Câu hỏi và bài tập cấu hình điện tử_2 docx

78


79

Lưu ý:

 Mỗi sinh viên hãy tự trả lời câu hỏi và làm bài tập trực tiếp vào tài liệu này. Không
được sao chép bài của người khác. Nếu sao chép phần nào, hoặc chọn nhiều phương án
trả lời trong một câu hỏi thì xem như phần bài đó bị loại bỏ.

 Đối với phần câu hỏi trắc nghiệm, SV làm bài hãy suy nghĩ thật kỹ trước khi chọn
bằng cách khoanh tròn vào một trong các phương án: a, b, c, v. v . . . hoặc đánh dấu 
vào ngay trước một phương án đúng nhất, và giải thích ngắn gọn vào phần trống bên
cạnh hoặc phía dưới mỗi câu hỏi. Đối với các bài tập, hãy ghi lời giải vào ngay phần để
trống tương ứng ở mỗi bài tập.

 Tài liệu tham khảo:
- Bài giảng Cấu kiện điện tử. 2001 [ Dư Quang Bình ].
- Fundamentals of Linear Electronics Integrated and Dicrete. 1998.
[James Cox ].
- Địa chỉ liên hệ khi cần: Thầy Dư Quang Bình, 0905894666,
 05113894666, hoặc: e-mail:

 Thời hạn hoàn thành và nộp bài tập: . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
tại bm: Điện tử, khoa Điện tử-Viễn thông, Trường Đại học Bách Khoa Đà Nẵng – 54
Nguyễn Lương Bằng, Quận Liên Chiểu, Tp Đà Nẵng. (Không chấp nhận sự chậm trễ).

80

I. Câu hỏi phần BJT.
3.1. Giới thiệu về BJT.
1. Ba điện cực của BJT là gì ?
a. phát [emitter], gốc [base], góp [collector]. b. T
1
, T
2
, T
3
.
c. nguồn [source], cổng [gate], máng [drain]. d. emitter, gate, collector.


2. Mũi tên trong ký hiệu mạch của BJT luôn luôn chỉ vào loại vật liệu nào ?
a. dạng P; b. dạng N; c. dạng base; d. dạng PN.

3. Các BJT được phân loại thành . . . .
a. các dụng cụ PPN và PIN. b. NPN và PNP.
c. các dụng cụ NNP và PPN. d. dạng N và dạng P.


4. Ký hiệu mạch của transistor PNP là . . . .


3.2. Cấu tạo của BJT.
5. Có bao nhiêu tiếp giáp PN trong BJT?
a. 0. b. 1. c. 2. d. 3. e. 4.


6. Loại vật liệu nào là vùng base của transistor PNP?
a. dạng P. b. dạng N c. dạng base. d. dạng PN.


7. So với vùng collector và emitter, vùng base của BJT là . . . .
a. rất dày. b. rất mõng. c. rất mềm. d. rất cứng.


8. Trong một BJT, dòng base là . . . . . . . . . . . khi được so với hai dòng collector và emitter . . .
a. nhỏ. b. lớn. c. nhanh. d. chậm.


9. Một BJT có cấu tạo để vùng base của nó rất mõng và . . . .
a. được pha tạp đậm. b. được pha tạp như vùng collector.
c. được pha tạp loãng. d. được pha tạp như vùng emitter.

10. Dòng collector của BJT luôn luôn . . . .
a. nhỏ hơn nhiều so với dòng emitter của BJT. b. nhỏ hơn so với dòng base.
c. bằng dòng emitter. d. bằng dòng emitter trừ dòng base.


11. Trong hoạt động thông thường của transistor NPN, phần lớn điện tử di chuyển vào cực emitter . . . . .
a. ra khỏi transistor thông qua cực collector. b. ra khỏi transistor thông qua cực base.
c. sẽ được hấp thụ bởi transistor. d. không phải các trường hợp trên.


81

12. Phương trình nào biểu diễn quan hệ đúng giữa các dòng base, emitter, và collector ?
a. I
E
= I
B
+

. b. I
C
= I
B
+ I
E
. c. I
E
= I
B
+ I

C
. d. I
B
= I
E
+ I
C
.


13. Tỷ số của dòng collector và dòng base được gọi là . . . . . . . .
a. rho b. pi c. omega d. beta e. alpha.


3.3. Chuyển mạch bằng BJT.
14. Khi một chuyển mạch bằng BJT đang dẫn bảo hoà, thì V
CE
xấp xĩ bằng . . . . . . . .
a. V
CC
; b. V
B
; c. 0,2V; d. 0,7V.


15. Khi một chuyển mạch bằng BJT đang dẫn, thì dòng collector sẽ được giới hạn bởi . . . . . .
a. dòng base; b. điện trở tải; c. điện áp base; d. điện trở base.


16. Khi một chuyển mạch bằng BJT ngưng dẫn, thì V

CE
xấp xĩ bằng . . . . . .
a. V
CC
; b. V
B
; c. 0,2V; d. 0,7V.


3.4. Trang số liệu và các thông số của BJT.
17. Ba thông số quan trọng của BJT là beta, công suất tiêu tán lớn nhất, và . . . . . . . .
a. rho nhỏ nhất; b. pi nhỏ nhất; c. dòng collector nhỏ nhất; d. dòng giử nhỏ nhất.


18. Thông số h
fe
sẽ bằng với . . . . . . . . của transistor.
a. alpha; b. beta; c. dòng collector lớn nhất; d. dòng giử nhỏ nhất.


