Báo cáo thực tập tốt nghiệp MÁY GHI ĐIỆN NÃO

MỤC LỤC
Chương 1. Giới thiệu chung về máy ghi điện não 3
1.1 Giới thiệu chương 3
Nội dung chương 1 trình bày: 3
1.2 Chức năng của máy ghi điện não 3
1.5 Sơ đồ khối chung của một máy ghi điện não 3
1.6 Quy trình vận hành 3
Chương 2. Giới thiệu chung về máy ghi điện não EEG – 7300 5
2.1 Giới thiệu chương 5
Nội dung chương trình bày các vấn đề: 5
1. Mô tả toàn máy điện não EEG7300 5
2. Các tham số kỹ thuật của máy 5
3. Phân tích một số mạch trong các khối của máy điện não EEG7300 5
2.2 Mô tả toàn máy 5
2.6 Tham số kỹ thuật của máy điện não EEG - 7300 10
2.7 Nguyên lý hoạt động một số mạch trong các khối của máy điện não
13
2.8 Bàn phím 27
2.9 Bảng mạch CPU(UT-0118) 30
2.10 KHỐI NGUỒN (SC-0025) VÀ CAO ÁP(UT-0128) 39
2.11 BẢNG MẠCH NGUỒN (UT-0127) 40
2.12 BẢNG MẠCH VÀO VÀ RA (UT-0126) 42
Chương 3. Một số hỏng hóc thường gặp và cách khắc phục 45
3.1. Giới thiệu chương 45
Nội dung chương 3 sẽ trình bày một sô sự cố hỏng hóc thường gặp khi sử
dụng thiết vị và cách khắc phục các sự cố đó 45
1. Sự cố liên quan đến dạng sóng 45
2. Hỏng hóc phần nguồn điện 45
3. Hỏng hóc bộ phận dịch chuyển giấy ghi 45
4. Hỏng hóc với phần kiểm soát giấy và nếp gấp 45
5. Hỏng hóc cơ khí đối với bút và khay vẽ 45

6. Sự cố thông báo lỗi 45
7. Một số sự cố liên quan đến thiết bị 45
3.2. Một số sự cố liên quan đến dạng sóng 45
Trang 1
3.3. Một số sự cố liên quan đến thiết bị 49
3.4. Sự cố thông báo lỗi 51
3.5. Hỏng hóc cơ khí đối với bút và khay vẽ 52
3.6. Hỏng hóc với phần kiểm soát giấy và nếp gấp 54
3.7. Hỏng hóc bộ phận dịch chuyển giấy ghi 54
3.8. Hỏng hóc phần nguồn điện 55
Trang 2
MÁY GHI ĐIỆN NÃO
Chương 1. Giới thiệu chung về máy ghi điện não
1.1 Giới thiệu chương
Nội dung chương 1 trình bày:
1. Chức năng của máy ghi điện não
2. Sơ đồ khối của máy ghi điện não
3. Quy trình vận hành máy ghi điện não
1.2 Chức năng của máy ghi điện não
Là thiết bị ghi các hoạt động điện sinh học của tế bào não riêng biệt hay một tập
hợp tế bào não truyền dẫn trực tiếp hoặc gián tiếp qua vỏ não và da đầu. Hình ảnh
điện não ghi được bằng hệ thống máy phản ánh chức năng sinh lý, bệnh lý của một
vùng bán cầu hoặc toàn bộ não liên quan với các triệu chứng lâm sàng, bổ xung cho
chẩn đoán và theo dõi bệnh - gọi là điện não đồ lâm sàng.
1.5 Sơ đồ khối chung của một máy ghi điện não
1.6 Quy trình vận hành
1.6.1 Gắn điện cực
- Tẩy sạch da đầu bằng cồn 70
0
( ở vị trí đặt điện cực)

