Mc lc
MỤC LỤC
LỜI MỞ ĐẦU 1
CHƢƠNG 1: GIỚI THIỆU CHUNG VỀ SẠC ACQUY SỬ DỤNG
NĂNG LƢỢNG MẶT TRỜI. 2
1.1. Pin mt tri 2
1.1.1. Gii thiu chung. 2
1.1.2. Nguyên lý hot ng 2
1.1.3. u kin n pin mt tri. 2
1.1.4. ng dng ca pin mt tri 4
1.2. H thng pin mt tri 4
1.3. p acquy 5
1.3.1. p acquy 5
1.3.2. Các ch sc 5
1.4. Bài toán thit k. 6
CHƢƠNG 2: THUẬT TOÁN ĐIỀU KHIỂN BÁM CÔNG SUẤT
CỰC ĐẠI (MPPT) 8
2.1. P 8
2.2. Thut toán MPPT. 8
2.2.1. Thuu khin t l n áp h mch . 9
2.2.2. Thut toán nhiu lon và quan sát. 9
2.2.3 n d 10
CHƢƠNG 3: THIẾT KẾ BỘ BIẾN ĐỔI DC-DC. 11
3.1. Phân tích yêu cu thit k. 11
3.2. La chn cu trúc mch và nguyên lý làm vic. 11
3.3. Tính toán và chn các tham s n 13
Mc lc
3.3.1. Tính toán t lu ra. 13
3.3.2. n tr
ESR
R
. 14
3.3.3. n tr. 14
3.3.4. Tính toán cun cm 15
3.3.5. La chn thit b t. 15
CHƢƠNG 4: THUẬT TOÁN GHÉP NỐI 17
CHƢƠNG 5: MÔ PHỎNG. 20
KẾT LUẬN 24
TÀI LIỆU THAM KHẢO 25
Lu
1
LỜI MỞ ĐẦU
Ngày nay do ngung n truyn thng ngày càng cn kit vì vy vic
tìm kim mt ngu ng sch ng mt tr ng gió, sóng
binmi thay th là rt cn thit, ng mt tri là mt ngung
r, vô tn cho nên rc quan tâm nghiên cu và là ngung c
.Cho nên mc tiêu c án là thit k b sc acquy s dng mt tri ng
dng thut toán bám công sut ci. Thut toán bám công sut ci s giúp tn
dng c tng mt tri. B sc bao gm c bii DC- u
khin quá trình sc qua các ch .
Toàn b công vic c c thc hii s ng dn ca thy giáo
Nguy
ng quan v b sc acquy s dng mt tri.
u khin bám công sut ci
bii DC-DC
t toán ghép ni .
ng .
Do thi gian có h ng hn ch v kin th u kin thc
nghi án chc chn không tránh khi thiu sót. Vì th, nhóm chúng em kính mong
nhc nhng li nha các th chúng em khc phc
và ci tin các v còn tn ti ca án.
Em xin trân trng c
Hà Nội, ngày 30 tháng 12 năm 2013
Sinh viên thực hiện
Nguyn Mnh Tun
i thiu chung v sc acquy s dng mt tri.
2
CHƢƠNG 1: GIỚI THIỆU CHUNG VỀ SẠC ACQUY SỬ DỤNG
NĂNG LƢỢNG MẶT TRỜI.
1.1. Pin mặt trời.
1.1.1. Giới thiệu chung.
Tng mt tri là mt sn phm công ngh c phát tri tn
dng ngung mt tri t s dng trong dân dng và công
nghip. Mt t n (cell), tm png mt tri (solar cells panel), hay
n (PV) là h thng các tm vt lic bit có kh i quang
a ánh sáng mt trt tri c cu to bng các t bào
(polycrystalline) có hiu
sut cao (15% - 18%), công sut t n 175Wp và có tui th
1.1.2. Nguyên lý hoạt động
ng mt tri (pin mt trn) là thit b giúp chuyn hóa
trc ting ánh sáng mt trg)
da trên hiu n
Ánh sáng mt tri gm các ht photon khi chiu xung tng mt
tri s truyng ca chúng ti các electoroon ri rc làm cho chúng bt ra khi
nguyên t và to thành các l trng và electoron t do, trong tng mt tri
2 lp bán dn silicon loi n ( bán dn âm-Nagative) và loi p ( bán d-Positive)
t cnh nhau electron dn chính ca loi n s nh ly nhng khong trng
ca loi n tícc tích
n âm, to ra mng trên pin mt tri.
