Báo cáo - Thí nghiệm cấu kiện điện tử P1 pdf

BÀI 1:

I.Thiết
b
-
-
-

II.Nội d
u

Chủ đ
ề

a. M
ụ
H
dẫn.Nhậ
n
b. K
ế
-
-
-
-
vào cực
E
-

Chủ đ
ề

a.
M
H

Mạch t
h
C
V
p
h







C
V
D




b
ị:
Máy hiện s
ó
Máy tạo só

n
Bảng mạch
u
n
g
thí n
g
h
i
ề
1: Giới t
h
ụ
c đích:
H
iểu định n
g
n
dạng và ki
ế
t luận:
Diode và tr
a
Diode có m
ộ
Diode,zene
r
Ký hiệu củ
a
E

miter
Diode có 2
c
ề
2 : Diode
v
M
ục đích :
H
iểu, giải thí
c
h
í n
g
hiệm :
C
ác thông số
V
A
=
V
R1

=
V
R2

=
V
ới các giá t

r
h
ân cực thu
ậ
C
ác thông số
V
A
=
V
R1

=
V
R2

=
V
ới các giá t
r
D
ựa vào địn
h
SE
M
ó
ng 2 chiều
n
g sin
i

ệm:
h
iệu về chất

g
hĩa giải thí
c
ể
m
chứng n
g
a
nsistor đượ
c
ộ
t tiếp giáp
P
r
, LED khác
a
PNP trans
i
c
ực Anode
v
v
à chỉnh lư
u
c
h và mô tả

đo được trê
n
-10VDC
-9.37
-0.1mV
r
ị như thế C
R
ậ
n, CR2 đư
ợ
đo được trê
n
10VDC
0.1mV
9.39V
r
ị như thế C
R
h
luật Ohm t
a
I
R
M
ICOND
U
bán dẫn
c
h về vật li

ệ
g
uyên lý ho
ạ
c
cấu trúc t
ừ
P
N, T
r
ansis
t
nhau về kí
h
i
stor có chi
ề
v
à Cathode.
T
u
bán kỳ
các nguyên
n

m
ạnh là :
R
1 được
ợ

c phân cực
n
n

m
ạnh là :
R
1 được ph
â
a
xác định đ
ư
R
V
2
2R
2
R
=
=
U
CTOR
F
ệ
u bán dẫn
v
ạ
t động của
m
ừ

vật liệu bá
n
t
or có 2 tiếp
h
iệu.
ề
u mũi tên c
ự
Tr
ansistor c
ó
lý và các đ
ặ
n
ghịch.
â
n cực nghị
c
ư
ợc dòng đi
mA85.2
=
F
UNDAM
E
v
à chức năn
g
m

ột số dụn
g
n
dẫn, thườ
n
giáp PN.
ự
c BASE,c
ò
ó
3 cực Emi
t
ặ
c tính hoạt
đ
c
h, CR2 đượ
ện qua điện
E
NTAL
g
của nó tr
o
g
cụ bán dẫn
n
g là silicon
v
ò
n NPN thì

c
t
er,Base,col
l
đ
ộng của Di
o
c phân cực
t
trở R
2
:
o
ng các dụn
g
.
v
à Germani
u
c
hiều mũi t
ê
l
ector.
o
de bán dẫn
t
huận.
g
bán

u
m.
ê
n chỉ
.
D











Hình mi
n

V
A

(
0.
7
5
1
0

Kết luận
-
-
sụt áp tr
ê
-
đánh thủ
n
-
T















H



D

ựa và giá tr
ị
n
h họa mối
q
(
V) V
R2
(
V
7
5
5

0

:
Đặc tuyến
d
Khi điện áp
ê
n diode nh
ỏ
Khi diode
p
n
g,
d
òng ng
ư

Diode có đi
ệ
T
hí n
g
h
i
ệm
2
H
ình minh h
ọ
ị
của I
R2
ta
x
I
C
R
q
uan hệ giữ
a
V
)
0.29
4.41
9.38
d
òng một ch

