bài tập điện tử lời giải chi tiết

Bài tập Chương 3 : Mạch Diod
I. Mạch chỉnh lưu và lọc
3.1. Cho mạch chỉnh lưu 1 bán kỳ có điện thế xoay chiều vi = 40 sin ωt , f = 50
Hz; điện trở tãi RL = 1 k Ω ; diod có VD = 0,7 V khi dẫn.
1. Vẽ dạng sóng 2 đầu tãi.
2. Tính điện thế VLDC và dòng điện trung bình ILDC cuả tãi.
Giãi:

1. Xem lại giáo trình
2. Xem Vp >> VD , nên có thể bõ qua VD .
Tính :
VLDC = Vp / π = 0,318 Vp = 0,318 ( 40 ) = 12,72 V
Và :
ILDC = VLDC / RL = 12,72 / 1k Ω = 12,72 mA.
Chú ý :
Có thể tính ILDC trước rồi tính VLDC sau:
ILDC = Ip / π = Vp / ( π RL) = 0,318 ( 0,04) = 12,72 mA
VLDC = ILDC RL = 12,72 ( 1 k Ω ) = 12,72 V.

3.2 Cho mạch cầu chỉnh lưu toàn kỳ ( 4 diod)
có vi = 150 sin ωt , f = 50 Hz ,RL = 2k Ω

1. Giải thích cách hoạt động của mạch.
2. Tính điện thế trung bình và
dòng điện trung bình của tãi.

D1
vi
150sinwt
50Hz

D4
D2

D3

Giãi:
1. Xem lại giáo trình
2. Điện thế trung bình của tãi:
VLDC = 2 VM / π = 0,636 VM = 0,636 ( 150) = 95,40 V
Dòng điện trung bình qua tãi:
ILDC = VLDC / RL = 95,40 / 2.103 = 47,70 mA.
3.3. Cho mạch chỉnh lưu theo hình vẽ:
1. Trình bày cách hoạt động và vẽ dạng
sóng ngõ ra ( nay đủ chi tiết ).
vi
Vpsinwt
2.Tính điện thế trung bình VLDC và
50Hz
dòng điện trung bình ILDC của tãi khi:
a. Vihd =10V ( VD = 0,7V)
b. Vihd =100V ( xem VD = 0V).
Hướng dẫn:
1. Xem giáo trình
2. a. VLDC = - 4,275V ; ILDC = - 2,138 mA
b. VLDC = - 44,97V; ILDC = - 22,49 mA.

RL
2k

D

+

1

RL
2k


3.4 Cho mạch chỉnh lưu toàn kỳ 2 diod có Vihd = 6V, RL = 10 Ω , VD = 0,7V.

Tính VLDC và ILDC khi mạch lọc có:
1. C = 1000 µ F .
2. C = 2000 µ F
Giãi:
1. Tính với C = 1000uF :

1 
V LDC = ( V p − V D )  1 −
÷ = 6 2 − 0, 7
 4 f R LC 

(

0, 005
) 1 − (10)(1000)(
10

= ( 8, 4 − 0, 7 ) ( 1 − 0,5 ) = 7, 7 ( 0,5 ) = 3,85V

−6


÷=
)

ILDC = VLDC / RL = 3,85 / 10 = 385 mA
2. Tính với C = 2000uF



1 
0, 005
=
V LDC = ( V p − V D )  1 −
÷ = 6 2 − 0, 7 10 −
−6 ÷
4(50)(10)(2000)(10 ) 
 4 f R LC 

= ( 8, 4 − 0, 7 ) ( 1 − 0, 25 ) = 7, 7 ( 0, 75 ) = 5,8V

(

)

ILDC = VLDC / RL = 5,8 / 10 = 580 mA.
3.5. Cho mạch chỉnh lưu toàn kỳ 4 diod ( cầu chỉnh lưu) có Viac = 6 V, f =
50Hz; RL =
30 Ω , tụ lọc C = 1000uF. Tính VLDC, ILDC và Vrp.
Giãi:

1. Tính VLDC:



1 
0, 005
=
V LDC = ( V p − 2V D )  1 −
÷ = 6 2 − 1, 4  1 −
−6 ÷
 4 f R LC 
 (30)(1000)(10 ) 

(

)

= ( 8, 4 − 1, 4 ) ( 1 − 0,166 ) = 7 ( 0,84 ) = 6, 02V ; 6V

ILDC = VLDC / RL = 6 / 30 = 200 mA
2. Tính Vrp :
Vrp = ( Vp – 2VD)( 0,005/ RL C = 7 ( 0,166) = 1, 162 V.
3.6.Cho mạch cầu chỉnh lưu với biến thế hạ thế có tỉ số vòng 14:1 . Điện
thế cấp cho cuộn sơ là vi = 340 sinwt , 50Hz. Tính:
1. Điện thế đỉnh và điện thế hiệu dụng của cuộn thứ.
2. Trò số đỉnh ngược mà diod chỉnh lưu phải chòu đựng .
Giãi:
1. Điện thế cuộn thứ:
1
n2

V ip = V 1 p = 340 = 24, 285V = 24,30V ;
14
n1
2. Tính:
PIV = Vip = 24,30V

V ihd =

V ip 24,3
=
= 17,185V
2 1, 414

2


3.7 Cho mạch chỉnh lưu toàn kỳ 2 diod sử dụng biến thế có điểm giữa có tỉ
số vòng17:1. Tính:
1. Điện thế hiệu dụng của cuộn thứ.
2. Điện thế đónh ngược tác động lên diod khi ngưng dẫn.
Giãi:
1. Điện thế hiệu dụng cuộn thứ cấp:
1
n2
V ihd = V 1 = ( 220 ) = 12,94V
17
n1
2. PIV:
Vop = Vip – VD = 12,94( 2 ) – 0-,7 = 18,30 – 0,7 = 17,6 V
PIV = 2 Vop = 2 ( 17,6) = 35,2 V.