- Đặt vị trí các điện cực ở ngoài da đầu (tương ứng với các vùng vỏ não)
- Cố định điện cực
Trang 3
Khối đầu
vào
Khuếch đại,
lọc nhiễu
Bộ xử lý trung
tâm
Khối nguồn
Bàn phím
Thiết bị
ngoại vi
( bút ghi,
hiển thị…)
1.6.2 Hộp điện cực
- Hộp điện cực: có các vị trí tương tự với các điện cực đã được đặt trên da đầu.
Hộp được nối với máy ghi. Do đó khi nối điện cực ở da đầu phải đúng với vị
trí tương ứng trên hộp nối điện cực.
1.6.3 Chuẩn máy :
- Chuẩn nguồn điện vào máy và điện sinh học
- Đo điện kháng ở từng điện cực
- Chuẩn các hằng số trên máy
1.6.4 Ghi điện não
- Ghi thường quy là phổ biến thông dụng nhất
- Ghi với máy điện não trực tiếp trên giấy
- Ghi với máy điện não có vi tính hoặc cả vi tính với camera.
Trang 4
Chương 2. Giới thiệu chung về máy ghi điện não EEG –
7300

2.1 Giới thiệu chương
Nội dung chương trình bày các vấn đề:
1. Mô tả toàn máy điện não EEG7300
2. Các tham số kỹ thuật của máy
3. Phân tích một số mạch trong các khối của máy điện não EEG7300
2.2 Mô tả toàn máy
H×nh 2.1. H×nh d¸ng toµn bé m¸y EEG 7300
Trang 5
2.5.1 Các thành phần hệ thống (chức năng các phím trên mặt máy)
2.5.1.1 Panel điều khiển
H×nh 2.2 Panel ®iÒu khiÓn c¸c kªnh
1. Phím chọn chế độ ghi tự động hoặc bằng tay 8.Phím điều chỉnh bút ghi
2. Phím mở rộng ghi 9. Phím thực hiện ghi
3. Phím kiểm tra trở kháng điện cực 10. Phím kiểm tra
4. Phím chon chế độ đánh dấu 11. Phím kết thúc
5. Phím lọc xoay chiều 12. Phím chọn độ nhạy
6. Phím lựa chọn hằng số thời gian 13. Phím Khởi động lại chế độ ghi
7. Phím lọc thông cao
Trang 6
2.5.1.2 Panel hiển thị
H×nh 2.3 Bảng hiển thị
14. Màn hình hiển thị (tinh thể lỏng) 18.Phím chọn chế độ mở rộng
15. Phím hiệu chỉnh 19. Phím khởi động lại điện cực
16. Lựa chọn chương trình 20. Phím hiển thị
17. Phím chọn chế độ A/B
2.5.1.3 Bảng chương trình
Trang 7
H×nh 2.4 Bảng chương trình
21. Công tắc đầu vào EXT 27. Phím lựa chọn trạng thái
22. Chọn kênh tín hiệu sinh học 28. Phím khởi động lại trạng thái ghi

23. Chọn độ nhạy kênh tín hiệu sinh học 29. Phím lựa chọn kênh
24. Phím chọn dạng sóng 30. Phím khởi tạo
25. Phím điều chỉnh điện áp 31. Phím nhớ điện cực
26. Công tác chọn 32. Các phím điện cực
2.5.1.4 Bảng kích thích ánh sáng và thời gian
H×nh 2.5 Bảng kích thích ánh sáng và thời gian
Trang 8
33. Công tắc nguồn 39. Hiển thị kích thích ánh sáng
34. Đèn chỉ thị nguồn 40. Công tắc tăng giảm
35. Phím cung cấp giấy 41. Phím chọn chế độ kích thích ánh
sáng
36. Phím chọn hệ số x1/10 42. Phím kết thúc
37. Phím điều chỉnh tốc độ giấy ghi 43. Phím khởi động kích thích ánh sáng
38. Công tắc lựa chọn tần số/ kích thích/
thời gian tạm dừng
44. Phím (đóng, mở) thời gian
2.5.1.5 Khối thực hiện ghi
Trang 9
Hỡnh 2.6 Khi thc hin ghi
45. Trc qun giy 48. Np bỳt
46. Trc gi giy 49. Hp mc
47. Giỏ u bỳt
2.6 Tham s k thut ca mỏy in nóo EEG - 7300
2.6.1 Khi u vo
* Hộp nối điện cực
Số đầu vào EEG: 23
Số đầu vào EXT: 7
Đầu đất của máy: 1
Đầu đất bệnh nhân: 2
* Tất cả điện cực tín hiệu đều có bộ khuyếch đệm.