i
phân cực t
h
ỏ
.
p
hân cực n
g
ư
ợc tăng nh
a
ệ
n trở thuận
2
:
ọ
a mối quan
x
ác định đư
ợ
R
2
= 2.85m
A
a

d
òng và áp
I
CR2

= V
R
i
ều của diod
h
uận tăng, v
ư
g
ược, có dò
n
a
nh chóng,
d
thấp, điện t
r
hệ giữa dạ
n
ợ
c dòng qua
A

qua diode
C
R
2
/3.3KΩ (
m
0.088
1.34
2.84

e mô tả
d
òn
g
ư
ợt qua điệ
n
n
g rò nhỏ c
d
iode bị đán
h
r
ở nghịch c
a
n
g sóng vào
CR2 :
C
R2 khi phâ
n
m
A) V
D
=
g
và điện áp
n
áp chắn th
ì

hạy qua. C
h
h
thủng.
a
o.
và sóng ra
c
n
cực thuận
V
A
– V
R2
(
V
0.46
0.59
0.62
thuận và n
g
ì
dòng tăng
n
h
o đến khi
đ
c
ủa chỉnh lư
u

V
)
g
ược.
n
hanh chón
g
đ
ạt được đi
ệ
u
bán kỳ dư
ơ
g
, với
ệ
n áp
ơ
ng.










Mạch ch

ỉ

* V
I (pk)

=
Với 0.6
V
* V
I (pk)

=
* V
o(pk)

=

Kết luận
-
nữa chu
k
-
-
trong bá
n
-
trong bá
n
-

Chủ đề
3

M
nhân đôi

Thí n
g
h
i











V

Quan h
ệ
ỉ
nh lưu dio
d
=
1V Æ V

o (
p
V
là sụt áp tr
ê
=
2V Æ V
o (
p
=
3V Æ V
o(a
v
:
Chỉnh lưu
b
k
ỳ.
Diode và đi
ệ
Khi anode
c
n
kỳ dương.
Khi cathod
e
n
kỳ âm.
Sụt áp trên
d

3
: Chỉnh l
ư
M
ục đích :
H
điện áp.
i
ệm 1 : Chỉ
n
V
o(pk)
= 10V
Æ

ệ
giữa sóng
v
d
e bán kỳ :
p
k)
= V
I (pk)

–
ê
n CR1
p
k)

= V
I (pk)

–
v
g)
= 0.318
x
b
án kỳ là q
u
ệ
n trở tải hì
n
c
ủa diode đ
ư
e
của diode
d
iode giảm
đ
ư
u toàn k
ỳ

v
H
iểu, giải th
í

n
h lưu toàn
k
Æ
V
o (avg)
=
v
ào và sóng
–
0.6 = 0.4V
–
0.6 = 1.4V
x
V
o(pk)
= 0.
9
u
á trình biế
n
n
h thành
m
ộ
ư
ợc kết nối
v
được kết n
ố

đ
iện thế ra c
ủ
v
à mạch lọc
.
í
ch và kiể
m
k
ỳ
0.636 x V
o(
p
ra của chỉn
h
9
54V
n
đổi tín hiệ
u
t chỉnh lưu
b
v
ới tín hiệu
x
ố
i với tín hi
ệ
ủ

a chỉnh lư
u
.

m
chứng mạ
c
p
k)
= 6.36V
h

l
ưu bán k
ỳ
u
xoay chiề
u
b
án kỳ.
x
oay chiều,
ệ
u xoay chi
ề
u
toàn kỳ.
c
h chỉnh lư
u

ỳ
dương.
u
thành xu
n
thì tín hiệu
r
ề
u, thì tín hi
u
toàn kỳ,
m
n
g
m
ột chiề
u
r
a là xung
d
ệu ra là xu
n
m
ạch lọc và
m
u
suốt
d
ương
n

g âm
m
ạch
Mạc
h



Ta có :
V
Æ f
o
= 2
x
Æ V
o(pk)

