Bài tiểu luận : HP kỹ thuật điện tử tương tự ppt

TRƯỜNG ĐẠI HỌC KỸ THUẬT CÔNG NGHIỆP THÁI NGUYÊN
KHOA ĐIỆN TỬ
BỘ MÔN: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ
******
BÀI TIỂU LUẬN
HP: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ TƯƠNG TỰ
Đề tài: …………………………………………………………………
………………………………………………………………………….

GV hướng dẫn: ThS. Phạm Duy Khánh
Nhóm thực hiện:
Lớp HP:
Thái Nguyên - …/2012
TRƯỜNG ĐẠI HỌC KỸ THUẬT CÔNG NGHIỆP THÁI NGUYÊN
KHOA ĐIỆN TỬ
BỘ MÔN: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ
******
TIỂU LUẬN
Đề tài tiểu luận:
Môn học:
Bộ môn:
1. Sinh viên MSSV
2. Sinh viên MSSV
3. Sinh viên MSSV
4. Sinh viên MSSV
5. Sinh viên MSSV
6. Sinh viên MSSV
7. Sinh viên MSSV
8. Sinh viên MSSV
9. Sinh viên MSSV

10. Sinh viên MSSV
Yêu cầu của đề tài:




Giáo viên chấm GV hướng dẫn

MỤC LỤC
PHẦN I: ĐẶT VẤN ĐỀ
Trong những năm gần đây, cùng với sự bùng nổ của cách mạng thông tin,
ngành kĩ thuật điện tử là một trong những ngành phát triển với tốc độ nhanh nhất.
Những người có trí tưởng tượng phong phú nhất cũng không thể hình dung được
tương lai của ngành điện tử sẽ diễn biến theo chiều hướng nào. Các đồ điện tử tin học,
các thiết bị thông tin giải trí vừa mới mua sắm đã trở thành lạc hậu, lỗi thời.
Linh kiên điện tử càng ngày càng nhỏ bé, vừa tiết kiệm năng lượng vừa tích
hợp nhiều chức năng. mạch điện tử vì thế càng ngày càng thay đổi về hình dáng và
cấu trúc. Các vi mạch (IC) đời mới chứa được hàng trăm linh kiện, một IC có thể thay
thế cho nhiều tầng hay nhiều khối chức năng.
Mỗi thiết bị điện tử đều gồm rất nhiều mạch, hầu hết những mạch ấy đều
được cải tiến từ một số mạch cơ bản ban đầu. Chỉ cần một thay đổi nhỏ là một mạch
ban đầu có thể biến thành một mạch mới với tính năng mới. Bằng cách thay đổi cách
nối dây, thay đổi vị trí hay thêm bớt linh kiện là người ta có thể biến mạch cơ bản
thành hàng trăm mạch mới với nhiều tính năng tác dụng mới.
Mạch dao động đa hài cũng là một mạch cơ bản, nó được dùng nhiều trong
hầu hết các thiết bị kĩ thuật số, trong máy thu hình, đầu đĩa, máy tính, trò chơi,đồng
hồ hay các thiết bị quảng cáo trang trí ….
Riêng lĩnh vực trang trí, có đến vài chục loại IC chuyên điều khiển các đèn
chớp sáng hay các chữ chạy nhảy như AN6879, 6877, 6878, 6884, 6891, 6888,
6887… các IC này đều được cải tiến từ mạch dao động đa hài dùng Tranzistor.

Với sự hướng dẫn của thầy Phạm Duy Khánh, sinh viên nhóm 12 – lớp học
phần H2 xin được trình bày những hiểu biết về mạch đa hài tự kích trong bài viết dưới
đây.

