Giáo trình phân tích khả năng phân loại các loại diode phân cực trong bán kì âm tín hiệu p7 docx

Giáo trình Linh Kiện Điện Tử







I
C
# I
E
=3mA
V
C














* Khi R
C

= 3 KΩ (R
C
tăng)
B
= V
CC
- R
C
.I
C
= 12 - 3x3 = 3V
mA

4
3
12
R
V
I
C
CC
SH
===




. Ảnh hưởng của nguồn phân cực nối thu nền
CC
.

ếu giữ I
E
là hằng số (tức V và R
E
là hằng số
C
là hằng s y đổ
CC
,
ta thấ : K V
CC
tăng thì V
CB
tăng, khi V
CC
giảm thì V
CB
giảm.








Như vậy, khi giữ các nguồn phân cực V
CC
, V
EE

và R
E
cố định, thay đổi R
C
, điểm
điều hành Q sẽ chạy trên đặc tuyến tương ứng với I
E
= 3mA. Khi R
C
tăng thì V
CB
giảm và
ngược lại.
2 V
N
EE
), R ố, tha i nguồn V
y hi
V
CB
(Volt)
0
I
C
(mA)
I
E
= 3mA
Q
2 4 6 8 10 12

V
OC
Hình 22
8
4
3
2
1
7,5V
7
6
5
V
CB
(Volt)
0
I
C
(mA)
I
E
= 3mA
Q

2 4 6 8 10 12
V
OC
Hình 23

4

3
2
1
Trang 76 Biên soạn: Trương Văn Tám
.
Giáo trình Linh Kiện Điện Tử
Thí dụ:

3. Ảnh hưởng của I
E
lên điểm đ u hành:
N giữ R
C
và V
CC
cố đị hay đổi I
E
(tức th i R
E
hoặc V
EE
) ta thấy: khi I
E

tăng thì V
CB
giảm (tức I
C
tăng), khi I
C

giảm thì V
CB
tăng (tức I
C
giảm).
E C
eo và tiến dầ
SH
Transistor dần dần đi vào vùng
bảo h
gọi là I
C
(sat). Như vậy:







V

iề
ếu ta
nh, t ay đổ

Khi I
tăng thì I tăng th n đến trị I .
oà. Dòng tối đa của I
C
, tức dòng bảo hoà
C
C
R
CC
SH
V
I)t ==

sa(I
Lúc này, V
CB
giảm rất nhỏ và xấp xĩ bằng 0V (th ự là 0,2V).
hi I
E
giảm thì I
C
giảm theo. Transistor đi dần vào vùng ngưng, V
CB
lúc đó gọi là V
CB
(off)
và I

C
= I
CBO
.
ật s
K
EE
= 1V
V
CC
: 10V
12V
14V
+
R
E
= 100Ω R
C
= 2
K
Ω
I
C
I
C
(mA)
7
6
5
4

3
2
1
2 4 6 8 10 12 14
0
I
E
=3 (mA)
V
CB
Hình 24
Q
1
Q
1
Q
2
V
CC
= 14V
V
CC
= 12V
V
CC
= 10V
Hình 25
I
C
(mA)

7
6
5
3
2
1
2 4 6 8 10 12 14
4
0
I
E
=3 (mA)
V
CB
Q
3
Q
C
CC
SH)sat(C
R
V
II ==
I
E
=2 (mA)
I
E
=1 (mA)
I

E
=4 (mA)
I
E
=5 (mA)
I
E
=6 (mA)
Q
1
Q
2
Tăng
Giảm
Q
4
I
CBO
Trang 77 Biên soạn: Trương Văn Tám
.
Giáo trình Linh Kiện Điện Tử
Như vậy, V
CB
(off) = V
OC
= V
CC
.
Vùng bảo hoà và vùng ngưng là vùng hoạt động không tuyến tính của BJT.
ối với mạch cực phát chung, ta cũng có thể khảo sát tương tự.