1.1.3. Các điều kiện ảnh hƣởng đến pin mặt trời.
Yu t thi ting rt ln pin mt tri,
chiu sáng có ng ln nht. Nó ng rt lc tính ca pin mt
tri. Kt qu là s m pin mt tri có công sut ci (MPP).
chiu sáng t n áp
công sut s c th hin trên hình 1.1:
i thiu chung v sc acquy s dng mt tri.
3
Hình 1.c tính V- bc x i t 200 1000 W
[12]
Dc tính ta có th d dang nhn th chiu sáng càng cao
công sut pin càng ln.
ng ca nhi chiu t n áp
công sut s c th hin trên hình 1.2:
Hình 1.2. c tính P-I (a) và P-V (b) khi
nhi i 0 100
0
C
[12]
i thiu chung v sc acquy s dng mt tri.
4
1.1.4. Ứng dụng của pin mặt trời
- ng dng ca pin mt tri rt ph bin ng dng ri sng hng
ngày p tích hp ngun cho các thit b ng
h, robot,mt s thit b dân dng to cho các thit b có tính hiu qu ng
dng và kinh t cao, tit king .
- Ngung b sng mt tri, ng dng cung cn cho
các h c bit có ng dng rt cao o, các
n quc chiu sáng cao.
- c bit ng dng lng dng mt tri có
th n quc gia cung cn cho mi min t quc.
1.2. Hệ thống pin mặt trời.
Pin mt tri không th cung cc trc tip cho các thit b mà ta cn thông qua
mt h thng.
Hình 1.3. H thng pin mt tri
[13]
H thng pin mt tri là h thng s dng ngung mt tri qua h thng
pin mt tri bing cp cho h thng s ph
thu ánh sáng và nhi ng nên s có th b gián n vào lúc
không có ánh sáng. Do vy trên h thng pin mt trng có mt h thng tích tr
h thng có th hong nh khi không có ánh sáng.
i thiu chung v sc acquy s dng mt tri.
5
1.3. Acquy và các phƣơng pháp nạp acquy
Acquy là lon hóa h tích tr nng và làm ngun
cung cp cho các thit b n .c bn ca acqui:
- Sng li khi phóng, nn.
- S t n bé.
- n np vào bao gi n mà acquy phóng
ra.
- n tr trong ca acquy nh
Tui th ca acquy ph thuc rt nhiu vào quá trình phóng và np ca acquy. Nu
c phóng và n s b hng rt nhanh.Mt s yu t nh
n tui th ca acquy trong quá trình sn và n áp sc t
thi gian sc.
Cn có mt b u khin quá trình s tránh gim tui th ca acquy.
1.3.1. Phƣơng pháp nạp acquy
ng s d np c quy :
- n.
- n áp.
- p dòng áp.
1.3.2. Các chế độ sạc
u tiên (bulk charge) dc cp vi mt giá tr an toàn cho ti
t 80 -n áp nn áp nn này có t 20
n 25 volts, không có mn áp nn nng b
gii hn ci mà acquy có th chc.
n th hai (absorbtion charge) ic gi n
t khi ni tr p. Trong sun
áp ra ca b ngun np là ci là 24V.
n th c np n áp nc gim
xu gim s i th n áp có th to ra bng k thut
u ch r.
i thiu chung v sc acquy s dng mt tri.
6
Hình 1.4. Các ch sc acquy
[14]
1.4. Bài toán thiết kế.
Thit k b sc acquy t ng mt tri thông qua mt b bii DC-DC.