3.5. Mạch khuyếch đại bằng transistor.
19. Khi mạch khuyếch đại bằng BJT được phân cực đúng để hoạt động ở chế độ A, thì . . . . . . .
a. tiếp giáp base - emitter được phân cực thuận và tiếp giáp base - collector được phân cực ngược;
b. tiếp giáp base - emitter được phân cực ngược và tiếp giáp base - collector được phân cực ngược;
c. tiếp giáp base - emitter được phân cực thuận và tiếp giáp base - collector được phân cực thuận;
d. tiếp giáp base - emitter được phân cực ngược và tiếp giáp base - collector được phân cực thuận.


20. Để mạch khuyếch đại hoạt động ở chế độ A, thì tiếp giáp base - collector của BJT cần phải . . . . .
a. hở mạch; b. kín mạch; c. được phân cực thuận; d. được phân cực ngược.

21. Hệ số khuyếch đại điện áp của mạch khuyếch đại bằng BJT bằng . . . . . .
a. V
B
/V
E
; b. V
in
/ V
out
; c. V
out
/ V
in
; d. V
CC
/ V
C
.


22. Điện áp phân cực tại collector (V
C
) của mạch khuyếch đại hoạt động ở chế độ A xấp xĩ bằng . . . . . .
a. V
CC
; b. một nửa V
CC
; c. 0V; d. 0,2V.

3.6. Phân tích tín hiệu ở mạch khuyếch đại phân cực base.
23. Trở kháng vào của mạch khuyếch đại phân cực base sẽ bằng . . . . . . . .
a. 1k; b. tỷ lệ nghịch với beta; c. tỷ lệ thuận với beta; d. không phải các trường hợp trên.


82

24. Trở kháng ra của mạch khuyếch đại phân cực base sẽ bằng . . . . . . . .
a. Rc; b. tỷ lệ nghịch với beta; c. tỷ lệ thuận với beta; d. 1k.


25. Độ lệch pha giữa hai tín hiệu vào và ra của mạch khuyếch đại phân cực base bằng . . . . .
a. 0
o
; b. 90
o
; c. 180
o
; d. 270
o
.


26. Công thức chung để tính hệ số khuyếch đại điện áp của mạch khuyếch đại phân cực base là .
a. A
v
= V
CC

/ V
c
; b. A
v
= V
B
/ V
E
; c. A
v
= r
c
/ r
e
; d. A
v
= R
L
x

.


3.7. Phép đo trở kháng vào và ra.
27. Trở kháng vào của một mạch khuyếch đại bằng transistor có thể đo được bằng cách sử dụng . . . . .
a. đồng hồ đo điện trở [ohmmeter]; b. đồng hồ đo trở kháng;
c. máy vẽ đặc tuyến; d. điện thế kế mắc nối tiếp với máy tạo sóng.


28. Trở kháng ra của một mạch khuyếch đại bằng transistor có thể đo được bằng cách sử dụng . . . . . .

a. đồng hồ đo điện trở [ohmmeter]; b. đồng hồ đo trở kháng;
c. máy vẽ đặc tuyến; d. điện thế kế đặt vào vị trí của điện trở tải.


3.8. Họ đặc tuyến ra của BJT.
29. Họ đặc tuyến ra của BJT là đồ thị của . . . . . .
a. dòng base theo điện áp collector - emitter; b. dòng collector theo điện áp base - emitter;
c. dòng collector theo điện áp collector - emitter; d. dòng emitter theo điện áp base - emitter.


3.9. Sai hỏng trong mạch BJT.
30. Khi kiểm tra một BJT tốt bằng đồng hồ đo điện trở, thì BJT sẽ biểu hiện . . . . . .
a. sẽ biểu hiện tỷ số điện trở thuận - nghịch cao trên cả hai tiếp giáp;
b. sẽ biểu hiện tỷ số điện trở thuận - nghịch cao trên tiếp giáp collector - base;
c. sẽ biểu hiện tỷ số điện trở thuận - nghịch cao trên tiếp giáp emitter - base;
d. không phải các ý trên.


31. Khi đầu que dương của một đồng hồ đo điện trở [ohmmeter] được nối đến base, còn đầu que âm được
nối đến collector của một transistor NPN, thì giá trị điện trở đo được là bao nhiêu ?
a. 0; b. điện trở thấp; c. 5k; d. điện trở cao.


32. Khi đầu que âm của một ohmmeter được nối đến cực base và đầu que dương được nối đến cực emitter
của một transistor NPN, thì giá trị điện trở đo được là bao nhiêu ?
a. 0; b. điện trở thấp; c. 5k; d. điện trở cao.


33. Điện trở đo được giữa hai cực collector và emitter của một transistor tốt là bao nhiêu ?
a. 0; b. điện trở thấp; c. 5k; d. điện trở cao.

34. Giá trị điện áp trên collector của transistor ở hình 3.40a, là bao nhiêu ?
a. 0,2V; b. 0,7V; c. 7,5V; d. 15V.


83

35. Điện áp trên collector của transistor ở mạch hình 3.40b là bao nhiêu ?
a. 0,2V; b. 0,7V; c. 7,5V; d. 15V.


36. Mức điện áp DC trên collector của transistor ở mạch hình 3.41, là bao nhiêu ?
a. 0,2V; b. 0,7V; c. 7,5V; d. 15V.


37. Điện áp DC trên cực base của transistor ở mạch hình 3.41, là bao nhiêu ?
a. 0,2V; b. 0,7V; c. 7,5V; d. 15V.

