báo cáo thí nghiệm kỹ thuật điện tử khảo sát đặc trung của diode và transistor bán dẫn

Bạn đang xem bản rút gọn của tài liệu. Xem và tải ngay bản đầy đủ của tài liệu tại đây (2.53 MB, 15 trang )

<span class="text_page_counter">Trang 1</span><div class="page_container" data-page="1">

BÀI 1

KHẢO SÁT ĐẶC TRUNG CỦA DIODE VÀ TRANSISTOR BÁN DẪN

Họ và tên: ………. MSSV: ………..

I. Mục đích thí nghiệm

……… II. Kết quả thí nghiệm

1. Xây dựng đường đặc tuyến của diode chỉnh lưu a. Phân cực thuận

Bảng 1. Phân cực thuận diode chỉnh lưu

STT Điện áp nguồn nuôi (V) V<small>D</small> (V) I<small>D</small> (mA) R<small>D</small> (Ω)

</div><span class="text_page_counter">Trang 2</span><div class="page_container" data-page="2">

a. Phân cực ngược

Bảng 2. Phân cực ngược diode chỉnh lưu

STT Điện áp nguồn nuôi (V) V<small>D</small> (V) I<small>D</small> (mA) R<small>D</small> (Ω)

</div><span class="text_page_counter">Trang 3</span><div class="page_container" data-page="3">

Nhận xét kết quả thu được

b. Phân cực thuận

Bảng 3. Phân cực thuận diode chỉnh lưu

STT Điện áp nguồn nuôi (V) V<small>D</small> (V) I<small>D</small> (mA) R<small>D</small> (Ω)

Bảng 4. Phân cực ngược diode chỉnh lưu

STT Điện áp nguồn nuôi (V) V<small>D</small> (V) I<small>D</small> (mA) R<small>D</small> (Ω)

</div><span class="text_page_counter">Trang 5</span><div class="page_container" data-page="5">

3. Đặc trưng của transistor

a. Xác định hệ số khuếch đại dòng điện của transistor Bảng 5. Kết quả đo đặc trưng transistor

STT Giá trị biến trở (kΩ) I<small>C</small> (mA) I<small>E</small> (mA) I<small>B</small> (µA) 1

2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15

</div><span class="text_page_counter">Trang 6</span><div class="page_container" data-page="6">

Nhận xét kết quả thu được

………

</div><span class="text_page_counter">Trang 7</span><div class="page_container" data-page="7">

1. Sơ đồ khuếch đại E chung

a. Xác định hệ số khuếch đại của sơ đồ

Bảng 1. Kết quả điểm làm việc tĩnh của transistor Kết quả thực nghiệm Tính tốn lý thuyết

</div><span class="text_page_counter">Trang 8</span><div class="page_container" data-page="8">

Nhận xét sự ảnh hưởng của tụ C tới kết quả thu được, so sánh với kết quả lý thuyết <small>e</small>

</div><span class="text_page_counter">Trang 9</span><div class="page_container" data-page="9">

2. Sơ đồ khuếch đại C chung

c. Xác định hệ số khuếch đại của sơ đồ

Bảng 4. Kết quả khảo sát sơ đồ khuếch đại E chung STT Tín hiệu lối

vào (mV)

Tín hiệu lối ra (V)

Hệ số KĐ

Hệ số KĐ lý thuyết 1 100

2 200 3 500 4 1000 5 1500 6 2000 7 2500 8 3000 9 4000 10 5000 Nhận xét kết quả thu được

Bảng 5. Kết quả khảo sát hệ số khuếch đại theo tần số xung vào f<small>in</small> (kHz)

V<small>out</small> (V) K

</div><span class="text_page_counter">Trang 11</span><div class="page_container" data-page="11">

………

II. Kết quả thí nghiệm 1. Sơ đồ dao động Hartley Xác định điểm làm việc tĩnh của transistor U (V) <small>BE</small> U (V) V (V) <small>CEC</small> V (V) <small>E</small>Khi chưa gắn biến trở Giá trị biến trở bằng 100kΩ Khi xuất hiện xung ra Vẽ dạng xung tại vị trí B và C

</div><span class="text_page_counter">Trang 12</span><div class="page_container" data-page="12">

Nhận xét kết quả thu được

Xác định điểm làm việc tĩnh của transistor

U (V) <small>BE</small> U (V) V (V) <small>CEC</small> V (V) <small>E</small>Khi chưa gắn biến trở

Giá trị biến trở bằng 100kΩ Khi xuất hiện xung ra

Kết quả khảo sát sơ đồ khi thay đổi giá trị biến trở

STT R (Ω) <small>f</small> Hệ số KĐ Biên độ xung ra Tần số xung ra

</div><span class="text_page_counter">Trang 14</span><div class="page_container" data-page="14">

3. Sơ đồ phát xung phi tuyến a. Sơ đồ phát xung cổng NAND

Kết quả khảo sát sơ đồ phát xung cổng NAND

R (kΩ) SW2 C (pF)

SW3 R (kΩ)