đề cương môn kỹ thuật điện tử 1 có đáp an

Kỹ thuật điện tử
Câu 1 : Nêu nhiệm vụ , vẽ sơ đồ khối và giải thích nguyên lí hoạt động theo sơ
đồ khối của hệ thống đo lường và tự động điều chỉnh , điều khiển .
Hệ thống đo lường và tự động điều chỉnh, điều khiển có nhiệm vụ tự động theo dõi, khống chế
một hoặc vài thông số nào đó của một quá trình sao cho các thông số này phải nằm trong một giới
hạn cho phép đã định trước, tức là:
Giám sát đối tượng và;

-

Tự động ổn định thông số trong một giải đã định.
a. Sơ đồ khối.
Sơ đồ khối của một hệ thống nói chung được mô tả trong hình 1.4 bao gồm các khối:

-

Đối tượng điều chỉnh là thông số có thể mang tính chất điện như điện áp, dòng điện,
công suất hoặc không điện như nhiệt độ, áp suất, tốc độ ...
Khối biến đổi có nhiệm vụ biến đổi những thông số không điện về điện áp tỷ lệ với nó.
Đối với các thông số mang tính chất điện thì không cần bộ biến đổi này.

-

Khối hiển thị giá trị có chức năng hiển thị giá trị của thông số cần điều chỉnh để người vận
hành có thể giám sát sự hoạt động của hệ thống.
Khối tạo điện áp chuẩn tạo ra giá trị điện áp một chiều ổn định Uch: gọi là giá trị chuẩn.

-

Khối so sánh có nhiệm vụ so sánh giá trị cần điều chỉnh với giá trị chuẩn tạo ra điện áp sai
lệch là ΔU = Ux - Uch.

-

Khối khuếch đại sai lệch khuếch đại giá trị điện áp sai lệch lên đủ lớn để có thể điều khiển
được phần tử thực hiện.

-

Phần tử thực hiện có chức năng làm thay đổi giá trị của thông số cần điều chỉnh. Khi giá
trị này vượt quá giải cho phép tức là ΔU mang dấu dương (+) thì phần tử thực hiện sẽ thực hiện làm
giảm giá trị của thông số, ngược lại thì ΔU mang dấu âm (-) và phần tử thực hiện sẽ làm tăng giá trị
của thông số cần điều chỉnh.

Hình 1.4 Sơ đồ khối của hệ thống đo lường và tự động điều chỉnh, điều khiển


b. Nguyên lý hoạt động.
Với hệ thống đo lường: là một hệ thống hở, đối tượng (tham số) cần đo được biến đổi về giá trị
điện thích hợp (thông thường là điện áp một chiều) tỷ lệ với tham số cần đo. Giá trị này được gia
công biến đổi để phù hợp với thiết bị hiển thị kết quả đo được bằng các cơ cấu đo hay hiển thị số.
Với hệ thống tự động điều chỉnh/điều khiển: là một hệ thống kín, đối tượng cần điều
chỉnh/điều khiển được biến đổi về giá trị điện thích hợp (thông thường là điện áp một chiều U x) tỉ lệ
với đối tượng. Điện áp này được so sánh với điện áp chuẩn (U ch) do bộ tạo chuẩn tạo ra để được sự
sai lệch là ΔU = U x - Uch.. Sự sai lệch này sẽ được khuếch đại lên đủ lớn tác động vào phần tử thực
hiện. Phần tử thực hiện trực tiếp tác động vào đối tượng theo nguyên tắc của một vòng phản hồi âm
khép kín để tự động giữ (điều khiển) cho đối tượng có giá trị nằm trong một giải cho phép định
trước.

Câu 2 : Nêu khái niệm về chất bán dẫn , chất bán dẫn thuần , cấu trúc mạng
tinh thể và tính chất dẫn điện của chất bán dẫn thuần .

Mức chênh lệch năng lượng giữa vùng dẫn và vùng hoá trị được gọi là mức năng lượng liên kết,
có ký hiệu là Eg với đơn vị tính là electron-Volt (eV). Tuỳ theo giá trị của E g mà người ta chia chất rắn
tinh thể ra làm 3 loại theo tính dẫn điện như sau:
+

Chất cách điện: Eg > 2eV.

+

Chất bán dẫn thường: 0 < Eg ≤ 2eV.

+

Chất dẫn điện: Eg ≤ 0eV.

Chất bán dẫn là chất có độ dẫn điện ở mức trung gian giữa chất dẫn điện và chất cách điện .

Chất bán dẫn thuần là chất bán dẫn tinh khiết không lẫn các tạp chất khác. Hai chất bán dẫn điển hình
đặc trưng là silic (Si) và Gecmani (Ge) có mức năng lượng liên kết là 1,12eV với silic và 0,72eV với
gecmani đều nằm trong nhóm 4 bảng tuần hoàn Men-đê-lê-ep.

Hình 2.3 Cấu trúc mạng tinh thể của chất bán dẫn thuần Ge/Si
-

Ở nhiệt độ 00K (-2700C) các mối liên kết này là bền vững nên không có điện tử tự do tách ra khỏi quỹ
đạo chuyển động nên chất bán dẫn thuần là chất cách điện.


-

Khi được kích thích một nguồn năng lượng ngoài sẽ xảy ra hiện tượng nhảy mức năng
lượng từ vùng hóa trị lên vùng dẫn. Tức là các điện tử ở vòng ngoài có thể tách ra khỏi quỹ đạo
chuyển động của nó tạo thành cặp hạt dẫn:
Như vậy để chất bán dẫn thuần có khả năng dẫn điện thì phải kích thích một năng lượng ngoài
lớn hơn mức năng lượng liên kết: EKT > Eg.

Câu 3 : giải thích sự hình thành bán dẫn tạp loai N và nêu các đặc tính dẫn
điện của chất bán dẫn tạp loại N

Khi pha trộn công nghệ chất bán dẫn thuần (hoá trị 4) với tạp
chất có hoá trị 5 (như arsen - As; photpho – P; Bi hay Sb …) thì trong
mối liên kết đôi hoá trị giữa chất bán dẫn thuần với tạp chất, mỗi
nguyên tử tạp chất sẽ bị dư 1 điện tử ở vòng ngoài không tham gia
vào mối liên kết đôi hoá trị cho nên liên kết yếu với hạt nhân, trở
thành điện tử tự do, do đó chất bán dẫn tạp loại n là chất dẫn điện.
Như vậy hạt dẫn chủ yếu trong chất bán dẫn tạp loại n là các
điện tử tự do mang điện tích âm nên được gọi là bán dẫn n (âm –
negative) và gọi là hạt dẫn đa số. Nồng độ của hạt dẫn đa số trong
bán dẫn tạp loại n (nn) tỷ lệ thuận với nồng độ tạp chất pha trộn.
Do chất bán dẫn thuần không hoàn toàn tinh khiết cho nên tồn tại các hạt dẫn mang điện tích
dương chính là các lỗ trống có nồng độ là p n có giá trị rất nhỏ. Như vậy trong bán dẫn tạp loại n thì
nồng độ của hạt dẫn âm lớn hơn rất nhiều lần so với hạt dẫn dương cho nên hạt dẫn âm gọi là hạt
dẫn đa số, còn hạt dẫn dương gọi là hạt dẫn thiểu số: nn >> pn.