- u vào: Pin mt trn áp ti MPPT 20V.
- u ra: 2 acquy LEAD-ACID 12V mc ni tip.
- Công sut: 80W.
i thiu chung v sc acquy s dng mt tri.
7
Cu trúc ca b sc s d
Hình 1.5: Cu trúc b sc acquy.
u khin bám công sut ci (MPPT)
8
CHƢƠNG 2: THUẬT TOÁN ĐIỀU KHIỂN BÁM CÔNG SUẤT
CỰC ĐẠI (MPPT).
2.1. Phƣơng pháp MPPT.
MPPT (Maximum Power Point Tracker) m làm vic có
công sut ta h thng ngun pin mt tri qua viu khin chu k
m n t dùng trong b DC/DC
Khi ni trc tip pin mt tri vi tm làm vic ca h thng
giao nhau cc tính tc tính ca pin.
Hình 2.1. H thng pin mt trc mc trc tip vn tr.
2. c tính làm vic ca pin và ti thun tr có giá tr n tr i
c.
[15]
m làm vi có công sut ln nht iy ti phi phù h
pin có th làm vic u này là rt khó. Vy cn thu u chnh
n tr vào pin cho phù h pin làm vim ci.
2.2. Thuật toán MPPT.
Thuc s dng có th bám công sut ci là :
- Thuu khin t l n áp h mch (Open Circuit Voltage method).
u khin bám công sut ci (MPPT)
9
- Thun dtal Conductance method).
- Thut toán nhiu lon và quan sát (Perturb and Observe method).
2.2.1. Thuật toán điều khiển tỉ lệ điện áp hở mạch .
Thuc thc hin áp tm công sut ci V
MPP
t
l vn áp h mch V
OC
V
MPP
=k.V
OC
Vi giá tr k là mt hàm logarith c chiu sáng, giá tr ng
khong t n 0.8.
m: chi phí thc hin thp, thun và d thc hin
m: không hong chính xác tm công sut ci.
2.2.2. Thuật toán nhiễu loạn và quan sát.
c s dng thông dng nht nh s
gin trong thut toán và vic thc hin d dàng. Thut toán này xét s n áp
theo chu k m làm vic có công sut ci. Nu s bin thiên cn
áp làm công su bin thiên tip theo s gi nguyên chic
gim. c li, nu s bin thiên làm công sut gim xung thì s bin thiên tip theo s
có chic li. m làm vic có công sut ln nhc xác
nh trên c tính thì s bin áp s m làm
vic có công sut ln nht m MPP).
Hình 2.3. thut toán nhiu.
u khin bám công sut ci (MPPT)
10
* m: d s dng thun.
* m: khó ng du kin thi tii liên tc.
2.2.3 Phƣơng pháp điện dẫn gia tăng.
n d dc cc tính pin bng
0 ti m MPPT dg khi m MPP, là âm khi bên phi
m MPP.
- Khi =0 m MPP.
- Khi m MPP.
- Khi <0 bên phm MPP.
Hình 2.4. thu
* m:
- Cho kt qu tt ngay c khi thi tii liên tc.
- Công sung so v
* m:
- Mu khin phc tp.
- S dng hai cm bin nên chi phí l
bii DC-DC
11
CHƢƠNG 3: THIẾT KẾ BỘ BIẾN ĐỔI DC-DC.
3.1. Phân tích yêu cầu thiết kế.
- Thông s u vào :
in
V 20V
, tn s t
sw
f 100kHz
.
- Thông s u ra:
out
V 24V
,
out
P 100W
, ng cn trên
cun cm
LL
I 10%I
.
c thc hi
- Tìm hiu cu trúc và nguyên lý làm vic.
- Tính toán các phn t mch lc và mô hình hóa tính toán b u khin:
Tính toán các thông s ca các phn t.
Mô hình hóa và tng hp b u khin.