3.8 Cho bộ cấp điện đơn giản ( chỉnh lưu 2 diod và lọc ) có tỉ số vòng biến
thế 18:1; điện thế cấp điện cuộn sơ Vs = 220 V; tụ lọc C = 2000uF, RL = 10
Ω .Tính:
1. Điện thế trung bình và dòng điện trung bình ngõ ra.
2. Điện thế dợn sóng Vrp và hệ số dợn sóng r% của mạch chỉnh
lưu.
Giãi:
1. Điện thế trung bình và dòng điện trung bình:
1
n2
V ihd = V 1 = ( 220 ) = 12, 22V
18
n1
V ip = V ihd 2 = 12, 22 ( 1, 414 ) = 17, 28V
 0, 005 
V LDC = ( V ip − V D )  1 −
÷ = ( 17, 28 − 0, 7 ) ( 1 − 0, 25 ) =
R LC 

12, 435
V
= 16,58 ( 0, 75 ) = 12, 435V ⇒ I LDC = LDC =
= 1, 243 A
10
RL
2. Điện thế dợn sóng:
0, 005
= 16,58 ( 0, 25 ) = 4,145V
V rp = ( V ip − V D )
R LC

V rp
= 2,3934V ; 2, 4V
3
2, 4
r = V rhd =
= 0,145
V LDC 12, 45
hay r% = 14,5%.
Có thể tính trực tiếp từ công thức :
0, 29
% = 14,5%
r% =
R LC
Nhận xét: sinh viên có thể tính như trên với RL lần lượt 20; 50; 100 Ω …;
ta thấy tãi càng lớn ( hay dòng tãi càng lớn , điện trở tãi càng nhõ) thì độ
V rhd =

3


dợn sóng càng lớn và ngược lại dòng tãi càng nhõ ( hay điện trở càng
lớn ) thì độ dợn sóng càng nhõ .
3.9. Cho bộ cấp điện đơn giản ( chỉnh lưu 4 diod và lọc ) có tỉ số vòng biến
thế 10:1; điện thế cấp điện cuộn sơ Vs = 240 V; tụ lọc C = 500uF, RL = 100
Ω .Tính:
1.Điện thế trung bình và dòng điện trung bình ngõ ra.
2.Điện thế dợn sóng Vrp và hệ số dợn sóng r% của mạch chỉnh lưu.
Giãi:
3.
1. Điện thế trung bình và dòng điện trung bình:

1
n2
V ihd = V 1 = ( 240 ) = 24V
10
n1
V ip = V ihd 2 = 24 ( 1, 414 ) = 33,94V
 0, 005 
V LDC = ( V ip − V D )  1 −
÷ = ( 33,94 − 1, 4 ) ( 1 − 0,1) =
R LC 

= 32,54 ( 0,9 ) = 29, 28V
V LDC
= 0, 292 A = 292mA
100
4. Điện thế dợn sóng:
V rp = ( V ip − V D ) 32,54 ( 0,1) = 3, 254V
I LDC =

V rp 3, 25
=
; 1,88V
3 1, 732
1,88
r = V rhd =
= 0, 0645
V LDC 29, 25
hay r% = 6,45%.
Có thể tính trực tiếp từ công thức :
0, 29

% = 6, 45% .
r% =
R LC
V rhd =

3.10. Cho bộ cấp điện đơn giãn như ở bài tập 2.9 nhưng với tụ lọc C =
2000uF và tãi RL = 15 Ω . Tính lại VLDC , ILDC và r%
Đáp số:
VLDC = 27,12V; ILDC = 1,808A
Vrhd = 3,14 ; r% = 9,6 %.
3.11 Tính hệ số dợn sóng của bộ cấp điện có VLDC = 27,9 V và ILDC = 50mA và
tụ lọc C = 100uF.
Đáp số:

4


V LDC 27,9
=
= 558Ω
I LDC 50mA
0, 29
0, 29
r% =
%=
% = 5,19%
558 ( 100uF )
R LC
RL =

3.12 Tính trò số tụ lọc C để có được hệ số dợn sóng không vượt quá 5% cho
mạch chỉnh lưu và lọc toàn kỳ với điện thế và dòng điện của tãi lần lượt
là 5V và 10mA.
Giãi:
Trò số điện trở tãi:
RL = VLDC / ILDC = 5V / 10 mA = 500 Ω
Trò số điện dung :
1
0, 29 0, 29
C=
=
=
= 116 µ F
4 3 f rR L rR L 2500
Chọn C bằng 100 µ F hoặc 150 µ F . C càng lớn hệ số dợn sóng càng
nhõ hơn.
3.13. Thiết kế mạch chỉnh lưu bán kỳ và lọc để có điện thế DC cấp cho tãi
là 50V với hệ số dợn sóng ≤ 1% . Cho biết tãi có trò RL = 3.3k Ω .
Giãi:
Dòng qua tãi:
ILDC = VLDC/RL = 50V / 3.3 k Ω = 15 mA
Điện thế dợn sóng:
Vrhd = r VLDC = 0,01 x 50V = 0,5V
Trò số điện dung của tụ lọc :
C = 0,58 / ( r RL) = 0,58 / (1% x 3,3k Ω ) = 1757 µ F
Chọn C = 2000 µ F
Điện thế AC cuôn thứ cấp cần có :
Vip = Vop + VD ; 50 V
Tỉ số vòng biến thế phải sử dụng:
V s V 1 n1 220

=
= =
= 4, 4
V ip V 2 n 2 50
3.14. Cho biết trò số điện thế đỉnh ngược các diod phải chòu khi ngưng dẫn
trong các mạch sau đây:
1. Chỉnh lưu bán kỳ ( nữa sóng)
2. Chỉnh lưu toàn kỳ 2 diod
3. Chỉnh lưu toàn kỳ 4 diod ( cầu chỉnh lưu )
Đáp số:
1.
PIV = Vip
2.
PIV = 2Vip
5


3.
PIV = Vip
Giải thích:
a. Trong trường hợp 1 và 3 do khi ngưng dẫn , diod chỉnh lưu chỉ bò
tác động ở 2 cực của nó một điện thế bằng điện thế cuộn thứ cấp
biến thế Vip.
b. Trong trường hởp 2 , diod chỉnh lưu phải chòu điện thế của cả 2
cuộn thứ cấp hay bằng 2Vip
II. Mạch ổn áp Zener
3.15. Cho mạch chỉnh lưu toàn kỳ và lọc có điện thế ngõ ra khi không tãi
là VL NL= 16,58V và khi có tãi nay VLFL = 14,5 V. Tính hệ số điều tãi của
bộ cấp điện đơn giản trên..
Giãi :

