Báo cáo - Thí nghiệm cấu kiện điện tử P2 pot

BÀI
S

I. T
H
-
-
-
-
-
-

II.
N

CH
Ủ
1
2
T
T
M

D






CH
Ủ
1

2
S
Ố
2: C
Á
H
IẾT BỊ
FACET Ba
s
Bảng mạch
Nguồn +15
V
Đồng hồ vạ
n
Máy tạo só
n
Máy hiển t
h
N

ỘI DUNG
:
Ủ
ĐỀ 1: L
À
. Mục đích:
Nhận dạ
n
. Nội dun
g

t
T
hí nghiệm 1
T
hí nghiệm 1
M
ắc mạch n
h
D
ùng máy hi
ể
Ủ
ĐỀ 2: FE
T
. Mục đích:
Khảo
. Nội dun
g

t
Thí n
Mắc
m
Á
C NG
U
s
e Unit.
FET FUN
D
V
, -15V.
n
năng.
n
g Sin.
h
ị sóng.
:

À
M QUEN
V

n
g các dụng
c
t
hí n

g
hiệm:
.1: Nhận dạ
n
.2: Khảo sá
t
h
ư hình vẽ:
ể
n thị sóng
x
T
CÓ CỔN
G

sát và hiểu
đ
t
hí n
g
hiệm:
g
hiệm 2.1:
Đ
m
ạch như
h
U
YÊN
L

D
AMENTA
L
V
ỚI BẢN
G
c
ụ bán dẫn
c

n
g và xác đ
ị
t
nguyên lý
h
x
ác định dạ
n
G
TIẾP G
I
đ
ược các đặ
c

Đ
ặc tuyến l
à
h

ình vẽ:Đo
I
L
Ý CƠ
L
CIRCUIT.
G
MẠCH.
c
hính và các
ị
nh vị trí củ
a
h
oạt động c
ủ
n
g sóng tại c
ự
I
ÁP – JFE
T
c
tính và ng
u
à
m việc của
I
DS
B

Ả
N C
Ủ
khối mạch
t
a
mạch.
ủ
a mạch dao
ự
c E của U
J
T
.
u
yên lý hoạ
t
JFET.
Ủ
A F.E
tr
ên bảng m
ạ
động bằng
U
J
T. Dạng só
n
t
động của t

r
.T
ạ
ch FET.
U
JT.
n
g như hình
r
ansistor JF
E
vẽ:
E
T.


D
D
I
D
G
G

M
Kết lu
ậ

T
h

M
N

M



D
ùng máy hi
ệ
D
ùng Multi
m
D
SS
= 7.96
m
G
iảm V
DS
đ
ế
G
iảm V
DS
đế
n
M
ắc mạch l
ạ

Chỉnh V
D
I
DSS
= 8
m
Giảm V
G
S
Giảm V
G
S
ậ
n:
- V
GS
phâ
n
- V
GS

ph
â
- V
GS
= 0
V
- I
DSS
giả
m
- Có 2 vù
n
h
í n
g
hiệm
2
M
ục đích:
Q
N
ội dung:
M
ắc mạch n
h
ệ
n sóng điề
u
m
eter đo I

DSS
m
A
ế
n 8Vdc: I
DS
n
0Vdc, tăn
g
ạ
i như h
ì
nh
D
S
=10Vdc.
V
m
A.
S
đến V
GS
=
S
đến V
GS
=
n
cực ngượ
c

â
n cực thuận
V
dc, I
DSS
c
ự
m
đến 0mA
n
g hoạt độn
g
2
.2: Họ đặc
t
uan sát họ
đ
h
ư hình vẽ:
u
chỉnh V
DS

:
S
không đổi
.
g
V
DS

từ 0 đ
ế
vẽ: Đo I
DS

k
V
GS
= 0Vdc.
-1Vdc, ta t
h
-10Vdc, dò
n
c
điều khiển
không
d
ùn
g
ự
c đại.

tại 1 giá trị
x
g
của JFET:
t
uyến của J
F
đ

ặc tuyến I
D

–
= 10Vdc
.