3.2. Lựa chọn cấu trúc mạch và nguyên lý làm việc.
Có nhiu b bi boost converter, full bridge, flyback
b bii boost converter có cu trúc mc nh gn,
hiu sut cao bii có s dng bin áp. T nhm trên và yêu cu
t ra cu hình boost cc chn.
v
g
L
Q
1
D
C
R
ESR
R
i
L
(t)
i
C
(t)
v(t)
Hình 3.1. Mô hình ca b bi.
Cu trúc mch gm có u vào V
g
vi chi, cun
kháng L, van S thc hit, t lc C, trong thc t ngoài thành phn chính là t C
n tr ni ti
ESR
, ti tr Ru ra c ly u t
v(t)n qua cun cm i
L
(t) và t n i
C
(t) có chi. Do
tn s chuyn mch cao
sw
f 100kHz
nên khóa S có th là các van
1
và
diode D.
Xét mt chu k T
s
: trong khong thi gian
s
0 t DT
, MOSFET Q
1
trng thái
o mc biu dii
L
(t) s chy
qua MOSFET
1
Q
to thành mt mch khép kín, còn i
C
(t) chn tr R và t
vng hn chy qua diode D.
bii DC-DC
12
n áp trên cun cn qua t n là:
Lg
v (t) v (t)
(3.1)
C
v(t)
i (t)
R
(3.2)
v
g
L
v
L
(t)
v
g
C
R
ESR
R
L
a)
b)
v
L
(t)
v(t)
R
ESR
R
v(t)
i
L
(t)
i
C
(t)
i
L
(t)
i
C
(t)
C
Hình 3.2. mch thay th a) khi MOSFET Q
1
Q
1
ct.
Trong khong thi gian
ss
DT t T
, MOSFET
1
Q
trng thái off, D trng thái
oi thm MOSFET Q
1
, dòng qua cun cm có giá tr khác
c biu dii mt hàm liên tc trên min th xem
cun cm hong D dn
qua MOSFET Q
1
u D ng 0.
T
Lg
v (t) v (t) v(t)
(3.3)
CL
v(t)
i (t) i (t)
R
(3.4)
v
L
(t)
V
g
DT
s
D’T
s
V
g
-V
t
i
C
(t)
DT
s
D’T
s
t
-V/R
I-V/R
Hình 3.3. a) Dn áp trên cun cm, b) Dn trên t n.
c lp li vi nhng chu kì tip theo.
bii DC-DC
13
Do thi gian chuyn mch ngn ng bin thiên theo thi gian
g
v (t)
,
v(t)
nên ta có th xp x tuyn tính
gg
v (t) V
và
v(t) V
. Do vy tng hp c chu k
chuyn mch, n áp trên cun cm c tính bng:
s
T
L g s g s
0
v (t)dt V .D.T (V V).D'.T
(3.5)
g
V .(D D') V.D 0
vi
D D' 1
. T c mi quan h giu ra:
g
V
V
D'
(3.6)
3.3. Tính toán và chọn các tham số cơ bản
3.3.1. Tính toán tụ lọc đầu ra.
Hình 3.4. Du ra
[1]
.
Trong khong thi gian
s
0 t DT
dc ca dn áp trên t là:
cc
dv (t) i (t)
V
dt C RC
(3.7)
còn trong khong
ss
DT t T
dc ca dn áp trên t:
cc
dv (t) i (t)
IV
dt C C RC
(3.8)
n th nht s n áp trong t c tính:
s
V
2 V DT
RC
(3.9)
bii DC-DC
14
T c giá tr ca t n:
s
V
C DT
2R V
(3.10)
Chn t có giá tr n dung là
C 1000 F
và chn áp là 50V.
3.3.2. Tính toán điện trở
ESR
R
.
c t C, da vào datasheet ta có th c
ESR
R
.
Hình 3.5. Mi quan h gia
ESR
R
và
0
ESR
R
[6]
.