Ta có hệ số điều thế theo đònh nghóa:
∆V L V LNL − V LFL 16,58 − 14,5
=
=
= 0,1434
SL =
14,5
VL
V LFL
hay :
SL% = 0,1434x100%=14,34%
Nhận xét: Với bộ cấp điên đơn giản thì hệ số điều thế có trò số lớn, và do
đó không phải là bộ cấp điện lý tưởng.Muốn có hệ số điều thế tốt ( thật
nhõ) phải sử dụng thêm các mạch ổn áp.
3.16. Cho mạch ổn áp đơn giản theo hình sau , diod Zener có VZ = 20V, IZK =
5mA, IZM = 200mA. RL = 400 Ω , RS = 100 Ω . Tính:
1. Điện thế ngõ ra ( 2 đầu tãi).
2. Trò số dòng I1 ; IL; IZ .Cho biết diod Zener có hoạt động tốt hay
không?
3. Khi hở tãi diod Zerner có còn hoạt động hay không?
4. Cho biết điện trơ RS phải có công suất bao nhiêu để không bò hư.
Giãi:
Rs
100
1. VODC = VZ = 20V.
V iDC − V Z = 30V − 20V = 100mA
+
+
I1 =
100Ω

VoDC
Rs
VZ
ViDC
20V
30V
20V
2.
V ODC V Z
=
=
= 50mA
IL =
RL
R L 400Ω
I Z = I 1 − I L = 100 − 50 = 50mA
Do : I Zk < I Z < I ZM
nên diod Zener hoạt động tốt.
3. Khi tãi hở IL = 0 A ( hay RL -> ∞ ) , IZ = I1 = 100mA < IZM = 200mA
nên diod Zener vẫn hoạt động tốt.
Ta có thể xét theo trò số công suất như sau:
Công suất của diod Zener lúc này bằng :
6

RL
400


PZ = VZ IZ = VZ I1 = 20V x 100mA= 2000mW = 2W
Còn công suất tối đa của diod Zener bằng:

PZM = VZ IMZ = 20V x 200mA = 4W
Vậy PZ < PZM nên diod Zener vẫn hoạt động tốt.
4. Công suất tiêu tán nhiệt của điện trở giới hạn Rs:
2
2
P RSM = I 1 R S = ( 0,1A ) ( 100Ω ) = 1W
Vậy phải chọn điện trở có công suất làm việc ≥ 2W ( chọn công
suất ít nhất gắp đôi lần công suất lớn nhất của diod tiêu tán trong
mạch).
3.17. Cho mạch ổn áp như ở bài 3.16. nhưng vơí diod Zener có VZ = 20V,
PZM = 10W; tãi RL = 200 Ω , RS = 20 Ω ; ViDC thay đổi từ 24V đến 30V.
Tính :
1. Trò số dòng điện cực đại và cực tiểu tương ứng của diod Zener.
2. Công suất cực đại tương ứng của diod Zener và điện trở Rs..
Giãi:
1. Ta có dòng tãi không đổi bằng:
20V
V L V ODC
=
=
= 0,1A
IL =
200Ω
RL
RL
Khi Vi thay đổi, ta có dòng I1 thay đổi và có :
V i max − V Z = 30V − 20V = 0,5 A
I 1max =
20Ω
Rs

V i min − V Z 24V − 20V
=
= 0, 2 A
I 1min =
20Ω
Rs
Do đó diod Zener có trò thay đổi :
I Z max = I 1max − I L = 0,5 A − 0,1A = 0, 4 A
I Z min = I 1min − I L = 0 A − 0,1A = 0,1A
Dòng cực đại IZM của diod Zener cho bởi:
P ZM = 10W = 0,5 A
I ZM =
20V
VZ
Do IZmax < IZM nên diod Zener hoạt động tốt.
2. Công suất Diod Zener thay đổi:
P Z max = I Z maxV Z = 0, 4 A ( 20V ) = 8W
P Z min = I Z minV Z = 0,1A ( 20V ) = 2W

Do PZmax < PZM nên diod Zener hoạt động tốt.
Công suất tiêu tán nhiệt của điện trở Rs:
2
2
P RS max = I 1max R s = ( 0,5 ) ( 20 ) = 5W
2
P RS min = I 1min R s = ( 0, 2 ) ( 20 ) = 0,8W
Vậy phải chọn điện trở có công suất ≥ 10W .
2

7

3.18 Muốn thiết kế mạch ổn áp đơn giản trong điếu kiện có sẳn nguồn ViDC
= 16V ; Rs = 1k Ω ; diod Zener có VZ = 10V; PZM= 400mW.
1. Cho biết mạch có hoạt động hay không khi sử dụng tãi RL = 1,2k Ω
và khi RL = 3k Ω .
2. Trong điều kiện mạch hoạt động tốt , tính các trò sau : I1 ; IL ; IZ và
PZ .
Giãi:
1. Khi RL = 1,2k Ω và chưa mắc diod Zener vào mạch ta có điện thế trên
tãi :
1, 2
RL
16V = 8, 73V < Vz
V LDC =
V iDC =
1 + 1, 2
Rs + RL
Do đó mạch ổn áp không hoạt động được .
2. Khi RL = 3k Ω và chưa mắc diod Zener vào mạch,điện thế của tãi :
3
RL
16V = 12V > Vz
V LDC =
V iDC =
1+ 3
Rs + RL
Vậy diod Zener hoạt động tốt và khi đó điện thế trên tãi ( hay điện
thế ngõ ra) bằng:
VLDC = VZ = 10V.

3. Khi mạch ổn áp hoạt động ta tính được :
V iDC − V Z = 16V − 10V = 6mA
I1 =
1k Ω
RS
V LDC 10V
=
= 3,33mA
IL =
3k
RL
I Z = I 1 − I L = 6mA − 3,33mA = 2, 67 mA
Ta có:
P ZM = 0, 4W = 40mA
I ZM =
10V
VZ
Do có IZ < IZM nên 1 lần nữa ta thấy diod Zener hoạt động tốt khi chọn
tãi bằng 3k Ω trong các điều kiện như trên.
3.19 Thiết kế mạch ổn áp Zener trong điều kiện sau: Điện thế cấp điện
DC thay đổi trong khoãng 20V – 24V , điện trở tãi thay đổi từ 100 Ω đến
500 Ω , diod Zener có VZ = 10V và rz không đáng kể , dòng IZmin = 14 mA,
IZM = 140mA.
1. Xác đònh trò số RS để mạch luôn hoạt động ( trong 2 trường hợp
xấu nhất).
2. Cho biết trò số các linh kiện phải chọn để ráp mạch.
Giãi:
1. Để mạch ổn áp luôn hoạt động tốt Rs phải thoả điều kiện:
−V Z
V iDC max − V Z

