BÀI TẬP BỔ SUNG MÔN LINH KIỆN ĐIỆN TỬ PHẦN BJT

1
Bài tập bổ sung chương BJT (phần 1)
D2.1 Tính biên độ dao động của điện áp ra đỉnh -đỉnh cho mạch ở h ình 2.17, khi có R
1
= 2k, R
2
=
15k, R
E
= 200, R
C
= 2k, R
L
= 2k,  = 200, V
BE
=
0,7V, và V
CC
= 15V.
ĐS: 6,3Vpp.
D2.2 Dựa theo bài tập D2.1, hãy thiết kế mạch khuyếch đại
để cho độ dao động đối xứng lớn nhất. Tính các trị số của R
1
và R
2
.
ĐS: R
1
= 4,5k, R
2
= 36k.

D2.3 Biên độ dao động của điện áp ra đối xứng lớn nhất l à
bao nhiêu đối với cấu hình cho ở bài tập D2.2 ?
ĐS: 8,8Vpp.
D2.4 Mức công suất ra của mạch khuyếch đại ở bài tập D2.2 là bao nhiêu ? Công su ất của nguồn cung
cấp cho mạch khuyếch đại l à bao nhiêu ?
ĐS: 4,9mW; 71,7mW.
D2.5 Thiết kế mạch khuyếch đại emitter -chung ổn định phân
cực sử dụng mạch như ở hình 2.22, để nhận được điện áp ra tĩnh
bằng 0. Cho biết  = 150, V
BE
= 0,7V, R
E
= 100, và R
C
= 1k.
ĐS: R
1
= 1,71k; R
2
= 12k.
D2.6 Sử dụng mạch khuyếch đại cho ở b ài tập D2.1, hãy thiết
kế mạch khuyếch đại để cho tín hiệu ra khi d òng collector nhỏ
nhất khi  = 0,2.
ĐS: R
1
= 4,34k; R
2
= 51,2k.
D2.7 Xác định độ dao động của điện áp ra đối xứng lớn nhất
đối với mạch khuyếch đại ở h ình 2.23, nếu trong mạch có V

CC
= 15V, R
1
= 8k, R
2
= 2k, R
E
= 1k, R
L
= 1k, V
BE
= 0,7V,
và  = 80.
ĐS: 7,8Vpp.
D2.8 Ở bài tập D2.7, hãy thiết kế lại mạch khuy ếch đại để có
độ dao động của điện áp ra đối xứng lớn nhất. Các trị số mới
của R
1
, R
2
, và V
o
là bao nhiêu ?
ĐS: 36,4k; 10,3k; 10Vpp.
D2.9 Hệ số chuyển đổi của mạch khuyếch đại thiết kế ở b ài tập D2.8 là bao nhiêu ?
ĐS: 8,4%.
2.1 Hãy xác định trị số của R
1
và R
2

cần thiết để đặt điểm -Q
của mạch hình P2.1a, ở trung tâm của đ ường tải dc. Cho V
CC
=
- 25V, R
C
= 2k, R
E
= 1k, và  có các giá trị sau
a)  = 150; b)  = 100; c)  = 50.
2.2 Xác định độ biên độ dao động đỉnh-đỉnh lớn nhất của i
C
trong mạch của hình P2.1b. Cho biết rằng, V
CC
= 24V, R
C
=
2k, R
E
= 400, và  = 100. Vẽ đường tải dc khi:
a) R
1
= 1k; R
2
= 7k
b) R
1
= 1k; R
2
= 35k

c) R
1
= 1k; R
2
= 3k
2.3 Hãy xác định các thông số sau cho mạch khuyếch đại ở h ình P2.2:
a) Các trị số của R
1
và R
2
để nhận được I
CQ
= 10mA.
b) Độ dao động của điện áp ra đối xứng theo các điện trở ở phần (a).
c) Vẽ các đường tải ac và dc.
d) Vẽ các dạng sóng của i
C
và v
CE
.
2
2.4 Cho mạch khuyếch đại nh ư ở hình P2.2,
a) Tính các trị số của R
1
và R
2
để nhận được độ dao động đối xứng lớn nhất.
b) Xác định trị số của độ dao động đối xứng lớn nhất nhận đ ược từ phần (a).
c) Vẽ các đường tải ac và dc.
d) Vẽ các dạng sóng của i

C
và v
CE
.
2.5 Xác định độ dao động của i
C
đối xứng đỉnh-đỉnh ở tín hiệu ra cho mạch trong hình P2.3, khi R
1
=
5k, R
2
= 50k, V
CC
= 12V, V
BE
= 0,7V, R
E
= 300,  = 200, R
C
= R
L
= 5k.
2.6 Đối với mạch cho ở b ài tập 2.4, tính các trị số của R
1
và R
2
để có độ dao động của i
C
đỉnh-đỉnh
đối xứng có thể có lớn nhất. Vẽ các đ ường tải.