PHẦN II: GIẢI QUYẾT VẤN ĐỀ
1. Mạch đa hài tự kích dùng tranzistor
1.1. Phân tích mạch điện
1.1.1. Cấu tạo
Mạch đa hài tự kích dùng Tranzistor có cấu tạo từ hai tầng khuếch đại phụ tải
cực góp mắc hồi tiếp với nhau bởi các tụ C
1
, C
2
như hình 1.1a
1.1.2. Sơ đồ mạch đa hài tự kích dùng tranzitor.
Hình 1.1: Sơ đồ nguyên lý mạch đa hài tự kích và giản đồ thời gian.
Ta giả thiết mạch là đối xứng thì khi đóng mạch nguồn cung cấp cả hai
Tranzistor đều thông, dòng điện qua hai Tranzistor là bằng nhau, điện thế trên cực
góp của các Tranzistor là như nhau. Tuy nhiên hiện tượng đối xứng tuyệt đối trong
thực tế là không tồn tại do có sai số giữa các điện trở, tụ điện, độ tản mạn các tham số
của các Tranzistor cùng loại v.v nên một trong hai Tranzistor sẽ dẫn mạnh hơn.
1.2. Nguyên lí hoạt động
Giả thiết Tranzistor T
1
dẫn mạnh hơn → I
C1
tăng → U
C1
giảm, lượng giảm áp này
thông qua tụ C

1
đưa cả sang cực gốc đèn T
2
làm U
B2
giảm theo. Điện áp điều khiển
U
B2
của T
2
giảm làm I
C2
giảm và U
C2
tăng. Lượng tăng áp trên cực góp của T
2
thông

R
C1
R
C2
T
2
T
1
R
B2
R
B1

C
1
C
2
+E
C
U
C2
U
C1
(a)
(b)
0
0
0
0
t
t
t
t
U
B1
U
B2
U
C1
U
C2
t
1

t
2
t
3
t
4
t
5
-E
C
0,6V
T
1
R
E
C
R
R
T
2
T
1
R
R
C C
E
C
U
C2
U

C1
WR
Hình 1.2: Sơ đồ nguyên lý mạch phát
xung dùng Tranzistor
qua tụ C
2
đưa cả đến cực gốc của T
1
nên U
B1
tăng → I
C1
tiếp tục tăng. Quá trình này
chỉ kết thúc khi I
C2
giảm về bằng “0” (T
2
khoá hẳn: U
C2
≈ E
C
) và I
C1
đạt giá trị I
C1bh
(T
1
mở boã hòa: U
C1
≈ 0).

Ngay khi T
1
mở bão hoà, T
2
khoá chắc chắn thì tụ C
2
được nạp theo đường: +E
C
→ R
C2
→ C
2
→ r
beTr1
→ mát (âm nguồn E
C
). Đồng thời với quá trình nạp điện của tụ
C
2
là quá trình phóng điện của tụ C
1
: +C
1
→ r
ceTr1
→ E
C
(qua nội trở của nguồn) → R
B2
→ -C

1
. Chính quá trình phóng điện của tụ C
1
tạo nên một sụt áp âm trên tiếp giáp gốc
- phát của T
2
giữ cho T
2
ở trạng thái khóa chắc chắn.
Theo thời gian dòng phóng của tụ C
1
giảm dần, điện thế trên cực gốc

của T
2
bớt
âm dần. Khi điện áp U
beTr2
≥ 0 thì đèn T
2
sẽ thông lại bắt đầu một quá trình hồi tiếp
như sau:
I
C2
tăng → U
C2
giảm → U
B1
giảm → I
C1

giảm → U
C1
tăng → U
B2
tăng
Kết thúc quá trình hồi tiếp trên, T
1
khóa, T
2
thông bão hòa bắt đầu quá trình nạp
điện của tụ C
1
và phóng điện của tụ C
2
, U
C1
≈ E
C
, U
C2
≈ 0.
Qua các phân tích ở trên ta thấy mạch có thể tự động chuyển từ trạng thái cân
bằng không ổn định này sang trạng thái cân bằng không ổn định khác mà không cần
tín hiệu kích thích từ ngoài.
1.3. Các thông số cơ bản đáp ứng các yêu cầu cho trước
Mạch có hai đầu ra được lấy trên hai cực góp của hai Tranzistor T
1
(U
C1
) và T

2
(U
C2
). U
C1
, U
C2
thực chất là hai dãy xung có biên độ sấp xỉ bằng nguồn nuôi của mạch

là E
C
và U
C1
= 5
C2
. Chu kỳ T của hai dẫy xung ra này được tính theo biểu thức:
T = τ
1
+ τ
2
.
Trong đó : τ
1
= R
1
.C
1
.Ln2 ≈ 0,7. R
1
.C