V
≤ R s ≤ iDC min
I Z max + I L min
I Z min + I L max
8


Tính lần lượt:
V Z = 10V = 0,1A
R L max 100Ω
10V
VZ
=
= 0, 02 A
I L max =
R L min 500Ω
thay vào bất đẳng thức trên ta được:
( 24 − 10 ) V
( 20 − 10 ) V
≤ Rs ≤
( 140 + 20 ) mA
( 14 + 100 ) mA
I L min =

87,5Ω ≤ R s ≤ 87, 7Ω
3. Chọn linh kiện : Ta có : PZmax = VZIZ = ( 10V) ( 140mA) = 1,4W và

P Rs max = I

2

1max

 V iDC max −V Z

Rs = 



Rs

2

 = (V
÷R

s

iDC max

−V Z )

Rs

2

2

= 14 = 2, 25W
87

Chọn Rs = 87 Ω - 5W và Diod Zener có VZ = 10V và PZM > 3W
3.20* Thiết kế mạch ổn áp với những điều kiên như ở bài 2.19 nhưng
không cho trước trò số dòng IZ mà chỉ chọn tỉ lệ IZmin = 0,1 IZmax . Tính
trò IZmax và RS để mạch ổn áp hoạt đông tốt trong 2 trường hợp xấu nhất
nêu trên.
Giãi :
Ở bài tập trên ta có bất đẳng thức tính Rs , nhưng giờ vì không biết
trò số IZmin và IZmax nên ta phải tính trước IZmax bằng cách thay IZmin = 0,1 IZmax
vào và suy ra:
I L max (V iDC max −V Z ) − I L min (V iDC min −V Z ) =
I Z max = (
V iDC min −V Z ) −0,1I Z max (V iDC max −V Z )
−
−
(
)− (
)
= I L max V iDC max− V Z I−L min V iDC min V Z =
V iDC min 0,9V Z 0,1V iDC max
100 ( 24 − 10 ) − 20 ( 20 − 10 )
=
= 140mA
29 − 0,9 ( 10 ) − 0,1( 24 )

Biết IZmax suy ra IZmin = 14mA , ta thay vào bất đẳng thức trên để tính Rs như
ở bài tập 2.19.
3.21.Cho mạch ổn áp sử dụng diod Zener 1N 5240 có VZ = 10V, rz = 10 Ω ,
ViDC = 20V ± 2V , Rs = 100 Ω , RL = 200 Ω .
1. Tính sự thay đổi ở điện thế ngõ ra
2. Tính hệ số điếu thế Sv.

Giãi:
1. Sự thay đổi điện thế ngõ ra:

9


∆V i = ±2V
rz
= 10 ( ±2V ) = 0,18V
∆V o =
∆
V
i
10 + 100
r z + Rs
2. Hệ số điều thế:
∆V o 0,18
=
= 0.09
SV =
2
∆V i
hoặc tính từ :
10
∆V o
= rz =
= 0, 0909 = 0,91
SV =
∆V i r z + R s 10 + 100
3.22*.Thiết kê mạch ổn áp đơn giản dùng diod Zener có Vz = 5V, rz = 10

Ω , PZmzx = 400mW. Điện thế cung cấp Vi = 11V ± 2V .
1. Tính trò số RS ( có sai số 10%) và điện thế ngõ ra cực đại và cực tiểu
( khi không tãi).
2. Tính hệ số ổn đònh (điều thế ) và tổng trở ra của mạch.
3. Cho biết điện trở tãi nhỏ nhất mà mạch ổn áp vẫn hoạt động tốt.
Giãi:
1. Ta có:
Dòng điện cực Zener cực đại :
IZM = PZM / VZ = 0,4W/ 5V = 50mA
Khi không có tãi ( IL = 0) thì IZmax = I1max, ta phải chọn Rs min để có
được dòng I1max này:
−
− V z ( 13 − 5 ) V
V
I 1 max ≥ V iDC max+ V z ⇒ R s min + r z ≥ iDC max
=
= 100Ω
R s min r z
80mA
I z max
⇒ R s min = 100 − 10 = 90Ω
Trong thưcï tế ta chọn Rs =100 Ω ( chỉ phạm sai số 10%).
Công suất tiêu tán nhiệt của Rs :
2
2
P RS = I 1max R s = 0, 08 (10) = 0, 64W
 Chọn Rs = 100 Ω -1W
Khi không có tãi, IZ = I1, nên ta có:
V iDC max − V Z = ( 11 + 2 ) V − 5V = 80mA
I Z max = I 1max =

100Ω
Rs
V iDC min − V Z = ( 11 − 2 ) V − 5V = 40mA
I Z min = I 1min =
100Ω
Rs
∆ I Z = I Z max − I Z min = 80 − 40 = 40mA

V o max = V o + ∆V o = V o + r z∆ I Z = 5V + 10Ω ( 40mA ) = 5, 4V
hay :
Vo = 5V ± ∆V 0 = 5V ± 0,2V
2. Hệ số ổn đinh thế ( Hệ số điều thế):

10


∆V o 0, 4
=
= 10 hay Sv% = 10%
4
∆V i
hoặc hệ số điều thế khi có tãi không đổi:
r z = 10 = 0, 0909 = 0, 091
SV =
hay 9,1%
r z + R s 10 + 100
Tổng trở ra :
R o = r z R s = 10 100 = 9,1Ω
SV =

3. Ta biết diod Zener sẽ không hoạt động khi IZ = IZK ( giả sử cho IZK
= 0) và khi đó I1 = I Lmax ( ứng với RLmin) và khi đó Vo = Vz . Vậy ta
có:
Vo
VL
=
I L max =
R L min R L min
V iDC −V
I1 = R z =
s
−
 Vz

VL
⇒
= V iDC V z ⇒ R L min = 
÷R s
R
s
R L min
 V iDC − V Z 

trở 10%).

trong điều kiện xấu nhất ta có với Rsmax và ViDC min, suy ra:


 5 
Vz

R L min ≥ 
÷R s = 
÷100 = 125Ω
 9−5
 V iDC min − V Z 
Tuy nhiên để bảo đảm phải chọn Rs > 125+12,5= 137,5 Ω (sai số điện