Æ V
o(avg
)
Kết luận
-
ra 1 chiề
u
-
-
thời gia
n
-
-

-

Thí n
g
h
i


V
o(pk)
=
1






Thêm tụ

V

Kết nối t
h


D
ự
h
chỉnh lưu
t
V
I (pk-pk)
= 20
V
x
f
I
= 200H
z
= V
I(pk)
– 2
x
)
= 0.636 x
V

:
Mạch chỉn

h
u

Tần số của
t
4 diode tạo
n

2 diode dẫn
Điện áp đỉn
h
V
o(avg)
=0.63
i
ệm 2 : Mạc
h
1
0 V Æ V
o(p
C1 vào mạ
c

V
ới VOM, d
ò
h
êm R2 vào
ự
a vào máy

t
oàn kỳ :
V
, f
I
= 100
H
z

x
0.6 = 8.8V
V
o(pk)
= 5.59
V
h
lưu cầu toà
n
t
ín hiệu ra g
ấ
thành mạc
h
sẽ hướng đ
i
h
ra nhỏ hơ
n
6xV
o(pk)

h
lọc
k)
= 12V
c
h như hình
v

ò
ng điện D
C
mạch như
h
hiện sóng,
đ
H
z
V

n
kỳ chuyể
n
ấ
p 2 lần tần
h
chỉnh lưu
c
i
ện áp làm c
h

n
diện áp đỉ
n
v
ẽ

C
ra = 12V
h
ình 1
đ
iện thế gợn
n
đổi cả 2 ph
số vào
c
ầu. vì vậy
h
o dòng tải
l
n
h vào vì do

sóng :
a của tín hi
ệ
d
òng chỉ c
h
l

uôn chạy t
h
sụt áp trên
2
Hìn
h
ệ
u xoay chiề
u
h
ảy qua 2 di
o
h
eo 1 hướng
2
diode.
h
1
u
vào thành
o
de trong c
ù
xung
ù
ng 1
Đ


N

D
Đ
Kết luận
-
-
-
-
đến khi t
ụ
-
-

Thí n
g
h
i

Ch
o






V
r(pk)

Đ
iện thế DC
V
o
=
9
N
ối thêm C2
D
ựa vào má
y
V
r(pk)

Đ
iện thế DC
V
o
=
8
:
Tụ lọc ra đ
ư
Tụ xả nhan
h
Điện thế ra
Trước khi
đ
ụ
đạt đến đi
ệ
Thời gian x
ả
Độ gợn són
g
i
ệm 3 :

o
mạch như
h
V
I(pk)

V
C1
=
= 50mV
ra :
9
.2V
song song
v
y
hiện sóng,
đ
= 60mV
ra :
8
.7V
ư
ợc gọi là tụ
h
chóng tại
đ
giữa 2 xung
đ
iện áp tụ
r
ơ
ệ
n áp đỉnh.
ả
t

r
ên tụ lớn
g
tồn tại tro
n

h
ình vẻ :
= 10V Æ V
V
C2
= 10V
v
ói C1 và R
2
đ
iện thế gợ
n
hóa khi kết
đ
iện thế chỉ
n
bằng khôn
g
ơ
i chậm, m
ộ
hơn thời gi
a
n

g dải Volt
c
Mạch nh
â
o(pk)
= 2x V
I
(
2
như sau :
n
sóng :
nối ngang
v
n
h lưu đỉnh.
g
, tụ đã nạp
đ
ộ
t xung ra k
h
a
n nạp.
c
ó thể được
g
â
n đôi điện
á

(
pk)
= 20V
v
ới tín hiệu
c
đ
ược xả và
c
h
ác từ bộ c
h
g
iảm xuống
á
p
c
hỉnh lưu ra.
c
ung cấp dò
n
h
ỉnh lưu sẽ
đến dải m
V
n
g qua tải.
được nạp l
ạ
V