Câu 4 : giải thích sự hình thành chất bán dẫn loại P va nêu các dặc tính dẫn
điện của chất bán dẫn tạp lại P
Khi pha trộn công nghệ chất bán dẫn thuần (hoá trị 4) với tạp chất
có hoá trị 3 (như nhôm – Al; Bo – B;Gali – Ga; … thì trong mối liên kết đôi
hoá trị giữa chất bán dẫn thuần với tạp chất, mỗi nguyên tử tạp chất sẽ bị
thiếu 1 điện tử ở vòng ngoài để tham gia vào mối liên kết đôi hoá trị cho

nên dễ dàng nhận điện tử tự do để trung hoà về điện, trở thành lỗ trống
tự do mang điện tích dương và có khả năng dẫn điện.
Như vậy hạt dẫn đa số trong các chất bán dẫn tạp loại p là lỗ trống
mang điện tích dương nên được gọi là bán dẫn tạp loại p (dương –
positive) có nồng độ là pp; còn hạt dẫn thiểu số là các điện tử tự do mang
điện tích âm có nồng độ là np.
Nồng độ của lỗ trống tỷ lệ với nồng độ tạp chất pha trộn. Trong chất bán dẫn tạp loại p thì nồng
độ hạt dẫn đa số lớn hơn rất nhiều lần so với nồng độ hạt dẫn thiểu số: pp >> np.


Câu 5 : Khái niệm tiếp giáp PN và giải thích quá trình hình thành tiếp giáp PN
Khi cho 2 miếng bán dẫn tạp khác loại (p và n) tiếp xúc công nghệ với nhau sẽ hình thành một
tiếp giáp P-N như hình 2.5. Tiếp giáp P-N là cơ sở cấu tạo của hầu hết các linh kiện bán dẫn.

Quá trình hình thành tiếp giáp P-N được giải thích như sau:
Do có sự chênh lệch nồng độ hạt dẫn rất lớn giữa các hạt dẫn đa số của miền này với hạt dẫn
thiểu số của miền còn lại cho nên khi được tiếp xúc công nghệ với nhau, các hạt dẫn sẽ xảy ra hiện
tượng khuếch tán và tái hợp:
Điện tử tự do ở miền N sễ ồ ạt chuyển động khuếch tán sang miền P để trung hoà (tái hợp) với
lỗ trống ở miền P, do đó ở vùng tiếp giáp sẽ xảy ra trường hợp:
Phía bản N sẽ bị thiếu điện tử tự do nên tích điện dương (+);
Phía bản P sẽ bị thừa điện tử tự do nên tích điện âm (-).




Như vậy ở vùng tiếp giáp sẽ hình thành một điện trường hướng từ N sang P gọi là điện trường
tiếp xúc (ETX) có tác dụng ngăn cản sự chuyển động khuếch tán của điện tử tự do từ bản N sang bản
P. Chính vì vậy mà nó còn được gọi là hàng rào điện thế.

Câu 6 : Trình bày tính dẫn điện của tiếp giáp PN
P
N
+
+
+

ETX
Eng


+
Eng
Ith



Tiếp giáp P-N khi được phân cực thuận:
Nếu ta đặt một điện trường ngoài (Eng) có:

-

Cực (+) vào bản P;

-

Cực (-) vảo bản N.

Như hình vẽ:
P

N

+
+
+

ETX
Eng
Eng
+
Lúc này ta thấy điện trường ngoài có chiều ngược với hàng rào điện thế do đó nó có tác dụng
thu hẹp hàng rào điện thế làm giảm khả năng ngăn cản sự chuyển động gia tốc của các hạt dẫn tức
là có dòng điện thuận (Ith) chảy qua tiếp giáp P-N. Khi giá trị điện trường ngoài vượt qua giá trị điện
trường tiếp xúc thì hàng rào điện thế bị biến mất do đó dòng điện thuận sẽ tăng rất nhanh.


Tiếp giáp P-N khi được phân cực ngược:
Nếu ta đặt một điện trường ngoài (Eng) có:

-

Cực (-) vào bản P;

-

Cực (+) vào bản N.

Như hình vẽ:

Khi đó điện trường ngoà i có chiều cùng với chiều của hàng rào điện thế do đó có tác dụng mở
rộng hàng rào điện thế, gia tăng khả năng ngăn cảnsự chuyển động gia tốc của các hạt dẫn cho
nên không có dòng điện ngược chảy qua tiếp giáp P-N. Tuy nhiên, do tồn tại hạt dẫn thiểu số có nồng
độ rất nhỏ cho nên vẫn tồn tại dòng điện ngược có giá trị rất nhỏ chảy qua.

Câu 7 : Trình bày đặc điểm cấu tạo , ký hiệu , vẽ và giải thích đặc tuyến V-A
của Diode bán dẫn .
Đi-ốt bán dẫn được cấu tạo trên cơ sở của một tiếp giáp P-N, bản cực P được gắn một điện cực
gọi là a-nốt (A), bản cực N được gắn một điện cực gọi là ka-tốt (K). Tiếp P-N của đi-ốt được hình
thành bởi 2 loại tiếp xúc cơ bản:
+ Chuyển tiếp mặt: Diện tích tiếp xúc 2 đơn tinh thể lớn
+ Chuyển tiếp điểm: Diện tích tiếp xúc giữa 2 đơn tinh thể nhỏ.

Hình 2.6 Cấu tạo, ký hiệu và một số dạng thực tế của đi-ốt

Hình 2.7 Đặc tuyến V-A của điốt bán dẫn
Đặc tuyến này được chia làm 3 vùng như sau:


-

Vùng I gọi là vùng phân cực thuận, khi điện trường U AK vượt qua giá trị điện trường tiếp
xúc (ETX) thì dòng thuận tăng nhanh theo điện trường thuận (+UAK).

-

Vùng phân cực ngược được chia làm 2 vùng: vùng II là vùng dòng điện
ngược (IAK) có giá trị rất nhỏ và tăng dần theo giá trị điện trường ngược U KA.