1
là hằng số thời gian phóng của C
1
.
τ
2
= R
2
.C
2
.Ln2 ≈ 0,7. R
2
.C
2
là hằng số thời gian phóng của C
2
.
⇒T ≈ 0,7.(R
1
.C
1
+ R
2
.C
2
).
Nếu ta chọn: R
1
= R
2

= R, C
1
= C
2
= C thì
T =1,4.R.C.
Nhìn vào biểu thức của T ta thấy khi muốn thay đổi tần số xung ra ta chỉ việc
thay đổi điện dung tụ C hoặc giá trị điện trở R. Ở hình 1.2, khi ta thay đổi biến trở
WR thì hằng số thời gian phóng nạp của tụ C
1
và C
2
đều thay đổi, dẫn đến độ rộng
xung ra thay đổi.
Với cách mắc trên ta có chu kỳ T là: T ≈ 1,4.(WR + R).C.
Trong mạch ta chọn Tranzistor là loại N-P-N có công suất nhỏ nhưng hệ số khuếch
đại lớn như loại Tranzistor silic có nhãn hiệu C
828
, hoặc C
945
.
Ví dụ 1: Có các số liệu R
B1
= R
B2
= R = 10kΩ; R
C1
= R
C2
=1kΩ; C

1
= C
2
= 0,47µF ta
có thể dùng biến trở để tần số xung ra là 50Hz như sau:
f = 50Hz
⇒
1
T
f
=
=1/50=0.02(s)
Ta có T=1,4(R +WR)C
6
0,02
WR= 30,4
1,4.0,47.10
R k
−
⇒ + =
Ω
⇒
WR = 30,4-R = 30,4 – 10 = 20,4kΩ
Vậy cần điều chỉnh giá trị của biến trở WR = 20,4 kΩ thì tần số xung ra là 50Hz
Hằng số thời gian phóng của tụ C
1
là: τ
1
= R
B2

.C
1
.Ln2 ≈ 0,7R
1
C
1
Hằng số thời gian phóng của tụ C
1
là: τ
2
= R
B1
.C
2
.Ln2 ≈ 0,7R
2
C
2
⇒
T ≈ 0,7(R
1
C
1
+ R
2
C
2
)
Khi C1 ≠ C2 thì τ
1

≠ τ
2
các xung ra sẽ là các xung không đối xứng hay
nói cách khác độ rộng của 2 xung là khác nhau.

1.4. Mô phỏng mạch bằng phần mềm multisim
Hình 1.3 : Mô phỏng mạch đa hài dùng Tranzistor

Hình 1.4 : Giản đồ điện áp ra U
C1
(màu đỏ) và điện áp U
B1
(màu xanh)

Hình 1.5 : Giản đồ điện áp ra U
C2
(màu đỏ) và điện áp U
B2
(màu xanh)
2. Mạch đa hài dùng IC khuếch đại thuật toán
2.1. Phân tích mạch điện
Để lập các xung vuông tần số thấp hơn 1000Hz sơ đồ đa hài (đối xứng hoặc không
đối xứng) dùng IC tuyến tính dựa trên cấu trúc của một mạch so sánh hồi tiếp dương
có nhiều ưu điểm hơn sơ đồ dùng Tranzistor đã nêu. Tuy nhiên do tính chất tần số của
IC khá tốt nên ở tần số cao việc ứng dụng sơ đồ IC mang nhiều ưu điểm hơn.
Hình 2.1 là sơ đồ nguyên lý (hình 2.1a) và giản đồ thời gian (hình 2.1b) làm việc
của mạch phát xung dùng vi mạch khuếch đại thuật toán.

+
_

KĐTT
R
R
1
R
2
C
u
ra
N
P
(a)
+U
CC
-U
CC
τ
1
τ
2
T
0
0
U
c
U
r
U
_
P

U
+
P
+U
ra max
-U
ra max
t
t
t
4
(b)
t
1
t
2
t
3
+U
ra max
-U
ra max
Hình 2.1: Sơ đồ nguyên lý mạch phát xung (a) và giản đồ thời gian (b).
Nhìn vào sơ đồ nguyên lý ta thấy KĐTT (khuếch đại thuật toán) cùng hai điện trở
R
1
và R
2
tạo thành một mạch trigơ smit có điện áp ngưỡng lấy trên điện trở R
1