.
ạ
i cho
Đ
*
Kết luận
-
-
điện áp
v
-
- Bời
v
+
2 tụ.
+
điện áp
b

Chủ đề
4

Mục
của diod
e

* Mạch
x

Điện thế









Với V1
=
Điện thế
* Mạch
g

Đ
ộ gợn r = 2
0
Thay
đ

ổi R
L
Æ Đ
ộ
Æ V
o

:
2 diode và
2
Mạch nhân
v
ào.
Tại mỗi nữ
a
v
ì :
+
2 tụ mắc n
ố
+
1 tụ nạp tr
o
b
ằng 2 lần t
ầ
4
: Sửa dạn
g
đích : Kh

ả
e
Zener, sự
ổ
x
én (
g
iới h
ạ
Với V1 = 0
đỉnh ra
d
ư
ơ

=
2V
đỉnh ra
d
ư
ơ
g
him :
0
mV(pk-pk
)
L
= 39KΩ
ộ
gợn r = 54

m
= 12V
2
tụ lọc có t
h
đôi điện á
p
a
chu kỳ của
ố
i tiếp ngan
g
o
ng suốt nữ
a
ầ
n số tín hiệ
u
g
sóng bằn
g
ả
o sát nguy
ê
ổ
n định điệ
n
ạ
n).
V

ơ
ng : V
o (pk)

=

ơ
ng : V
o (pk)

=
Với V2 =
Điện thế
đ

)

m
V(pk-pk)
h
ể tạo thành
p
chỉnh lưu
t
tín hiệu xo
a
g
qua điện á
p
a

bán kỳ củ
a
u
vào.
g
Diode và
ổ
ê
n lý hoạt đ
ộ
n
áp bằng di
o
=
0.6V

=
2.6V
-2V
đ
ỉnh ra âm :
V
m
ạch nhân
đ
t
ín hiệu vào
a
y chiều, gồ
m

p
ra nên tín
a
tín hiệu A
C
ổ
n định điệ
n
ộ
ng của mạ
c
o
de Zener.


V
o (pk)
= -2.
6
đ
ôi điện áp.
và lọc tín
h
m
một diod
e
hiệu ra một
C
, tần số gợ
n

n
áp bằn
g

Z
c
h sửa dạng
V
ớ
Điện thế
đ
6
V
h
iệu ra có đ
i
e
dẫn và 1 t
ụ
chiều bằng
n
sóng ra c
ủ
Z
ener.
sóng bằng
ớ
i V2 = 0V
đ
ỉnh ra âm :

V
i
ện áp bằng
ụ
nạp.
tổng điện á
p
ủ
a mạch nh
â
diode, hoạt
V
o(pk)
= -0.6
V
2 lần
p
t
r
ên
â
n đôi
động
V


V
Đ
Đ

V

+

Đ



Kết luận
-
n

s
-
-
-

E
xercis
e
Nối mạc
h

Kết luận
-
-
V
I(pk)
= 5V,
f
+ V1
Đ
iện thế đỉn
h
+ V1
Đ
iện thế đỉn
h
V

I(pk)
= 5V, f
I
+
V2 = 0V
Đ
iện thế đỉn
h
:
Mạch xén b
ối tiếp như
l
s
ong để xén
t
Cả hai tín h
i
Khi đặt điệ
n
Mạch ghim
e
1 : Zener
h
như hình
v


:
Diode được
Tại phân c

ự
f
I
= 1000Hz
= 0V
h
ra âm : V
o
(
= 3V
h
ra
d
ương :
I

= 1000Hz
h
ra
d
ương :
ao gồm 1 di
l
à
m
ột chỉn
h
t
ín hiệu ra (
d

i
ệu AC của
d
n
áp phân c
ự
là một mạc
h
v
ẽ :



thiết kế để
h
ự
c thuận,dio
d
(
pk)
= -5V
V
o (pk)
= 3.6
V
V
o (pk)
= -3.
ode và 1 tra
n

