BÀI TẬP CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ PHẦN BJT

BÀI TP CUI CHNG BJT
3.1 Hãy dn xut các phng trình ca A
v
, A
i
và R
in
cho mch khuych i CE nh  hình P3.1.
3.2 Tính R
in
, A
v
, và A
i
khi có R
B
= R
L
= 5kΩ, R
E
= 1kΩ, và h
ie
= 0 cho mch khuych i CE nh 
hình P3.2. Cho β:
a) β = 200; b) β = 100; c) β = 10.
3.3 Hãy xác nh A
v
, A
i
và R
in

cho mch khuych i nh  hình P3.2, khi có R
B
= R
L
= 5kΩ, h
ib
=
40Ω, β = 300, và R
E
cho bi:
a) R
E
= 1kΩ; b) R
E
= 0,5kΩ; c) R
E
= 100Ω; d) R
E
= 0.
3.4 Cho mch khuych i emitter-chung nh  hình P3.1, V
BE
= 0,6V, V
CC
= 12V, β = 300, P
L
(bình
quân ln nht) = 100mW, và A
v
= - 10. Hãy xác nh R
1

, R
2
, R
in
và A
i
. Mc công sut tiêu tán trong
transistor là bao nhiêu ?.
3.5 Xác nh A
v
cho mch khuych i  hình P3.3, trong ó h
ie
= 2kΩ, h
re
= 0, h
fe
= 200, và 1h
oc
=
8kΩ.
3.6 Cho mch khuych i emitter-chung nh  hình P3.4,
trong ó h
ie
= 1kΩ, h
oe
= 10S, và h
fe
= 50, vc tuyn cho
mi trng hp sau:
a) A

i
= i
L
i
in
khi cho R
B
<< h
ie
, nh mt hàm s ca giá tr
R
L
. Cho R
L
bin thiên t 0 n 500kΩ.
b) A
i
nh mt hàm s ca R
L
nhng cho h
re
= 0 = h
oe
.
3.7 Cho mch khuych i CE nh  hình P3.5, xác nh
 bin thiên ca A
i
và R
in
nu h

fe
ca transistor silicon bin
thiên t 50 n 150.
3.8 Hãy xác nh h
ie
, A
i
, R
in
, v
o
v
i
và R
o
cho mch khuych i CE nh  hình P3.6, nu h
fe
= 100 và
h
re
= h
oe
= 0.
3.9 Hãy so sánh các in tr vào và các h s khuych i n áp ca các mch khuych i tng
ng ac nh  hình P3.7.
3.10 Hãy thit k mch khuych i CE nh  hình P3.8, s dng transistor pnp khi có R
L
= 3kΩ, A
v
= - 10, V

BE
= - 0,7V, β = 200, A
i
= - 10, và V
CC
= - 12V. Xác nh tt c tr s ca các cu kin, R
in
, và
 dao ng ca n áp ln nht trên R
L
.
3.11 Thit k mch khuych i CE nh  hình P3.8, s dng transistor pnp khi có R
L
= 4kΩ, A
v
= -
10, A
i
= - 10, V
BE
= 0,7V, β = 200, và V
CC
= 15V. Xác nh tt c tr s ca các cu kin, và  dao
ng ca n áp ra nh-nh ln nht.
3.12 Thit k mch khuych i CE nh  hình P3.4, s dng transistor npn khi có R
L
= 9kΩ, A
v
= -
10, A

i
= - 10, V
BE
= 0,7V, β = 200, và V
CC
= 15V. Xác nh tt c tr s ca các cu kin, R
in
, và  dao
ng ca n áp ra nh-nh ln nht.
3.13 Thit k mch khuych i CE  nhn c h s khuych i n áp là - 25 khi có R
in
= 5kΩ,
R
L
= 5kΩ, V
CC
= 12V, β = 200, và V
BE
= 0,7V. Xác nh tr s ca tt c các cu kin, h s khuych
i dòng in, và  dao ng ca n áp ra ln nht. S dng mch  hình P3.8, nhng vi transistor
npn.
3.14 Phân tích mch hình P3.9 và xác nh các yêu cu sau khi có β = 300, và V
BE
= 0,6V.
a) I
CQ
và V
CEQ
.
b)  dao ng n áp ra không nhiu.