3.23. Xét bộ ổn áp giao hốn giảm - tăng thế có trị số lần lượt sau: Vi = 24 V, D
= 0,4,
R = 5 Ω và tần số giao hốn f = 20 kHz. L = 400 µ H , C = 400 µ F . Cho biết
dòng trung bình là 100A.Giả sử các linh kiện là lý tưởng. Tính:
1 Điện thế ngõ ra Vo
2. Trị số dòng điện cuộn cảm
3. Độ dợn sóng ngõ ra
Giải:
1. Điện thế ngõ ra:
D
 04 
= −
÷ = −16V
1− D
 1 − 0, 4 
2. Dòng điện cuộn cảm:
V o = −V i

11


2
Vo

V iD
=
= 5,33A
IL =
2
V iRD R ( 1 − D )

I max = I L +

∆i L
V iD
V DT
=
+ i
= 7, 73 A
2
2
2L
R ( 1− D)

∆i L
V iD
V DT
=
− i
= 2,93 A
2
2
2L
R ( 1− D)

3. Độ dợn sóng ngõ ra:
I min = I L −

D
0, 4
∆V o
∆V o
=
=
= 0, 01 ⇔
% = 1%
−6
3
RCf 5 ( 400x10 ) ( 20x10 )
Vo
Vo
3.24. Thiết kế bộ ổn áp giao hoán tăng thế với dòng cảm liên tục có trị số lần
lượt sau: Vi = 12 V , Vo = 30 V, R = 50 Ω và tần số giao hoán f = 25 kHz, độ
dợn sóng không quá 1% Giả sử các linh kiện là lý tưởng. Cho biết các trị số
phải chọn:
1. Hệ số định dạng.
2 Lmin
3. Trị cực đại và cực tiểu của dòng điện qua cuộn cảm L = 1,5 mH
4. Trị số điện dung C
Giải:
Ta lần lượt tính được:
1. Hệ số D:
Vi
Vo =
1− D

12
V
D = 1− i = 1−
= 0, 6
30
Vo
2. Trị Lmin:
D ( 1 − D ) R ( 0, 6 ) ( 1 − 0, 6 ) ( 50 )
=
= 96x10−6 H = 96µ H
L min =
3
2f
2 ( 25x10 )
2

2

để bảo đảm có dòng cảm liên tục ta chọn L có trị lớn hơn Lmin:
L = 120 µ H
3. Dòng điện qua cuộn cảm:
IL =

12V
Vo =
Vi
=
= 1,5A
2
R ( 1 − D ) R ( 1 − 0, 6 ) 2 ( 50Ω )

12 ( 0, 6 )
∆i L V i
=
DT =
= 1, 2 A
2
2L
2 ( 120x10−6 ) ( 25.000 )

12


∆i L = 1,5 + 1, 2 = 2, 7A
2
∆i L = 1,5 − 1, 2 = 0,3A
I L min = I L −
2
I L max = I L +

4. Trị số C:
C>

D

=

0, 6
= 48µ F
( 50 ) ( 25x103 ) ( 0, 01)



R  ∆V o ÷ f 2
 ∆V i 
Và tụ phải có điện thế làm việc WV = 2(Vo) = 2x30 = 60 V
Cuộn cảm chịu dòng cực đại > 1,5 A.
3.25. Xét bộ ổn áp giao hoán (chuyển mạch) hạ thế có trị số lần lượt sau: Vi =
50 V , D = 0,4, L = 400 µ H , C = 100 µ F , R = 20 Ω và tần số giao hoán f = 20
kHz. Giả sử các linh kiện là lý tưởng. Tính:
1. Điện thế ra Vo.
2. Trị cực đại và cực tiểu của dòng điện qua cuộn cảm L.
3. Điện thế dợn sóng ngõ ra.
4. Công suất vào, ra và hiệu suất.
Giải:
1. Giả sử dòng điện qua cuộn cảm là liên tục, điện thế ngõ ra cho:
V o = DV i = 0, 4 ( 50 ) = 20 V
2. Dòng điện cuộn cảm:
1

 1 1− D 
1 − 0, 4

 = 1 + 0, 75 = 1.75A
=
+
=
20
+
I L max V o 

÷
−6
3
 20 2 ( 400x10 ) ( 20x10 ) 
 R 2 Lf 
1

 1 1− D 
1 − 0, 4
 = 1 − 0, 75 = 0.25A
I L min = V o  −
÷ = 20  −
−6
3
 20 2 ( 400x10 ) ( 20x10 ) 
 R 2 Lf 
+
1, 75 + 0, 25
= I L max I L min =
= 1, 0A
2
2
∆i L I L max − I L min = 1, 75 − 0, 27 = 1,5A
Dòng trung bình :
 I L max + I L min 
I tb = 
÷D = 1( 0, 4 ) = 0, 4A
2



3. Độ dợn sóng ngõ ra:
1− D
1 − 0, 4
∆V o
=
=
= 0, 00469
2
2
V o 8 LC f
8 ( 400x10−6 ) ( 100x10−6 ) ( 20x103 )

I

Ltb

∆V o
% = 0, 469%
Vo
13


4. Công suất và hiệu suất:
2
V o = ( 20 ) = 20W
=
Po
R
20
P i = V i I i = 50 ( 0, 4 ) = 20W

20
η = Po =
=1
P i 20
η % = 100%
2

BÀI TẬP CHƯƠNG 7 MẠCH KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU LỚN
7.1. Hãy xác định điện thế vO hai đầu nguồn dòng phụ thuộc ở H. 7.1 khi
K
i = f ( v) = 2
v
R

Giải:
Ta lần lượt có:

+
Vs

vo
-

vO = VS − v

i =f(V)

K
v = Ri = R  2 ÷
v 

3
v = RK
v = 3 RK = ( RK )
vO = VS − ( RK )

+

-

Hình 7.1
13

13

7.2 Tính điện trở RON của MOSFET, hoạt động ở ranh giới vùng triod và vùng
bảo hoa khi vGS = 5 V,. Cho biết MOSFET có: VTH = 1 V, K = 1mA/V2. và dòng
thoát cho bởi:
K
2
iDS = ( vGS − VTH )
2
Giải:
Giả sử MOSFET được đặc trưng bởi mô hình SR trong vùng triod, cho:

14


RON =

vDS

iDS

vDS =
RON =

vGS − VTH

=

2
K ( vGS − VTH )

K
2
( vGS − VTH )
2
2
= −3
Ω = 500Ω
10 ( 5 − 1)

7.3. Cho mạch khuếch đại MOSFET ở H.7.3. Giả sử mạch hoạt động theo qui
tắc bảo hoà. MOSFET có điện thế ngưỡng VTH = 0, nói cách khác, trong vùng bảo
hoà MOSFET được đặc trưng bởi:
K 2
iDS = vGS
2
Các câu hỏi sau đây liên quan tới việc phân tích tín hiệu lớn của mạch khuếch đại:
1. Suy ra biểu thức liên hệ giữa điện thế
ngõ ra và điện thế ngõ vào.