-

Vùng III gọi là vùng đánh thủng: khi giá trị trường ngược U KA đạt tới một giá trị
nào đó (gọi là Uđth), cường độ điện trường quá lớn sẽ xảy ra hiện tượng phóng điện giữa 2 điện cực
đánh thủng tiếp giáp P-N lúc đó dòng điện ngược đột ngột tăng mạnh làm hỏng tiếp giáp.

Câu 8 : Nêu tên , tính chất đặc trưng và khả năng ứng dụng của các loại đi ot
đặc biệt .
Điốt Zene: cấu tạo dựa vào hiệu ứng Zê-ne, xác định chính xác giá trị U đth trên đặc tuyến vônampe của điốt. Với tính chất của điốt là điện áp ngược U KA khi vượt qua giá trị Uđth thì dòng điện
ngược tăng mạnh làm cho điện áp ngược không thể tăng hơn được. Nếu mắc một điện trở hạn chế
nối tiếp với dòng ngược IKA thì toàn bộ sự gia tăng giá trị điện áp của trường ngược sẽ bị sụt trên điện
trở hạn chế, điều này dẫn đến điện áp ngược trên 2 cực của điốt sẽ ổn định. Thông số điện áp ngược
cực đại của điốt Zê-ne có giá trị thấp, chính xác và được gọi là giá trị điện áp ổn định (U ôđ) cho nên
điốt Zê-ne còn được gọi là điốt ổn áp và được sử dụng làm các mạch ổn áp tham số. Ký hiệu của điốt
Zê-ne và mạch điện ổn áp dùng điốt Zê-ne được vẽ như sau:

Hình 2.8 Ký hiệu, dạng và mạch ứng dụng của điốt ổn áp
Điốt biến dung: Do cấu tạo của điốt là một tiếp giáp P-N cho nên khi được phân cực ngược sẽ
tương đương như một tụ điện với 2 bản cực là 2 má của tụ, chất điện môi chính là hàng rào điện thế.
Khi thay đổi giá trị trường ngược thì bề dày (d) của hàng rào điện thế bị thay đổi cho nên, giá trị điện
=

ε 0 εS
d

dung của nó C
cũng thay đổi theo. Như vậy, điốt khi được phân cực ngược sẽ là một điện
dung biến đổi theo giá trị của trường ngược (-U AK). Các điốt được cấu tạo cho mục đích này được
gọi là điốt biến dung hay còn được gọi là điốt Varicap với dạng thực tế, ký hiệu, đặc tuyến điện dung
và sơ đồ mạch ứng dụng như sau:

Hình 2.9 Dạng thực tế, ký hiệu, đặc tuyến điện dung và sơ đồ mạch ứng dụng
Đi-ốt biến dung được sử dụng để làm các tụ điện biến đổi bằng điện áp thay thế các tụ điện
biến đổi bằng cơ học có nhiều nhược điểm.
A
K
Điôt phát quang – LED (Light Emission Diode): la loại đi-ốt có khả năng bức xạ ánh sáng khi có
dòng điện thuận chảy qua một số loại bán dẫn tạp kết hợp như GaAs; GaP; GaAsP… Mỗi loại phát ra
một màu sắc nhất định như hồng ngoại, xanh đỏ vàng… và có ký hiệu gần giống như điôt:
Đèn LED là loại đèn mới nhất bổ sung vào danh sách các nguồn sáng sử dụng năng lượng hiệu
quả. Trong khi đèn LED phát ra ánh sáng nhìn thấy được ở dải quang phổ rất hẹp, chúng có thể tạo ra
"ánh sáng trắng”. Điều này được thực hiện nhờ đèn LED xanh có phủ photpho hay dải màu đỏ-xanh
da trời-xanh lá cây. Đèn LED có tuổi thọ từ 40.000 đến 100.000 giờ tùy thuộc vào màu sắc. Đèn LED
đã được sử dụng trong nhiều ứng dụng chiếu sáng, bao gồm biển báo lối thoát, đèn tín hiệu giao
thông …

Câu 9 : Trình bày đặc điểm cấu tạo , phân loại và ký hiệu của tranzitor lưỡng
hạt ( BJT)
Transistor lưỡng hạt (hay còn được gọi là transistor) được cấu tạo bởi 3 miếng bán dẫn tạp khác
loại ghép xen kẽ nhau như hình vẽ.
P(N)
P(N)
N(P)

E
B


C
JBE

JBC

Hình 2.10 Cấu tạo của transistor lưỡng hạt (BJT)
Với các đặc điểm cấu tạo như sau:
-

Lớp bán dẫn tạp bên ngoài có bề dày lớn nhất và nồng độ tạp chất (n n/pp) cao nhất được gắn một
điện cực gọi là cực phát (Emicter) có ký hiệu là E.

-

Lớp bán dẫn tạp ở giữa có bề dày rất mỏng (μm) và nồng độ tạp chất rất thấp được gắn một điện cực
gọi là cực gốc (Baser) có ký hiệu là B.

-

Lớp bán dẫn tạp còn lại có bề dày và nồng độ tạp chất trung bình được gắn một điện cực gọi là cực
góp (Collector) có ký hiệu là C.

-

Hình thành hai tiếp giáp P-N là JBE và JBC.
Với đặc điểm cấu tạo như trên cho nên transistor sẽ có 2 loại là PNP và NPN:

-

Loại PNP được gọi là transistor thuận với cấu trúc và ký hiệu như ở hình 2.11 (a).

-

Loại NPN được gọi là transistor ngược với cấu trúc và ký hiệu như ở hình 2.11 (b).

Hình 2.11 Phân loại theo cấu tạo, ký hiệu và các dạng của transistor lưỡng hạt BJT

Câu 10 : Trình bày nguyên lí hoạt động của Tranzitor lưỡng hạt (BJT )
Để transistor làm việc được như một phần tử điều khiển hoặc khuếch đại thì:


N
N
P

E
B
C
UBE
UBC
_
+
_
+
- Tiếp giáp JBE phải được phân cực thuận và;
- Tiếp giáp JBC phải được phân cực ngược.

Về nguyên lý làm việc của cả 2 loại transistor cơ bản đều giống nhau, chỉ khác nhau về loại hạt
dẫn tự do là điện tử (NPN) hay lỗ trống (PNP), chúng ta chỉ xét cụ thể cho một loại: ví dụ với loại NPN.
-

Dưới tác dụng của điện trường phân cực thuận U BE các hạt dẫn đa số (e) từ miền E sẽ
ồ ạt chuyển động gia tốc sang miền B tạo thành dòng điện emicter (I E). Do miền baser có nồng độ tạp

chất rất nhỏ, cho nên chỉ một phần rất nhỏ các điện tử từ emicter sang tái hợp được với lỗ trống ở
miền baser tạo thành dòng baser (IB) có cường độ rất nhỏ. Phần lớn còn lại của các điện tử tự do tập
trung tại tiếp giáp JBC.