VIII. KIỂU MẪU MỘT CHIỀU CỦA BJT.
ua khảo sát ở phần trước, người ta có thể dùng kiểu mẫu gần đúng sau đây của
transistor trong mạch điện một chiều:

mạc n với chú ý là điện thế thềm V
BE
khi phân cực
thuận là 0,3V đối với Ge và 0,7V đối với Si.
hí dụ 1: tính I
E
, I
C
và V
CB
của mạch c ư sau:
Đ
Q
E C
B
α
DC
I
E
I
E
I
C
=
α
DC

I
E
≈
I
E


Trang 78 Biên soạn: Trương Văn Tám


E C
B
Tr
≈

ansistor NPN

E C
B
DC E


E C
α
I
I
E
I
C
=

α
DC
I
E
≈
I
E
≈

B

Transistor PNP
Tuy nhiên, khi tính các thành phần dòng điện và điện thế một chiều của transistor,
người ta thường tính trực tiếp trên
Hình 26
h điệ
ực nền chung nh
T

.
Giáo trình Linh Kiện Điện Tử
Si
V
EE
V
CC
R
E
R
C

0,7V V
CB
I
C
I
E
Si
V V
R
EE CC
E
R
C
0,7V V
CB
I
C
I
E
+
+
-
-
Hình 27

Ta dùng 3 bước:
Mạch nền phát (ngõ vào):
E
EE
E

R
7,0V
I
−
=
; I
C
# α
DC
# I
E
Áp dụng định luật kir ra
−
Với transist
choff (ngõ ), ta có:
or NPN: V
CB
= V
CC
- R
C
.I
C
; V
C
0
−
Với transistor PNP: V
CB
= -V

C
R
C
.I
C
; V
CB
<0
hí dụ 2: Tính dòng điện I
B
, I
C
và điện thế V
CE
của mạch cực phát chung

B
>
C
+
+
+
-
-
-
T
.

Mạch nền phát (ngõ vào):
B
BB
B
7,0V
I
−
=

R
Dòng I
C
= β
DC
.I
B
Mạch thu phát (ngõ ra)
Hình 28
V
BB
V
CC
R
B
R
C

0,7V +
V
I
C
I
B
CE
-
+
+
V
BB
V
CC
R
B
R
C
V
CE
I
C
I
B
0,7V -
-
+
Trang 79 Biên soạn: Trương Văn Tám
.
Giáo trình Linh Kiện Điện Tử

− Với transistor NPN: V
CE
= V
CC
-R
C
I
C
>0
hính là phương trình đường thẳng lấy điện tỉnh trong mạch cực phát chung.
IX. BJT VỚI TÍN HIỆ XOAY U.
1. Mô hình của BJT:
a xem lại mạch cực nền chung, bây giờ nếu ta đưa vào BJT một nguồn xoay chiều
V
S
(t) có biên
ây là mô hình của một mạch khuếch đại ráp theo kiểu cực nền chung. Ở ngõ vào
và ngõ ra, ta có hai tụ liên lạc C
1
và C
2
có điện dung như thế nào để dung kháng X
C
khá
nhỏ ở ần số của nguồn tín hiệu để có thể xem như nối tắt (Short circuit) đối với tín hiệu
xoay chiều và có thể xem như hở mạch (open circuit) đối với điện thế phân cực.
ạch tương đương một chiều như sau:
ây là mạch mà chúng ta đã khảo sát ở phần tr c. Nguồn điệ ế xoay chiều V
S
(t)

khi đưa vào mạch sẽ làm cho thông s stor thay đổi. Ngoài thành phần một chiều
còn c thành phần xoay chiều của ngu iệu tạo ra chồng lên.
ghĩa là: i
B
(t) = I
B
+ i
b
(t)
v
CB
(t) = V
CB
+ v
cb
(t)
-V
EE CC
−
Với transistor PNP: V
CE
= -V
CC
+ R
C
.I
C
<0
Đây c
U CHIỀ

T
+V
độ nhỏ như hình vẽ.


R
E
R
C
V
C1
~
+ -
C2
+ -
+

Tín hiệu vào


V

Đ
t
M

Đ ướ n th
ố transi
ồn tín hó
N
i
C
(t) = I
C
+ i
c
(t)
i
E
(t) = I
E
+ i
e
(t)
S
(t)
-
V
V
V
Hình 29
Tín hiệu ra
V
0
(t)

Hình 30
Si
V
EE
V
CC
R
E
R
C
0,7V
V
CB
I
C
≈I
E
I
E
+
+
-
-
Trang 80 Biên soạn: Trương Văn Tám
.