* Đạo trình: Lập chơng trình đạo trình
* Lựa chọn PATTERN (mẫu, kiểu)
PATTERN I đến VIII, FREE có hai chế độ A/B và CAL.
* Ghi trở kháng điện cực.
2k/1mmp-p (EEG-7300B/F), 5k/1mmp-p (EEG-7300G).
* Các điện cực khác .
OFF, A1 A2, A1 A2, A1A2, A1+A2, AV, VX.
2.6.2 Khi khuch i
* Độ nhạy lớn nhất
Kênh EEG: 1V/mm.
Kênh BIO: 0.5V/mm.
* Lựa chọn độ nhạy
Trang 10
Kênh EEG: Có thể chọn cùng một lúc tất cả các kênh; 1, 2, 3, 5, 7, 10, 15, 20, 30,
50 và 75V/mm.
Kênh BIO: 1/2, 1 và 2.
* Hằng số thời gian
Kênh EEG: 0.1s, 0.3s, 1s
Kênh BIO: Trong bảng A
* Lọc thông cao
Kênh EEG: 15, 35, 70Hz và OFF [3kHz(-3dB), -12dB]
Kênh BIO: Trong bảng A
* Đặc điểm của bộ khuyếch đại kênh BIO: Có thể lựa chọn các chế độ trong bảng
dới đây.

* Hệ số nén đồng pha CMRR
Hộp nối điện cực: 0dB.
Bộ tiền khuyếch đại: 92dB.
* Tần số đáp ứng (HI-CUT OFF): 3KHz/-3dB, (-12dB/oct).
* Lọc xoay chiều: 50/60 Hz, tỉ lệ suy giảm 1/5 hoặc ít hơn.

* Điện áp hiệu chỉnh: Tự động hiệu chỉnh 5,10, 20,50 và 100V,
2.6.3 Khi hin th
* Panel điều khiển chính: Hiển thị bằng LED, hiển thị toàn bộ trên màn hình tinh
thể lỏng.
* Đặc điểm khác: 40 (kí tự ) x 4 (đờng), ánh sáng không nhìn thấy
Trang 11
2.6.4 Khi ghi
* Phơng pháp ghi: Ghi bằng mực
* Độ rộng giấy ghi: 245mm (cả cho EEG-7310B/F/G/W và EEG-314B/F/G/ w).
* Số kênh:
- 8 kênh EEG + 2 kênh BIO + 2 kênh đánh dấu (EEG -7310B/F/G/ W).
- 12 kênh EEG + 2 kênh BIO + 2 kênh đánh dấu (EEG - 714B/F/G/ W).
* Tần số của bút galvanomer: 100Hz (-3dB).
* Bút ghi (SJ-120AM): 120mm.
* Tốc độ giấy 15mm/s hoặc 30mm/s, x1/10 và FEED.
* Pen up/ down: tự động pen up/ down, tự động thiết lập khay bút.
* Ghi giấy: AUTO/ MANUAL.
* Thời gian: 0.1s, 1s, 10s.
2.6.5 Khi u vo, u ra
* EXT INPUT: Tập trung đầu vào của tất cả các kênh bao gồm EEG, BIO, MARK. Độ
nhạy: 1V/5mm
* EXT OUPUT: Tập trung đầu vào của tất cả các kênh bao gồm EEG, BIO, MARK.
Độ nhạy: 1V/ 5mm.
* Đầu vào dao động ánh sáng: TTL ở mức 5V.
* Đầu ra dao động ánh sáng: TTL ở mức 5V.
* Đầu vào một chiều: Đầu riêng cho đầu vào tín hiệu một chiều của kênh BIO. Độ
nhạy: 1V/ 5mm.
*Đầu vào đánh dấu: Đầu riêng cho đầu vào tín hiệu một chiều của kênh MARK 2. Độ
nhạy: 1V/ 5mm.
2.6.6 Khi thi gian