-

Mặc dù tiếp giáp JBC được phân cực ngược nhưng do bề dày của miền baser là rất
mỏng và bên cạnh đó là trường gia tốc có giá trị lớn: U CE = UCB + UBE (hai nguồn phân cực nối tiếp
nhau) cho nên các điện tử vẫn dễ dàng vượt qua tiếp giáp J BC sang miền collector tạo thành dòng điện
collector (IC).
IE
IC
IB

-

Khi thay đổi giá trị điện trường phân cực thuận U BC thì sẽ làm thay đổi một lượng hạt
dẫn rất lớn từ miền E chuyển động qua miền B. Tuy nhiên, do miền B có nồng độ rất thấp cho nên số
lượng hạt dẫn tái hợp ở miền B để tạo thành dòng I B sẽ thay đổi không đáng kể do đó nó sẽ làm thay
đổi lớn lượng hạt dẫn tạo thành dòng collector (IC).


Điều này có nghĩa là có thể dùng dòng điện nhỏ (IB) điều khiển dòng điện lớn (IC) và đây chính là
nguyên tắc làm việc của transistor

Câu 11 : Vẽ và giải thích họ đặc tuyến ra của Transistor BJT (loại NPN)
Họ đặc tuyến ra: biểu diễn mối quan hệ phụ thuộc giữa dòng điện ra I C với điện áp ra UCE khi
điện áp hay dòng điện lối vào U BE/IB không thay đổi: IC = f(UCE)\IB = const. Đặc tuyến ra của transisor
mắc EC được mô tả trên hình 2.13c.
Tương tự như với họ đặc tuyến vào, ứng với mỗi giá trị của điện áp hoặc dòng điện lối vào ta có

một đường đặc tuyến ra, tập hợp các đường dặc tuyến ra sẽ lập thành họ đặc tuyến ra. Có thể chia
đặc tuyến ra làm 3 vùng:
-

Vùng I: dòng điện ra IC phụ thuộc nhiều vào điện áp ra UCE và có tính tuyến tính, lúc này
transistor làm việc như một điện trở thuần nên thường không sử dụng. Vùng này nằm phía dưới
điểm A.

-

Vùng II: dòng điện ra ít phụ thuộc vào điện áp ra mà chủ yếu phụ thuộc vào dòng điện hay
điện áp lối vào, transistor làm việc như một phần tử điều khiển nên vùng này được gọi là vùng làm
việc. Vùng này nằm ở giữa điểm A và điểm B.

-

Vùng III: nằm ngoài điểm B, khi điện áp ra vượt qua một giá trị giới hạn nào đó thì dòng
điện ra tăng nhanh theo điện áp ra làm phá hỏng các tiếp giáp PN của transistor do đó vùng này được
gọi là vùng đánh thủng.

Câu 12 : Nêu và giải thích các cách mắc của Transistor BJT
Do transistor có ba cực là E; B và C, theo quan điểm mạng 4 cực ( hai đầu vào và 2 đầu ra
chúng ta sẽ có 3 cách mắc transitor lấy tên theo cực chung nhau giữa đầu vào và đầu ra, đó là E
chung; B chung và C chung.
a, Mắc kiểu E chung:


Hình 2.12 Transistor mắc E chung (a) và mạch khảo sát các họ đặc tuyến VA
Do lối vào và lối ra đều có cực E chung cho nên được gọi là mạch mắc kiểu emicter chung. Mặt
khác, điểm E có điện thế 0V nên còn được gọi là transistor mắc OE. Các vôn kế và ampe kế để kiểm

tra các dòng điện và điện áp trong quá trình khảo sát đặc tuyến vôn-ampe của mạch.
b, Mắc kiểu baser chung:

Hình 2.14 Transistor mắc B chung (a) và mạch khảo sát các họ đặc tuyến VA (b).
-

Lối vào giữa E và B

-

Lối ra giữa C và B
Cả lối vào và lối ra đều có chung cực B nên gọi là mắc kiểu baser chung hoặc OB.
+ V1 chỉ điện lối áp vào UEB; V2 chỉ điện áp lối ra UCB
+ A1 chỉ dòng điện lối vào IE; A2 chỉ dòng điện lối ra IC

-

C -Mắc kiểu collector chung:

-

Hình 2.16 Transistor mắc C chung (a) và mạch khảo sát các họ đặc tuyến VA (b).
Cả lối vào và lối ra đều có chung cực C nên gọi là mắc kiểu baser chung hoặc OC.


Câu 13 : Trình bày khái niệm về phân cực và các phương pháp phân cực cho
Transistor NJT
Các phương pháp tạo ra các giá trị dòng điện và điện áp tĩnh để xác định điểm công tác tĩnh P
được gọi là phân cực tạo điểm công tác tĩnh cho transistor.
a-Phân cực kiểu phân áp.

Sử dụng mạch phân áp dùng 2 điện trở có hồi tiếp dòng điện như sau:

Hình 1.21 Mạch phân cực kiểu phân áp (a) và sơ đồ tương đương Thevenin (b)
Sử dụng sơ đồ tương đương theo định lý Thevenin (hình 1.21b) ta có thể tính được giá trị của
dòng tĩnh IB0:
Utđ = IB0.Rtđ + UBE + IE0.RE = IB0.Rtđ + UBE + (β+1).IB0.RE

⇒ IB0 =

U td - U BE
R td +(β+1)R E

Từ giá trị dòng tĩnh IB0 nói trên ta có tính được tất cả các giá trị dòng điện và điện áp còn lại của
điểm công tác tĩnh P:
+

IC0 = βIB0

+

UCE0 = En – IC0(RC + RE)
a, Phân cực bằng dòng cố định (phương pháp định dòng):
Theo khái niệm về điểm công tác tĩnh, muốn phân cực hay xác định được điểm công tác tĩnh P
cho BJT chúng ta phải hội đủ 2 yếu tố:

+
+

Nguồn cung cấp và điện trở tải để xác định được đường tải tĩnh và;
Xác định được đặc tuyến ra cụ thể trong họ đặc tuyến ra. Điều này có nghĩa

là phải xác định một giá trị cụ thể của dòng điều khiển IB.
Việc xác định dòng tĩnh IB0 để xác định điểm công tác tĩnh P được gọi là phương pháp phân cực
bằng dòng cố định. Dòng tĩnh IB0 được xác định bằng điện trở RB cụ thể cho BJT loại NPN như hình
sau:


Áp dụng định luật Kirchoff chúng ta có thể tính được dòng phân cực như sau:

E n = IB0 R B +U BE ⇒ I B0 =

E n -U BE
RB

Vì tiếp giáp JBE được phân cực thuận nên U BE có giá trị thấp (0,2V~0,7V) tùy thuộc vào loại bán
dẫn tạp và transistor. Ví dụ với Si là loại thường dùng, U BE khoảng ~0,7V. Do đó dòng tĩnh được tính

I B0 =
theo biểu thức:

E n - 0,7
RB

Các giá trị dòng điện và điện áp còn lại của điểm công tác tĩnh P được xác định:
+

IC0 = βIB0

+

UCE0 = En – IC0RC = En – βIB0RC

Mạch phân cực bằng dòng cố định có ưu điểm đơn giản song độ ổn định điểm công tác tĩnh
không cao. Để khắc phục có thể sử dụng mạch phân cực bằng dòng cố định có sử dụng hồi tiếp dòng
điện hoặc điện áp như sau:

•

Đối với mạch phân cực hồi tiếp dòng điện (a) chúng ta có thể tính được:

E n = IB0 R B + U BE + IE R E = IB0 R B + U BE + (β+1)I B0 R E = I B0 [R B + (β+1)R E ] + U BE
⇒ I B0 =

E n − U BE
R B + (β+1)R E


Các giá trị dòng điện và điện áp còn lại của điểm công tác tĩnh P được xác định:
+

IC0 = βIB0; IE0 = (β+1) IB0

+

UCE0 = En – IC0RC – IE0RE = En – βIB0RC – (β+1) IB0RE
Khi nhiệt độ trên BJT thay đổi sẽ làm cho các giá trị dòng điện của nó thay đổi theo. Tuy nhiên
do có mạch hồi tiếp âm nên có tác dụng giữ cho điểm công tác tĩnh ít bị trôi khi nhiệt độ thay đổi.
Trường hợp RE = 0 mạch phân cực không còn hồi tiếp dòng điện và trở về mạch phân cực bằng
dòng cố định như hình 1.19.
Đối với mạch phân cực hồi tiếp điện áp (b) chúng ta có thể tính được:

•

'
E n = I C0
R c + I B0 R B + U BE + I E0 R E

; Với

I'C0 = IC0 + I B0 = (β+1) = I E0

có hệ số β lớn (>>1) nên có thể coi các dòng xấp xỉ:

I'C0 = I E0 ≈ IC0

cho nên:

E n = I'C0 R C + I B0 R B + U BE + I E0 R E = βIB0 R C + IB0 R B + U BE + βIB0 R E
⇒ I B0 =

. Thông thường đối với các BJT

và

E n - U BE
R B +β(R E +R C )

Các giá trị dòng điện và điện áp còn lại của điểm công tác tĩnh P được xác định tương tự từ
dòng IB0.
Đối với mạch phân cực có hồi tiếp như hình (b) thực chất là sử dụng kết hợp cả hồi tiếp dòng
điện như hình (a) với điện trở phân cực có hồi tiếp điện áp lấy từ cực góp C. Chính vì vậy mà tác dụng
ổn định nhiệt sẽ cao hơn so với mạch (a)

Câu 14 : Trình bày đặc điểm cấu tạo , phân loại và kí hiệu của transistor
trường cực cửa tiếp giáp (JFET), Cấu tạo, phân loại và ký hiệu:
Trên một khối bán dẫn tạp có nồng độ cao gọi là kênh dẫn người ta phủ một lớp bán dẫn tạp
khác loại có nồng độ thấp hơn gọi là vỏ.
-

Lớp vỏ được gắn một điện cực gọi là cực cổng có ký hiệu là G (Gate).

-

Hai đầu kênh dẫn được gắn 2 điện cực:
+ Cực nguồn có ký hiệu là S (Source).
+ Cực máng có ký hiệu là D (Drain).
Một tiếp giáp P-N được hình thành giữa kênh dẫn với lớp vỏ.


Hình 2.23 Cấu tạo (a), ký hiệu của JFET kênh dẫn N(b) và kênh dẫn P(b)
Theo cấu tạo trên thì sẽ xảy ra 2 trường hợp:
-

Nếu kênh dẫn là bán dẫn tạp loại N thì vỏ sẽ là loại P. Transistor trường loại này được gọi là JFET kênh
dẫn loại n. JFET kênh dẫn loại n có ký hiệu như hình 2.23b

-

Nếu kênh dẫn là bán dẫn tạp loại P thì vỏ sẽ là loại N. Transistor trường loại này được gọi là JFET kênh
dẫn loại p có ký hiệu như hình 2.23c.

Câu 15 : Trình bày nguyên lí hoạt động của transistor trường JFET

Nguyên lý làm việc:
Để transistor trường JFET làm việc như một phần tử khuếch đại hay điều khiển thì tiếp giáp P-N
của nó phải được phân cực ngược và hai đầu kênh dẫn phải đặt một điện trường thích hợp sao cho
hàng rào điện thế được mở rộng dần từ S tới D. Như vậy, với mỗi loại JFET chúng ta phải đặt điện
trường phân cực khác nhau. Nguyên lý hoạt động của cả 2 loại là như nhau, chúng ta có thể lấy ví dụ
cho kênh dẫn loại n:

-

Điện trường phân cực ngược cho tiếp giáp PN là điện áp UGS.

-

Điện trường để tạo dòng điện giữa cực máng và cực nguồn là UDS.

-

Vì không có dòng điện chảy qua tiếp giáp phân cực ngược cho nên dòng điện chảy trong JFET chỉ có
một dòng duy nhất là dòng cực máng (ID) cũng là dòng cực nguồn (IS): ID = IS.
Do điện áp UGS và UDS được mắc nối tiếp nhau cho nên phân bố của điện trường ngược sẽ tăng
dần từ cực S đến cực D. Trường ngược này sẽ hình thành trong kênh dẫn của JFET 2 vùng có tính chất
dẫn điện hoàn toàn khác nhau như trong hình 1.25:

-

Vùng hàng rào điện thế là vùng không cho phép hạt dẫn dịch chuyển cho nên gọi là vùng cấm.. Vùng
cấm được thể hiện bằng vùng có màu xám trong hình vẽ.


