóng diode và đồnghồ hiển thị bị quá tải khi ta bật nguồn

-> Thiết lập 2 bộ suy hao:

5. Bật cơng tắc nguồn chính màu xanh và công tắc nguồn tay phải để bộ tạo daođộng băng X hoạt động

6. Điều chỉnh bộ suy hao liền kề với bộ tách sóng diode để nhận được giá trị trênđồng hồ của bảng điều khiển khoảng 4mA. Chú ý tăng độ sâu của van sẽ giảm cơngsuất phát sóng vi ba trong hệ thống

</div><span class="text_page_counter">Trang 17</span><div class="page_container" data-page="17">

7. Xác định tần số sử dụng đồng hồ đo sóng

Xoay vịng sắt của trắc vi kế của wavemeter thật chậm theo chiều kim đồng hồ để dichuyển pitton của mạch ngắn xuống phía dưới và do đó giảm chiều dài của hốc.Quan sát sự lệch hướng trên đơng hồ trong khi làm việc này.

Tìm một vị trí tại đó kim đồng hồ đột ngột giảm. Đó là vị trí tương ứng với sự cộnghưởng, một phần cơng suất được hấp thụ bởi wavemeter do đó làm giảm công suấtphát viba khi thu bởi bộ tách sóng diode.

Ghi lại vị trí của trắc vi kế khi cộng hưởng và xách định tần số của tín hiệu viba sửdụng mode sóng E11 tại chỗ uốn cong của hình 2.1.4.

-> Sau khi giảm trắc vi kế tại vị trí 19mm ta thấy có sự thay đổi đột ngột trên kimđồng hồ

(ⅰ.) Thang chia của wavemeter được chia thành từng khoảng 0.5mm. Thang tròntrong vòng sắt chia từ 0-50 với mỗi bước nhảy là 0.01mm. Do đó cần chia dọc từngphần của mạch ngắn và từ đó chiều dài hốc và vị trí cộng hưởng có thể được đochính xác. (ii.) Thiết kế của wavemeter giống như luật cộng hưởng tại mode Ell vàtừ đó chỗ cong xuống của mode này có thể được sử dụng trong hình 2.1.4

(iii.) Giá trị trắc vì kế khoảng dưới 15mm b/. Đo bước sóng dẫn g

1. Bước sóng dẫn đo được nhờ sử dụng đường khe dẫn sóng B lắp vào một trong sốcác bộ tách sóng đầu dị S. Thiết bị này nên cắm vào sao cho đầu dị xun 1 khoảngnhỏ vào trong khe, do đó cho phép trường điện được lấy mẫu. Độ sâu này đạt được

</div><span class="text_page_counter">Trang 18</span><div class="page_container" data-page="18">

kể, và vẫn loại trừ việc đầu dị gây nhiễu trường điện trong ống dẫn sóng có thể làmhỏng q trình đo. Trong thực tế, độ xuyên khoảng 1-2mm là đủ

2. Kết nối thiết bị giống hình 2.1.8 với phần khe dẫn sóng kết thúc trong đĩa kim loạiR đóng vai trị mạch ngắn

-> Hình 2.1.8:

</div><span class="text_page_counter">Trang 20</span><div class="page_container" data-page="20">

5. Bắt đầu từ vị trí 0 trên thang chia của đường khe, di chuyển đầu dị dọc theo khedẫn sóng và định vị + ghi lại các vị trí trường điện bằng 0. Nên xác định 3 vị trí 0liên tiếp nhau:

x1= 19,5mmx2= 34,5mmx3= 54,5mmBước sóng:

λc = 37,1mm với chuẩn E01g = 2(x2-x1) = 2(34,5-19,5) = 30mm = 2(x3-x2) = 2(54,5- 34,5) = 40mm = x3-x1 = 54,5-19,5 = 35mm=> λc = 37,1mm với chuẩn E01g trong khoảng từ 30-40mm

6. Ống dẫn sóng sử dụng trong bộ thí nghiệm MWT530 là loại chuẩn sóng WG16 cókích thước:

Chiều rộng: a = 0.9inch = 22.86mmChiều hẹp: b = 0.4inch = 10.16mmBước sóng cắt cho mode sóng trội, H10 là:

λc = 37,1mm với chuẩn E01c = 2a = 2×22.86 = 45.72mm

λc = 37,1mm với chuẩn E01= c/f = 3.10^8/ 10,8.10^9 = 27,78mm

</div><span class="text_page_counter">Trang 21</span><div class="page_container" data-page="21">