2.7 Đối với mạch khuyếch đại cho ở b ài tập 2.5, tính các trị số sau:
a) Công suất được cung cấp bởi nguồn pin
b) Công suất tiêu tán trên R
1
, R
2
, R
E
, và R
C
.
c) Công suất tiêu tán ở tiếp giáp collector .
3
2.8 Cho mạch khuyếch đại như ở bài tập 2.6, tính các trị số sau:
a) Công suất được cung cấp bởi nguồn pin
b) Công suất tiêu tán trên R
1
, R
2
, R
E
, và R
C
.
c) Công suất tiêu tán ở tiếp giáp collector.
So sánh các đáp số các kết quả đã tính được với kết quả của
bài tập 2.7.
2.9 Cho mạch khuyếch đại như ở hình P2.3, trong đó có R
1
= 3k, R

2
= 20k, R
C
= R
L
= 1k, R
E
= 200,  = 100, và
V
CC
= 20V, xác định vị trí điểm-Q. Transistor được thay thế
bằng transistor có  khác. Hãy xác định trị số yêu cầu nhỏ
nhất của  để có I
CQ
không thay đổi quá 10%.
2.10 Cho mạch khuyếch đại như ở hình P2.4.
a) Hãy xác định các trị số của R
1
và R
2
để có I
CQ
= 8mA.
b) Xác định độ dao động của điện áp ra đối xứng theo các trị
số ở câu a).
c) Vẽ các đường tải ac và dc.
d) Xác định mức công suất ti êu tán bởi transistor và công suất
tiêu tán bởi R
L
.

2.11 Cho mạch khuyếch đại như ở hình P2.4.
a) Tính các trị số của R
1
và R
2
để có I
CQ
= 4mA.
b) Xác định độ dao động của điện áp ra đối xứng theo các trị
số ở câu a).
c) Vẽ các đường tải ac và dc.
d) Xác định mức công suất ti êu tán bởi transistor và công suất
tiêu tán bởi R
L
.
2.12 Cho mạch khuyếch đại như ở hình P2.4.
a) Tính các trị số của R
1
và R
2
cần thiết để nhận đ ược độ dao động đối xứng lớn nhất.
b) Xác định độ dao động của điện áp ra đối xứng theo các giá trị ở câu (a).
c) Vẽ các đường tải ac và dc.
d) Xác định mức công suất ti êu tán bởi transistor và công suất tiêu tán bởi R
L
.
2.13 Hãy xác định trị số của R
C
để có độ dao động đối xứng lớn nhất cho mạch ở h ình P2.5. Cho biết
transistor sử dụng là loại pnp. Vẽ đường tải dc và ac. Giá trị đỉnh-đỉnh của điện áp ra đối xứng lớn nhất

là bao nhiêu?
2.14 Tính chọn I
CQ
và V
CEQ
để có độ dao động điện áp ra đối xứng lớn nhất cho mạch h ình P2.6.
a) Xác định các trị số của R
1
và R
2
để có điểm làm việc trên.
b) Tính biên độ dao động của điện áp ra đối xứng lớn nhất.
c) Xác định mức công suất ti êu tán bởi transistor và công suất tiêu tán
bởi điện trở tải.
2.15 Cho mạch khuyếch đại như ở hình P2.7.
a) Tính I
CQ
và V
CEQ
.
b) Xác định xem mạch khuyếch đại có ổn định hay không k hi có beta
thay đổi lớn. Có thể giả thiết rằng beta thay đổi trong khoảng 150 < <
250.
c) Vẽ các đường tải.
d) Xác định độ dao động của điện áp ra đối xứng.
2.16 Đặt trực tiếp nguồn điện áp ac v ào base của transistor npn như ở
hình P2.8. Điện trở nội của nguồn điện áp ac là R
i
. Hãy xác định I
CQ

,
V
CEQ
và V
o
khi tín hiệu vào bằng 0. (cho biết  = 100 và V
BE
= 0,7V).
2.17 Theo bài tập 2.16, trị số điện trở cần phải đ ược bổ sung vào điện
trở nội của nguồn tín hiệu để tạo ra tín hiệu ra của mạch l ên mức 3V là
bao nhiêu khi v
i
= 0 ?
4
2.18 Phân tích mạch ở hình P2.9, và xác định các thông số sau (sử dụng V
BE
= 0,7V và  = 100):
a) I
CQ
và V
CEQ
.
b) Độ dao động của điện áp ra đối xứng.
c) Công suất cung cấp từ nguồn pin
d) Công suất ac phát ra.
e) Các đường tải của mạch khuyếch đại.
2.19 Thiết kế mạch khuyếch đại emitter-chung như mạch ở hình P2.10, để nhận được độ dao động
của điện áp ra đối xứng lớn nhất. Thiết kế có độ ổn định phân cực dc (sử dụng V
BE
= - 0,6V và  =