c) Công sut c cung cp t ngun cung cp.
d) H s khuych i n áp.
e) Các ng ti.
3.15 Thit k mch khuych i CE  nhn c h s khuych i n áp là - 10 khi có R
in
= 2kΩ,
R
L
= 4kΩ, V
CC
= 15V, V
BE
= 0,6V, và β = 300. Mch khuych i cn phi cho  dao ng ca n
áp ra không b méo dng 2V, nên vic thit k cn phi thc hin  tiêu hao mc dòng nh nht t
ngun cung cp dc. Xác nh tr s ca tt c các cu kin và h s khuych i dòng in.
3.16 Thit k mch khuych i  có h s khuych i toàn b là - 15 khi in áp vào có tr kháng
ca ngun (R
i
) là 2kΩ và b khuych i t có R
in
= 4kΩ, V
BE
= 0,7V, và β = 200. (xem hình P3.10).
mch khuych i cn phi cho  dao ng ca n áp ra ln nht. Xác nh tr s ca tt c các cu
kin, h s khuych i dòng in A
i
và  dao ng ca n áp ra ln nht.
3.17 Thit k mch khuych i nh  mch hình P3.11,  có h s khuych i là - 200 vi n tr
vào là 1kΩ. Xác nh tr s ca tt c các cu kin, và  dao ng ca n áp ra ln nht khi có β =
400 và V

BE
= 0,7V.
3.18 Thit k mch khuych i EF nh  mch hình P3.12,  u khin ti 200Ω s dng
transistor silicon pnp. V
CC
= - 24V,  = 200, A
i
= 10, và V
BE
= - 0,7V. Hãy xác nh tr s ca cu kin
và tính R
in
, I
CQ
, và  dao ng n áp ra i xng không méo dng i vi mi tr s ca R
E
cho di
ây:
a) R
E
= R
L
.
b) R
E
= 0,2R
L
.
c) R
E

= 5R
L
.
So sánh các kt qu tính bng biu .
3.19 Thit k mch khuych i EF nh mch  hình 3.11a, s dng transistor npn vi R
L
= 500Ω,
V
BE
= 0,7V, A
i
= 25, β = 200, và V
CC
= 15V. Hãy xác nh tr s ca cu kin, R
in
, A
v
, và  dao ng
in áp ra i xng ln nht.
3.20 Thit k mch khuych i EF  lái ti 8Ω, khi có  = 60, V
CC
= 24V, V
BE
= 0,7V, A
v
= 1, và A
i
= 10. S dng mch nh  hình 3.11a. Hãy xác nh tr s ca cu kin,  dao ng n áp ra, R
in
3.21 Thit k mch khuych i EF nh mch  hình P3.11a, s dng transistor npn vi R

L
= 1500Ω,
V
BE
= 0,7V, A
i
= 10, β = 200, và V
CC
= 16V. Hãy xác nh tr s ca cu kin, R
in
, A
v
, và  dao ng
in áp ra i xng ln nht.
3.22 Phân tích mch nh  hình P3.13, và xác nh các yêu cu sau khi có β = 300 và V
BE
= 0,6V:
a) I
CQ
và V
CEQ
.
b)  dao ng ca n áp ra không méo.
c) Công sut cn thit t ngun cung cp.
d) Công sut ra ln nht (ac không méo dng).
e) Các ng ti.
3.23 Thit k mch khuych i EF nh mch  hình P3.11a, u khin ti 10Ω vi V
CC
= 24V,
V

BE
= 0,6V, A
v
= 1, R
in
= 100Ω, và β = 200. Hãy xác nh tr s ca tt c cu kin, R
in
, và  dao ng
in áp ra i xng ln nht.
3.24 Phân tích mch nh  hình P3.14, khi có β = 100 và V
BE
= 0,7V và xác nh các yêu cu sau:
a) I
CQ
và V
CEQ
.
b)  dao ng ca in áp ra không méo.
c) Công sut cn thit t ngun cung cp.
d) Công sut ra ln nht (ac không méo dng).
e) Các ng ti.
3.25 Thit k mch khuych i CB (xem hình 3.13),  có h
s khuych i n áp bng 10 và ti 4kΩ. S dng β = 100,
V
BE
= 0,7V, V
CC
= 18V và R
E
= 500Ω. Hãy xác nh tr s ca I