-

Vùng cho phép các hạt dẫn dịch chuyển để tạo thành dòng điện nên được gọi là vùng dẫn. Vùng dẫn
là phần còn lại của kênh dẫn sau khi bị hàng rào điện thế chiếm chỗ, được thể hiện bằng vùng có màu
trắng trong hình vẽ.
Tổng thể tích của vùng cấm và vùng dẫn chính là kênh dẫn và không thay đổi theo các giá trị của
điện trường. Điều này có nghĩa là sự thay đổi của vùng dẫn và vùng cấm là ngược nhau để đảm bảo
rằng tổng của chúng không thay đổi:
- Khi điện trường UGS = 0 thì vùng cấm có giá trị nhỏ nhất tức là vùng dẫn sẽ lớn nhất, do đó dòng điện

cực máng sẽ đạt giá trị lớn nhất (IDmax).
- Khi tăng dần giá trị trường ngược UGS thì hàng rào điện thế được mở rộng ra, vùng cấm tăng dần,

vùng dẫn thì bị thu hẹp lại cho nên dòng điện cực máng sẽ giảm theo.
- Khi biên độ điện trường ngược UGS đạt tới một giá trị nào đó là U GSc thì vùng cấm sẽ giao nhau ở phía

cực D làm cho điện tử tự do không thể vượt qua hàng rào điện thế để tạo thành dòng điện máng cho
nên sẽ mất dòng máng (ID = 0). Giá trị này của điện áp UGS được gọi là điện áp cắt.

Hình 2.25 Sự thay đổi mật độ kênh dẫn theo điện trường điều khiển
Như vậy có thể sử dụng điện áp U GS có giá trị nhỏ (và không có dòng điện I G) để điều khiển dòng
điện máng có giá trị rất lớn và đó chính là nguyên lý làm việc của FET nói chung và của JFET nói riêng.

Câu 16 : Vẽ và giải thích các họ đặc tuyến của transistor JFET

Họ đặc tuyến ra: biểu diễn mối quan hệ phụ thuộc giữa dòng điện ra I C với điện áp ra UCE khi
điện áp hay dòng điện lối vào U BE/IB không thay đổi: IC = f(UCE)\IB = const. Đặc tuyến ra của transisor
mắc EC được mô tả trên hình 2.13c.
Tương tự như với họ đặc tuyến vào, ứng với mỗi giá trị của điện áp hoặc dòng điện lối vào ta có
một đường đặc tuyến ra, tập hợp các đường dặc tuyến ra sẽ lập thành họ đặc tuyến ra. Có thể chia
đặc tuyến ra làm 3 vùng:

-

Vùng I: dòng điện ra IC phụ thuộc nhiều vào điện áp ra UCE và có tính tuyến tính, lúc này
transistor làm việc như một điện trở thuần nên thường không sử dụng. Vùng này nằm phía dưới
điểm A.

-

Vùng II: dòng điện ra ít phụ thuộc vào điện áp ra mà chủ yếu phụ thuộc vào dòng điện hay
điện áp lối vào, transistor làm việc như một phần tử điều khiển nên vùng này được gọi là vùng làm
việc. Vùng này nằm ở giữa điểm A và điểm B.

-

Vùng III: nằm ngoài điểm B, khi điện áp ra vượt qua một giá trị giới hạn nào đó thì dòng
điện ra tăng nhanh theo điện áp ra làm phá hỏng các tiếp giáp PN của transistor do đó vùng này được
gọi là vùng đánh thủng.
Họ đặc tuyến truyền đạt: biểu diễn mối quan hệ phụ thuộc giữa dòng điện ra I C với điện áp vào
UBE hoặc dòng điện vào IB ứng với một giá trị nhất định của điện áp lối ra UCE.
IC = F(IB/UBE)\UCE = const.
Đặc tuyến truyền đạt của transistor có thể được xây dựng trên họ đặc tuyến ra của nó khi cho
một giá trị bất kỳ của điện áp ra UCE = X (Vôn) như hình 2.13b.

Câu 17 : Trình bày đặc điểm cấu tạo , phân loại và kí hiệu của transistor
trường cực cửa cách ly ( IGFET / MOSFET )
Trên một khối bán dẫn tạp có nồng độ tạp chất cao gọi là đế, người ta tạo ra 2 vùng bán dẫn tạp
khác loại có nồng độ cao hơn đế. Hai vùng này được gắn 2 điện cực gọi là cực nguồn S và cực máng
D; Cực đế cũng được nối ra một điện cực.

Giữa 2 điện cực D và S được nối thông với nhau qua một kênh dẫn, nếu kênh dẫn này được
hình thành ngay khi chế tạo thì được gọi là kênh dẫn có sẵn. Nếu kênh dẫn chỉ được hình thành sau
khi đặt điện trường thích hợp thì được gọi là kênh dẫn cảm ứng.
Phía đối diện với đế qua kênh dẫn người ta đặt một điện cực kim loại sau khi đã phủ một lớp
cách điện là ôxit silic SiO2. Điện cực này được gọi là cực cổng G.
Như vậy, nếu đế là bán dẫn loại p thì miền D và S sẽ là bán dẫn loại n và kênh dẫn hình thành
giữa D và S cũng sẽ được hình thành bởi các hạt dẫn đa số là điện tử tự do mang điện tích âm nên gọi
là kênh dẫn loại n; trường hợp còn lại gọi là kênh dẫn loại p.

Hình 2.27 MOSFET/IGFET kênh dẫn có sẵn (a) và kênh dẫn cảm ứng (b)
Do có đặc điểm cấu tạo như trên mà MOSFET/IGFET sẽ được phân ra làm 4 loại với ký hiệu như
hình 2.28:


Hình 2.28 Ký hiệu của các loại MOSFET/IGFET
-

MOSFET kênh dẫn có sẵn loại n (hình a).

-

MOSFET kênh dẫn có sẵn loại p (hình b).

-

MOSFET kênh dẫn cảm ứng loại n (hình c).

-

MOSFET kênh dẫn cảm ứng loại p (hình d).

Câu 18: Trình bày nguyên lý hoạt động của transistor trường IGFET /
MOSFET loại kênh dẫn có sẵn .
Với MOSFET kênh dẫn có sẵn loại n:

Khi chưa có điện trường UGS thì đã có kênh dẫn nối giữa S và D nên khi có điện trường U DS thì sẽ
tạo thành dòng máng ID0. Nếu điện trường UGS có cực tính dương, tức là U GS>0, thì sẽ thu hút các điện
tử thiểu số từ đế về tăng cường hạt dẫn cho kênh dẫn làm tăng dòng máng I D. Chế độ này được gọi là
chế độ làm giàu kênh dẫn.
Nếu điện trường UGS có cực tính âm, tức là UGS<0, thì điện trường này sẽ có tác dụng đẩy các điện tử
tự do ở kênh dẫn ra khỏi kênh dẫn về đế làm cho lượng hạt dẫn trong kênh dẫn bị suy giảm tức là
làm giảm dòng điện máng ID. Chế độ này được gọi là chế độ làm nghèo kênh dẫn. Khi biên điện
trường âm đạt một giá trị nào đó thì toàn bộ hạt dẫn bị đẩy ra khỏi kênh dẫn cho nên không còn
dòng điện máng (ID = 0). Cũng như đối với JFET, giá trị này được gọi là điện áp cắt UGSc
p1
n1
p2
n2


J1
J2
J3
A
K
G

Câu 19 : Trình bày cấu tạo , kí hiệu , và vẽ sơ đồ tương đương của Thyristor .
Thyristor có cấu tạo bao gồm 4 lớp bán dẫn tạp khác loại ghép xen kẽ nhau là p 1; n1; p2 và n2
như hình vẽ:

-

Lớp p1 được gắn một điện cực gọi là cực Anốt – A.