* Hiển thị: Màn hình tinh thể lỏng (LCD).
* Hiển thị các giá trị: Năm, tháng, ngày, giờ và phút.
* Chức năng Timer.
- Chế độ bằng tay.
- Chế độ tự động.
Trang 12
2.6.7 Khi dao ng
* Tần số: 0,5Hz, có thể chọn từ 1Hz đến 33Hz trong nấc 1Hz và 50Hz, 60Hz.
* Thời gian dao động: Từ 1s đến 99s.
* Thời gian ngừng dao động: Từ 1s đến 30s.
* Chế độ dao động: Tự động/ bằng tay.
* Đèn chiếu sáng: ánh sáng xeon.
* Năng lợng chiếu sáng: 0.64Ws.
2.6.8 Khi ngun
* Dùng nguồn: 100V, 110V, 117V, 220V hoặc 240V xoay chiều, tần số 50Hz
hoặc 60Hz.
2.7 Nguyờn lý hot ng mt s mch trong cỏc khi ca mỏy in nóo
2.7.1 Hp ni in cc
2.7.1.1 Mch in u vo , mch khuch i m
Hình 2.7 Mạch điện đầu vào và mạch khuếch đại đệm cho mỗi kênh
Trang 13
Tín hiệu kiểm tra trở kháng đợc đa tới mỗi điện cực thông qua điện trở 10M và
qua chuyển mạch tơng tự (IC136). CPU sẽ điều khiển các chuyển mạch của hệ thống
điện cực để thực hiện việc ghi trở kháng.
Các bộ khuếch đại đệm của mỗi điện cực là mạch điện truyền điện áp, ở đây sử
dụng bộ khuếch đại thuật toán theo kiểu lỡng cực với mức nhiễu thấp và dòng thiên áp
rất nhỏ. Tụ điện C
5
loại bỏ nhiễu trên mỗi kênh. Trở kháng ra của mạch điện đợc quyết
định bởi điện trở R

1
.
2.7.2 Khi mch ngun tr
2.7.2.1 Mch n ỏp
Bộ tiền khuếch đại trong thiết bị EEG đợc cấp nguồn
+

12V và bộ khuếch đại
đệm đợc cấp nguồn bởi nguồn
V9
+

. Có thể điều chỉnh đợc điện áp cung cấp nhờ
IC131 và IC132. Khi nguồn chính đợc bật lên, nguồn
V9
+

sẽ bị trễ khoảng 3s so với
nguồn
+

12V, nhằm mục đích là để bảo vệ mạch điện đầu vào của bộ tiền khuếch đại
trong trờng hợp có tín hiệu vợt quá mức cho phép từ bộ khuếch đại đệm đa tới. Thời
gian trễ này đợc gọi là thời gian khởi tạo, nó đợc điều khiển từ CPU. Tín hiệu
JBXDLY (tín hiệu điều khiển trễ cho hộp nối nguồn) đợc đặt ở mức điện áp thấp (0)
trong suốt thời gian khởi tạo. Q102, Q104 giữ ở vị trí OFF (tắt), và Q101, Q103 cũng
đặt ở vị trí OFF. Nh vậy điều chỉnh điện áp thành
V9
+

và
V5
+

là không hiệu lực trong
suốt thời gian khởi tạo. Sau khoảng thời gian khởi tạo này, điện áp tín hiệu tín hiệu
JBXDLY trở thành mức cao 5V. Q101, Q103 đợc thông do Q102, Q104 thông. Các IC
ổn áp IC131, IC132, IC133 và IC134 cấp điện áp ra
V9
+

và
+

5V.
-Nguồn
V9
+

dùng cho bộ khuếch đại đệm;
- Nguồn
+

5V cấp cho mạch kiểm tra trở kháng.
2.7.2.2 Mch kim soỏt in ỏp + 9V
Mạch giám sát điện áp gồm: Q105, Q106, Q107, R185 đến R188, C119.
- Mạch điện này bảo vệ bệnh nhân khỏi dòng điện quá lớn, khi điện áp nguồn
+9V cấp cho bộ khuếch đại đệm không đúng.
-Bình thờng Q105 và Q107 tắt do điện áp giữa R185, R186 dơng. Vì vậy tín hiệu
JBXDLY không còn tác động nữa khi mạch mạch điện +9V có sự cố, làm cho Q106