38. Điện áp tín hiệu trên collector của transistor ở mạch hình 3.41, là bao nhiêu ?
a. 50mVpp; b. 0,2Vpp; c. 7,5Vpp; d. 15Vpp.


39. Nếu tụ đầu ra (C
2
) ở hình 3.41, hở mạch, thì mức điện áp tín hiệu trên collector của transistor là bao
nhiêu ?
a. 50mVpp; b. 0,2Vpp; c. 7,5Vpp; d. 15Vpp.

K. Bài tập.

1. Nếu  = 80 ở mạch hình 3.42, thì các trị số đọc được trên các đồng hồ I
B
, I
E
, I
C
, và V
CE
là bao nhiêu ?


84

2. Nếu dòng base là 30A và dòng collector là 4mA, thì giá trị của dòng emitter là bao nhiêu?


3. Nếu dòng base là 20A và dòng collector là 4mA, thì giá trị của beta là bao nhiêu ?



4. Nếu transistor ở mạch hình 3.43, được dùng như một chuyển mạch. Hãy tính điện áp tại collector khi
transistor dẫn.


5. Tính điện áp collector khi transistor ở mạch hình 3.43, ngưng dẫn.


6. Nếu  của transistor trong mạch hình 3.43, bằng 50, thì trị số điện áp nhỏ nhất cần thiết tại đầu vào để
transistor bão hoà là bao nhiêu ?

7. Khi tín hiệu vào ở mạch ở hình 3.43, là 5V, thì giá trị  cần thiết để làm cho transistor bão hoà là bao
nhiêu ?



8. Trong mạch hình 3.43, giả sử dòng collector là 4mA, và dòng vào là 0,5mA, nếu tăng dòng vào lên 1mA,
thì dòng collector sẽ bằng bao nhiêu ?



9. Nếu điện áp "mở" [on] tại đầu vào được cho là 3,7V, thì trị số điện trở vào lớn nhất có thể sử dụng để
nhận được sự bão hoà ở mạch hình 3.43 là bao nhiêu ? (
min
= 50).



10. Hãy tính các trị số yêu cầu dưới đây đối với mạch ở hình 3.44JC. ( = 80).
V
B
= . . . . . . . . . . V
C
= . . . . . . . . . .


11. Cần phải thay đổi giá trị điện trở R
b
(775k) ở mạch hình 3.44JC để tạo ra điện

áp collector bằng 10V ( = 80).




85

12. Ở mạch hình 3.45JC, nếu R
c
= 3,3k,
và beta là 120, hãy tính trị số của R
b
để
mạch cho phân cực điểm giữa (V
c
= 7,5V)








13. Điện áp trên collector trong mạch hình 3.45JC sẽ bằng
bao nhiêu nếu R
b
= 755k, R
c
= 3,3k, và  = 240 ?.

14. Trong mạch hình 3.45JC, nếu R
b
= 600k và
beta bằng 200, thì giá trị nào của R
c
sẽ thích
hợp cho phân cực điểm giữa (V
c
= 7,5V) ?





15. Trong mạch hình 3.45JC, nếu R
b
là 800k và R
c
là 4,7k, thì beta cần thiết để cho phân cực điểm giữa
(V
c
= 7,5V) là bao nhiêu ?

16. Trị số của r'
e
, z
in
, và z
out
của mạch hình 3.46JC, là bao nhiêu ?
r'
e
= . . . . . . . . . z
in
= . . . . . . . . . z
out
= . . . . . . . . .







17. Hệ số khuyếch đại điện áp của mạch ở hình 3.46JC, là bao nhiêu ?
A
v
= . . . . . . . .

18. Nếu tụ điện C
2
hở mạch, thì hệ số khuyếch đại điện áp của mạch hình 3.46JC, bằng bao nhiêu ?
A
v
= . . . . . .




86

19. Đối với mạch ở hình 3.47JC, hãy tính:
V
c
= . . . . ; V
B
= . . . . ; V
E
= . . . . ; V
CE
= . . . . ;
z
in
= . . . . ; z
out
= . . . . . ; V
out

= . . . . ; A
v
= . . . . .

























20. Cho mạch hình 3.48JC, hãy xác định:
V

c
= . . . . ; V
B
= . . . . ; V
E
= . . . . ; V
CE
= . . . . ;
z
in
= . . . . ; z
out
= . . . . . ; V
out
= . . . . ; A
v
= . . . . .

87

L. Câu hỏi phần mạch BJT.
4.1. Giới thiệu.
1. Tại sao cần phải ổn định mạch khuyếch đại bằng BJT để chống lại sự thay đổi ở beta ?
a. do beta thay đổi theo nhiệt độ, b. do beta thay đổi theo sự thay đổi ở các tụ ghép tầng;
c. do beta khác nhau trong các BJT cùng loại; d. cả (a) và (c).



2. Giá trị beta điển hình của một transistor có thể xem xét là . . . . . . . . .
a. + 50% và - 50%; b. +50% và - 100%; c. + 100% và - 50%; d. + 100% và - 100%.



3. Nếu beta thay đổi, thì sự thiếu ổn định điểm phân cực trong mạch khuyếch đại như thế nào ?
a. điện áp collector sẽ thay đổi; b. dòng collector sẽ thay đổi;
c. dòng emitter sẽ thay đổi; d. tất cả các ý trên.

