Điện Tử Học - Vi Mạch Điện Tử Ứng Dụng part 10 ppsx

Chương 3 7
Suy ra:
)1(
1
1
21
1
'
»
¼
º
«
¬
ª


¸
¸
¹
·
¨
¨
©
§
'
¸
¸
¹
·
¨
¨

©
§
'
¸
¸
¹
·
¨
¨
©
§
|'
E
EE
eb
eb
CQ
BE
e
CBO
e
b
CQ
RR
RR
I
V
R
I
R

R
I
Trong đó:
)1(
1
 '
'TK
CBOCBO
eII
TkV
B
E
' '
12
E
E
E
 '
x Mở rộng:
eRCCVBEVCBOICQ
RSVSSVSISI
eCC
''''' '
E
E
Với
CC
CQ
V
V

I
S
CC
w
w
|
;
e
CQ
R
R
I
S
e
w
w
|
x Ví dụ: a) Tìm I
CQ
tại nhiệt độ phòng, sử dụng các giá trò danh đònh
b) Tính 'I
CQ
với các thay đổi trên V
CC
, R
e
, E; nhiệt độ thay đổi từ 25 – 125
o
C.
a)

21
1
RR
R
VV
CCBB


; R
b
= R
1
// R
2
Dùng công thức tổng quát:
be
beCBOBEBB
CQ
RR
RRIVV
I
)1(
)()(
D
D



= 10.6 mA
b) i Tính các hệ số ổn đònh:

0ҥFKÿLӋQWӱ

Chương 3 8
be
be
I
RR
RR
S
)1(
D



= 5.25 mA/mA
e
V
R
S
1
|
= - 10 mA/V
»
¼
º
«
¬
ª



¸
¸
¹
·
¨
¨
©
§
|
eb
eb
CQ
RR
RR
I
S
)1(
21
1
EE
E
= 0.0116 mA
Tính S
Vcc
và S
Re
, từ công thức tổng quát:
be
beCBOBEBB
CQ

RR
R
R
IVV
I
)1(
)()(
D
D



, suy ra:
21
1
)1()1( RR
R
RRV
V
RRV
I
S
beCC
BB
beCC
CQ
V
CC


w
w


w
w

D
D
D
D
= 0.91 mA/V
>@
2
)1(
)(
be
BEBB
e
CQ
R
RR
VV
R
I
S
e
D
D



|
w
w

= - 0.1 mA/:
i Xác đònh các đại lượng biến thiên:
)1(
1
 '
'TK
CBOCBO
eII
= 0.11 mA
TkV
B
E
' ' = -250 mV
12
E
E
E
 '
= 50
CC
V'
= 4V
e
R' = 20 :
i Suy ra độ dòch tónh điểm Q nhiều nhất

eRCCVBEVCBOICQ
RSVSSVSISI
eCC
''''' '
E
E
= 9.3 mA
Độ dòch tónh điểm Q xung quanh giá trò danh đònh | 9.3 / 2 = r 4.65 mA
0ҥFKÿLӋQWӱ

Chương 3 9
3.5 Bổ chính nhiệt dùng Diode
x Nhận xét: Thay đổ nhiệt độ ảnh hưởng lên dòng phân cực I
CQ
chủ yều do 'V
BE
.
 Giảm S
V
: Tăng R
e
, tuy nhiên làm giảm dòng phân cực.
Giảm 'V
BE
: Bổ chính nhiệt
x Bổ chính nhiệt dùng Diode:
Chọn Diode sao cho:
T
V
T

V
BED
'
'

'
'
Nguồn dòng:
1
 
E
EQ
DBQDBB
I
IIII
Mặt khác:
eEQBEQdDDB
RIVRIVV  
Suy ra:
)]1/([ 


E
de
dBBBEQD
EQ
RR
RIVV
I


)]1/([
//

''''