ế
n 2Vdc: D
ò
k
hi thay đổi
Đo I
DSS.
h
ấy I
DS
giảm
.
n
g I
DS
giảm
đ
d
òng I
DS
g
cho JFET.
x

ác định củ
a
vùng thuần
F
ET.

–
V
DS
để xá
c
ò
ng I
DS
tăng
V
GS
.

đ
ến 0mA.
a
V
GS
phân
c
trở, vùng b
ã
c
định đặc t

í
khi V
DS
tăn
c
ực ngược.

ã
o hòa (hay
v
í
nh của JFE
T

g.
v
ùng thắt k
ê
T
.
ê
nh).







h

C
T











Dùng
Dùng
Kết n
iển thị đặc t
u
C
hỉnh V

GS
=
T
ừ từ giảm
V
máy hiện s
ó
đồng hồ đo
ối máy hiệ
n
u
yến I
D
– V
D
-1Vdc.Qua
n
V
GS
đến -10
V
ó
ng chỉnh G
E
chỉnh V
GS

=
n
sóng như

h
D
S
.
n
sát
d
ạng s
ó
V
dc.Quan sá
t
E
N 15V
pk-p
k
=
0Vdc
h
ình vẽ, chỉ
n
ó
ng.
t

d
ạng sóng.
k
tần số f = 1
n

h máy hiệ
n
Ta có họ đặ
c
000Hz.
n
hiện sóng
c
tuyến:
ở chế độ X
Y
Y
, để
Kết lu
ậ
CHỦ Đ
Ề

1. M
ụ
K
khuế
c

2. N
ộ

T

Mắc

D
X
X
T

I

T

I
D
K

Kết luận
Kích ho
ạ
Đ
K
T
D

T
h



Mắc

ậ
n:
- V
GS
ph
â
- I
DS
có t
h
- V
G
phải
- Họ đặc
t

Ề
3: MẠC
H
ụ
c đích:
K
iểm chứng
c
h đại JFET
ộ
i dun
g

thí
n
T
hí n
g
hiệm
3
Mục đíc
h

Nội dun
g
mạch như h
ì
D
ùng đồng h
ồ
X
ác định V
G
S
X
ác định V
R
3
T
heo định lu
ậ
I
DS

=V
R3
/ R
3
T
a thấy kết q
u
I
R2
=V
R2
/R
2

=
D
ùng đồng h
ồ
K
ết quả này
g
V
D
=
V
:
- Điện áp
- Trong
m
- Phân c

ự
- Dòng
m
ạ
t CM17 đ
ể
Đ
o V
D
= 13.
0
K
hi không kí
T
a có: V
D
=
V
D
o I
D
, V
DD
k
h
h
í n
g
hiệm 3
.

Mục đíc
h

Nội dun
g
mạch như h
ì
â
n cực xác đ
ị
h
ể giảm đến
âm đối với
t
uyến của J
F
H
KHUẾCH
nguyên lý
h
.
ng
hiệm:
3
.1: Hoạt đ
ộ
h
: Khảo sát
v
g

:
ì
nh vẽ
ồ
đo xác đị
n
S
: V
GS
= -1.
4
3
:
V
R3
= 1.4
5
ậ
t Ohm ta c
ó
3
=1.45/2.7=
0
u
ả I
DS
bằng
=
1.47/2.7=0
ồ

đo vạn nă
n
g
ần bằng vớ
i
V
DD
-V
R3
=15
V
rơi trên điệ
n
m
ạch phân c
ự
ự
c nguồn ha
y
m
áng và dòn
g
ể
tha
y
đổi
R
0
3 Vdc
ch hoạt CM