-

Lớp p2 được gắn một điện cực gọi là cực cổng – G.

-

Lớp n2 được gắn một điện cực gọi là cực Katốt – K.
Do có cấu tạo như trên cho nên sẽ hình thành 3 tiếp giáp PN đó là J 1(n1p1); J2(n1p2) và J3(n2p2) và
tương đương như 2 transistor p1n1p2 và n1p2n2 với sơ đồ tương đương và ký hiệu như hình 2.33:

Hình 2.33 Cấu tạo tương đương T (a) sơ đồ tương đương (b) và ký hiệu (c) của Thyristor

Câu 20 : Vẽ và giải thích đặc tuyến con-ampe của Thyristor
Đặc tuyến vôn-ampe của thyristor được vẽ ở hình dưới đây. Đặc tuyến này được chia ra làm 4
vùng:


-

Vùng I phân cực ngược (UAK<0); tiếp giáp J2 được phân cực thuận nhưng J1 và J3 được phân cực ngược
cho nên chỉ tồn tại dòng của các hạt thiểu số có giá trị rất nhỏ và tăng dần theo giá trị trường ngược
UAK.

-

Vùng II gọi là vùng đánh thủng như đối với điốt: khi điện trường ngược đạt tới một giá trị nào đó gọi

là điện áp đánh thủng (Uđt) thì dòng điện ngược tăng đột ngột do hiện tượng đánh thủng làm hỏng
thyristor.

-

Vùng III là vùng phân cực thuận mà giá trị điện áp thuận chưa đạt tới giá trị tự mở (U m>UAK>0), lúc
này tiếp giáp J1 và J3 được phân cực thuận nhưng tiếp giáp J 2 được phân cực ngược cho nên dòng
điện chảy qua thyristor là dòng thiểu số có giá trị nhỏ, tăng dần theo giá trị điện trường thuận. Trong
vùng này thyristor chưa tự mở hoặc chưa được kích mở bởi dòng IGK.
Vùng IV là vùng mở của thyristor: khi điện trường phân cực thuận đủ lớn thì thyristor tự mở hoặc
được kích mở bởi dòng IGK, lúc này dòng điện chảy qua thyristor tăng nhanh theo điện áp UAK

Câu 16 : Vẽ và giải thích các họ đặc tuyến của transistor JFET

Câu 21 : Khái niệm cơ bản về khuếch đại và nêu khái niệm cũng như chỉ
tiêu kĩ thuật của hệ số khuếch đại .
Khuếch đại là làm gia tăng tín hiệu về mặt năng lượng. Năng lượng của tín hiệu điện chính là
công suất của tín hiệu, như vậy khuếch đại là nâng cao công suất của tín hiệu.
Theo định luật bảo toàn và chuyển hoá năng lượng thì bản chất của khuếch đại sẽ là dùng
nguồn tín hiệu có công suất nhỏ ở lối vào để điều khiển biến đổi năng lượng của nguồn cung cấp 1
chiều thành tín hiệu có năng lượng lớn hơn ở lối ra.
Công suất của tín hiệu điện là tích số của dòng điện và điện áp: P = u.i
Do đó, để có năng lượng tín hiệu lớn hơn ta có thể gia tăng biên độ của dòng điện hoặc điện
áp hoặc cả dòng điện và điện áp.
a. Hệ số khuếch đại:
Là đại lượng đánh giá khả năng khuếch đại của một bộ khuếch đại, có kí hiệu là k:


k=

Dai luong ra
Dai luong vao

k = kp =
Theo định nghĩa về khuếch đại ta có
loại hệ số khuếch đại đó là:

-

Hệ số khuếch đại điện áp: ku =

u ra
uv

Pra
u .i
u i
= ra ra = ra . ra = k u .k i
Pvao
u v .i v
u v iv

, do đó ta có 3

.

i ra
iv

-

Hệ số khuếch đại dòng điện: ki = và
Hệ số khuếch đại công suất: kp = ku . ki
Đối với các bộ khuếch đại, yêu cầu hệ số khuếch đại càng lớn càng tốt.

Câu 22 : Khái niệm về họ đặc tuyến biên độ - tần số của một bộ khuếch đại
và nêu ý nghĩa của đặc tuyến biên tần
Đặc tuyến biên độ là đồ thị biểu diễn quan hệ giữa biên độ của tín hiệu ra với biên độ của tín
hiệu vào tại một tần số nhất định của tín hiệu vào. Tức là U ra = f(Uvào) hoặc Ira = f(Ivào) tại một
tần số nào đó. Ví dụ đặc tuyến biên độ của một bộ khuếch đại âm tần tại tần số 1KHz được vẽ như
3.1a.

Hình 3.1 Đặc tuyến biên độ (a) và biên độ - tần số (b) của một bộ khuếch đại
Yêu cầu đối với đặc tuyến biên độ là vùng tuyến tính càng rộng càng tốt.
Đặc tuyến biên độ - tần số là đồ thị biễu diễn mối quan hệ phụ thuộc của hệ số khuếch đại
hoặc biên độ tín hiệu ở đầu ra với tần số của tín hiệu ở đầu vàokhi giữ nguyên biên độ tín hiệu vào.
Với một bộ khuếch đại tiêu chuẩn, dạng đặc tuyến biên độ tần số được vẽ như hình 3.1b.
Qua đặc tuyến biên độ - tần số chúng ta có thể xác định được giải thông của bộ khuếch đại là giới
1

hạn tần số mà trong đó hệ số khuếch đại hoặc biên độ bị suy giảm đi 0,707 (

2

) lần. Với giới hạn


tần số trên gọi là fmax và giới hạn tần số dưới là fmin thì giải thông của bộ khuếch đại được xác định:
Δf = fmax – fmin.
Yêu cầu đối với giải thông của bộ khuếch đại càng lớn càng tốt.