ASSIGNMENT 2: ĐO TỈ SỐ SĨNG ĐỨNG (VSWR)Tiến trình thí nghiệm:

hình 2.2.4:

</div><span class="text_page_counter">Trang 22</span><div class="page_container" data-page="22">

Thực hành:

</div><span class="text_page_counter">Trang 23</span><div class="page_container" data-page="23">

2. Thiết lập công tắc trên bàn điều khiển như sau (xem lại trên thiết bị): Bộ khuếch đại và bộ tách sóng: đặt ở trạng thái "output"

 Núm điều khiển độ nhạy thu và khuếch đại: tới vị trí chính giữa  Bộ tạo dao động băng X:

- Công tắc trái: chế độ "internal keying" - Công tắc phải: ở trạng thái tắt "off"

Bật công tắc nguồn của bàn điều khiển (cơng tắc chính màu xanh), làm mạnh sóngvi ba (tăng dải sóng viba) bằng cách bật cơng tắc phải của máy tạo sóng băng X. -> tương tự như ở bài 1

3. Thiết lập bộ suy hao vào khoảng 25 độ để cung cấp mức suy hao vừa phải cho hệthống. Đây là giá trị suy hao khá thực tế giữa bộ tạo sóng viba và thiết bị.

Di chuyển đầu dò dọc theo đường khe để xác định 1 vị trí có trường điện mạnh nhất.Điều chỉnh độ nhạy của bộ khuếch đại (amplifier) và bộ tách sóng (detector) trênbảng điều khiển, nếu cần thì điều chỉnh cả bộ suy hao để thu được giá trị trên đồnghồ đo gần như không đổi. Ghi lại giá trị dịng tách sóng Imax tương ứng với Emax. Di chuyển đầu dị:

->Ta có Imax = 1mA tại vị trí 9mm

4. Đưa thiết bị đầu dị tách sóng xa khỏi giá trị lớn nhất và xác định chính xác vị trígần như nhỏ nhất.

->Ghi lại giá trị Imin, tương ứng với Emin

->Di chuyển đầu do tiến lên ta có Imin = 0,2mA tại vị trí 19mm

</div><span class="text_page_counter">Trang 24</span><div class="page_container" data-page="24">

5. Sử dụng kết quả Imax = 1mA ; Imin = 0,2mA để tính tốn tải trở: Vswr= S = Emax/Emin = (Imax/Imin)^1/2 = (1/0,2)^1/2 = 2,23Hệ số phản xạ : |Г | = (S-1) / (S+1) = (2,23-1)/ (2,23+1) = 0,381Г |Г | = (S-1) / (S+1) = (2,23-1)/ (2,23+1) = 0,381 = (S-1) / (S+1) = (2,23-1)/ (2,23+1) = 0,381Công suất phản xạ (%): 100|Г | = (S-1) / (S+1) = (2,23-1)/ (2,23+1) = 0,381Г|Г | = (S-1) / (S+1) = (2,23-1)/ (2,23+1) = 0,381^2 = 100. (0,381)^2= 14,58%

Suy hao: 10 log Pr/Pi = 20log |Г | = (S-1) / (S+1) = (2,23-1)/ (2,23+1) = 0,381Г|Г | = (S-1) / (S+1) = (2,23-1)/ (2,23+1) = 0,381 = 20log(0,381) = -8,38 (dB) với Pr, Pi = công suấtphản xạ và công suất tới theo thứ tự.

6. Đo lường vswr của anten loa:

Gỡ bỏ kết cuối tải trở và nối một trong các anten loa. Đo vswr của nó bằng cách đoImax và Imin như bước 2 và 3. Lặp lại với anten thứ 2.

Thực hành:

</div><span class="text_page_counter">Trang 25</span><div class="page_container" data-page="25">

Kết quả và tính vswr:1. Anten 1:

Imax = 0,8mAImin = 0,2mA

Vswr = (Imax/ Imin)^1/2 = (0,8/0,2)^2= 22. Anten 2

Imax = 0,8mAImin = 0,3mA

Vswr = (Imax/ Imin)^1/2 =(0,8/0,3)^1/2= 1,63 7. Đo các giá trị vswr lớn hơn:

(i.) Anten loa biểu thị sự phù hợp với sóng viba và do đó nó có vswr khá gần với 1.Một thiết bị có giá trị vswr lớn hơn có thể được mơ phỏng bằng việc sử dụng bộ suyhao thứ 2 qua bảng ngắn mạch