2. Xác định dải hiệu lực điện thế ngõ vào,
dải điện thế ngõ ra vO, dải dòng điện ra iO,
Vs
MOSFET hoạt động trong vùng bảo hoà.
3. Giả sử cho khuếch đại một điện thế AC
RL
ngõ vào vI, và điện thế DC offset bằng
không. Cho biết tín hiệu vI có trị số đương
vo
và âm đu đưa (swing) vậy phải chọn điểm
hoạt động sao cho mạch khuếch đại có
+
dải điện thế đỉnh – đỉnh cực đại của vI.
vi
iDS
Suy ra điểm hoạt động ngõ ra vO và iDS
tương ứng?
Giải:
1. Ta có:

Hình 7.3
K 2 
vO = VS − iDS RL = VS − RL  vGS
÷
2


K 
= VS − RL  vI2 ÷,
2 

2. Dải động :

( vI

= vGS )

15


K 2
vI RL = vI − VTH = vI
2

vO = VS −

K 2
vI RL + vI − VS = 0
2
−1 + 1 + 2 KRLVS
vI =
KRL
Dải động ngõvào :
0 → vI =

−1 + 1 + 2 KRLVS
KRL

Dải động ngõ ra :
vO = vI − VTH = vI
VS → vI =

−1 + 1 + 2 KRLVS
KRL

Dải động dòng điên thoát :

iDS

K
K  1 + 1 + 2 KRLVS
= vI2 = 
2
2 
KRL
=

2


÷
÷


1 + ( 1 + 2 KRLVS ) − 1 + 2 KRLVS
KRL2

0 ≤ iDS ≤

1 + ( 1 + 2 KRLVS ) − 1 + 2 KRLVS
KRL2

3. Tính được điểm hoạt động :
1 + 2 KRLVS − 1
2 KRL

VI =
VO =

3KRLVS − 1 + 1 + 2 KRLVS
4 KRL

I DS =

1 + KRLVS − 1 + 2 KRLVS
4 KRL2

Chứng minh lời giải câu 3 bài tập 7.3:
•

Điện thế phân cực:
16


VI =

1 + 2 KRLVS − 1
vI + 0
=
2
2 KRL

2

KRL 2
KRL  1 + 2 KRLVS − 1 
VO = VS −
VI = VS −

÷
÷
2
2 
2 KRL

KRL
1
= VS −
1 + ( 1 + 2 KRLV ) S − 2 1 + 2 KRLVS
2 4 K 2 RL2

(

•

=

8 KRLVS − 2 − 2 KRLVS + 2 1 + 2 KRLVS
8 KRL

=

3KRLVS − 1 + 1 + 2 KRLVS
4 KRL

)

Dòng phân cực:

ID =

K
K
2
2
( VGS − VTH ) = ( VI )
2
2

K  −1 + 1 + 2 KRLVS
= 
2 
2 KRL
=
=

(

2


÷

÷


1 + 1 + 2 KRLVS ) − 2 1 + 2 KRLVS

)

8KRL2
1 + KRLVS − 1 + 2 KRLVS
4 KRL2

7.4. Xét mạch « theo nguồn » hay « buffer » ở H. 7. 4 . Dùng MOSFET mô hình
SCS( với thông số K và VTH) để hoàn thành phân tích tín hiệu lớn của mạch theo
các bước sau:
1. Giả sử MOSFET hoạt động trong vùng bảo hoà, chứng tỏ vO liên hệ với vI
theo hệ thức:

vO = 


( 2 / RK ) + 4 ( vI − VTH ) −
2

2 / RK 



2

17

2. Xác định dải của vI trên đó giả sử MOSFET giử vững hoạt động bảo hoà.
Cho biết dải vO tương ứng.
vo
Vs

iD
+

+

vI

10V
-

vi
R

vII

+
vO

1k

-

H 7.4

Đáp số:
2. VTH ≤ vI ≤ VS + VTH
1. Xem chứng minh ở sau:
Ta có:
vo = Rid = R

K
RK
2
2
( vGS − VTH ) = ( vi − vo − VTH )
2
2

2vo
2
= ( vi `−vo − VTH )
RK
2vo
2
= ( vi − VTH ) + vo2 − 2 ( vi − VTH ) vo
RK
2 
2

vo2 −  2 ( vi − VTH ) +
vo + ( vi − VTH ) = 0

RK 


2

2 
2 
2


2
v
−
V
+
−
2
v
−
V
+
−
4
v
−
V
(
)
(
)
(
)

i
TH
i
TH
i
TH


RK 
RK 
vo =
2
2

2

2 
1 
2
2

 2 
2
v
−
V
+
−
4
v

−
V
+
+
8
v
−
V
(
)
(
)
(
)

 − 4 ( vi − VTH )
i
TH

÷
i
TH
 i TH

RK 
RK 
 RK 

=
2

 2  2
2 


÷ + 4 ( vi − VTH )
RK 
 RK 
2
Hoặc có thể viết dưới dạng:

2 

 2 ( vi − VTH ) + RK  −

2

18


 2
2 
+ 4 ( vi − VTH ) −


RK 
vo =  RK
2






2

7.5. Xét mạch khuếch đại cực cổng chung theo h.7.5 . Giả sử MOSFET hoạt
động theo qui tắc bảo hoà.
S
D
1. Vẽ mạch tương đưong SCS bằng cách
thay MOSFET bằng mô hình SCS của nó.
iD
+ vI
2. Xác định vO và iD theo vI, RD, VS và
thông số K,và VTH của MOSFET.
G
RD
4. Xác định dải trị số của vI để MOSFET
hoạt động ở qui tắc bảo hoà. Cho biết
dải tương ứng của vO.
Vs

Đáp số:

Vs

1. Mạch tương đương (hình 7.5.b)

Hình 7.5
S

iD

2.
K
2
( VS − vI − VTH ) ,
2
KRD
2
vO = VS −
( VS − vI − VTH )
2

iD =

3.