4.2. Phân cực phân áp.
4. Trong mạch phân cực phân áp, tại sao điện áp tại điểm nối của R
b1
và R
b2
được xem là độc lập với dòng
base của transistor ?
a. dòng base không chảy qua R
b1
hoặc R
b2
;
b. dòng base nhỏ so với dòng chảy qua R
b1
và R
b2
;
c. chỉ có dòng emitter ảnh hưởng đến dòng chảy qua R
b1
và R
b2
;
d. tụ nối tầng (tụ ghép tầng) chặn dòng base chảy qua mạch phân áp.


5. Trong các mạch khuyếch đại phân cực phân áp, sự chênh lệch điện áp giữa emitter và base luôn luôn
bằng . . . . .
a. 0V; b. 0,2V; c. 0,7V; d. 2V.

6. Trong các mạch khuyếch đại phân cực phân áp, khi đã tính được điện áp emitter DC, thì dòng collector
tại điểm tĩnh có thể tính gần đúng bằng cách chia điện áp emitter cho . . . . .
a. điện trở ở nhánh base; b. điện trở ở nhánh emitter; c. điện trở ở nhánh collector; d. điện trỏ của tải.


7. Trong các mạch khuyếch đại phân cực phân áp, điện áp collector (V
C
) được tính bằng cách . .
a. nhân dòng collector với điện trở collector; b. nhân dòng collector với điện trở tải;
c. cộng điện áp base với điện áp emitter; d. trừ sụt áp trên điện trở collector khỏi điện áp nguồn.


4.3. Các tham số tín hiệu của mạch phân cực phân áp.
8. Mạch phân cực phân áp độc lập với beta, nhưng phải trả giá cho sự không phụ thuộc với beta là gì ?
a. làm giảm độ ổn định; b. trở kháng ra thấp;
c. suy giảm hệ số khuyếch đại điện áp; d. cả (b) và (c).



9. Khi tính trở kháng vào, hai điện trở base (R
b1
và R
b2
) xuất hiện dưới dạng . . . . với các linh kiện khác.
a. nối tiếp; b. nối tiếp / song song; c. song song; d. nối tiếp ngược chiều nhau.

88

10. Điện trở động của tiếp giáp base - emitter là được mắc . . . . . .
a. nối tiếp với điện trở tín hiệu ở nhánh base;
b. song song với điện trở tín hiệu ở nhánh base;
c. song song với điện trở tín hiệu ở nhánh emitter;
d. nối tiếp với điện trở tín hiệu ở nhánh emitter.


11. Trở kháng ra của mạch khuyếch đại emitter chung sẽ bằng . . . . . .
a. điện trở collector; b. điện trở tải;
c. điện trở collector mắc song song với điện trở tải; d. beta lần điện trở collector.


4.4. Các thay đổi ở mạch khuyếch đại phân cực phân áp.
12. Kiểu mạch khuyếch đại phân cực phân áp nào có trở kháng vào cao nhất ?
a. được rẽ mạch tụ toàn bộ; b. phân tách điện trở emitter;
c. không được rẽ mạch tụ; d. tất cả các ý trên.


13. Kiểu mạch khuyếch đại phân cực phân áp nào có trở kháng ra cao nhất ?
a. được rẽ mạch tụ toàn bộ; b. phân tách điện trở emitter;
c. không được rẽ mạch tụ; d. tất cả các ý trên.


14. Kiểu mạch khuyếch đại phân cực phân áp nào có hệ số khuyếch đại cao nhất ?
a. được rẽ mạch tụ toàn bộ; b. phân tách điện trở emitter;
c. không được rẽ mạch tụ; d. tất cả các ý trên.

15. Kiểu mạch khuyếch đại phân cực phân áp nào có méo dạng ít nhất ?
a. được rẽ mạch tụ toàn bộ; b. phân tách điện trở emitter;
c. không được rẽ mạch tụ; d. tất cả các ý trên.



4.5. Mạch khuyếch đại phân cực emitter.
16. Điện áp base tại điểm tĩnh của mạch khuyếch đại phân cực emitter thường bằng . . . . . .
a. 0V; b. 0,7V; c. 2V; d. V
cc
.


17. Nhược điểm của mạch khuyếch đại phân cực emitter khi so với mạch khuyếch đại phân cực phân áp là
mạch khuyếch đại phân cực emitter yêu cầu . . . . .
a. các transistor có beta cao hơn; b. hai nguồn cung cấp;
c. giá trị V
cc
cao hơn; d. không phải các ý trên.



18. Hệ số khuyếch đại điện áp của mạch khuyếch đại phân cực emitter là . . . . .
a. phụ thuộc vào beta;
b. được tính bằng công thức chung như đối với mạch khuyếch đại phân cực phân áp;
c. bằng với  x r
e
.
d. luôn luôn cao hơn so với hệ số khuyếch đại điện áp của mạch khuyếch đại phân cực phân áp.

89

4.6. Mạch khuyếch đại phân cực hồi tiếp kiểu điện áp.
19. Các mạch khuyếch đại phân cực hồi tiếp kiểu điện áp thực tế thích hợp cho làm việc với . . . .
a. các tín hiệu tần số cao; b. các nguồn cung cấp điện áp thấp;
c. các mạch cần trở kháng vào rất cao; d. các mạch cần trở kháng ra rất thấp.



20. Trở kháng vào của mạch khuyếch đại phân cực hồi tiếp kiểu điện áp bị ảnh hưởng bởi . . . .
a. giá trị công suất trên điện trở collector; b. hệ số khuyếch đại điện áp của bộ khuyếch đại;
c. giá trị điện trở của điện trở hồi tiếp; d. cả (b) và (c).



