1
tháo
-
- MMA (Melt Metal Arc Welding -
- TIG (Tungsteng Inert Gas -
- Hàn MIG/MAG (Melt Metal Inert Gas/ Melt Metal Active Gas -
2
- Hàn plasma:
5000-
u khác nhau:
-
phép
g ch
l
- Máy hàn laser
Hình 1.2: Hình máy hàn laser.
3
Dòng máy này
Model
PE-W350
PE-W500
1064nm
1064nm
350W
500W
420W
580W
70J
l00J
0.3ms-20ms
0.3ms-20ms
0.1-200Hz
0.1-200Hz
15
15
Combined Gold-Plated Reflector Cavity
Nd:YAG
Nd:YAG
4
PLC/ 2-axis PC(3-axis selective)
200*100*150mm
0.02mm
0.02mm
±0.01mm
±0.01mm
50Kg
50Kg
380V/ 3phase/50Hz/40A
12KW
14 KW
5P
5P
1500×750×1200mm
-350A
hàn
kéo
hàn
66XHD
EutecTrode
Thép
78.000
Fe, Mn,
Si,C
AC/DC
2101 S
EutecTrode
Nhôm
34.000
65HB
Al, Si
DC
27
EutecTrode
Gang
60.000
45HRC
Ni, Mn, Fe
AC/DC
0
nh
dU dU
S
dI dI
(1.1)
S - U
h
-
5
U
n
-
cc
/I
h
máy
-60Hz):
- Máy hàn
U(V)
I(A)
65
30
100
A
250
A
Hình 1.3 Đặc tuyến máy hàn hồ quang điện
6
Hình 1.4
Hình 1.5: Nguyên lý máy hàn dùng
m vào
7
1
2
3
4
U
1
U
2
Hình 1.6
----
dòng
U
1
U
2
Tay
quay
Hình 1.7
8
Hình 1.8:
-
-
-
Hình 1.10
Hình 1.9 Hình dạng nhỏ gọn thích hợp trong những công việc đòi hỏi tính năng động
cao như: đóng tàu thuyền, xây dựng dân dụng và các ngành công nghiệp
9
-
-
c-
có
-
--
-
-
10
n
0Hz.
11
Máy hàn Inverter
-
-
-
-
-
-
-
-
Model BX-
-
Model MMA-
-
-
-
-
-
Model BX-
55Kg)
-
Model MMA-
20Kg)
-
-
Model BX-
580x450x630 mm)
-
Model MMA-
47.5x25x38.5 mm )
-
-
-
mang vác.
-
-
-
- Giá thành
-
-
12
:
2.1.1.Máy hàn Sky 200A:
AC input : 220V÷230V
3.2 KVA
65 V
40÷160A
60%
Máy hàn Sky -
a)
b)
c) h
d)
e)
f)
g)
13
AC input : 220V÷230V
2.2 KVA
82 V
40÷140A
60%
a) IGBT
b)
c) h
d)
e)
f)
-
Hình 2.3
14
-
Hình 2.4
2.3.1. Diode công
-
-
-
-
Hình 2.5
15
- U
RRM
-
FAV
amb
-
FSM
-
-
RRM
-
FAV
amb
-
FSM
[5].
Hình 2.6 Đặc tuyến của diode
- V
TO
-on)
-
V
BR
-n.
-
-
16
-
max
n
pik
th
dòng
r
o
C ; T
cp
2.3.2. IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor ):
Hình 2.7: Dạng thực tế IGBT loại module và single
Hình 2.8
-
-
MOSFET
-
-
-
-
CE
max <= 1200V, I
C
max <= 1kA
-
- t
ON IGBT
t
ON MOSTFET
, t
OFF IGBT
< t
OFF MOSFET
[4][5]
17
a IGBT:
- -
- -
-
o
o
C.
-
-
o
o
C.
-
-
v
-
-
- Emittor, là hàm
-
-
Gate-Emittor.
-
-
18
-
-
- -
-
-
-
Collector[6] .
GE
-U
GE
-
G
--18V.
G
G
dU
CE
+U
GE
-U
GE
U
G
IGB
T
18V
R
Hình 2.9 Yêu cầu đối với mạch điều khiển IGBT
19
,max
GE
G
G
U
I
R
(2.1)
GE
= U
GE(on)
+ | U
GE(off)
|.
CE G sw
P U Q f
(2.2)
G
sw
-
20
Hãng
Dòng
I
c max
25
o
C
V
geth
(V)
áp
V
ce(on)
(V)
Công
P
tot max
(W)
t
1
/t
1 max
(µ)
V
ce max
=500 V
BUK854 -500IS
BUK856 -400IZ
BUK856 -450IX
HGT8P50G1
HGTP10N50E1
IRGB420UD2
IRGB450UD2
V
ce max
=600 V
IRGPC30FD2
IRGPC40FD2
IRGPC50FD2
V
ce max
=800 V
BUK854 -800A
BUK856 -800A
SKM75GB121D
SKM75GB123D
SKM150GB123
D
SKM75CD123D
SKM75GB063D
Philips
Philips
Philips
Harris
Harris
I.R.
I.R.
I.R.
I.R.
I.R.
Philips
Philips
Semikron
Semikron
Semikron
Semikron
Semikron
15
20
15
12
17.5
14
59
31
49
70
12
24
75
75
150
75
100
5.5
2.4
4.5
6
4.5
5.5
5.5
5.5
5.5
5.5
5.5
5.5
4
3.2
3.2
3.2
5.5
1.7
1.2
1.8
2.5
3.2
3.1
2.6
2.4
2.2
2
3.1
3.1
1.2
1.2
1.2
1.2
1.05
85
100
125
66
75
60
200
100
160
200
85
125
500
400
800
400
-
6/-
10/-
8/-
2.5/0.0085
1/0.05
0.22/0.044
0.11/0.29
0.48/0.075
0.48/0.076
0.52/0.1
0.8/0.03
0.8/0.045
-
-
-
-
-
21
- :
-
-
a)
b)
c)
d)
e)
f)
g)
Hình 2.10 a), c)Tụ ceramic; b)Tụ tantalum; d)Tụ hóa; e)Tụ màng
nhựa; f)Tụ thủy tinh; g)Siêu tụ
e)
f)
Hình 2.11 Các dạng ký hiệu của tụ điện
22
Q = C.U (2.3)
0.009
S
C
d
(2.4)
Không khí
1.00
3.00
Alsimag 196
5.70
Polyethylene
2.30
3.70
Polysthyren
2.60
7.75
3.80
Mica
5.40
Pyrex
4.80
Micalex
7.40
2.80
Fiber
6.00
Teflon
2.10
23
2
1
2/
c
fC
Q fC r
tg R
(2.5)
20µF-
0
-400V (M) 105
o
dung 1000
o
C.
24
úng
474J
4
0
1
D
0.5pF
1
10
F
1%
2
100
G
2%
3
1,000
H
3%
4
10,000
J
5%
5
100,000
K
10%
6,7
Không dùng
M
20%
8
.01
P
+100, -0%
9
.1
Z
+80, -20%
Hình 2.12 Một số dạng máy biến áp xung.
25
:
2
O
3
nh
Hình 2.13
ngõ ra.