(ii.) Gỡ anten loa và nối bộ suy hao lên bảng ngắn mạch như hình 2.2.5 Hình 2.2.5:

</div><span class="text_page_counter">Trang 26</span><div class="page_container" data-page="26">

Thực hành:

(iii.) Thiết lập bộ suy hao khoảng 40 độ để có giá trị suy hao thấp (2 hoặc 3 dB) (iv.) Di chuyển đầu dò dọc theo đường khe để xác định vị trí có trường điện nhỏnhất, ghi nhớ giá trị Imin

(v.) Di chuyển đầu dò về phía phải cho tới khi đồng hồ đo của bộ tách sóng tiến tớigiá trị gấp đơi giá trị dịng nhỏ nhất ở trên, tức là 2Imin (tương ứng với k² = 2). ->Ghi lại giá trị của đầu dò trên thang chia độ của đường khe gọi là x1.

Ta có Imin = 0,05mA => 2Imin = 0,1mA tại vị trí x1 = 47mm

(vi.) Di chuyển đầu dị sang phía trái qua giá trị nhỏ nhất và xác định vị trí khi đạtgiá trị 2Imin lần nữa.

->Ghi lại giá trị đầu dò trên thang chia độ của đường khe, gọi là x2 Ta có x2= 44,5mm

</div><span class="text_page_counter">Trang 27</span><div class="page_container" data-page="27">

(viii.) Kết quả và tính vswr: Vị trí I=2Imin:

x1 = 47mm x2 = 44,5 mm

d = x1-x2 = 47-44,5 = 2,5mm

λc = 37,1mm với chuẩn E01g = 2. khoảng cách giữa 2 lần nhỏ nhất = 2(x2-x1) = 2(44,5-26) = 37mmVswr = (1 + 1/sin²(πd/λg))^1/2 d/λc = 37,1mm với chuẩn E01g))^1/2

= (1+ 1/ sin²(πd/λg))^1/2 .2,5/37))^1/2 = 4,85

ASSIGNMENT 4: ĐO LƯỜNG QUY LUẬT BỘ TÁCH SÓNG DIODETiến trình thí nghiệm:

Cảnh báo!

Khơng nhìn thẳng vào ống dẫn sóng đang mở. Sóng viba có thể gây hại

1. Thiết lập thiết bị như hình 2.4.3 với khe dẫn sóng kết cuối trong bảng ngắn mạchvà bộ suy hao biến đổi ở giá trị 0º (dần về vị trí 0º), lập giá trị suy hao lớn nhất. Độxuyên sâu của đầu dò thiết lập ở khoảng 1-2mm. Điều này đám bảo trường trongkhe khơng bị nhiễu bởi đầu dị nhưng vẫn tạo ra một phản ứng mức độ thấp tới đầudị tách sóng.

Hình 2.4.3:

</div><span class="text_page_counter">Trang 28</span><div class="page_container" data-page="28">

Thực hành:

2. Thiết lập công tắc trên bản điều khiển như sau:

- Công tắc trái: chế độ "internal keying" trạng thái khóa nội. - Cơng tắc phải: ban đầu để ở "off"

Bật cơng tắc nguồn chính màu xanh, tăng công suất bộ tạo dao động viba bằng cáchbật công tắc phía tay phải lên

3. Giảm từ từ giá trị suy hao trên bộ suy hao bằng cách di chuyển cánh điện trở về vịtrí 0º cho đến khi có sự lệch đi xuất hiện trên đồng hồ đo. Di chuyển đầu dị dọc theođường khe dẫn sóng và xác định vị trí lớn nhất được chỉ ra bằng cách đọc giá trịdòng qua đầu dò lớn nhất. Vị trí này tương đương với giá trị lớn nhất của trườngđiện tạo ra bởi thành phần sóng đứng thiết lập được trong đường khe dẫn sóng bởisóng tới và sóng phản xạ tại kết cuối ngắn mạch. Điều chỉnh bộ suy hao và nếu cầnthiết thì cả bộ điều khiển độ nhạy cơng suất tách sóng (độ nhạy thu) sao cho độ lệchtrên thang chia độ là lớn nhất.

4. Sau đó, di chuyển đầu dị dọc theo đường khe dẫn sóng và định vị chính xác vị trímà trường điện bằng 0. Tại vị trí 0 này, dịng thu coi như bằng 0. Bắt đầu làm việctừ điểm này khi di chuyển đầu dò xa khỏi phần cuối của đường khe. Ghi lại giá trịdịng của bộ tách sóng cho đến khi đạt được giá trị trường lớn nhất.