Trang 14
và Q105 thông. Q107 đa ra điện áp là 0V để ngắt cấp nguồn
+

12V tới bộ ổn áp
(IC131, IC132, IC133 và IC134).
Trong trờng hợp này phải bật trở lại công tắc nguồn để máy tiếp tục hoạt động.
Hìn
h 2.8 Mạch ổn áp và mạch giám sát điện áp +9V
I
2.7.3 Mch in A
1
+ A
2
Khi chức năng A1+A2 đợc lựa chọn, thì tín hiệu A1+A2 chuyển sang mức tín
hiệu cao. Chuyển mạch tơng tự IC135 chuyển sang X1, Y1, Z1 và khi đó các điện cực
J23, J24 đợc nối với nhau qua chuyển mạch tơng tự này.
Trang 15
H×nh 2.9 M¹ch ®iÖn A1+A2
2.7.4 Bộ tiền khuếch đại và khuếch đại chính
H×nh 2.10 M¹ch tiÒn khuyÕch ®¹i vµ khuÕch ®¹i chÝnh
2.7.4.1 Thành phần cấu tạo và điều khiển
Bé khuÕch ®¹i chÝnh ®îc bè trÝ víi bé tiÒn khuÕch ®¹i trªn cïng b¶ng m¹ch in.
Khèi khuÕch ®¹i bao gåm bèn tÇng khuÕch ®¹i, m¹ch ®iÖn thay ®æi h»ng sè thêi gian,
Trang 16
mạch điện thay đổi độ nhạy lọc tần số cao và mạch lọc nhiễu xoay chiều. Tín hiệu điều
khiển từ CPU sẽ thực hiện lựa chọn các chức năng trên bằng cách điều khiển các
chuyển mạch tơng tự (analog switch). Ví dụ khi độ nhạy là
10
mmV /

à
, hằng số thời
gian là 0,3s, bộ lọc thông cao đợc tắt đi nhờ thao tác trên bàn phím, mã của phím đợc
ấn sẽ đợc gửi tới CPU. CPU giải mã bàn phím để nhận ra chức năng của phím, sau đó
CPU sẽ đa ra tín hiệu điều khiển tới từng chuyển mạch. Trong trờng hợp này, dữ liệu
đa ra 01011011 từ cổng vào ra sẽ quyết định trạng thái của từng bộ khuếch đại. Bộ
khuếch đại chính khuếch đại tín hiệu đầu vào để điều khiển gavalnometer.
Các bít EAD0-EAD3: quy định độ nhạy
Các bít EAD4-EAD5: quy định hằng số thời gian
Các bít EAD6-EAD7: quy định lọc thông cao
2.7.4.2 Biờn chun ca mi tng
Hệ số khuyếch đại của mỗi tầng khuyếch đại với độ nhạy 10
mmV /
à
cho nh sau.
Tín hiệu đầu vào đợc khuếch đại nh trong bảng trên.
Tín hiệu ra của tầng khuếch đại thứ 4 đợc đa ra đầu ra EXT OUT
Những tín hiệu này ở đầu ra bộ khuếch đại chính đa tới chuyển mạch EXT
MODE/EEG MODE.
Trang 17
2.7.4.3 Khi khuch i chớnh
Hình 2.11 Mạch chỉnh vị trí trung tâm và khuếch đại giới hạn
a)Mạch điều chỉnh vị trí trung tâm
Khi thay đổi điện áp một chiều đa vào chân số 5 của IC108 sẽ làm thay đổi vị trí
trung tâm của bút ghi. Để thực hiện sự thay đổi này ngời ta cung cấp một điện áp
V12
+

tới chân 5 thông qua biến trở VR104, với mỗi vị trí của biến trở sẽ làm thay đổi
điện áp một chiều tơng ứng ở chân số 5 dẫn đến làm thay đổi vị trí của bút ghi.