: u
P
=
u
R1
. Điện áp đặt tới đầu vào của trigơ Smit (đầu vào đảo của KĐTT) được lấy trên tụ
C và tuân theo quy luật biến thiên của điện áp trên tụ: U
N
= U
C
.
Với cách mắc của trigơ smit nói trên cùng mạch R, C như hình vẽ ta được một
mạch dao động tự kích có giản đồ thời gian mô tả hoạt động như hình 2.1b.
2.2. Nguyên lý hoạt động của mạch
Khi điện thế trên đầu vào N (điện áp trên tụ C) đạt tới ngưỡng lật của trigơ Smit thì
sơ đồ sẽ lật trạng thái và điện áp ra đột biến giá trị ngược lại với giá trị cũ. Sau đó thế
trên đầu vào N thay đổi theo hướng ngược lại và tiếp tục cho đến khi đạt ngưỡng lật
khác. Quá trình thay đổi U
N
được điều khiển bởi thời gian phóng nạp của C từ U
r
qua
R.
+ Khoảng thời gian (0 ÷ t
1
) điện áp ra của KĐTT ở giá trị u
ra
= +U
ra max
.

β+=
+
+==⇒
+
.U
RR
R
UUu
maxra
21
1
maxra
P
P
, với
21
1
RR
R
+
=β
Đến thời điểm t
1
điện thế trên N đạt đến ngưỡng
β+==
+
.UUu
maxra
P

c
của trigơ
Smit nên sơ đồ lật trạng thái.
+ Từ t
1
÷ t
2
, u
ra
= - U
ramax
→ điện áp ngưỡng cũng lật trạng thái:
β−==
−
.UUu
maxra
P
P
, đồng thời tụ C phóng điện từ + C → R → KĐTT → -U
CC
→
nội trở nguồn → mát → - C. Khi điện áp trên tụ giảm về bằng không thì tụ lại nạp
theo chiều ngược lại từ mát → C → R → KĐTT → - Ucc, điện áp trên tụ tăng dần với
cực tính ngược lại. Tại t
2
điện thế trên N đạt đến giá trị ngưỡng

u
C
=U

-
P
=-β.U
ramax
→ sơ đồ lại lật trạng thái → u
ra
=+ U
ramax
→
β+==
+
.UUu
maxra
P
c
,
đồng thời tụ C phóng điện theo đường +C → mát → nội trở nguồn → +U
CC
→ R →
→ -C. Khi điện áp trên tụ giảm về “0” thì tụ được nạp theo chiều ngược lại từ +U
CC
→ KĐTT → R → C → mát.
2.3. Các thông số cơ bản đáp ứng các yêu cầu cho trước
Qua các phân tích trên ta thấy quá trình phóng và nạp của tụ C đều thông qua điện
trở R trong các khoảng thời gian 0 ÷ t
1
, t
1
÷ t
2

, lúc đó phương trình vi phân để xác
định U
N
(t) có dạng:
.
RC
U_U
dt
dU
NmaxraN
±=

Giải phương trình vi phân trên với điều kiện đầu là U
N
(t = 0) = U
-
P
= - U
ra max
.β ta có
nghiệm sau:
.)e.1(1U)t(U
C.R
t
maxraN









β−−=
−
Tại thời điểm t
1
điện áp trên tụ đạt giá trị U
N
(t
1
) = U
+
P
= U
ra max
.β
( )
.U.e.11UU)t(U
maxra
RC
maxra
P
1N
1
β=









β+−⇔=⇒
τ
−
+
(*)
Với τ
1
là hằng số thời gian phóng nạp của tụ C khi U
ra
= U
ra max
.
(*)
( )
RC
1
e.1)1(
τ
−
β+=β−⇔
, thay
21
1
RR
R
+

=β
, tối giản và lấy ln hai vế ta được:
).
R
R
21(Ln.C.R)
R
R
21(Ln
C.R
2
1
1
2
11
+=τ⇒+=
τ
⇔
Nếu ta chọn R
1
= R
2
thì : τ
1
= R.C.Ln3 ≈1,1. R.C.
Do quá trình phóng nạp của tụ đều qua R nên ta có τ
1
= τ
2
= τ ≈ 1,1.R.C nên chu kỳ