V
DD
– I
D
.R
3
.
h
ông đổi, V
D
.
2: Hoạt độ
n
h
: Đo hệ số
k
g
:
ì
nh vẽ:
ị
nh đặc tuyế
n
0mA tại 1
g
JFET kênh
n
F
ET được tạ
o

ĐẠI BẰN
G
h
oạt động v
ớ
ộ
ng DC của
m
v
à đo các đi
ệ
n
h V
R2
: V
R2

=
4
7Vdc.
5
Vdc
ó
:
0
.537mA
kết quả tại
R
.544mA
n

g đo V
D
:
V
i
kết quả đo
V
-1.45V=1
3
n
trở nguồn
t
ự
c nguồn V
D
y
tự phân cự
c
g
nguồn xấp
R
3.
17, V
D
= 13
,
.

D
giảm =>

C
n
g AC của
m
k
huếch đại
A
n
hoạt động
g
iá trị xác đị
n
n
.
o
ra bằng cá
G
JFET.
ớ
i tín hiệu
m
m
ạch khuếc
h
ệ
n áp một c
h
=
1.47Vdc.
R

2
:
V
D
=13.40V
d
theo lý thu
y
3
.55V
t
ạo ra điện
á
D
D
= V
D
+ V
R
c
giảm tác đ
xĩ bằng nha
u
,
41 Vdc.
C
M17 kích
h
m
ạch khuếch

A
C của mạc
h
của JFET.
n
h của V
GS
.
ch thay đổi
V
m
ột chiều v
à
h
đại bằng J
F
h
iều của mạ
c
d
c
y
ết
á
p phân cực
R
3
.
ộng của sự
t

u
.
h
oạt làm R
3

g
đại bằng JF
h
khuếch đạ
i
V
DS
và V
GS
.
à
tín hiệu x
o
F
ET.
c
h khuếch đ
ạ
t
hay đổi I
DS
S
g
iảm.

ET.
i
bằng JFE
T
o
ay chiều ở
m
ạ
i bằng JFE
T
S
.
T
.
m
ạch
T
.









D
D
hơn.

K
B
D

Kết luận
CHỦ Đ
Ề

1. M
ụ
K

2. N
ộ

T

M

Nội dun
g

M
ắ

Đ
D
ùng máy hi
ệ
D
ùng kênh 2

K
ích hoạt C
M
B
ỏ C
2
thì điệ
n
D
ạng sóng đ
ầ
:
- Tụ nối
s
- Với mạ
c
- Hệ số k
h

Ề
4: NGUỒ
N
ụ
c đích:
K
háo sát ngu
y
ộ
i dun
g
thí
n
T
hí n
g
hiệm
4
M
ục đích:
Q

g
:
ắ
c mạch nh
ư
Đ

iều chỉnh t
h
ệ
n sóng điề
u
của máy hi
ệ
V
pk-pk
= 0
,
M
18 để R
3
g
i
n
áp ra V
pk-
p
ầ
u vào và đ
ầ
s
ong song v
ớ
c
h cực nguồ
n
h

uếch đại c
ủ
N
DÒNG B
y
ên lý hoạt
đ
ng
hiệm:
4
.1: Nguyê
n
Q
uan sát và
đ
ư
hình vẽ:
h
eo chiều ki
m
u
chỉnh GE
N
ệ
n sóng xác
,
44 V.
i
ảm từ 2,7K
=

pk
giảm.
ầ
u ra ngược
p
ớ
i R
S
làm gi
ả
n
chung, tín
ủ
a JFET khi
A
v
= R
L
ẰNG JFE
T
đ
ộng của m
ạ
n
lý hoạt độ
n
đ
o
d
òng ra

c
m
đồng hồ l
à
N
100mV
pk-
p
định dạng
s
=
> 2.1K.V
p
k
p
ha nhau.
ảm
tác động
hiệu đầu ra
không có h
ồ
L
.g
m
.
T
.
ạ
ch nguồn
d

