Tải bản đầy đủ (.pdf) (6 trang)

Phân tích quy trình công nghệ hàn tàu dầu 104000 tấn, chương 9 pdf

Bạn đang xem bản rút gọn của tài liệu. Xem và tải ngay bản đầy đủ của tài liệu tại đây (165.49 KB, 6 trang )

chương 9: Vật liệu cơ bản và vật liệu
hàn
a) Vật liệu cơ bản: Thép tấm dày 20 mm, cấp A, phân loại
TCVN 6259-7-2003; thỏa mãn tiêu chuẩn: TCVN 6259-6:2003 và
AWS D1.1.
b) V
ật liệu hàn: Nhãn hiệu: KT-N48, cấp MW2/E6013-A5.1,
phân lo
ại: TCVN 6259-6:2003/AWS 5.17A5.18 thỏa mãn tiêu
chu
ẩn: TCVN 6259-6:2003 và AWS D1.1.
1) Quy cách vát mép:
- Với chiều dày thép tấm t = 20mm, so sánh với tiêu chuẩn
vát mép ta thấy:
+) Quy cách vát mép ở quy trình DQS-2G-SMAW hoàn toàn
phù h
ợp với tiêu chuẩn.
+) Hai quy trình DQS-1G-SMAW( góc vát ө = 60
0
) và DQS-
3G-SMAW (
ө = 50
0
) có góc vát hơi lớn hơn so với góc vát tiêu
chu
ẩn là 40
0 +5
. Các thông số còn lại của quy cách vát mép đều phù
h
ợp với tiêu chuẩn.
3) Các thông số hàn:


a) Số lớp hàn:
 Quy trình DQS-1G-SMAW:
-
Đường kính que hàn: d = 4mm, từ cơ sở lý thuyết ở chương
2 ta có:
F
1
= [6÷8].d và Fn = [8÷ 12].d

 F
1
min = 6.d = 6.4 = 24 (mm
2
)
F
1
max = 8.d = 8.4 = 32 (mm
2
)
Fn min = 8.d = 8.4 = 32 (mm
2
)
Fn max = 12.d = 12.4 = 48 (mm
2
).
- T
ừ hình 2-2 chương 2 và biên bản kiểm tra quy trình hàn ta có các
thông s
ố:
a = 4 (mm)

b = 26 (mm)
c = 2 (mm)
s = 20 (mm)
h = 18 (mm)
 F
d
= h
2
tg(α/2) + a.s + 0.75.b.c
= 18
2
. tg(30
0
) + 4.20 + 0.75.26.2 = 306 (mm
2
).
 Số lớp hàn: n
min
= 6
1
48
32306
1
max
max1







Fn
FFd
(lớp).
n
max
= 9
1
32
24306
1
min
min1






Fn
FFd
(lớp).
- Quy trình DQS-1G-SMAW có số lớp hàn là n = 7 lớp 
phù hợp kết quả tính từ cơ sở lý thuyết.
 Quy trình DQS-2G-SMAW:
- Các thông s
ố hoàn toàn tương tự như quy trình DQS-1G-
SMAW.
V
ới n = 7 lớp, ta thấy quy trình DQS-2G-SMAW có số lớp

hàn phù hợp so với kết quả tính toán từ cơ sở lý thuyết.
 Quy trình DQS-3G-SMAW:
- Với: a = 4 (mm).
b = 24 (mm).
c = 2 (mm).
s = 20 (mm).
h = 18 (mm).
-
Tính tương tự như trên ta có:
F
d
= 267 (mm
2
).
 Số lớp: n
min
= 5
n
max
= 8
- Quy trình DQS-3G-SMAW có s
ố lớp hàn là n = 6  phù
h
ợp với kết quả tính toán từ cơ sở lý thuyết.
b) Đường
kính que hàn:
Que hàn dùng cho ba quy trình trên
đều có đường kính
d = 3.2; 4.0 (mm). Trong đó sử dụng chủ yếu l
à que hàn d = 4

(mm). Vi
ệc chọn lựa này là phù hợp để hàn nhiều lớp vì vật liệu cơ
bản có chiều dày lớn (t = 20(mm)).
c) Cường độ d
òng điện:
- Với đường kính que hàn d = 4mm, từ cơ sở lý thuyết ở
chương 2 ta có:
+) Hàn sấp: I = [3 ÷ 50].d = [ 12 ÷ 200] (A).
+) Hàn ngang và hàn trần: I giảm từ 10% đến 20% so với hàn
s
ấp  I = [ 10 ÷ 170] (A).
+) Hàn đứng: I giảm từ 10% đến 15% so với hàn sấp  I =
[10 ÷ 180](A).
- So sánh ta th
ấy:
 Quy trình DQS-1G-SMAW với I = [ 70 ÷ 190] (A) phù
h
ợp với kết quả tính từ cơ sở lý thuyết.
 Hai quy trình DQS-2G-SMAW với I = [ 80 ÷ 190] (A) và
DQS-3G-SMAW v
ới I = [ 80 ÷ 190] (A) có dải cường độ dòng
điện tương đối phù hợp với kết quả tính từ cơ sở lý thuyết.
d) Điện áp h
àn.
- D
ải điện áp hàn của các quy trình như sau:
+) DQS-1G-SMAW: U = [22 ÷ 24] (V).
+) DQS-2G-SMAW: U = [23 ÷ 24] (V).
+) DQS-2G-SMAW: U = [22 ÷ 25] (V).
- Ta th

ấy dải điện áp hàn của ba quy trình đều phù hợp với cơ
sở lý thuyết với dải điện áp đã được tính toán U = [16 ÷ 28] (V).
e) Tốc độ hàn:
Áp d
ụng công thức: v =
d
q
IU


(cm/s) cho các quy trình.
-
Trong đó:
+) q
d
= 60417. F
d

V
ới đường kính que hàn d = 4 (mm)  F
d
= [6 ÷ 8].d = [0.24 ÷ 0.32]
(cm
2
).
 DQS-1G-SMAW:
- Với dải cường độ dòng điện I = [70÷ 190] (A) và hiệu điện thế U =
24 (V),
 v
min

=
max
minmin

d
q
IU

=
32,0.60417
6,0.70.24
= 0.052 (cm/s) = 4 (cm/min).
v
max
=
min
maxmax

d
q
IU

=
24,0.60417
85,0.190.24
= 0,26 (cm/s) = 16
(cm/min).
- V
ới dải tốc độ hàn của quy trình v = [14÷16] (cm/min) ta
th

ấy hoàn toàn phù hợp với kết quả tính từ cơ sở lý thuyết.
 DQS-2G-SMAW:
- V
ới I = [80÷190] (A) và các thông số khác tương tự như
quy trình DQS-1G-SMAW suy ra tốc độ hàn tính được từ cơ sở lý
thuyết là v = [14÷16] (cm/min).
- V
ới dải tốc độ hàn v = [13÷18] (cm/min) trong đó hầu hết
các lớp hàn có
v = [13 ÷16] (cm/min), nên d
ải tốc độ hàn của quy trình tương đối
phù hợp với kết quả tính từ cơ sở lý thuyết.
 DQS-3G-SMAW:
- Với I = [70 ÷200] (A) và các thông số khác giống như quy
trình DQS-1G-SMAW. Ta thấy với dải tốc độ hàn của quy trình v
= [12 ÷16] (cm/min) là tương đối phù hợp với kết quả tính toán từ
cơ sở lý thuyết.

×