T của xung ra :
T = 2. τ ≈ 2.1,1.R.C = 2,2.R.C


Hình 2.2: Sơ đồ nguyên lý mạch phát xung sử dụng
µ
A741.
Nhìn vào biểu thức trên ta thấy: khi muốn thay đổi tần số của dẫy xung ra ta có
thể thực hiện bằng cách thay đổi điện dung của tụ C hoặc thay đổi giá trị điện trở R.
Hình 2.2 là sơ đồ nguyên lý một mạch phát xung dùng khuyếch đại thuật toán dùng
vi mạch µA741 có độ rộng thay đổi được nhờ biến trở WR. Với mạch này ta có công
thức tính chu kỳ của xung ra như sau:
T = 2. τ ≈ 2.1,1.(WR + R).C = 2,2.(WR + R).C
Ví dụ 2: Cho IC µA741 biết C =200nF tìm thông số WR để tần số điên áp thay đổi từ
(10-1000)Hz
Ta có T=2,2(R + WR).C
Khi f
1
= 10Hz → T
1
=1/f
1
=0,1(s)
⇒
R + WR
1
=
7
0,1
227,3

2,2.2.0
k
−
=
Ω
Khi f
2
= 1000Hz → T
2
=1/f
2
=
3
10
−
(s)
⇒
R + WR
1
=
3
7
10
2,3
2,2.2.10
k
−
−
=
Ω

Chọn R = 1,3kΩ và WR
1
= 226kΩ, WR
2
= 1kΩ
Với R = 1,3kΩ và WR = (1-226)kΩ thì tần số điện áp thay đổi từ (10-1000)Hz
2.4. Mô phỏng mạch bằng phần mềm mutilsim

Hình 2.3 : Mô phỏng mạch đa hài dùng IC khuếch đại thuật toán
Hình 2.4 : Giản đồ điện áp U
v
(màu xanh) và điện áp U
ra
(màu đỏ)
3. Mạch đa hài tự kích dùng IC 555
3.1. Phân tích mạch điện


Khối phát xung chủ đạo có nhiệm vụ phát ra một dãy xung vuông liên tục cung cấp
cho khối đếm. Yêu cầu đặt ra đối với khối này là dãy xung vuông được tạo ra có tần
số thay đổi được để từ đó có thể thay đổi được tốc độ hiển thị. Hình 3.1 là sơ đồ
nguyên lý của một mạch phát xung chủ đạo đáp ứng được các yêu cầu trên.
Hình 3.1: Sơ đồ nguyên lý mạch phát xung chuẩn dùng IC 555
Vi mạch 555 là loại vi mạch được dùng để phát xung vuông chuyên dụng.
Muốn tạo ra được dẫy xung liên tục người ta tiến hành ghép vi mạch này với tụ điện
và điện trở như hình vẽ. Để hiểu rõ nguyên lý hoạt động của phát xung của vi mạch
555 ta quan sát sơ đồ trải của vi mạch 555 hình 3.2.

Hình 3.2: Sơ đồ trải của 555 trong mạch phát xung chủ đạo.
Phần được đóng khung bằng nét đứt là vi mạch 555, nó có cấu tạo cơ bản từ 2

phần tử khuếch đại thuật toán OA1, OA2 và 1 Trigơ R-S. Trong đó hai khuếch đại
thuật toán được mắc theo kiểu mạch so sánh có điện áp ngưỡng được lấy trên bộ phân
áp dùng 3 điện trở có cùng giá trị R. Với cách mắc như trên thì điện áp ngưỡng của
các mạch so sánh là
/ 3Ucc
đối với OA
2
và
2 / 3
CC
U
đối với OA
1
. Quan sát trên sơ đồ
ta thấy điện áp trên tụ C được đặt tới đầu vào còn lại của hai mạch so sánh nên giá trị
điện áp trên tụ sẽ quyết định trạng thái của chúng.
Hình 3.3: Giản đồ thời gian của điện áp trên mạch phát xung.