</div><span class="text_page_counter">Trang 29</span><div class="page_container" data-page="29">

Ghi kết quả vào bảng :Vị trí của đầu dị trongkhe chia độ của đườngkhe L(mm)

Vị trí đầu dị tươngquan với trường điện 0 l = L - L0

Dịng tách sóng I(mA)

Tại vị trí 0, E =L1 = L0 =

I = 0L1 = 24,5mm

L2 = 42,5mmL3 = 60,5mmL4 = 78,5mm

l1 = 28-24,5 = 3,5mml2 = 29-24,5 = 4,5mml3 = 30-24,5 = 5,5mml4 =31-24,5 = 6,5mm

I = 0,2mAI = 0,4mAI = 0,6mAI = 0,7mA

5. Đo bước sóng dẫn lg bằng cách xác định khoảng cách giữa hai điểm trống (bằng0) liên tiếp. Nó nên được tính bởi vị trí của 3 điểm trống liên tiếp:

Vị trí trống đầu tiên, L1 = 24,5mm Vị trí trống thứ 2, L2 = 42,5mm Vị trí trống thứ 3, L3= 60,5mmTừ đó:

λc = 37,1mm với chuẩn E01g = 2(L2 - L1) = 2(42,5-24,5) = 36mm= 2 (L3-L2) = 2(60,5-42,5) = 36mm= L3-L1 = 60,5-24,5 = 36mm

</div><span class="text_page_counter">Trang 30</span><div class="page_container" data-page="30">

6. Tính giá trị logl và log(sinbl), lập bảng kết quả như trang 2-4-7Khoảng cách

bl=2πd/λg))^1/2 l/ λc = 37,1mm với chuẩn E01g= 360l/ λc = 37,1mm với chuẩn E01g (độ)

Sin(bl) Log(sin(bl)) Dịng táchsóng I(mA)

a/ Đo trở kháng thơng thường của một tải viba

1. Thiết lập thiết bị như hình 5.5. Tải dẫn sóng mà ta cần đo trở kháng được nối vớiphần đường khe. Tải kiểm tra trong thí nghiệm này là điện trở kết cuối: K.

Chú ý: Đầu dị của bộ tách sóng diode S được cắm vào trong đường khe nên đượcđiều chỉnh từ 1-2mm. Điều này đảm bảo kết nối đủ để tính được trường điện trongống dẫn mà khơng làm nhiễu loạn sóng đứng thiết lập bởi tải tính tốn.

</div><span class="text_page_counter">Trang 31</span><div class="page_container" data-page="31">

Hình 5.5:

Thực hành:

2. Lập bộ suy hao vào khoảng 20 độ để tạo ra một giá trị suy hao phù hợp của bộsuy hao đệm. Chuyển công tắc nguồn băng X tới vị trí khóa trong "internal keying”và đồng hồ đo tới vị trí đầu ra bộ tách sóng "detector output" (hiển thị giá trị đầu ra

</div><span class="text_page_counter">Trang 32</span><div class="page_container" data-page="32">

3. Di chuyển đầu dò dọc theo đường khe để xác định vị trí có trường điện lớn nhất.Điều chỉnh độ nhạy của bộ khuếch đại thu trên bàn điều khiển sao cho đồng hồ đo(meter) chỉ 3 hoặc 4mA. Nếu cần thiết thì có thể điều chỉnh các thiết lập của bộ suyhao.

4. Dải tần viba giờ đã được thiết lập để đo vswr của tải trở. Di chuyển đầu dị táchsóng tới vị trí gần tải trở nhất và sau đó dịch nó ra xa tải trở. Ghi lại các vị trí màtrường điện nhỏ nhất và giá trị dịng ra của bộ tách sóng ở cả vị trí trường điện lớnnhất và nhỏ nhất. Ghi lại kết quả trong bảng 2-5-6 (trang 2-5-9)

5. Gỡ tải trở ra và thay thế bởi đĩa ngắn mạch R, nghĩa là đường khe bây giờ sẽ kếtcuối tại đĩa ngắn mạch.

Xác định và ghi lại vị trí min của trường điện khi bộ tách sóng đầu dị di chuyểndọc theo đường khe, bắt đầu ở vị trí gần nhất với mạch ngắn và di chuyển từng nấcmột dọc theo khe về phía đầu.

Thực hành:

</div>