4.7. Mạch khuyếch đại nhiều tầng ghép RC.
21. Tại sao cần phải biết trở kháng vào của mỗi tầng trong một bộ khuyếch đại nhiều tầng ?
a. do trở kháng vào toàn mạch là tích của trở kháng vào của mỗi tầng;
b. do hệ số khuyếch đại điện áp của một tầng bị tác động bởi trở kháng vào của tầng tiếp theo ;
c. do trở kháng vào của một tầng là điện trở tải của tầng trước; d. cả (b) và (c).



22. Một trong những ưu điểm chính của việc sử dụng các tụ ghép giữa các tầng là gì ?
a. các tụ ghép cho phép mạch khuyếch đại nhiều tầng truyền các tín hiệu DC;
b. các tụ ghép tầng cho phép các mạch phân cực trong mổi tầng độc lập nhau;
c. các tụ ghép tầng rẽ mạch điện trở emitter nên làm tăng hệ số khuyếch đại;

d. cả b và c.



23. Hệ số khuyếch đại điện áp toàn bộ của mạch khuyếch đại nhiều tầng sẽ bằng với . . . . . . . .
a. tổng trở kháng vào của mổi tầng; b. tích hệ số khuyếch đại điện áp của mổi tầng;
c. hệ số khuyếch đại điện áp của tầng đầu tiên; d. hệ số khuyếch đại điện áp của tầng cuối cùng.



24. Trở kháng vào của toàn bộ mạch khuyếch đại nhiều tầng sẽ bằng với . . . . . . . .
a. tổng trở kháng vào của mổi tầng; b. tích trở kháng vào của mổi tầng;
c. trở kháng vào của tầng đầu tiên; d. trở kháng vào của tầng cuối cùng.



25. Trở kháng ra của toàn bộ mạch khuyếch đại nhiều tầng sẽ bằng với . . . . . . . .
a. tổng trở kháng ra của mổi tầng; b. tích trở kháng ra của mổi tầng;
c. trở kháng ra của tầng đầu tiên; d. trở kháng ra của tầng cuối cùng.



4.8. Các tụ điện ghép tầng và rẽ mạch.
26. Trị số điện dung của các tụ rẽ mạch và ghép tầng là một trong những yếu tố chính khi xác định . . . . . .
a. tần số cắt thấp; b. hệ số khuyếch đại điện áp;
c. hệ số khuyếch đại dòng điện; d. tấn số cắt cao.



90

27. Nếu trở kháng vào của tầng thứ hai là 1k, thì tụ ghép nối giữa tầng thứ nhất và tầng thứ hai sẽ có X
c
vào khoảng . . . . . đối với tần số thấp nhất sẽ được khuyếch đại.
a. 1; b. 10; c. 100; d. 1k; e. 10k.


4.9. Các bộ khuyếch đại ghép trực tiếp.
28. Các mạch khuyếch đại ghép trực tiếp có ưu điểm hơn các mạch khuyếch đại ghép RC là ở chổ chúng có
thể khuyếch đại . . . . . .
a. các mức tín hiệu lớn hơn; b. các tín hiệu tần số cao;
c. các mức tín hiệu nhỏ hơn; d. các tín hiệu tần số thấp.


29. Trong thực tế các bộ khuyếch đại ghép trực tiếp có thể dễ bị ảnh hưởng với vấn đề . . . . . .
a. về hệ số khuyếch đại; b. về độ bảo hoà; c. về độ trôi DC; d. về trở kháng.


4.10. Sai hỏng của các mạch bằng transistor.
30. Điện áp đo được trên collector của Q
1
trong mạch hình 4.24JC, vào khoảng 20VDC,
a. mạch đúng chức năng; b. tụ C
2
bị ngắn mạch; c. tụ C
2
bị hở mạch; d. điện trở R
1
bị hở mạch.

31. Điện áp đo được trên collector của Q
2
ở mạch hình 4.24JC, là 13,8VDC,
a. mạch đang làm việc đúng chức năng; b. transistor Q
2
bị hở mạch giữa collector và emitter;
c. tụ C
5
bị ngắn mạch; d. điện trở R
8
bị ngắn mạch.


32. Điện áp DC tại điểm nối của hai điện trở R
4
và R
5
ở mạch hình 4.24JC, bằng 0V.
a. mạch đang làm việc đúng chức năng; b. transistor Q
1
bị ngắn mạch giữa collector và emitter;
c. tụ C
4
hở mạch; d. điện trở R
2
bị ngắn mạch.

33. Hệ số khuyếch đại điện áp tín hiệu (A
v
) của Q
2
ở mạch hình 4.24JC, gần bằng hai lần hệ số khuyếch đại
tính được,
a. mạch đang đúng chức năng; b. tụ C
3
hở mạch;
c. tụ C
3
bị ngắn mạch; d. tụ C
5
bị hở mạch.



34. Hệ số khuyếch đại điện áp tín hiệu của Q
1
ở mạch hình 4.24JC, gần bằng 3,
a. mạch đúng chức năng; b. tụ C
4
hở mạch; c. tụ C
4
bị ngắn mạch; d. tụ C
2
hở mạch.


91

M. Bài tập.
1. Cho mạch ở hình 4.25JC, hãy tính:
V
c
= . . . . ; V
B
= . . . . ; V
E
= . . . . ; V
CE
= . . . . ;
z
in
= . . . . ; z
out
= . . . . ; A
v
= . . . . ; v
out
= . .