ò
n
g của nguồ
n
c
ủa một ngu
ồ
à
m ngắn mạ
c
p
k
, 1000Hz.
s
óng ra tại c
ự
k
-pk
giảm cò
n
của R
S
đến
ngược pha
v
ồ
i tiếp là hà
m
ò
ng bằng J

F
n

d
òng hằn
g
ồ
n
d
òng hằ
n
c
h R
2
mạch
ự
c D => só
n
n
0.34V.
hệ số khuếc
h
v
ới tín hiệu
đ
m
số của R
L

v

F
ET.
g
bằng JFET
n
g bằng JFE
T
chỉ còn R
1

=
n
g có biên
đ
h
đại.
đ
ầu vào.
v
à g
m
.
T

=
100Ω.Đo I
D
đ
ộ lớn
D

SS
:

Đ



Kết luận

-
vùng bã
o
-
-
với nhau
-
mạch vớ
i

Thí
n

M

N


Mắc m
ạ

Đ


Kết nối
m






N

Đ

C

Đ

C


Kết luận

-
nối tiếp.
-
-

CHỦ Đ
Ề

1. M
ụ

Đ
iều chỉnh
R

:
Một JFET
o
hòa
Giá trị của
n
Nguồn dòn
g

Giá trị lớn
n
i
nhau
ng
hiệm 4.2:
M
ục đích:
X
N
ội dung:

ạ
ch như hìn
h
Đ
iều chỉnh
t

m
ạch như hì
n
N
gắn mạch
R
V
R1
=
1
Đ
o điện áp r
ơ
V
DS
=
1
C
ông suất tiê
u
P=I
D
S

Đ
iều chỉnh
R
V
DS
=
9
C
ông suất tiê
u
P=I
D
S
:
Điện áp cu
n
Sự phân bố
Công suất t
i
Ề
5: MOSF
E
ụ
c đích:
I
DSS
=14.
3
R
2

để tổng tr
ở
I
DSS
=14.2
5
có thể cun
g
n
guồn
d
òng
g
của một J
F
n
hất của ng
u
Sự phân b
ố
X
ác định sự
p
h
trên (thí n
g
t
heo chiều k
I
D

S
n
h
v
ẽ:
R
2
đo V
R1

1
.412Vdc
ơ
i trên D&S
1
3.44Vdc
u
tán trên J
F
S
S
.V
DS
=14.3
m
R
2
để tổng tr
ở
9

.22Vdc
u
tán trên J
F
S
S
.V
DS
=14.3
m
n
g cấp được
điện áp giữ
a
i
êu tán của
n
E
T CỔNG
3
mA
ở
(R
1
+R
2
)=4
5
mA
g

cấp một
d
ò
không đổi
k
F
ET có thể
d
u
ồn
d
òng kh
ô
ố
côn
g
suất
p
hân bố điệ
n
g
hiệm 4.1)
im đồng hồ
S
S
=14.3mA
của Q
1
:
F

ET với điệ
n
m
A.13.44V
d
ở
(R
1
+R
2
)=4
F
ET với điệ
n
m
A.9.22Vd
c
phân phối
q
a
nguồn
d
òn
n
guồn
d
òng
k
ĐÔI
00Ω đo I

D
ò
ng không
đ
k
hi thay đổi
g
d
ùng trong p
h
ô
ng đổi xảy
và điện áp
n
áp và công
làm ngắn m
n
trở là 100
Ω
d
c=192.2m
W
00Ω .Đo V
D
n
trở là 400
Ω
c
=131.85m
W

q
ua mỗi thà
n
g (JFET) và
k
hông đổi t
ă
D
SS
:
đ
ổi khi hoạ
t
g
iá trị điện t
r
h
ân cực 0 ,c
ự
ra khi cực c
của JFET
suất của ng
u
ạch R
2
mạc
h
Ω
được tính
t

W

D
S
:
Ω
được tính
t
W

n
h phần củ
a
tải phụ thu
ộ
ă
ng khi điện
t
động tron
g
rở

ự
c cổng và
n
ổng và cực
n
u
ồn
d

òng bằ
h
chỉ còn R
1

t
heo công t
h
t
heo công t
h
a
nguồn
d
ò
n
ộ
c vào giá tr
ị
trở tải giảm
g
vùng ngắt
n
guồn ngắn
m
n
guồn được
ng JFET.
=100Ω.Đo
I

h
ức :
h
ức :
n
g không đổ
i
ị
của điện tr
ở
.
hoặc
m
ạch
ngắn
I
DSS
:
i
mắc
ở
tải.