200):
a) I
CQ
và V
CEQ
.
b) R
1
và R
2
.
c) Độ dao động của điện áp ra đối xứng lớn nhất.
d) Công suất định mức cần thiết của transistor
e) Công suất ac phát ra của mạch khuyếch đại .
2.20 Thiết kế mạch khuyếch đại emitter -chung ổn định phân cực dc như mạch ở hình P2.11, để nhận
được độ dao động của điện áp ra là 1V đỉnh. (sử dụng V
BE
= 0,7V và  = 200). Mạch khuyếch đại sẽ
sử dụng công suất nhỏ nhất từ nguồn pin. H ãy xác định:
a) I
CQ
và V
CEQ
.
b) R
1
và R
2
.
2.21 Cho mạch như ở hình P2.12:

a) Tính các trị số của R
1
và R
2
nếu I
CQ
= 6mA.
b) Vẽ các đường tải ac và dc.
c) Xác định độ dao động của điện áp ra đối xứng.
5
d) Tính mức công suất ti êu tán bởi transistor và mức công suất được phân bố đến tải.
2.22 Cho mạch như ở hình P2.12:
a) Tính các trị số của R
1
và R
2
nếu I
CQ
= 10mA.
b) Vẽ các đường tải ac và dc.
c) Xác định độ dao động của điện áp ra đối xứng.
d) Tính mức công suất tiêu tán bởi transistor và mức công
suất được phân bố đến tải.
2.23 Cho mạch như ở hình P2.12:
a) Tính các trị số của R
1
và R
2
cần thiết để nhận đ ược tín
hiệu đối xứng có thể lớn nhất.

b) Vẽ các đường tải ac và dc.
c) Xác định độ dao động của điện áp ra đối xứng lớn nhất.
d) Tính mức công suất ti êu tán bởi transistor và mức công suất được phân bố đến tải.
2.24 Cho mạch khuyếch đại lặp -emitter như ở hình
P2.13:
a) Xác định trị số của V
CEQ
và I
CQ
.
b) Tính độ dao động của điện áp ra đối xứng.
c) Tính mức công suất được phân bố đến tải v à công suất
định mức cần thiết cho transistor.
2.25 Cho mạch khuyếch đại lặp -emitter như ở hình
P2.14:
a) Xác định trị số của V
CEQ
và I
CQ
.
b) Vẽ các đường tải ac và dc.
c) Xác định trị số biên độ dao động của điện áp ra đối
xứng.
c) Điện trở 1k được rẽ mạch bằng tụ. Giải thích các thay đổi xảy ra trong hoạt động của mạch.
2.26 Hãy xác định biên độ dao động của điện áp ra đối xứng l ớn nhất cho mạch nh ư ở hình P2.14,
bằng cách chọn các trị số khác c ho R
1
(thể hiện trong mạch l à 3k) và R
2
(thể hiện trong mạch l à

12k). Vậy trị số của điện trở R
1
và R
2
là bao nhiêu ? V ẽ các đường tải tương ứng.
2.27 Điện trở collector R
C
(thể hiện trong mạch là 1k), được rẽ mạch bằng tụ trong mạch nh ư ở hình
P2.14. Hãy xác định độ dao động của điện áp ra đối xứng lớn nhất bằng cách chọn trị số mới cho R
1
(thể hiện trong mạch l à 3k) và R
2
(thể hiện trong mạch l à 12k). Trị số của các điện trở đó là bao
nhiêu ? Tính mức công suất được phân bố đến tải v à công suất định mức cần thiết của transistor.
2.28 Bằng cách chọn trị số mới cho R
1
và R
2
, hãy xác định độ dao động của điện áp ra đối xứng lớn
nhất cho mạch như ở hình P2.12, nếu điện trở tải là 500. Tính mức công suất được phân bố đến tải v à
công suất định mức cần thiết của transistor.
2.29 Hãy thiết kế mạch khuyếch đại lặp -emitter sử
dụng transistor npn để có độ dao động của tín hiệu
ra lớn nhất với các thông số sau:
R
B
= 250, V
CC
= 12V, R
E

= R
L
= 8, V
BE
= 0,7V
và  = 200. Ngoài ra, tính P
o
(ac), mức công suất
được cung cấp từ nguồn pin, v à mức công suất cần
thiết được tiêu tán bởi transistor.
2.30 Phân tích mạch như ở hình P2.15, và xác
định các thông số sau khi  = 200 và V
BE
= 0,7V:
a) I
CQ
và V
CEQ
.
b) Độ dao động của điện áp ra đối xứng.
c) Công suất cung cấp từ nguồn pin
d) Công suất ac phát ra.
e) Mức công suất định mức của transistor cần phải có.