CQ
, R
1
, R
2
, R
B
và  dao ng ca n
áp ra. H s khuych i n áp là bao nhiêu khi R
1
c r mch bng mt tn có n dng ln?.
3.26 Thit k mch khuych i CB bng cách s dng các tr s cho  bài tp 3.25 ngoi tr h s
khuych i n áp là 100. Hãy xác nh tr s ca R
1
, R
2
, I
CQ
, R
B
và  dao ng ca n áp ra ln
nhât.
3.27 Thit k mch khuych i CB  có  dao ng in áp ln nht và tr kháng vào thp nht là
100Ω, R
L
= 8kΩ, V
CC
= 12V, và R
E
= 500Ω. S dng transistor npn có β = 200, và V

BE
= 0,7V. Hãy
xác nh tr h s khuych i n áp và tr s ca tt cn tr.
3.28 Phân tích mch khuych i CB  có R
in
, A
v
, và V
o
(p-p) theo các tr s s dng nh sau: V
CC
=
16V, R
1
= 2kΩ, R
2
= 25kΩ, R
E
= 200Ω, R
C
= R
L
= 4kΩ, β = 200, và V
BE
= 0,7V. Base c ni t ac
nh  hình 3.13.
3.29 Hãy xác nh các tr s ca V
1
, V
2

, V
3
, V
4
, I
C1
, và I
C2
ca mch  hình P3.15. β = 300 cho c hai
transistor.
3.30 Ghép trc tip mt mch khuych i CE vi mch EF (xem hình 3.15b))  cho  dao ng
ca n áp ra là 4V vi các tr s nh sau: V
CC
= 12V, A
v
= 10, Q
1
có β = 200 và V
BE
= 0,7V, Q
2
có β
= 100 và V
BE
= 0,7V, và R
E1
= 100Ω. Ly R
C
= 4kΩ, và xác nh R
1

, R
2
, và R
E
.
3.31 Cho mch nh  hình P3.16, xác nh các yêu cu sau khi có β = 400 và V
BE
= 0,6V:
a) im-Q cho c hai mch khuych i.
b)  dao ng ca n áp ra không méo ln nht.
c) V dng sóng ca tín hiu ra.
d) H s khuych i n áp v
o
v
i
.
3.32 Cho mch nh  hình P3.17, khi có v
i
= 0,1sin 1000t V, xác nh in áp ra (cho β = 200 và V
BE
= 0,7V):
a) Tu cc v
o
(+) n u cc v
o
(-).
b) Tu cc v
o
(+) n t.
3.33 Tính A

i
, A
v
, và R
in
ca mch khuych i EF nh
 hình P3.18, khi cho β = 200 và h
ib
= 0.
3.34 Hãy xác nh các h s khuych i dòng và áp
toàn b, n tr vào cho mch khuych i ghép bin
áp nh  hình P3.19. S dng transistor npn, vi a = 4,
R
1
= 2kΩ, R
2
= 4kΩ, V
CC
= 15V, β = 200, và R
L
=
500Ω. B qua h
ie
.
3.35 Tính A
i
, A
v
, cho mch khuych i hai tng nh  hình P3.20. Các transistor là silicon.
3.36 Hãy xác nh A

i
, A
v
, cho mch khuych i hai tng nh  hình P3.21.
3.37 Tính A
i
, A
v
, và R
in
cho mch khuych i hai tng nh  hình P3.22.
3.38 Thit k mch khuych i CE bng transistor npn  có n áp ra ln nht vi các yêu cu sau:
A
v
= - 20, R
in
= 4kΩ, R
L
= 5kΩ, V
CC
= 12V, β = 300, V
BE
= 0,7V. Xác nh tr s ca tt c các cu
kin,  dao ng ca n áp ra nh-nh không méo dng, và h s khuych i dòng in.
3.39 Tính R theo các mc n áp dc  có V
o
= 0 cho mch 
hình P3.23. Tính I
CQ1
, I

CQ2
, R
in
, R
o
, và A
v
. Bit rng, V
BE
= 0,7V
và β = 100 i vi c hai transistor.