2. T
r

Thí
n

Mục

cách dù
n

Nội
d

Mắc





D
Đ
Đ

v
Q
đ

Kết luận

-
độ nghè
o
-
hoặc âm
,
-
kênh.
-
kênh.
-

Thí n
g
h
i

M
kênh N.

Khảo sát
h
r
ình tự thí
n
ng
hiệm 5.1:
đích: Xác

đ
n
g các
m
ạch
d
un
g
:
mạch như
h
D
ùng máy hi
ệ
Đ
iều chỉnh
R
Đ
ặt máy hiể
n
v
ào cực D,
k
Q
uan sát
d
ạn
g
ể V
GS

đến +
:
Đối với M
O
o
kênh, điện
MOSFET
k
,
và không t
ạ
Điện áp G
d
Điện áp G
I
DSmax
khôn
g
i
ệm 5.2: Bộ
M
ục đích:
X
h
oạt động
D
ng
hiệm:
Các chế độ
đ

ịnh ảnh hư
ở
đo thông d
ụ
h
ình vẽ:
ệ
n sóng chỉ
n
R
1
để V
GS
=
0
n
thị sóng ở
c
k
ênh 2 (Y) n
ố
g
sóng, sau
đ
0,3V, -0,3
V
O
SFET ở c
h
áp phân cự

c
k
ênh N kiểu
ạ
o nên dòng
d
ương làm
t
âm làm gi
ả
g
xuất hiện
t
khuếch đại
đ
X
ác định cá
c
D
C và AC c
ủ
hoạt động
c
ở
ng của sự
p
ụ
ng.
n
h GEN 10

V
0
Vdc.
c
hế độ XY,
k
ố
i vào cực
S
đ
ó lần lượt
đ
V
. Ta có
d
ạn
g
h
ế độ tăng c
ư
c
âm được đ
ặ
tăng cường
/
cổng.
t
ăng
d
òng I

D
ả
m
d
òng I
D
S
t
ại V
GS
= 0
V
đ
iện áp bằn
g
c
đặc tính h
o
ủ
a MOSFET
c
ủa MOSFE
T
p
hân cực ở
c
V
pk-pk
, 100H
z

k
ênh 1( X)
n
S
.
đ
iều chỉnh
R
g
sóng như
h
ư
ờng kênh,
đ
ặ
t vào.
/
nghèo kên
h
D
S
đối với
M
S
đối với
M
V
dc.
g
MOSFET.

o
ạt động củ
a
.
T
.
c
ác chế độ
h
z
.
n
ối
R
1

h
ình vẽ:
đ
iện áp phâ
n
h
có thể hoạ
t
M
OSFET kê
n
M
OSFET kê
n

a
bộ khuếc
h
h
oạt động củ
n
cực
d
ươn
g
t
động với đ
i
n
h N kiểu t
ă
n
h N kiểu t
ă
h
đại điện á
p
a MOSFET
g
được đặt,
ở
i
ện áp G -
d
ă

ng cường/
n
ă
ng cường/
n
p
bằng MO
S
bằng
ở
chế
d
ương
n
ghèo
n
ghèo
S
FET
N
ộ

Mắc mạ
c

M
D















X
độ lớn h
ơ
M
B

Mắc sơ

đ









ộ
i dun
g
:
c
h như hình
M
ắc đồng hồ
D
ùng máy hi
ệ
X
ác định dạ
n
ơ
n tín hiệu
đ
M
ắc thêm C
4