h
lưu bán kỳ,
d
ương hoặc
d
ạng sóng r
a
ự
c vào diode
,
h
xén suy gi
ả

Đặc t
u
h
oạt động a
n
d
e Zener đó
n
V

6V
n
sistor
m
ắc
và mắc son

âm).
a
có thể đượ
,
điện thế x
é
ả
m có 1 dio
d

u
yến của di
o
n
toàn trong
n
g vai t
r
ò n
h
g
c giới hạn b
ở
é
n được thiế
t
d
e và 1 mạc
h

o
de Zene
r

miền đánh
t
h
ư một diod
e
ở
i 2 mạch x
é
t
lập.
h
RC.

t
hủng.
e
chỉnh lưu.
é
n diode.

-
khi V
Z
đ
ạ
-

-
dòng có
g
E
xercis
e










V
R5

1
1.5
2
5

Kết luận
-
như khô
n
-
điện áp

n
-
diode Ze
-
theo sự t
h
-
cho khả
n
-
đổi ở tải.

Chủ đề
5

Mụ
c
dụng bằ
n



Exercis
e
Dựa vào đặ
ạ
t tới điểm
đ
Tại V
Z

, dòn
Trong mạc
h
g
iá trị bằng
d
e
3 : Sự ổn
đ
(V) I
L

1
0
1
5
2
0
5
0
:
Diode Zen
e
n
g thay đổi.
Diode Zene
n
guồn cung
c
Dòng điện

ner và dòng
Các Diode
h
ay đổi nhỏ
Lượng tăng
n
ăng điều h
ò
Độ ổn định

5
: Tiếp
g
iá
p
c
đích : Xá
c
n
g cách đo t
h
e
2 :
V
E
=
-
V
BE

=
V
CE

=
c
tuyến phâ
n
đ
ánh thủng.
g ngược tăn
g
h
diode Ze
n
d
òng I
ZT
.
đ
ịnh điện áp
(Ma)
0

5

0

0

e
r được sử d
ụ
r sẽ giữ mứ
c
c
ấp và điện
t
tổng trong
m
chảy qua tả
Zener thực
h
của điện áp
lên của dò
n
ò
a tải của b
ộ
của tải the
o
p
của Trans
i
c
định và gi
h
ử các trans
i
-

1.5V
=
0mV
=
-13.6V
n
cực ngượ
c
g
nhanh, đi
ệ
n
er, điện tr
ở
bằn
g
diode
V
0
(v)
6.71
6.67
6.64
5.53
ụ
nh trong c
á
c
điện áp ra
t

rở tải.
m
ạch ổn đị
n
i.
h
iện tốt sự
đ
đặt vào khi
n
g tải sẽ đượ
ộ
ổn định đi
ệ
o
phần trăm
đ
i
stor và sự
p
ải thích các
i
stor, và khả
o
c
của diode
Z
ệ
n áp ngược
ở

được mắc
Zener.
V
1
1
1
0
á
c mạch điề
u
bằng mức đ
n
h điện áp
b
đ
iều chỉnh
đ
làm việc ở
v
bù bằng lư
ợ
ệ
n áp.
đ
ược đo bằ
n
p
hân cực D
c
đặc tính v

à
o
sát chuyể
n
Z
ener chỉ rằ
n
tăng rất chậ
m
nối tiếp vớ
i
V
R3
(mV)
94.1
54.6
55
0

u
hòa điện
á
iện áp Zene
r
b
ằng diode
Z
đ
iện áp bởi
v

v
ùng đánh t
h
ợ
ng giảm củ
a
n
g độ thay
đ
c
cho Trans
i
à
nguyên lý
h
n
mạch bằn
g
n
g diode Ze
n
m
.
i
điện trở
Z
I
Z
(m
A