b) Mạch khuếch đại giới hạn
Mạch điện này bao gồm IC108, D103 và D104, nó xác định độ lệch lớn nhất của
bút ghi. Tổng hệ số khuếch đại từ đầu vào tới đầu ra của mạch khuếch đại giới hạn là
2. Khối mạch điện RM103 là mạch suy giảm với hệ số suy giảm là 1/2. Mạch điện này
tạo ra tín hiệu 0.15V/5V và đa sang tầng khuyếch đại công suất.
Mạch điện giới hạn cho bộ khuếch đại đánh dấu 1 và 2 hoạt động nh sau: điện áp
cấp cho điốt là 0V, -5V ứng với kênh M1 và +5V, 0V ứng với kênh M2. Sự thiết lập
này đợc thực hiện bằng việc chọn S102 trên bảng mạch khuếch đại sinh học và khuếch
đại đánh dấu.
c) Mạch điện khuếch đại công suất
Mạch điện khuếch đại công suất là kiểu khuyếch đại hồi tiếp dòng điện, nó bao
gồm IC109, Q104 và Q105. IC109 là bộ khuyếch đại lọc tích cực để bù tần số và hồi
tiếp tín hiệu về bộ Galvanometer. Dòng ra của Q104, Q105 thực hiện điều khiển bút
ghi. Dòng điện phản hồi từ bộ Galvanometer tới chân 9(MAC) của IC109 thông qua
Trang 18
R124 và R125, tạo ra tín hiệu hồi tiếp cho chân 6(GL1). Cách thực hiện hồi tiếp dòng
hoạt động này tạo nên sự ổn định cho bút ghi. Thành phần tín hiệu xoay chiều đợc tạo
ra bởi cuộn dây thứ cấp, hồi tiếp tới biến trở VR106. Tín hiệu hồi tiếp đợc điều chỉnh
bởi biến trở VR106.
Hình 2.12 Mạch khuyếch đại công suất
d) Mch ghi vựng tranh chp
Các bộ khuếch đại chính của những kênh bên cạnh đợc nối với nhau cho phép bút
ghi này lấn sang vùng của bút ghi kia mà không xảy ra hiện tợng va chạm bút. Mạch
điện này đợc xây dựng bởi mạng điện trở RM103(20kx8), chuyển mạch tơng tự
IC108 (2/3) và bộ so sánh IC109 (1/4). Hoạt động của mạch điện này có thể chia thành
hai trờng hợp sau.
*Ngợc pha
Khi hai bút ghi ngợc pha nhau, dạng sóng ghi đợc bởi bút ghi bị cắt bớt một phần
nh trong hình sau.
Trang 19

Hình 2.13 Dạng sóng bị xén bớt khi hai bút ngợc pha nhau
Hình dới đây biểu diễn mạch điện tơng đơng trong trờng hợp hai bút ghi ngợc
pha nhau. Giả sử hai bút ghi của hai kênh cạnh nhau (kênh n và n+1) chạm vào nhau
trong khi ghi do có tín hiệu ngợc pha, bộ so sánh (IC109) đa ra tín hiệu ở mức cao do
đầu vào dơng của bộ so sánh bằng hoặc lớn hơn điện áp đầu âm. Tín hiệu ra từ bộ so
sánh điều khiển đóng chuyển mạch của IC tơng tự (IC108). Lúc này đầu ra từ các kênh
n và n+1 sẽ là:
+) ở kênh n:
4
1
VEE
nn
+
+
+) ở kênh n+1:
4
1
VEE
nn
++
+
Trang 20
Hình 2.14 Mạch điện tơng đơng trong trờng hợp ngợc pha
* Cùng pha
Khi hai bút ghi cùng pha nhau, bộ so sánh không đa ra tín hiệu điều khiển mà
mức đầu vào (+) của bộ so sánh thấp hơn đầu vào (-). Vì vậy chuyển mạch tơng tự vẫn
giữ ở vị trí hở. Mạch điện tơng đơng cho trong trờng hợp này đợc chỉ ra trên hình 4.10.
Hình 2.15. Mạch điện tơng đơng trong trờng hợp cùng pha
Hệ số khuếch đại trong trờng hợp cùng pha
2