B
ỏ tụ C
4
, tín
h
đ
ồ mạch lại
n
v
ẽ:
đo điện thế
ệ
n sóng để
c
n
g sóng tại
c
đ
ầu vào.
song song
v
h
iệu đầu ra
n
n
hư hình vẽ
:
tại cực D,
đ

c
hỉnh GEN
2
c
ực D qua k
ê
v
ới R
6
, biên
n
gược pha s
o
:

đ
iều chỉnh R
1
2
00mV
pk-pk
,
ê
nh 2 của
m
độ tín hiệu
đ
o
với tín hi
ệ

1
để V
D
= 7.
5
1000 Hz.
m
áy hiện són
g
đ
ầu ra tăng
s
ệ
u đâu vào.
5
Vdc.
g
. Ta thấy t
í
s
o với khi k
h
í
n hiệu ra c
ó
h
ông có tụ.
ó
biên

C
Đ
Đ
sau đó c
.

Kết luận

-
-
-
-
-
CHỦ Đ
Ề
1.
M
K
dụng

2. T
r

Th
í

M
ụ

N
ộ

Mắc






D
R
BB
(
B
EB
2

g

Mắc






C
hỉnh R
1

hết
Đ
iều chỉnh
G
Đ
iều chỉnh
R
ùng chiều k
i
Ta thấy biê
n
:
Trong chế
đ
Trong bộ k
h
Dùng tụ nố
i
MOSFET l
à
Trong MO
S
Ề
6: TRAN
S
M
ục đích:
K
hảo sát ng
u

UJT.
r
ình tự thí
n
í
n
g
hiệm 6.
1
ụ
c đích:
Kiểm
ộ
i dun
g
:
mạch như h
ì
D
ùng đồng
h
B
1
- B
2
) =
5
g
iống như ti
ế

mạch như h
ì
sang chiều
k
G
EN 200mV
p
R
1
ngược chi
ề
i
m đồng hồ
đ
n
độ sóng ra
đ
ộ phân cực
b
h
uếch đại S
c
i
song song
v
à
thiết bị điề
u
S
FET cổng

đ
S
ISTOR Đ
Ơ
u
yên lý hoạt
ng
hiệm:
1
: Các đặc
t
chứng các
đ
ì
nh vẽ:
h
ồ đo điện t
r
5
,84K, R
BB
(
ế
p giáp PN.
ì
nh vẽ:
k
im đồng h
ồ
pk

-pk
, 1000H
z
ề
u kim đồng
đ
ể thay đổi
V
tại D thay
đ
b
ình thườn
g
c
hung, tín h
i
v
ới R
S
làm t
ă
u
khiển bằn
g
đ
ôi cả 2 cổn
g
Ơ
N NỐI -
U

động của m
ạ
t
ính làm vi
ệ
đ
ặc tính làm
r
ở để xác đị
n
(
B
2
– B
1
) =
ồ
.
z
.
hồ,
V
dc tại G
2
đ
ổi.
g
cho MOSF
i
ệu ra ngượ

c
ă
ng hệ số k
h
g
điện áp.
g
đều điều k
h
U
JT.
ạ
ch dao độ
n
ệ
c của UJT.
việc của U
J
n
h điện trở
g
5,87K, suy
ET, V
D
xấp
c
pha tín hiệ
u
h
uếch đại.

h
iển
d
òng I
D
n
g tích thoát
J
T.
g
iữa B
1
- B
2
,
ra B
1
- B
2

g
xĩ ½ V
DD
.
u
vào.
D
.
dựa trên m
ạ

,
B
2
- B
1
, E
-
g
iống như
m
ạ
ch thí nghi
ệ
-
B
1
, E-B
2
ta
m
ột điện trở;
ệ
m sử
được
EB
1
,