19.4
15.46
11.5
0
á
p do mức
đ
r
, bất chấp
c
Z
ener là tổ
n
v
ì I
Z
có thể
h
ủng.
a

d
òng Zen
e
đ
ổi điện áp t
r
i
stor PNP.
h

oạt động
c
g
transistor.
n
er sẽ ngưn
g
Z
ener để gi
ớ
A
)
đ
iện áp Zen
e
c
ác biến thiê
n
n
g
d
òng chả
y
thay đổi đá
n
e
r, đặc tính
n
r
ên tải do s

ự
c
ủa Transist
o
g

d
ẫn
ớ
i hạn
e
r hầu
n
của
y
qua
n
g kể
n
ày sẽ
ự
thay
o
r, áp
(
R
Kết luận
-
từ mức
0

-
0.5Vdc
đ
-
-
phép dò
n
-
rất cao,
c
-
-
nguồn c
u
V
Chủ đề
6
Mục đí
c
khuếch
đ






Đặc tín
h

Kết luận
+
nguồn c
u
+
+
đạt 0.5V
R
1
= 10KΩ)
V
BE

=
V
CE

=
V
R2

=
=
V
I
C
R
1
=

1
V
R2

=
Æ
I
C
I
C
=
0
V
BE

=
V
CE

=
:
Transistor l
ư
0
đến giá trị
l
Để tiếp giá
p
đ
ến 0.8Vdc,

Điện trở củ
a
Tiếp giáp J
E
n
g chảy tron
g
Khi tiếp gi
á
c
hặn
d
òng c
h
Khi dòng C
o
Khi dòng
I
u
ng cấp
V
ì
m
ức dòng
6
: Đườn
g
t
ả
c

h : Hiểu,
g
đ
ại của Tran
s
h
quan hệ V
B
:
+
Tiếp giáp
P
u
ng cấp.
+
Đặc tính p
h
+
Dòng điện
=
-0.74V
=
-0.04V
13V
= /V13
R
V
2
2R
1

MΩ)
3.48V
==
4
.3
R
V
2
2R
0
.00348mA
=
-0.65V
=
-9.7V
ư
ỡng cực c
ó
l
ớn nhất.
p
J
E
phân c
ự
âm hơn so
v
a
tiếp giáp J
C

E
được phâ
n
g
mạch tươ
n
á
p J
E
được
p
h
ảy trong m
ạ
o
llector lớn
I
B
= 0 thì k
h
I
E
= I
B
+ I
C
I
B
không đ
á

ả
i và hệ số
k
g
iải thích v
à
s
istor nên c
á
B
EO
và I
BEO

P
E của trans
i
h
ân cực thu
ậ
phân cực g
i
ΩK

−
K
/V10x
4
8
6

ó
thể làm vi
ệ
ự
c thuận, thì
v
ới cực Emi
t
C
tùy thuộc
v
n
cực thuận
s
n
g tự như m
ộ
p
hân cực ng
ư
ạ
ch Collect
o
nhất, transi
s
h
ông có dò
n
C

á
ng kể, nên
I
k
hu
y
ếch đại
à
kiểm chứn
á
c dòng điện
i
stor được p
h
ậ
n DC của ti
ế
i
ữa Base và
Ω
K

ệ
c như một
c
base của tr
a
t
er.
v

ào dòng I
B
.
s
ẽ làm cho
đ
ộ
t chuyển m
ạ
ư
ợc, dòng I
B
o
r, tương tự
n
s
tor dẫn bão
n
g I
C
,transi
s
I
C
và I
E
gần
n
của Transi
s

g các trạng
của transist
h
ân cực thu
ậ
ế
p giáp BE
t
Emittor từ
c
huyển mạc
h
a
nsitor PNP
đ
iện trở Col
l
ạ
ch kín.
B
= 0 gây r
a
n
hư chuyển
m
hòa nên V
C
E
s
tor ở vùng

n
hư bằng n
h
s
tor
thái hoạt đ
ộ
or bằng các
h
ậ
n hay ngư
ợ
t
ransistor tư
ơ
0 đến
d
ưới
h
bằng sự th
a
sillicon ph
ả
l
ector – Em
i
a
điện trở C
o
m