T th trên datasheet có th c t s gia
ESR
R
và
0
ESR
R
khong
vi
0
ESR
R
n tr i nhi 20
o
C tn s 100Hz.
Tra bng datasheet ta có
0
ESR ESR
R 0,16 R 0,1
.
3.3.3. Tính toán điện trở.
2
2
out
out
V
24
R 5.76( )
P 100
(3.11)
bii DC-DC
15
3.3.4. Tính toán cuộn cảm
Hình 3.6. Dn qua cun cm
[1]
.
Trong khong thi gian
s
0 t DT
dn trên cun cm là:
g
LL
V
di (t) v (t)
dt L L
(3.12)
Còn trong khong thi gian
ss
DT t T
dn trên cun cm s là:
g
LL
VV
di (t) v (t)
dt L L
(3.13)
S n trong cun cm n
s
0 t DT
là:
g
Ls
V
2. I DT
L
(3.14)
T c giá tr cun cm:
g
s
L
V
L DT
2I
(3.15)
Chn
LL
I 10%I
. Thay vào công thc (3.15):
g
s
L
V
20.0,167
L DT 41,8( H)
2. I 2.0,1.4.100000
(3.16)
3.3.5. Lựa chọn thiết bị đóng cắt.
- MOSFET: Nu coi mch hong thì:
in out
PP
(3.17)
T c tính:
out
in
in
P
100
I 5(A)
V 20
(3.18)
bii DC-DC
16
y ta phi chn MOSFET chc dòng 5n áp trên 24V.
Xét các tiêu chí trên ta chn MOSFET IRF540N có th chc dòng t
110n áp t55 trong nh
DS(on)
R 8m
.
- Diode: tn s c chn là 100kHz là l i vi diode bình
ng nên ta phi chn diode có th t vi tn s ln. Dòng ci qua diode
là 3.3A. Vy diode Schottky chc chn.
t toán ghép ni.
17
CHƢƠNG 4: THUẬT TOÁN GHÉP NỐI
nh
khi DC-DC
i DC-DC
Tn s cp nht MPPT t 40Hz-100Hz s m bo các yêu cu thit k.
Dòng sc acquy nh nht (Ibatmin) :C/100
Dòng sc ác quy ln nht (Ibatmax) :C/10
Dòng Itricker (Itricker) 0.2A
in áp nh nht ca acquy (Vbatmin) 25.4V
n áp ln nht ca acquy (Vbatmax) : 28.8V
t toán ghép ni.
18
thut toán ghép ni
t toán ghép ni.
19
Nu dòng acquy hin ti l (Ibat>Ibatmax) ca acquy hin ti lúc
gin sc acquy
N n áp ca acquy l n áp max ca acquy(Vbat>Vbatmax và
Ibat<Ibatmax) trong trc acquy s giThut toán này
thc hi gim dòng sc acuy t C/10 xu y 100%. Nu
dòng s nh t dòng max ca acquy là
Itrickle.
N ng acquy <80% ta cn sc công
sut max vi dòng C/10.
Nn áp ca acquy thn áp max ca acq i duty
(x lý MPPT). Nn áp ca acquy nh n áp min ca acquy thì ta s khi to li
dòng sc max ca acquy.
Khi công su ta ci tr thc hin
thu m công sut c i. Khi ki công sut yêu cu c sc
acquy ta h thng s ghép ni tr li vi ti ac tip tc quá trình sc.
ng.
20
CHƢƠNG 5: MÔ PHỎNG.
Thc hin mô phng vi phn mm Matlab 7.11 sc acquy vi các ch sc kt hp dò
m công sut ci.
Hình 5 mô phng
ng.
21
Hình 5.2. Bám công xut ci
Hình 5.3 Dòng sc ch công sut
Nhn xét : Công suc công sut cn tht trên các phn t
ca mch.
ng.
22
Hình 5n áp sc ch 2
Hình 5ng hp thiu công sut.
ng.
23
Hình 5.6 Dòng sc vi công sut thp
Hình 5.7. Boost converter