Điện Tử Học - Vi Mạch Điện Tử Ứng Dụng part 12 pps

Chương 4 10
b) Mạch tương đương:
¸
¹
·
¨
©
§




16100
100
5500
500
)98.0(
i
L
i
i
i
A
= 0.83
i
L
i
L
i
L
v

i
i
r
R
v
v
A
= 41.5
Z
i
= 16:
Z
0
= 500K
4.5 Cấu hình C chung (Common Collector – CC) (Mạch Emitter Follower - EF)
x Tính chất: - Độ lợi áp A
v
| 1
- Trở kháng ngõ vào lớn, trở kháng ngõ ra nhỏ: Impedance transformer
x Phân tích: - Mạch tương đương dùng thông số hybrid cấu hình CC.
- Biến đổi tương đương sử dụng thông số hybrid cấu hình CE.
Thay TST bằng mạch tương đương cấu hình CE:
0ҥFKÿLӋQWӱ

Chương 4 11
9 Nhìn từ cực B:
v
b
= v
be

+ i
e
R
e
. Do v
be
= i
b
h
ie
và i
e
R
e
= (h
fe
+ 1)i
b
R
e

>
@
efebiebb
Rhihiv )1(   Mạch tương đương (chuẩn i
b
)

>
@

>@
»
¼
º
«
¬
ª


»
¼
º
«
¬
ª



efeiebi
efeieb
efeie
efe
i
e
v
RhhRr
RhhR
Rhh
Rh
v

v
A
)1(//
)1(//
)1(
)1(
và
efeiei
RhhZ )1( 
9 Nhìn từ cực E:
Biến đổi tương đương Thevenin ngõ vào:
Thay TST bằng mạch tương đương cấu hình CE:
KVL:
ebeb
ii
vvirv 
,,
Do
1

fe
e
b
h
i
i
và
eib
fe
e

iebiebe
ih
h
i
hihv


1

eeibe
fe
i
i
vihi
h
r
v 
¸
¸
¹
·
¨
¨
©
§


1
,
,

 Mạch tương đương (chuẩn i
e
)
0ҥFKÿLӋQWӱ

Chương 4 12

1
,


fe
i
ibo
h
r
hZ
Phản ánh trở kháng:
Phản ánh từ Emitter o Base
(chuẩn i
b
)
Dòng / (h
fe
+ 1) (Ví dụ: i
e
o i
e
/(h
fe

+ 1))
Trở kháng u (h
fe
+ 1) (Ví dụ: R
e
o R
e
(h
fe
+ 1))
p: Không đổi (Ví du: v
e
o v
e
)
Phản ánh từ Base o Emitter
(chuẩn i
e
)
Dòng u (h
fe
+ 1) (Ví dụ: i
b
o i
b
(h
fe
+ 1))
Trở kháng / (h
fe

+ 1) (Ví dụ: r’
i
o r’
i
/ (h
fe
+ 1))
p: Không đổi
Ví dụ 4: Phân tích mạch sau dùng phản ánh
trở kháng
Biến đổi mạch tương đương:
>@
efeie
i
i
Lc
c
fei
Rhhr
r
RR
R
hA
)1(
,
,



0ҥFKÿLӋQWӱ

Chương 4 13
Ví dụ 5: Tính v
1
và v
2
của mạch đảo pha (phase inverter) sau:
Phản ánh trở kháng cực E lên mạch cực B  Mạch tương đương (b)

)1()//(
)1(
1




feeiebi
fee
ib
b
i
hRhRr
h
R
rR
R
vv
Dòng i
e
:

e
e
R
v
i
1


e
fbefbc
R
v
hihi
1

Ngõ ra cực C:
12
v
R
R
hRiv
e
c
fbcc
 
Nếu chọn h
fb
R
c
(| R

c
) = R
e
 v
2
= - v
1
: Đảo pha.
4.6 Tóm tắt các thông số cơ bản trong ba cách mắc BJT
<Xem TLTK [1], [2]>
0ҥFKÿLӋQWӱ

Chương 5 1
Chương 5: MẠCH TRANSISTOR GHÉP LIÊN TẦNG
5.1 Giới thiệu
5.2 Ghép Cascade các mạch khuếch đại
5.3 Mạch khuếch đại vi sai (difference amplifier)
5.4 Cấu hình Darlington
5.5 Mạch khuếch đại ghép Cascode
0ҥFKÿLӋQWӱ

Chương 5 2
5.1 Giới thiệu
Yêu cầu thiết kế: Độ lợi (gain), công suất ra, đáp ứng tần số, …  Sử dụng nhiều hơn một TST.
x Mạch khuếch đại DC: Ghép trực tiếp (direct coupling)
x Mạch khuếch đại AC: Ghép điện dung (capacitive coupling)
5.2 Ghép Cascade các mạch khuếch đại
Ghép Cascade: x Ngõ ra của tầng 1 là ngõ vào của tầng 2, …
x Mạch có thể gồm nhiều cấu hình ghép cascade (vd: CE-CC, CE-CE, …)
Phân tích: x Xác đònh tónh điểm

x Phân tích mạch tương đương tín hiệu nhỏ
Xét mạch ghép AC (ac-coupling) sau:
x Phân tích DC, xác đònh tónh điểm: Hai tầng độc lập (do ghép AC): Chương 2, 3.
x Phân tích AC (tín hiệu nhỏ): Mạch tương đương: Chương 4
0ҥFKÿLӋQWӱ

Chương 5 3
Độ lợi dòng:
¸
¸
¹
·
¨
¨
©
§

¸
¸
¹
·
¨
¨
©
§


¸
¸
¹

·
¨
¨
©
§



1
'
1
'
1
2
'
2
'
21
2
22
1
1
2
2
ieb
b
ieb
bfe
LC
Cfe

i
b
b
b
b
L
i
L
i
hR
R
hR
Rh
RR
Rh
i
i
i
i
i
i
i
i
A
Giả sử: h
ie1
<< R’
b1
; h
ie2

<< R’
b2
; R
L
<< R
C2
: A
i
| (-h
fe1
)(-h
fe2
)  N tầng ???
Ví dụ 1: Xác đònh độ lợi áp và biên độ dao động cực đại điện áp ngõ ra. Giả sử h
fe
= 100.
x Xác đònh tónh điểm:
Tầng 2:
mA
hRR
VV
I
febe
BEQCC
CQ
65.9
/
222
2
|




0ҥFKÿLӋQWӱ