vi xử lý_vi điều khiển ppsx

1. What is difference between a 1764A and 2764A_1?
2. What do SRAM and DRAM stand for?
Tùy theo công nghệ chế tạo, người ta chia RAM thành 2 loại:
* SRAM (Static RAM): RAM tĩnh
• RAM tĩnh :
- 6 transistor trong một ô nhớ của RAM tĩnh .RAM tĩnh được chế tạo theo công
nghệ ECL (dùng trong CMOS và BiCMOS). Mỗi bit nhớ gồm có các cổng logic
với 6 transistor MOS. SRAM là bộ nhớ nhanh, việc đọc không làm hủy nội dung
của ô nhớ và thời gian thâm nhập bằng chu kỳ của bộ nhớ.
- SRAM ( Static Random Acess Memory) hay là RAM tĩnh có khả năng lưu trữ
dữ liệu trong suốt quá trình được cấp điện một chiều SRAM lưu trữ tạm thời dữ
liệu và được sử dụng khi khối lượng đọc ghi bộ nhớ có dung lượng nhỏ .Ngày nay
các bộ nhớ nhỏ có dung lượng nhỏ hơn 1Mbyte .
* DRAM (Dynamic RAM): RAM động
• RAM động :
- 1 transistor và 1 tụ điện trong một ô nhớ của RAM động . RAM động dùng kỹ
thuật MOS. Mỗi bit nhớ gồm một transistor và một tụ điện. Việc ghi nhớ dữ liệu
dựa vào việc duy trì điện tích nạp vào tụ điện và như vậy việc đọc một bit nhớ
làm nội dung bit này bị hủy. Do vậy sau mỗi lần đọc một ô nhớ, bộ phận điều
khiển bộ nhớ phải viết lại nội dung ô nhớ đó. Chu kỳ bộ nhớ cũng theo đó mà ít
nhất là gấp đôi thời gian thâm nhập ô nhớ.
- Việc lưu giữ thông tin trong bit nhớ chỉ là tạm thời vì tụ điện sẽ phóng hết điện
tích đã nạp và như vậy phải làm tươi bộ nhớ sau khoảng thời gian 2μs. Việc làm
tươi được thực hiện với tất cả các ô nhớ trong bộ nhớ. Công việc này được thực
hiện tự động bởi một vi mạch bộ nhớ.
Bộ nhớ DRAM chậm nhưng rẻ tiền hơn SRAM.
- DRAM (Dynamic Random Acess Memory ) hay còn gọi là RAM động .So với
dung lượng lớn nhất của SRAM hiện nay là 128K x 8 ,DRAM có dung lượng lớn
hơn tới 16Mx1 .Về cơ bản DRAM giống SRAM ngoại trừ nó chỉ có khả năng lưu
trữ dữ liệu trong khoảng từ 2 đến 4ms .Sau 2 -4ms này nội dung của DRAM phải
được ghi lại (refresh) .Một điểm bất lợi nữa của DRAM là nó yêu cầu quá nhiều

chân địa chỉ nên các nhà sản xuất phải phân đường tín hiệu địa chỉ vào .
3. Give two benefit of DRAMs over SRAMs.
4. Show how the circuit in Fig 6.64 can be expanded to 128K*16 bits
5. Make a diagram showing how four 2764 EPROMs are connected to form a 16K_byte
program storage memory subsystem. Also show a 16K_word program memory
subsystem.
6. How many 2142 static RAMs would be needed in the program memory array in the
circuit of Fig 6.65(a) to expand its capacity to 96K bits? If 2732s were used instead of
2716s,how many devices are needed to implement the 96K_bit program memory?