2. Cho mạch ở hình 4.26JC, hãy tính
V
c
= . . . . ; V
B
= . . . . ; V
E
= . . . . ; V
CE
= . . . . ;
z
in
= . . . . ; z
out
= . . . . . ; v
out
= . . . . ; A
v
= . . . . .

3. Cho mạch ở hình 4.27JC, hãy tính,
V
c
= . . . . ; V
B
= . . . . ; V
E
= . . . . ; V
CE
= . . . . ;
z
in
= . . . . ; z
out
= . . . . . ; V
out
= . . . . ; A
v
= . . . . .

92

4. Mức tín hiệu lớn nhất để có thể cung cấp tại đầu vào của mạch ở hình 4.27JC, trước khi tín hiệu ra bắt
đầu bị xén là bao nhiêu ?







5. Nếu tần số làm việc thấp nhất là 100Hz, hãy chọn trị số cho C
1
, C
2
, và C
3

trong mạch ở hình 4.27JC,
C
1
= . . . . ; C
2
= . . . . ; C
3
= . . . .





6. Cho mạch ở hình 4.28JC, hãy tính:
V
c
= . . . . ; V
B
= . . . . ; V
E
= . . . . ; V
CE
= . . . . ;
z
in
= . . . . ; z
out
= . . . . . ; V
out
= . . . . ; A

v
= . . . . .

93

7. Hãy xác định các trị số yêu cầu dưới đây
cho mạch ở hình 4.29JC,
tầng 1:
V
B
= . . . . ; V
E
= . . . . ; V
C
= . . . . ;
A
v
= . . . . .; z
in
= . . . . ; z
out
= . . . . .
tầng 2:
V
B

= . . . . ; V
E
= . . . . ; V
C
= . . . . ;
A
v
= . . . . .; z
in
= . . . . ; z
out
= . . . . .
Toàn bộ mạch:
A
v
= . . . . .; z
in
= . . . . ; z
out
= . . . . .

94

8. Nếu tần số làm việc thấp nhất là 1kHz, hãy chọn các giá trị cho C
1
, C
2
, C
3
, C
4
, và C
5
trong mạch ở hình
4.29JC,
C
1
= . . . . ; C
2
= . . . . ; C
3
= . . . . ; C
4
= . . . . .; C
5
= . . . . ;

9. Hãy tính các trị số yêu cầu dưới đây đối với mạch ở hình 4.30JC,
tầng 1:
V
B
= . . . . ; V
E
= . . . . ; V
C
= . . . . ;
A
v
= . . . . .; z
in
= . . . . ; z
out
= . . . . .

tầng 2:
V
B
= . . . . ; V
E
= . . . . ; V
C

= . . . . ;
A
v
= . . . . .; z
in
= . . . . ; z
out
= . . . . .

Toàn mạch:
z
in
= . . . . ; z
out
= . . . . . ; A
v
= . . . . .

95

N. Câu hỏi phần mạch BJT khác.
5.1. Mạch khuyếch đại collector chung.
1. Trong mạch khuyếch đại collector chung, cực collector . . . . .
a. được nối với mức đất của nguồn DC; b. được nối với mức đất của tín hiệu;
c. nối với V
cc

; d. cả b và c.

2. Mạch khuyếch đại collector chung có thể sử dụng kiểu phân cực . . . . . . . .
a. emitter; b. hồi tiếp điện áp collector ; c. phân áp ; d. cả a và c.

3. Cấu hình collector chung có . . . . . .
a. trở kháng vào cao và trở kháng ra thấp; b. trở kháng vào thấp và trở kháng ra bằng R
c
;
c. trở kháng vào cao và trở kháng ra bằng R
c
; d. ngoài các trường hợp trên.

4. Hệ số khuyếch đại điện áp của mạch collector chung là . . . . .
a. lớn hơn 1; b. đúng bằng 1; c. hơi nhỏ hơn 1; d. bằng với

.

5.2. Hệ số khuyếch đại dòng điện và công suất.
5. Hệ số khuyếch đại công suất của một mạch có thể tính được bằng phép nhân. . . . .
a. beta với hệ số khuyếch đại điện áp; b. bình phương dòng tải với điện áp tải;
c. hệ số khuyếch đại điện áp với hệ số khuyếch đại dòng; d. công suất vào và công suất ra.

6. Cấu hình BJT nào cho sự khuyếch đại công suất ?
a. emitter chung; b. base chung; c. collector chung; d. tất cả các ý trên.

5.3. Cặp Darlinhton.
7. Cặp Darlington thay cho transistor thông thường trong mạch collector chung sẽ . . . . . . .
a. làm tăng trở kháng vào của mạch; b. cho phép mạch điều khiển tải điện trở thấp hơn;
c. thay đổi điện áp phân cực emitter bằng 0,7V; d. tất cả các ý trên.

8. Nếu cặp Darlington được lắp bằng hai transistor với mổi transistor bằng 40, thì mạch Darlington có beta
bằng . . . . .
a. 40; b. 80; c. 60; d. 1600.
9. Mạch Darlington khi hoạt động khuyếch đại ở chế độ A, điện áp giữa cực base và emitter là bao nhiêu ?
a. 0,2V; b. 0,7V; c. 1,4V; d. 2V.

5.4. Tầng collector chung trong mạch khuyếch đại nhiều tầng.
10. Thông thường, tầng collector chung là tầng cuối cùng trước tải. Chức năng chính của tầng collector
chung là để . . . . . .
a. cho khuyếch đại điện áp; b. làm bộ đệm cho các bộ khuyếch đại điện áp khỏi điện trở tải thấp;
c. cho sự đảo pha tín hiệu; d. cho đường dẫn tần số cao để cải thiện đáp ứng tần số tầng cuối cao.

