Giáo trình phân tích khả năng phân loại các loại diode phân cực trong bán kì âm tín hiệu p6 pot

Bạn đang xem bản rút gọn của tài liệu. Xem và tải ngay bản đầy đủ của tài liệu tại đây (283.02 KB, 5 trang )

Giáo trình Linh Kiện Điện Tử

ảo hoà, vùng tác động và
điện rĩ I
CEO
.
Đặc tuyến truyền: (Transfer characteristic curve)
Từ đ đặc tuyến truyền của
transistor.
ngõ vào V
BE
Đặc tuyế

− Ta thấy cũng có 3 vùng hoạt động của transistor: vùng b
vùng ngưng.
−
Khi nối tắt V
BE
(tức I
B

=0) dòng điện cực thu xấp xĩ dòng
ặc tuyến ngõ vào và đặc tuyến ngõ ra. Ta có thể suy ra
Đặc tuyến truyền biểu diễn sự thay đổi của dòng điện ngõ ra I
C
theo điện thế
với điện thế ngõ ra V
CE
làm thông số.
n có dạng như sau:

0
2 4 6 8
1
2
3
4
5
6
I = 0 µA
20 µA
B
40 µA
60 µA
80
µ

A
100
µ
A
120
µ
A
I
C
(mA)
Vùng tác động
V
CE
(V)
Vùng ngưng
Vùng bão hòa
Hình 15
I
CEO

Trang 71 Biên soạn: Trương Văn Tám
.
Giáo trình Linh Kiện Điện Tử

I
C
(mA)
0
V
BE

(V)
V
CE
=10(V)
I
CES
= I
CBO
.1 .2 .3 .4 .5
6
7
8
Vùng ngưng
Vùng
tác động
Vùng bảo hoà
V
BE
(sat) cut-in

Hình 16

Đối với transistor Si, vùng hoạt động có V
BE
nằm trong khoảng 0,5-0,8V. Trong
vùng này, đặc tuyến truyền có dạng hàm mũ. Ở vùng bão hoà, dòng I
tăng nhanh khi
V
BE
t ng
xấp x I
CBO
.
y cả trong vùng t động, khi V
BE
thay đổi một lư ỏ (từ dòng I
B
thạy đổi)
thì dòng I
C
thay đổi một lượng khá lớn. Vì thế, trong các ứng dụng, người ta dùng điện
thế cực nền V
B
điện thế đi ển và cực B còn gọi là cực khi
3. nh hưởng của nhiệt độ lên các đặc tuyến của BJT.
hư ta đã thấy, các tính chất điện của chất bán dẫn đều thay đổi theo nhiệt độ. Do
đó, các đặc tuyến của BJT đều thay đổi khi nhiệt độ thay đổi.
− Khi nhiệt độ tăng, các dòng ủa cực thu (I
CBO
,Iceo, I
CES
) đều tăng.

−
Khi nhiệt độ tăng, các độ lợi điện thế α
DC
, β
DC
cũng tăng.
−
Khi nhiệt độ tăng, điện thế phân cực thuận (điện thế ngưỡng) nối nền phát V
BE

n rỉ I
CBO
tăng gấp đôi khi nhiệt độ tăng 8 C trong transistor Si.
C
hay đổi. Ở vùng ngưng, khi V
BE
còn nhỏ, dòng rỉ qua transistor I
CES
rất nhỏ, thườ
ĩ
ợng nh
Nga hoạ
E
làm ều khi ển.
Ả
N
điện rỉ c
giảm. Thông thường, V
BE
giảm 2,2mV khi nhiệt độ tăng 1

0
C.
−
Dòng điệ
0
⎥
⎦
⎤
⎢
⎣
⎡
=
−
8
25t
0
CBO
0
CBO
Ct(I 2).C25(I)

Tác động của nhiệt độ ảnh h ởng quan trọng đến điểm điều hành của transistor. Nó
là nguyên nhân làm cho thông số của transistor thay đổi và kết quả là tín hiệu có thể bị
biến
ư
dạng.
Trang 72 Biên soạn: Trương Văn Tám
.
Giáo trình Linh Kiện Điện Tử

VII. ĐIỂM ĐIỀU HÀNH – ĐƯỜNG THẲNG ĐIỆN
MỘ ỀU.
a xem mạch dùng transistor BJT NPN trong mô hình cực nề hư sau:
ể xác ỉnh điều hành Q và đường thẳng lấy điện m u, người ta
thường dùng 3 bước:

I
C
(mA)
50
0
C 25
0
C
250
µ
A
I

B
(µA)
50
0
C
25
0
C
(2,2mV/ C)
200
µ
A
150
µ
A
100
µ
A
0
LẤY
T CHI
T n chung n

Đ định điểm t ột chiề

V
BE
(mV)
0
I
B
=0
µ
A
50
µ
A
0 645 700
V
CE
(Volt)
V
BE
(mV)
0
I
C
(mA)
645 700
50
C
0
25
0
C

(2,2mV/
0
C)
10
V
CE
=15V
Hình 17
V
EE
V
CC
V
BE
V
CB
+
+
I
E
I
C
R
E
R
C
Vào Ra
Hình 18
Trang 73 Biên soạn: Trương Văn Tám
.

Giáo trình Linh Kiện Điện Tử
1. Mạch ngõ vào:
Ta có: V
BE
+ R
E
I
E
- V
EE
= 0
E
BEEE
E
R
VV
I
−
=⇒

Chú ý là V
BE
= 0,7V v Với BJT là Si và
BE
= 0,3V nếu BJT là Ge.
2. Từ công thức I
C
α
DC
I

E
≅ I
E
.
uy ra dòng điện cực thu I
C
.
. Mạch ngõ ra:
a c V
CB
- V
CC
+ R
C
I
C
= 0
=
S
3
T ó:
C
CC
C
CB
C
=
R
V
R

V
I +−

ây là phương trình đường thẳng lấy điện một chiều (đường thẳng lấy điện tỉnh).
Trên ặc tuyến ra, giao điểm của đường thẳng lấy điện I
E
tương ứng (thông số) của
đặc t
Ta chú ý rằng:
−
Khi V
CB
= 0
⇒
Đ
đ với
uyến r chính là đa iểm tỉnh điều hành Q.
C
CC
V
SHC
R
II ==⇒
(Dòng điện bảo hoà)
−
Khi I
C
= 0 (dòng ngưng), ta có: V
CB
= V

CC
= V
OC

ột ận xét:
Để th ảnh hưởng tương đối của R
C
,V
CC
, I
E
n điểm điều hành, ta xem ví dụ sau đây:

V
CB
(Volt)
0
I
C
(mA)
I
E
= 6mA
I
E
= 5mA
I
E

= 4mA
I
E
= 3mA
I
E
= 2mA
I
E
= 1mA
0mA
Q
V
CBQ
C
CC
SH
R
V
I =
V
CB
=V
CC
=V
OC
Hình 19

M số nh
ấy
lê
Trang 74 Biên soạn: Trương Văn Tám
.
Giáo trình Linh Kiện Điện Tử
1. Ảnh hưởng của điện trở cực thu R
C
: R
C
= 1,5KΩ; 2KΩ; 3 KΩ

a có:

V = 1V
V
CC
= 12V