ạch hở.
E
gần bằng
k
ngắt, V
CE

g
h
au.
ộ
ng và ảnh
h
sử dụng đ
ư
ợ
c phụ thuộ
c
ơ
ng tự như
c
microamp
c
a
y đổi
d
òng
ả
i có mức k
h

i
tter
r
ất thấ
p
o
llector - E
m
k
hông.
g
ần bằng đi
ệ
hưởng của
h
ư
ờng tải DC
c
vào điện t
h
c
ác diode kh
á
c
ho đến khi
Base
h
oảng
p
, cho

m
ittor
ệ
n áp
h
ệ số
h
ế của
á
c
V
BEO
+
nhỏ.
+
1.Quan
h

Từ đồ th
ị
Æ ß = I
C
Kết luận
-
-
-
-

E
xercis

e
* Điều


* Điều
k
* Điều
k
Kết luận
-
khi dòng
-
Collecto
r
-
bằng điề
u
+
V
BE
nằm t
r
+
Sau khi dò
n
h
ệ I
B
VÀ I
C

ị
, ta có I
B
=
C
/ I
B
= 80
:
Dòng I
C
lớ
n
Tỷ số dòng
Dòng I
E
= I
C
I
B
= 5%I
E
e
1 : Đườn
g
kiện điện t
h
V
BE

=
V
CE

=
V
R9

=
V
R6

=
k
iện điện th
ế
V
BE

=
V
CE

=
V
R9

=
V
R6

=
k
iện điện th
ế
V
BE

=
V
R9

=
V
R6

=

:
Họ đặc tuy
ế
base là thô
n
Do ß hầu
r
-Emitter k
h
Điểm Q h
a
u

kiện phân
r
ong khoản
g
n
g Base – E
m

100µA
n
của transis
I
C
và I
B
đư
ợ
C
+ I
B

g
tải tĩnh và
h
h
ế bão hòa
0.634V
=
0.077V
0.211V

0.031V
ế
n
g
ưng dẫ
n
=
0V
=
10V
0V
0V
ế
vùng tuyế
n
=
0.61V
0.165V
0.008V
ế
n
d
òng Col
l
n
g số.
như không
h
i dòng base
a

y điểm làm
cực DC của
g
0.5V đến
0
m
itter đạt 2
m
Đặc
t
tor được đi
ề
ợ
c gọi là hệ
s
h
ệ số khuế
c
n
.
n
tính.
l
ector là đồ
t
đổi ở vùn
g
không đổi l
à
việc là điể

m
transistor.
0
.8V,
d
òng
I
m
A, điện áp
t
ính miêu tả
ề
u khiển bởi
s
ố khuyếch
đ
c
h đại.
t
hị
d
òng của
g
tích cực
à
đặc tuyến
t
m
giao chéo
g

I
BEO
tăng n
h
phân cực th
u
quan hệ gi
ữ
d
òng I
B
nh
ỏ
đ
ại
d
òng tra
n
Collector t
h
của transis
t
t
ăng rất ít.
g
iữa đường
h
anh chóng
v
u

ận gần nh
ư
ữ
a
I
B
và I
C
(
I
ỏ

n
sistor.
h
eo điện áp
C
t
or nên đồ
t
tải và I
B
và
v
ới V
BEO
tă
n
ư
không đổi

I
C
=
ß
I
B
)
C
ollecto
r
-E
m
t
hị theo đi
ệ
sẽ được xá
c
n
g
r
ất
m
itter
ệ
n áp
c
định
- Các mạch transitor được sử dụng để khuếch đại tín hiệu nhỏ, thường được thiết kế để có
điểm nằm ở trung tâm đường tải. điều này sẽ cho khoảng hoạt động trong vùng tích cực đối với
tín hiệu AC đặt vào.

- Việc xác định đường tải sẽ bị ảnh hưởng theo các thay đổi ở nguồn cung cấp collector
hay trị số của điện trở collector.