11. Một bộ khuyếch đại điện áp có ba tầng có các hệ số khuyếch đại là 32, 16, và 1. Hệ số khuyếch đại điện
áp của toàn mạch là bao nhiêu ?
a. 49V; b. 49; c. 512V; d. 512.

5.5. Các mạch khuyếch đại base chung.
12. Cấu hình base chung có . . . .
a. trở kháng vào cao và trở kháng ra thấp; b. trở kháng vào thấp và trở kháng ra bằng R
c
;
c. trở kháng vào cao và trở kháng ra bằng R
c
; d. ngoài các ý trên.


13. Hệ số khuyếch đại dòng của mạch base chung là . . . .
a. lớn hơn 1; b. đúng bằng 1; c. hơi nhỏ hơn so với 1; d. bằng


.

96

5.6. So sánh các cấu hình của mạch khuyếch đại.
14. Cấu hình emitter chung có . . . . .
a. trở kháng vào cao và trở kháng ra thấp; b. trở kháng vào thấp và trở kháng ra bằng R
c
;
c. trở kháng vào trung bình và trở kháng ra bằng Rc; d. ngoài các trường hợp trên.

15. Khi BJT được mắc theo cấu hình base chung, thì mạch có khả năng cung cấp . . . . .
a. hệ số khuyếch đại điện áp và công suất; b. hệ số khuyếch đại dòng điện và công suất;
c. hệ số khuyếch đại dòng điện, điện áp và công suất; d. chỉ có hệ số khuyếch đại điện áp.

16. Khi BJT được mắc theo cấu hình collector chung, thì mạch có khả năng cung cấp . . . . . .
a. hệ số khuyếch đại điện áp và công suất; b. hệ số khuyếch đại dòng điện và công suất;
c. hệ số khuyếch đại dòng điện, điện áp và công suất; d. chỉ có hệ số khuyếch đại điện áp.

17. Khi BJT được mắc theo cấu hình emitter chung, thì mạch có khả năng cung cấp . . . . .
a. hệ số khuyếch đại điện áp và công suất; b. hệ số khuyếch đại dòng điện và công suất;
c. hệ số khuyếch đại dòng điện, điện áp và công suất; d. chỉ có hệ số khuyếch đại điện áp.


5.7. Nguồn dòng điện.
18. Ký hiệu nào sau đây là ký hiệu của nguồn dòng điện ?


19. Một nguồn dòng hằng 10mA cung cấp cho tải 1k, mức điện áp trên tải là bao nhiêu ?
a. 1V; b. 5V; c. 10V; d. 20V

20. Một nguồn dòng hằng 10mA cung cấp cho tải 1k. Nếu thay đổi điện trở tải là 2k, thì dòng chảy qua
tải là bao nhiêu ?
a. 1mA; b. 5mA; c. 10mA; d. 40mA.


5.8. Mạch khuyếch đại vi sai.
21. Một mạch khuyếch đại vi sai được thiết kế với nguồn dòng hằng 10mA, nguồn cung cấp 12V, và điện trở
ở nhánh collector (R
c
) cho cả hai BJT là 1k. Cả hai đầu vào được thiết lập là 100mV. Mức chênh lệch
điện áp đo được giữa hai hai đầu ra collector của transistor là bao nhiêu ?
a. 0V; b. 100mV; c. 5V; d. 7V.


22. Một mạch khuyếch đại vi sai được thiết kế với nguồn dòng hằng 10mA, nguồn cung cấp 12V, và điện trở
ở nhánh collector (R
c
) cho cả hai BJT là 1k. Cả hai đầu vào được thiết lập là 100mV. Mức điện áp đo
được trên collector của một trong hai đầu ra của transistor so với đất là bao nhiêu ?
a. 0V; b. 100mV; c. 5V; d. 7V.


5.9. Sai hỏng trong các mạch BJT.
23. Điện áp tín hiệu trên tải trong mạch ở hình 5.21JC, đo được là 1V
pp
. Sai hỏng có nhiều khả năng xảy
ra nhất đối với mạch là gì ?
a. beta của transistor thấp; b. tụ điện ghép ở đầu ra bị ngắn mạch;

c. transistor bị ngắn mạch tại tiếp giáp base - emitter; d. mạch đang làm việc đúng chức năng.



97

24. Điện áp trên base ở mạch hình 5.21JC, đo được là 1,2VDC. Sai hỏng có nhiều khả năng xảy ra nhất đối
với mạch là gì ?
a. beta của transistor thấp; b. tụ điện ghép ở đầu ra bị ngắn mạch;
c. transistor bị ngắn mạch tại tiếp giáp base - emitter; d. mạch đang làm việc đúng chức năng.


25. Tín hiệu ra ở mạch hình 5.21JC, dao động trên mức 6VDC. Sai hỏng có nhiều khả năng xảy ra nhất đối
với mạch là gì ?
a. beta của transistor thấp; b. tụ điện ghép ở đầu ra bị ngắn mạch;
c. transistor bị ngắn mạch tại tiếp giáp base - emitter; d. mạch đang làm việc đúng chức năng.
26. Mức tín hiệu vào ở mạch hình 5.22JC, được đặt ở mức 0. Điện áp trên collector của Q
1
và Q
2
đo được là
12V. Sai hỏng có nhiều khả năng xảy ra nhất đối với mạch là gì ?
a. transistor Q
1
hở mạch; b. transistor Q
2
hở mạch;
c. nguồn dòng bị hỏng; d. mạch làm việc bình thường.