n
E
gấp đôi tín hiệu trong trờng hợp
ngợc pha, điều này có nghĩa là trong khi ngợc pha hệ số khuếch đại bị giảm đi một
nửa.
Trang 21
H×nh 2.16. TÝn hiÖu vÏ ®îc trong trêng hîp cïng pha
H×nh 2.17. TÝn hiÖu vÏ ®îc trong trêng hîp ngîc pha
Trang 22
H×nh 2.18. M¹ch ®iÖn ghi vïng tranh chÊp
Trang 23
2.7.5 Khi tin khuch i sinh hc ( UT 01211) v khuch i chớnh/ khuch i
ỏnh du ( UT 01221)
Cấu trúc mạch điện của khối tiền khuếch đại và khuếch đại chính sinh học tơng
tự nh bộ tiền khuếch đại khuếch đại chính EEG (UT-01201). Khối tiền khuếch đại
sinh học sử dụng hai cổng để chốt tín hiệu điều khiển ở đầu ra của bộ tiền khuếch đại
thay cho cổng vào ra đặc biệt của CPU. Khối tiền khuếch đại sinh học đợc điều khiển
bởi hai bộ chốt 8 bít, còn khối khuếch đại EEG đợc điều khiển bởi cổng vào ra của
CPU.
2.7.5.1 Ch mt chiu ( ca b tin khuch i sinh hc)
Khi tín hiệu DC INPUT đợc chọn bởi chuyển mạch lựa chọn tín hiệu đầu vào ở
bộ tiền khuếch đại sinh học, chuyển mạch tơng tự (IC106) làm nhiệm vụ chọn tín hiệu
đầu vào này.
Hình 2.19. Mạch điện chế độ DC
Trong trạng thái bình thờng mỗi một chuyển mạch tơng tự của IC106 đợc đặt ở vị
trí X0, Y0, Z0 để lựa chọn tín hiệu từ hộp đầu vào. Khi chế độ DC INPUT đợc lựa
chọn, những chuyển mạch tơng tự của IC106 bật chuyển sang vị trí X1,Y1, để lựa
chọn tín hiệu từ DC INPUT. INST2 hoạt động khi chuyển mạch Z ở vị trí Z1.
Trang 24
2.7.5.2 Ch ABR (khuch i chớnh sinh hc)

Khi chuyển mạch tơng tự của IC103 đặt ở vị trí X1, tín hiệu đầu vào đa tới từ đầu
nối ABR đợc khuếch đại bởi bộ khuếch đại chính sinh học.
Hình 2.20. Mạch điện chế độ ABR
Trong trạng thái này:
Khi chuyển mạch EXT INPUT-ON/OF trên panel chơng trình đợc chọn ON (chế
độ đầu vào bên ngoài), chuyển mạch tơng tự Y của IC103 bật về vị trí Y1 để lựa chọn
tín hiệu từ bộ tiền khuếch đại sinh học (EXT INPUT).
2.7.6 Tr khỏng in cc
Mạch điện này đo giá trị tuyệt đối của trở kháng tiếp xúc ở mỗi điện cực. Giá trị
tuyệt đối trở kháng tiếp xúc của mỗi điện cực này đợc ghi trên giấy ghi. Độ nhạy của
ghi là *2k/mm và tốc độ giấy trong suốt thời gian đo là ấn định 15mm/s. Việc đo trở
kháng đợc thực hiện bởi hoạt động của các khối sau.
2.7.6.1 Hp ni u vo ( JE- 711A / JE 711AG)
Khi chuyển mạch kiểm tra trở kháng đợc bật để đo trở kháng điện cực, dòng điện
đo đợc có dạng hình sin tần số 10Hz sẽ đợc đa tới từng điện cực. Tín hiệu điện áp
10Hz tạo ra ở mỗi điện cực đợc đa tới bộ lựa chọn đạo trình thông qua bộ khuếch đại
đệm trong hộp nối đầu vào.
Trang 25