+

G

vI

D
iD

vO
vds
D

-

−VTH ≤ vO ≤ VS
Hình 7.5b

19


BÀI TẬP CH 8 KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU NHỎ FET

8.1 Cho mạch khuếch đại ở h. 8.1 . MOSFET hoạt động trong vùng bảo hoà và
được đặc trưng bởi VTH và K. Điện thế vào vI là tổng của
điện thế phân cực VI và vi = Asinwt. Giả sử A
Vs
rất nhỏ so với VI. Đặt điện thế ra vO gồm
điện thế phân cực (DC) VO và đáp ứng
RL
tín hiệu nhỏ vo.
+
1. Xác đònh điện thế điểm hoạt động ngõ ra VO
vO
của điện thế phân cực ngõ vào VI.
2. Tính độ lợi tín hiệu nhỏ của mạch khuếch đại.
+
vi
3. Vẽ dạng sóng của tín hiệu vào và tín hiệu ra
=Asinwt như hàm số thời gian , chỉ ra rõ ràng thành
+
phần DC và thành phần tín hiệu nhỏthay đổi

Vs
theo thời gian.
Giải:
1.

Hình 8.1
K ( VI − VTH ) RL
2
2

VO = VS −
2.

Độ lợi thế:
dvO
= − KRL ( VI − VTH ) = − g m RL
dvI vI = VI

8.2 Khai triển mô hình tín hiễu nhỏ của linh kiện hai cực tạo nên giữa cực thoát
và cực nguồn của MOSFET với moat nguồn 2 V nối giữa cực cổng và thoát ( VGS
= 2 V) . Giả sử MOSFET hoạt động theo qui tắc bảo hoà. Giả sử MOSFET có
VTH = 1 V.
Giải:
Ta có:

20


K ( VGS − VTH )
K ( 2 − 1)

iDS =
=
2
2
K
=
2
2

2

8.3 Xét mạch khuếch đại MOSFET hoạt động theo nguyên tắc bảo hoà và có
thông số VTH và K.
Vs
1. Cho biết dãi điện thế vào hiệu lực vả
điện thế ra tương ứng của mạch khuếch đại.
2. Giả sử muốn sử dụng điện thế vào mạch
RL
khuếch đại có dạng Asinwt, hãy xác đònh
điểm phân cực ngõ vào VI để mạch khuếch
đại cho điện thế vào đu đưa cực đại dưới
iDS
+
nguyên tắc bảo hoà. Cho biết điện thế
vi
phân cực ngõ ra VO tương ứng.
3. Cho biết trò số lớn nhất của A cho phép
hoạt động vùng bảo hoà của điểm phân
cực xác đònh ở câu 2.
4. Tính độ lợi tín hiệu nhỏ của mạch khuếch đại với điểm phân cực xác đònh ở

câu 2.
5. Giả sử A rất nhỏ so với VI. Viết biểu thức điện thế ra tín hiệu nhỏ so với
điểm điều hành xác đònh ở câu 2.
Giải:
1. Dải hiệu lực của điện thế vào và điện thế ra
2
KRL
vI − VTH ≤ VS −
( vI − VTH )
2
1 + 2 KRLVS − 1
≤ vO ≤ VS
KRI
2. Điện thế phân cực
VI = VTH +
VO =

1 + 2 KRLVS − 1
2 KRL

3KRLVS + 1 + 2 KRLVS − 1
4 KRL

3. Trò số A lớn nhất: Amax = vI - VTH từ câu 2 cho:
1 + 2 KRLVS − 1
2 KRL
4. Độ lợi đi ện thế:

21

vo


5.Trò vo :

 1 + 2 KRLVS − 1 
Av = − g m RL = − K ( VI − VTH ) RL = − K 
÷RL

÷
2
KR
L


1 − 1 + 2 KRLVS
=
2
A
vo = Av vi  vo = AvAsinwt  vo = 1 − 1 + 2 KRLVS sin ωt
2

(

)

8.4. Bài tập này nhằm khảo sát sư phân tích tín hiệu nhỏ của mạch khuếch đại
MOSFET đã thảo luận trước đây ( Hình sau ) .
1. Xét sự phân cực của mạch khuếch
Vs

đại. Tính VI , thành phần phân
Vs
R
cực của vI sao cho vo được phân
R
cực từ VO trong đó 0 < VO < VS.
Tính VMID thành phần phân cực
+
Của vMID trong tiến trình.
Vo
2. Giờ gọi vI = VI + vi trong đó vi
+
+
được xem như sự nhiễu loạn của
VMID
VIN
vI chung quanh VI. Thay thế vI
và làm tuyến tính biểu thức cuối
của vO dưới dạng vO = VO + vo
trong đó có dạng vo = Gvi. Lưu ý
vo là điện thế ra tín hiệu nhỏ và G là độ lợi tín hiệu nhỏ. Suy ra biểu thức G.
3. Tính trò số VI khi vO được phân cực VO = VS / 2 ? Với trò số của VI , tính Gm
bằng
cách tính theo các trò số sau VS= 15V, R = 15 k Ω , K = 2mA/V2, VTH
= 1V.
Đáp số:
1.
VMID =
VI =

2 ( VS − VO )
+ vTH
KR
2 ( VS − VMID )
+ vTH
KR

2.
3.

2
Gm = K 2 R 2 VS − 0,5 KR ( VI − vTH ) − vTH  ( VI − vTH )



136
VGS = 0,63V – Vpo = 0,63 – 2 = - 1,37V
1. Tính dòng thoát:
22





2

I D = I DSS  1−

(

V GS
V GSOFF

=
÷


−1,37V
= 1, 65mA 1 −
−2V
3,Tính hệ số truyền dẫn :

)

2


V GS  −2 I DSS
g m = g mo  1 −
÷=
 V GSOFF  V GSOFF
=−

2 ( 1, 65mA )  −1,37V
1 −
−2V
−2V


= 1, 65 ( 1 − 0, 685 ) = 0,15mA

2


V GS 
1 −
÷=
 V GSOFF 

÷ = 1, 65mA / V ( 1 − 0, 685 ) = 1, 65mA / V ( 0,315 ) = 0,52mA / V


hay : gm = 0,52 mS

8.5. Cho mạch khuếch đại JFET 2N5458 ( H.bên)
JFET có các thông số : IDSS = 2mA – 9mA
gm = gfs = 1500 – 5000 µ S và dòng ró cực
cỗng IGSS = 1nA.
1. Tính độ lợi điện thế Av trong 3 giới hạn
Của IDSS ở trên.
Giải:

VDD
+20V
RD 2k Co
Ci
G
Vi

Q

+

VDS
VGS +
RG
100M

Vo

Độ lợi thế:
Với: gm = 1500 µ S = 1,5mS  Av = - gm RD = 1,5mS ( 2k Ω ) = - 3
gm = 5500 µ S = 5,5mS  Av = - gm RD = 5,5mS ( 2k Ω ) = - 11
8.6. Cho mạch khuếch đại JFET kênh n ( h.3) .
JFET có IDSS = 4mA; Vpo = 5V,
rds = 10k Ω
1. Vẽ mạch tương đương .
2. Tính độ lợi thế Av và tổng trở ra Zo.
Giải:

8
( 1 − 0,5) = 0,8mA / V
5
'
AV = − g m Z L = −0,8mA / V ( r d R D ) k Ω = −0,8 ( 10 3,9 )
=

RD
3,9k
Ci
G

RG 1M

Q

Co
+

Vo

VDS
VGS +
+

1. Vẽ mạch tương đương ac ( xem lại giáo trình).Vi
2. Tính Av và Zo:
 V  2 ( 4)
2I
 −2,5 
mA / V  1 −
g m = − DSS 1 − GS ÷ =
÷=
5
−5 
V po  V po 


VDD
+12V

RS

CS

Hình 3

= −0,8 ( 3, 45 ) = −2, 76

'
Z o = r d = 10k Ω ⇒ Z o = r d R D = 10 3,9 = 3, 45k Ω

8.7. Cho mạch khuếch đại JFET ráp CS như ở bài 8.6. JFET có : Vpo = 2V, IDSS =
1,65mA; phân cực tại VGS = - 0,62V; VDD = 24V. Tính :
1. Trò số dòng thoát ID.

23


2. Tính trò số RS.
3. RD có trò bao nhiêu để có được Av = - 10 .
Giải:

1 . ID = 0,8mA 2. RS = 800 Ω
3.. gm = 1,14 mS
4. RD = 8,77k Ω

8.8 Cho mạch khuếch đại JFET ráp CS như ở h.3 nhưng với các trò số sau:
VDD = + 22V; RG = 1M Ω ; RD = 2,7k Ω ; RS = 500 Ω ; các tụ liên lạc và tụ phân dòng
có trò số lớn xem như nối tắt ở chế độ ac. JFET có IDSS = 10mA; VGSOFF = -Vpo =
-4V.

VGS = - 1,7 V. Tính gm và Av.
Giải:

Tính gm và độ lợi thế Av :
 V  2 ( 10 )
2I
 −1, 7 
mA / V 1 −
g m = − DSS 1 − GS ÷ =
÷=
4
−4 

V po  V po 
= 5mA / V ( 1 − 0, 425 ) = 5 ( 0,575 ) mA / V = 2, 785mA / V
'
AV = − g m Z L = −2, 785mA / V ( 2, 7 ) k Ω = −7, 76

8.9. Cho mạch khuếch đại CS JFET tự phân cực như h.3 nhưng với VCC = +22V;
RG =
Ω
1M ; RD = 3,6k Ω ; RS = 0,75k Ω . JFET có: IDSS = 12mA; VGSOFF = -Vpo = -4V, VGS =
-2,1V Tính: Độ lợi thế Av, suy ra trò điện thế ra Vo khi tín hiệu vào Vi = 120mV
Giải:

Tính Av:

 V GS  2 ( 12 )
mA / V
1 −

÷=
4
 V po 
= 6mA / V ( 0, 475 ) = 2,85mA / V

2I
g m = − DSS
V po

 −2,1 
1 −
÷=
−4 


AV = − g m Z L = −2,85mA / V ( 3, 6 ) k Ω = −10, 26
Vo = Av Vi = (-10,26) ( 120mV ) = - 1,23V (hd)
8.10 Làm lại bài tập 8.9 với các trò số sau: VDD = 20V; RD = 2,4k Ω ; RS = 680 Ω ; RG
= 3,3M Ω . JFET có : IDSS = 10 mA ; VGSOFF = -Vpo = - 4V VGS = - 1.9 V
Đáp số :

Tính Av :
gm = 2,6mS
Av = - 6,3

RD
1,5k
Ci
G
Vi

RG 1M
VGG
-1V

+

8.11. Cho mạch khuếch đại JFET như hình sau .
JFET có : IDSS = 10 mA ; IGSS =0 A.
VGSOFF = -Vpo = - 4V; Vi = 20mV
1. Vẽ mạch điện tương đương.
2. Tính Av và điện thế ra Vo,

VDD
+15V

Q

VGS
+

Co
+
VDS
-

Vo

24

Đáp số :

Tính trò Q.
VGG = VGS + RGIGSS = VGS
VGS = VGG = - 1V
1. Mạch điện tương đương ac ( h.6):
G

C

+

+

id

RG
vi
1M
20mV

vgs

-

gmvgs

RD
1,5k

id
vo
-

S

Hình 6
2. Tính Av:
 V  2 ( 10 )
2I
−1 

mA / V 1 −
g m = − DSS 1 − GS ÷=
÷5mA / V ( 0, 75 ) = 3, 75mA / V
4
 −4 
V po  V po 
AV = −g m Z L = −3, 75mA / V ( 1,5 ) k Ω = −5, 6

Vo = Av Vi = -5,6 ( 20mV) = - 112mV = 0,112V

VDD
+24V
R1
5,6M
Ci

RD
2,7k

G

Vi
R2
1M

Q

VGS
+

RS
2,7k

Co
+

Vo

VDS
-

+

8.12 Cho mạch khuếch đại CS (h.7) .
JFET được phân cực có IDQ = 2,5mA,
gm = 3mS ; rd = 100k Ω . Tính :
1. Trò VGSQ, VDSQ.
2. Vẽ mạch điện tương đương
3. Trò Av, Zi , Zo

4. Tính lại Av khi mạch có tãi riêng
RL = 10k Ω , và RS = 100k Ω
Giải:

CS
20uF

1. Tính VGSQ, VDSQ
1
R2
24V = 4V
VG =
V DD =
5, 6 + 1
R1 + R 2
VS = RSID = 2,7k Ω (2,5mA) = 6,75V
H.7
VGSQ = VG – VS = 4V – 6,75V = - 2,75V
VDSQ = VDD – ( RD + RS ) ID = 24V – ( 2,7+2,7)k Ω (2,5mA) =
= 24V – 13,5V = 10,5V
2. Mạch tương đương
R G = R1 R 2 = 5, 6 M Ω 1 M Ω = 848k Ω
25