Câu 23 : Nêu các khiến niệm cơ bản về trở kháng vào , trở kháng ra của một
bộ khuếch đại và vấn đề phối hợp trở kháng .
U vao
I vao

Trở kháng vào đặc trưng cho sự tiêu hao tín hiệu lối vào: Z vào =
tỷ lệ nghịch với dòng tín
hiệu vào. Do đó, yêu cầu trở kháng vào càng lớn thì tiêu hao tín hiệu đầu vào càng nhỏ.
Trở kháng ra đặc trưng cho nội trở trong của nguồn tín hiệu ở lối ra của bộ khuếch đại: Z ra =

U ra
I ra

tỷ lệ nghịch với dòng điện ra, nó đánh giá khả năng cấp dòng điện cho tải của bộ khuếch đại.
Do đó yêu cầu đối với một bộ khuếch đại là trở kháng ra càng nhỏ càng tốt.
Phối hợp trở kháng giữa các bộ khuếch đại hoặc giữa các bộ khuếch đại với nguồn tín hiệu
vào và với tải là việc đảm bảo sao cho sự tiêu hao tín hiệu hữu ích là nhỏ nhất:
-

Nếu trở kháng vào của bộ khuếch đại càng lớn thì dòng tiêu thụ tín hiệu vào càng
nhỏ. Tức là nó càng dễ phối hợp trở kháng với nguồn tín hiệu vào.

-

Nếu trở kháng ra của một bộ khuếch đại càng nhỏ, khi cấp dòng điện tín hiệu cho
tải sự tiêu hao của nguồn tín hiệu ra của bộ khuếch đại càng ít. Ta nói bộ khuếch đại dễ phối hợp
trở kháng với tải.

Câu 24 : Hồi tiếp trong các tầng khuếch đại là gì ? Hồi tiếp theo quan hệ góc

pha bao gồm có những loại nào , nêu tác dụng của mỗi loại lên hệ số kd và
ổn định của tầng khuếch đại .
a. Khái niệm về hồi tiếp:
Hồi tiếp (hay gọi cách khác là phản hồi) là trích một phần tín hiệu ở đầu ra quay trở về đầu
vào của một bộ khuếch đại nhằm cải thiện một vài chỉ tiêu chất lượng của một tầng khuếch đại hay
của một bộ khuếch đại nhiều tầng như được mô tả trong hình 3.3:


Hình 3.3 Khái niệm về bộ khuếch đại có hồi tiếp
Như vậy một bộ khuếch đại có hồi tiếp sẽ bao gồm 2 khâu:

K=
Khâu khuếch đại có hệ số số khuếch đại là K (

-

β=
Khâu hồi tiếp có hệ số truyền đạt là β (

-

U ht
U ra

K ht =
Bộ khuếch đại có hồi tiếp với hệ số khuếch đại mới là Kht (

U ra
U 'v

)

) và

U ra
U vao

)

•

Theo quan hệ pha giữa tín hiệu hồi tiếp với tín hiệu vào chúng ta có 2 loại là hồi tiếp âm và hồi tiếp
dương:

o

Nếu pha của tín hiệu hồi tiếp trùng pha với tín hiệu vào ta có hồi tiếp dương.

o

Nếu pha của tín hiệu hồi tiếp ngược pha với tín hiệu vào ta có hồi tiếp âm.

•

Mặc dù hồi tiếp âm làm giảm hệ số khuếch đại nhưng trong tất cả các mạch khuếch
đại tín hiệu (trừ mạch tạo dao động tự kích) thường sử dụng hồi tiếp âm để nâng cao tính ổn định
nhiệt cũng như ổn định hệ số khuếch đại và một số chỉ tiêu kỹ thuật khác.
Ngược lại với hồi tiếp âm, hồi tiếp dương làm tăng hệ số khuếch đại nhưng làm giảm
độ ổn định của mạch cho nên thực tế không sử dụng hồi tiếp âm trong các mạch khuếch đại tín
hiệu mà chỉ sử dụng duy nhất trong các mạch dao động tự kích vì lúc đó cần thiết mạch điện có độ

mất ổn định cao mới tự dao động được

•

Câu 25 : Méo tín hiệu trong các bộ khuếch đại là gì ? Có những loại méo tín
hiệu nào và nguyên nhân cũng như hậu quả của méo tín hiệu là gi ?
Méo tín hiệu là sự thể hiện tính không trung thực của một bộ khuếch đại, có nghĩa là tín hiệu
ở đầu ra không thật sự giống như tín hiệu ở đầu vào của nó.
Méo tín hiệu được chia ra làm 2 loại là méo phi tuyến và méo tần số.
•

Méo phi tuyến là méo do đường đặc tuyến biên độ không tuyến tính,. nguyên nhân
của méo phi tuyến là do các đường đặc tuyến vôn-ampe của các phần tử tạo thành mạch khuếch
đại mà chủ yếu là của transistor có dạng không đường thẳng (phi tuyến tính) gây ra. Hậu quả của
méo phi tuyến là nó sẽ làm cho hình dạng của tín hiệu ra không giống như hình dạng của tín hiệu
vào. Chính vì vậy mà méo phi tuyến còn được gọi là méo dạng tín hiệu

•

Méo tần số là méo do hệ số khuếch đại không đồng đều trong giải tần số công tác.
Nguyên nhân của méo tần số là do sử dụng các phần tử có tham số phụ thuộc tần số như cảm
kháng, dung kháng hoặc do điện cảm và điện dung ký sinh của mạch điện cũng như của các phần
tử cấu thành mạch điện gây ra. Hậu quả của méo tần số là sẽ làm thu hẹp giải thông Δf của bộ
khuếch đại.


Câu 26 : Giải thích mạch và nêu các tính chất của mạch điện trong hình vẽ .
, Mạch điện như hình vẽ:

Trong đó:

+

RB1 và RB2 là 2 điện trở phân cực kiểu định áp.

+

RC là trở tải của tầng khuếch đại.

+

C1 và C2 là 2 tụ ghép tín hiệu ở lối vào và lối ra.

+

Có thể sử dụng các phương pháp hồi tiếp và ổn định nhiệt để nâng cao chất lượng.
Do tín hiệu đưa vào giữa 2 cực là B và E; tín hiệu ra lấy giữa 2 cực là C và E cho nên cả đầu
vào và đầu ra đều có chung cực Emicter nên gọi là mạch E chung. Thông thường các đầu chung này
được nối với vỏ thiết bị ( mát hoặc đất ) có điện thế quy định là 0 vôn cho nên nó còn được gọi là
mạch khuếch đại mắc kiểu 0E
*Các đặc điểm cơ bản:

-

Hệ số khuếch đại dòng điện và điện áp đều lớn
(kU/kI = 20 – 100; kP = 200 – 5000)

-

Điện áp ra ngược pha với điện áp vào.

-

Trở kháng vào có giá trị nhỏ (<50 Ohm).

-

Trở kháng ra có giá trị lớn ≈RC (KOhm).

Câu 27 : Giải thích nguyên lí hoạt động của mạch điện trong hình vẽ .