3.2. Nguyên lý hoạt động của mạch
* Giả sử tại thời điểm đầu (t = 0) điện áp trên tụ C là
3
Ucc2
U
C
=
thì đầu ra OA1 có
mức logic “1” còn đầu ra OA2 có mức logic “0”, đầu ra 1 có mức logic “1” (R = 1, S
= 0), tranzitor T thông. Tụ C phóng điện qua R
B
, qua T về mát làm cho điện áp trên nó

giảm dần. Đầu ra của mạch phát xung không có xung ra (mức logic “0”).
+Khi
3
Ucc2
U
3
Ucc
C
<<
thì đầu ra của OA
1
và OA
2
đều có mức logic “0” trigơ
vẫn giữ nguyên trạng thái (R = 0, S = 0), T vẫn mở, tụ C tiếp tục phóng điện, điện áp
trên nó tiếp tục giảm, xung ra ở mức logic “0”.
+ Đến thời điểm t
1

3
Ucc
U
C
≤
, đầu ra OA
2
có mức logic “1”, còn đầu ra OA
1
vẫn có mức logic “0”, 1 nhận trị “0” (R = 0, S = 1). Qua cổng NAND ta nhận được
xung ra ở mức logic “1”, đồng thời tranzitor T khoá tụ C được nạp từ +U

CC
→ R
A
→
R
B
→ C

→ mát. Quá trình tụ nạp điện áp trên nó tăng dần theo biểu thức sau:
.e.
3
U
)e1.(UUc
C).RR(
t
CC
C).RR(
t
CC
ABBA
+
−
+
−
+−=
+ Trong khoảng thời gian điện áp trên tụ thoả mãn:
3
Ucc
U
3

Ucc
2
C
≥>
các đầu ra
bộ so sánh đều nhận trị “0”, trigơ giữ nguyên trạng thái (R = 0, S = 0), xung ra vẫn
tồn tại ở mức logic “1”, T vẫn khóa tụ C tiếp tục được nạp điện.
+ Cho đến thời điểm t
2
, U
C
≥ 2U
CC
/3 đầu ra của OA
1
chuyển trạng thái lên mức
logic “1”, đầu ra của OA
2
vẫn giữ nguyên trạng thái, 1 nhận trị “1” (R =1, S = 0),
xung ra nhận mức logic “0” đồng thời T thông bão hoà, tụ C phóng điện, hoạt động
của mạch lặp lại như quá trình từ 0 ÷t
1
. Kết quả là ta thu được một dẫy xung vuông ở
đầu ra trên chân 3 của vi mạch 555.
3.3. Các thông số cơ bản đáp ứng các yêu cầu cho trước
Để thay đổi tần số xung ra thì thay đổi hằng số thời gian phóng, nạp của tụ C bằng
cách thay đổi giá trị các điện trở R
A
và R
B

.
Thời gian để điện áp trên tụ được nạp từ giá trị U
CC
/3 đạt đến giá trị 2U
CC
/3 ta tính
được theo công thức sau:










−+=
+
−
+
−
C).RR(
tn
CC
C).RR(
tn
CCCC
BABA
e1.Ue.

3
U
3
U2
.

Đơn giản phương trình ta được :
3
U
e.
3
Ucc
2
CC
C).RR(
tn
BA
=
+
−
Ln hai vế:

.C).RR.(69,02ln.C).RR(t
BABAn
+≈+=
Trong khoảng từ 0 ÷ t
1
tụ C phóng điện từ giá trị ban đầu là 2U
CC
/3 đến U

CC
/3.
Biểu thức điện áp trên tụ:
.e.Ucc
3
2
)t(Uc
C.R
t
B
−
=

Tại t = t
1
:
C.R
tp
CC
B
e.Ucc
3
2
3
U
−
=
.
Với t
p

là hằng số thời gian phóng của tụ C.