Đ

D
trị V
V
Kết luận

-
-
-
-
-
-
-

Thí


M
N
ộ

Nối
m

N
X
T
K
C
2
tăng.
B
dương, c
N
trên B
2

n

Kết luận

-
-
-
-
Đ
o V
C1
, ta đ
ư
V
J
=

V
=> η
=
D
ùng máy hi
V
.
:
Một Ohm k
ế
Điện trở nộ
i
UJT có 1 ti
ế
Điện áp đỉn
h
Vp = V
J
–
V
Đặc tuyến l
à
UJT cho th
ấ
n
g
hiệm 6.
2
M
ục đích:

Khảo
ộ
i dun
g
:
m
ạch như hì
n
N
ối kênh 1 c
ủ
X
ác định ch
u
T
ính f theo c
ô
K
hi kích hoạ
t
B
ỏ kích hoạt
ó tần số bằ
n
N
ối kênh 1
v
n
gược pha n
h

:
Dạng sóng
t
Dạng sóng
t
Xung tại c
ự
Thời gian d
ẫ
ư
ợc V
C1
= 7,
V
C1
= 7,07V
.
=
V
J
/ V
BB
=
ện sóng xác
ế
có thể
d
ù
n
i

xuất hiện
g
ế
p giáp giữa
h
Emitter c
ó
V
D
.
à
m việc của
ấ
y đặc tuyế
n
2
: Mạch tạo
sát hoạt độ
n
n
h vẽ:
ủ
a máy hiện
u
kỳ của són
g
ô
ng thức: f
=
t

CM6 để th
CM6, nối
k
n
g tần số củ
a
v
ào B
1
, kên
h
h
au, có tần s
ố
t
ại E là dạn
g
t
ại B
1
và B
2
c Base xuất
ẫ
n của UJT
b
07 V.
.

0.707.

định dạng
s
n
g để kiểm t
r
g
iống như 1
g
PN giữa E
v
ó
quan hệ v
ớ
UJT có 3 v
ù
n
điện trở â
m
dao độn
g

b
n
g của mạch
sóng tại cự
c
g
: T =1,1ms
=
1/(

R
1
xC
2
)
ay đổi giá t
r
k
ênh 2 của
m
a
sóng tại E.
h
2 vào B
2
,
d
ố
bằng nha
u
g
răng cưa.
lần lượt là
x
hiện khi UJ
T
b
ằng thời gi
s
óng tại cực

r
a UJT.
g
iá t
r
ị điện t
r
v
à B.
ớ
i tỉ số dừng
ù
ng: vùng n
g
m
khi dẫn.
b
ằn
g
UJT.
dao động tí
c
c
E, sóng có
=> f = 1/T
= 1/(10.10
3
.
r
ị của C

2
, tầ
n
m
áy hiện só
n
d
ạng sóng tr
u
.
x
ung dương
T
dẫn.
an xả của t
ụ
E. Ta thấy
d
r
ở.
nội tại.
g
ắt, vùng đi
ệ
c
h thoát bằ
n
dạng răng
c
= 909Hz.

.
0,1.10
-6
) =
1
n
số của tín
h
n
g đến cực
B
ên B
2
là xu
n
và xung â
m
ụ
.
d
òng I
E
đỉn
h
ệ
n trở âm v
à
n
g UJT.
c

ưa.
1
000Hz
h
iệu tại E gi
ả
B
1
, dạng só
n
n
g âm. Dạn
g
m
.
h
xuất hiện t
ạ
à
vùng bão h
ả
m, => CM
6
n
g tại B
1
là
g
sóng t
r

ên
B
ạ
i giá
òa.
6
làm
xung
B
1
và
- Tần số hoạt động của mạch phụ thuộc vào tụ định thời, điện trở nạp (R
1
) và điện trở mở
rộng tại B1.
- Tiếp giáp làm xả tụ qua B1 và điện trở tại B1.
- Điện trở mở rộng tại B1 cần để tạo xung tại B1.