27. Mức tín hiệu vào ở mạch hình 5.22JC, được đặt ở mức 0. Điện áp trên collector của Q
1
đo được là 12V
và điện áp trên Q
2
đo được là 0,2V. Sai hỏng có nhiều khả năng xảy ra nhất đối với mạch là gì ?
a. transistor Q
1
hở mạch; b. transistor Q
2
hở mạch;
c. nguồn dòng bị hỏng; d. mạch làm việc bình thường


28. Mức tín hiệu vào ở mạch hình 5.22JC, được đặt ở mức 0. Điện áp trên collector của Q
1
và Q
2
đo được là
6V. Sai hỏng có nhiều khả năng xảy ra nhất đối với mạch là gì ?
a. transistor Q
1
hở mạch; b. transistor Q
2
hở mạch;
c. nguồn dòng bị hỏng; d. mạch làm việc bình thường

98

O. Bài tập.
1. Cho mạch ở hình 5.23JC, hãy tính các trị số tại điểm làm việc
tĩnh Q:
V
B
= . . . . ; V
E
= . . . . ; V
C
= . . . . ;
V
CE
= . . . . ; I
E
= . . . . . ;

2. Tính các giá trị z
in
, z
out
, và A
v
của mạch ở hình 5.23JC.
z
in
= . . . . ; z
out
= . . . . . ; A
v
= . . . . .

3. Đối với mạch ở hình 5.23JC, hãy tính hệ số khuyếch đại dòng điện (A
i
), và hệ số khuyếch đại công suất
(A
p
).






4. Cho beta của Q
1
là 150 và beta của Q
2
bằng 30.

của cặp Darlington ở hình 5.24JC, là bao nhiêu ?

99

5. Cho mạch ở hình 5.25JC, hãy tính các giá trị tại
điểm làm việc tĩnh Q:
V
BQ1
, V
EQ1
, V
CQ1
, V
BQ2
, V
EQ2
, V
CQ2
,
và I
EQ2
. (giả sử

Q1
= 90 và

Q2

= 40)











6. Hãy tính các giá trị của z
in
, z
out
, và A
v
cho mạch hình 5.25JC. (cho

Q1
= 90 và

Q2
= 40).

7. Cho mạch ở hình 5.25JC, hãy xác định hệ số khuyếch đại dòng điện (A
i
) và hệ số khuyếch đại công suất
(A
p
). (giả sử

Q1
= 90, và

Q2
= 40).






8. Hãy tính hệ số khuyếch đại điện áp,
hệ số khuyếch đại dòng điện, và hệ số
khuyếch đại công suất cho hệ thống
ở hình 5.26JC.





9. Tính công suất tín hiệu được
phân bố trên tải trong cả hai mạch
ở hình 5.27JC. Mổi mạch được

cung cấp bởi nguồn tín hiệu
2V
pp
(không tải) có trở kháng nội là
2k. (cho

Q1
= 90 và

Q2
= 40).











100

10. Hãy tính các mức điện áp phân cực DC:
V
B
, V
E
, V

c
, và V
CE
cho mạch ở hình 5.28JC.















11. Hãy tính hệ số khuyếch đại điện áp tín hiệu (A
v
), và trở kháng vào (z
in
), trở kháng ra (z
out
), và độ dao
động của điện áp ra lớn nhất gần đúng cho mạch ở hình 5.28JC.

12. Hãy tính điện áp trên collector, base, và emitter
của cả ba transistor trong mạch ở hình 5.29JC.













13. Hãy tính hệ số khuyếch đại điện áp của đầu ra đơn và hệ số khuyếch đại điện áp vi sai cho mạch ở hình
5.29JC.

101

BÀI TẬP BỔ SUNG PHẦN BJT

D2.1 Tính biên độ dao động của điện áp ra đỉnh-đỉnh
cho mạch ở hình 2.17, khi có R
1
= 2k, R
2
= 15k,
R
E
= 200, R
C
= 2k, R
L
= 2k,

= 200, V
BE
= 0,7V,
và V
CC
= 15V.
ĐS: 6,3Vpp.

D2.2 Dựa theo bài tập D2.1, hãy thiết kế mạch khuyếch đại để cho độ dao động đối xứng lớn nhất. Tính các
trị số của R
1
và R
2
.
ĐS: R
1
= 4,5k, R
2
= 36k.

D2.3 Biên độ dao động của điện áp ra đối xứng lớn nhất là bao nhiêu đối với cấu hình cho ở bài tập D2.2 ?
ĐS: 8,8Vpp.







D2.4 Mức công suất ra của mạch khuyếch đại ở bài tập D2.2 là bao nhiêu ? Công suất của nguồn cung cấp
cho mạch khuyếch đại là bao nhiêu ?
ĐS: 4,9mW; 71,7mW.









102

D2.5 Thiết kế mạch khuyếch đại emitter chung ổn định
phân cực sử dụng mạch như ở hình 2.22, để nhận được
điện áp ra tĩnh bằng 0. Cho biết


= 150, V
BE
= 0,7V,
R
E
= 100, và R
C
= 1k.
ĐS: R
1
= 1,71k; R
2
= 12k.

D2.6 Sử dụng mạch khuyếch đại cho ở bài tập D2.1, hãy thiết kế mạch khuyếch đại để cho tín hiệu ra khi
dòng collector nhỏ nhất với  = 0,2.
ĐS: R
1
= 4,34k; R
2
= 51,2k.