.C.R.69,02ln.C.Rt
BBp
≈=
Chu kỳ T của dãy xung ra:
T = t
n
+ t
p
= 0,69(R
A
+ R
B
).C + 0,69R
B
.C = 0,69(R
A
+ 2R
B
).C.
Nếu mắc thêm điôt D song song với điện trở R
B
như hình vẽ thì tụ C sẽ nạp
điện theo đường +Ucc → R
A
→ D → C → mát, thời gian nạp của tụ C sẽ được
tính: t
n
= 0,69.C.R

A
, và khi này chu kỳ của dãy xung ra sẽ được tính:
T = t
n
+ t
p
= 0,69.R
A
.C + 0,69.R
B
.C = 0,69.(R
A
+ R
B
).C.
Nếu ta chọn R
A
= R
B
→ t
n
= t
p
→ T = 2.t
n
= 2.t
p
= 2.0,69. R
A
.C = 1,4.R

A
.C. Trong
trường hợp này xung ra có độ rộng và khoảng thời gian không tồn tại xung là bằng
nhau. Nhìn vào biểu thức ta thấy khi muốn thay đổi chu kỳ T của xung ra ta có thể
thực hiện bằng 2 cách là thay đổi dung lượng của tụ C hoặc thay đổi giá trị của điện
trở R
A
, và R
B
. Trên hình 5 để có thể thay đổi được T ta điều chỉnh hai biến trở WR
1
và
WR
2
, đây là hai biến trở đồng trục mà khi ta tăng thì chúng cùng tăng còn khi ta giảm
thì chúng cùng giảm nên WR
1
= WR
2
= WR. Với mạch như hình 3.1 công thức tính
chu kỳ của xung ra như sau:
T = 2.0,69.(WR+R
1
).C
1.
= 1,4.(WR+R
1
).C
1

Ví

dụ 3: Cho IC 555 biết C =100nF tìm thông số WR để tần số điên áp thay đổi từ
(100-1500)Hz
Ta có T=1,4(R + WR).C
Khi f
1
= 100Hz → T
1
=1/f
1
=0,01(s)
⇒
R + WR
1
=
7
0,01
71,43
1,4.10
k
−
=
Ω
Khi f
2
= 1500Hz → T
2
=1/f
2

=6,67.
4
10
−
(s)
⇒
R + WR
1
=
4
7
6,67.10
4,76
1,4.10
k
−
−
=
Ω
Chọn R = 1,43kΩ và WR
1
= 70kΩ, WR
2
= 3,33kΩ
Với R = 1,43kΩ và WR = (3,33-70)kΩ thì tần số điện áp thay đổi từ (100-1500)Hz
3.4. Mô phỏng mạch bằng phần mềm mutilsim
Hình 2.3 : Mô phỏng mạch đa hài dùng IC 555

Hình 2.3 : Giản đồ điện áp ra chân 3 của IC555
PHẦN III. KẾT LUẬN, HƯỚNG PHÁT TRIỂN

Sau quá trình tìm hiểu về các mạch đa hài đặc biệt là các mạch đa hài tự kích
nhóm chúng em đã hoàn thành đề tài Tìm hiểu về các mạch đa hài tự kích với 3 mạch
cơ bản đó là : Mạch đa hài tự kích dùng 2 tranzistor, mạch đa hài tự kích dùng IC
KDTT và mạch đa hài tự kích dùng IC555. Bước đầu hiểu rõ được chức năng của các
linh kiện trong mạch, hiểu và phân tích nguyên lí hoạt động của từng mạch, biết thiết
kế mô phỏng mạch trực quan bằng phần mềm multisim. Qua đó làm tăng niềm đam
mê nghiên cứu yêu thích môn học, tìm tòi và ứng dụng vào các bài toán mạch điện tử
thực tế.
Khi viết bài này, chúng em đã tìm hiểu và mô phỏng nhiều mạch để nghiên cứu và
khảo sát. Tuy nhiên vấn đề thì quá phức tạp, tài liệu tham khảo ở trong các loại sách
chuyên ngành và trên mạng Internet nhiều nhưng không có tài liệu nào thật sự chi
tiết, khả năng thì có hạn nên không tránh khỏi thiếu sót. Rất mong nhận được sự góp
ý của thầy và các bạn để bài viết của nhóm hoàn thiện hơn .
Tháng 8 năm 2012
Xin chân thành cám ơn !

TÀI LIỆU THAM KHẢO
[1] Bộ môn Kỹ thuật
điện
tử, Giáo trình Kỹ thuật điện tử tương tự,
Trường
Đại
học Kỹ thuật Công nghiệp Thái Nguyên
[2] TS Nguyễn Viết Nguyên, Kỹ thuật mạch điện tử, Nhà xuất bản Giáo dục,
2005.
/> /> /> />