'
'
E
de
BED
EQ
RR
TVTV
T
I
= 0
x Cấu hình thực tế:
- Giải quyết được bài toán lựa chọn Diode
thích hợp (matching) với TST
- Sử dụng trong các mạch tích hợp
(Integrated Circuit)
0ҥFKÿLӋQWӱ

Chương 3 10
x Ví dụ: Xác đònh ảnh hưởng của nhiệt độ lên tónh điểm Q
Mạch tương đương:
BQ
d
DB
b

B
BB
I
R
VV
R
V
I 

 ; giả sử
b
B
BQ
R
V
I 
và
d
DB
B
R
VV
I



d
DB
b
B

BB
R
VV
R
V
I

|

¸
¸
¹
·
¨
¨
©
§

¸
¸
¹
·
¨
¨
©
§

db
db
d

D
BBB
RR
RR
R
V
IV

¸
¸
¹
·
¨
¨
©
§




¸
¸
¹
·
¨
¨
©
§



BEQ
db
bD
db
dCC
ee
BEQB
EQ
V
RR
RV
RR
RV
RR
VV
I
1
Biến thiên theo nhiệt độ:
¸
¸
¹
·
¨
¨
©
§
w
w


w
w

¸
¸
¹
·
¨
¨
©
§

w
w
T
V
T
V
RR
R
RT
I
BEQ
D
db
b
e
EQ
1
Vì hai TST là giống nhau:

k
T
V
T
V
BEQ
D

w
w

w
w
, suy ra:
dbe
EQ
RRR
k
T
I
/1
1


w
w
0ҥFKÿLӋQWӱ

Chương 3 11
3.6 nh hưởng của nhiệt độ và các thông số kỹ thuật

Ví dụ: Transistor 2N1016, Silicon npn
1. Điện trở nhiệt tối đa: T
jc
= 0.7
o
C/W
2. Công suất tiêu tán tối đa với bộ tản nhiệt lý tưởng tại 25
o
C: P
C
= 150 W
3. Nhiệt độ mối nối tối đa: T
j,max
= 140
o
C
4. Các thông số cực đại tuyệt đối tại 25
o
C:
1) I
C
= 7.5 A
2) I
B
= 5 A
3) Breakdown voltage:
a) BV
CBO
= 30 V
b) BV

EBO
= 25 V
c) BV
CEO
= 30 V
5. Dòng I
CBO
cực đại tại điện áp V
CB
cực đại tại 25
o
C = 10 mA
6. Hệ số khuếch đại dòng E tại V
CE
= 4V, I
C
= 5A: 10 dEd 18
7. Tần số cắt CE (cutoff frequency): f
E
= 30 kHz
0ҥFKÿLӋQWӱ

Chương 4 1
Chương 4: PHÂN TÍCH & THIẾT KẾ MẠCH TÍN HIỆU NHỎ TẦN SỐ THẤP
4.1 Giới thiệu
4.2 Các thông số Hybrid
4.3 Cấu hình E chung (Common Emitter – CE)
4.4 Cấu hình B chung (Common Base – CB)
4.5 Cấu hình C chung (Common Collector – CC)
4.6 Tóm tắt các thông số cơ bản trong ba cách mắc BJT

0ҥFKÿLӋQWӱ

Chương 4 2
4.1 Giới thiệu
9 Phương pháp đồ thò
9 Tín hiệu nhỏ
9 Mô hình mạch tương đương tín hiệu nhỏ
4.2 Các thông số Hybrid
x Mạng hai cửa: v
1
, i
1
, v
2
, i
2
x Các thông số đặc trưng: Trở kháng (impedance); dẫn nạp (admittance), hybrid, …
x Các thông số hybrid:
2121111
vhihv 
2221212
vhihi 
Với TST:
211
vhihv
r
i

212
vhihi

of


Đònh nghóa
:
0
2
1
1


v
i
v
h
i
= Trở kháng ngõ vào khi ngõ ra ngắn mạch
0ҥFKÿLӋQWӱ