Thiết kế mô phỏng bộ khuếch đại công suất (KĐCS ) tần số thấp

Đồ án Điện tử cho CNTT

Mạch khuếch đại công suất tần số thấp

bài tập lớn
Đề bài :

Môn Điện Tử cho Công Nghệ Thông Tin

Thiết kế mô phỏng bộ khuếch đại công suất (KĐCS ) tần số thấp với
các chỉ tiêu kỹ thuật :
- Công suất cực đại trên tải 10 : Ptmax=50W
- Giải thông tần của tín hiệu cần khuếch đại: 20Hzữ20.000Hz
- Nguồn tín hiệu vào có : Ev=0.1V, Ri=1k
- Hệ số méo phi tuyến nhỏ (<1%),hệ số méo tần số tại tần số 20Hz
M(20Hz) 2 =1.4
- Các chỉ tiêu khác tuỳ chọn .
Thiết kế :
Bớc 1 : Phân tích và lựa chọn phơng án :
Do yêu cầu thiết kế ,mạch có công suất lớn nên trong mạch phải có một
tầng khuếch đại công suất .
Với dải thông tần rộng từ 20ữ20000Hz và hệ số méo phi tuyến nhỏ (<1%)
ta nên dùng mạch KĐCS đẩy kéo nối tiếp ,dùng nguồn cấp đối xứng ; nhng khi đó
hệ số khuếch đạisẽ không cao vì trong mạch có sử dụng hồi tiếp âm ,vì thế để đạt
đợc công suất lớn thì cần phải có thêm khâu khuếch đại điện áp (KĐĐA) trớc khi
cho vào mạch KĐCS .
Bớc 2 : Xây dựng mô hình :
Vì tầng KĐCS ta sử dụng mạch KĐCS đẩy kéo nối tiếp nên trong mạch có
ít nhất 1 Tranzitor mắc theo sơ đồ lặp Emitơ ,do đó mạch này có hệ số KĐ điện áp
Ku 1 .Tín hiệu vào có biên độ nhỏ ( 0.1V ) ,vì vậy để đạt đợc công suất ra lớn
thì trớc khi cho qua mạch KĐCS ta cần phải KĐ biên độ tín hiệu (tức KĐ điện áp

bằng mạch KĐĐA .
Tín hiệu ra của khâu này sẽ tiếp tục đợc đa vào khâu KĐCS . ở khâu
KĐCS , mạch KĐCS đẩy kéo làm việc ở chế độ AB và B nên méo tín hiệu và trôi
rất lớn ,vì vậy để nâng cao biên độ ,đồng thời hạn chế độ trôi ở mức thấp ta dùng
mạch KĐ vi sai ,mục đích để tạo ra 2 đầu vào ,1 đầu tín hiệu vào ,đầu vào còn lại
đợc lấy hồi tiếp âm từ đầu ra của tầng KĐCS ,với cách khắc phục này ta có thể
giảm đợc méo rất nhiều khi mạch KĐCS làm việc ở chế độ AB và B .
Tín hiệu ra của tầng KĐCS có thể lấy trực tiếp ngay trên tải mắc trực tiếp
với đầu ra của mạch KĐCS .
1


Đồ án Điện tử cho CNTT

Mạch khuếch đại công suất tần số thấp

Tóm lại ,mô hình của tầng KĐCS tần số thấp thoả mãn những chỉ tiêu trên
bao gồm 2 khâu cơ bản nh sau :

Uv

KĐĐA

KĐCS

Ura

Bớc 3 : Chọn sơ đồ :
Ta xây dựng mạch có công suất Ptmax=50 W ,Rt=10 ,khi đó ta có :
Ptmax=U2r/Rt nên Ur= 22.36 V

Ir = Ur/Rt =22,36/10=2.236 A
Urmax = 1.4.Ur= 31.62 V
KU = Ur/Uv =316.2
Ta chọn khâu KĐĐA có Ku1=20 và khâu KĐCS có Ku2=15.81
Để giảm méo, ta chọn tầng KĐĐA bằng vi mạch thuật toán ( có Kumax =
1000) để khuếch đạivới Ku1thực tế là 20. Lúc đó Ur1=0.1x20=2V ;tầng này có hệ
số méo 1=0 và hệ số méo tần số M1(20Hz) < 1.4 .
Tầng KĐCS đại đợc chọn có 2<1% là tầng KĐCS đại có chất lợng cao, do
đó ta chọn mạch KĐCS đại theo kiểu đẩy kéo nối tiếp nguồn đối xứng. Có
Uv2=Ur1=2V,hệ số méo tần số M2(20Hz)=1.
Để dải thông tần rộng, và méo M(20Hz) nhỏ, ta cần ghép tầng với càng ít tụ
càng tốt.
Bớc 4 : Phân tích , thiết kế và tính toán :
I. Khâu KĐCS :
1.Phân tích :
Ta chọn khâu KĐCS gồm một tầng khuếch đại vi sai và một tầng Khuếch
đại đẩy kéo mắc theo sơ đồ Darlinton có bù nhiệt bằng Diode . Sơ đồ nguyên lý
nh sau :

2


Đồ án Điện tử cho CNTT

Mạch khuếch đại công suất tần số thấp

Sơ đồ nguyên lý khâu KĐCS .
Mạch KĐCS đợc mắc theo sơ đồ đẩy kéo nối tiếp dùng Tranzitor bù (T
khác loại) ,điện áp đầu vào đợc lấy từ đầu ra của tầng kích thích Q5 ,các Tranzitor
Q1,Q2,Q3,Q4 đợc kích thích bởi Tranzitor Q10 .

Các Tranzitor Q1,Q2 và Q3,Q4 đợc mắc thành các Tranzitor Darlinton để
tăng trở kháng vào của mạch khuếch đại .Tổ hợp Q3,Q4 tạo thành mạch
Darlington bù ,làm việc nh một Tranzitor pnp .
Các Diode D1,D2,D3 đợc dùng để bù điện áp UBE của Q1 ,Q2 và Q3Q4
đồng thời cũng có tác dụng bù nhiệt .
Các điện trở R3,R4 dùng để phân cực cho các Tranzitor Q2,Q4 làm việc ở
chế độ AB và Q1 , Q3 làm việc ở chế độ B .Khi đó để chống méo quá độ ,dòng I o
phải đợc chọn trong khoảng (5ữ20)mA ; Các điện trở R1,R2 là các điện trở bảo vệ
quá dòng ,nhng các điện trở này làm giảm thiểu công suất ,vì vậy chúng phải đợc
chọn để công suất giảm không quá 5% ,do đó phải chọn
R1=R20.05Rt=0.05x10=0.5().
Các điện trở R12,R13 là các điện trở phân áp để lấy một phần điện áp ra hồi
tiếp về tầng KĐ vi sai .
3


Đồ án Điện tử cho CNTT

Mạch khuếch đại công suất tần số thấp

Tầng KĐ vi sai đợc mắc theo sơ đồ có gơng dòng điện, Q7 đợc mắc thành
diode thực hiện chức năng tải động của tầng , nhờ vậy ta có hệ số KĐ vi sai K vs
lớn hơn .
Q11 đợc mắc để tạo ra dòng ổn định cung cấp dòng IE cho tầng KĐ vi sai
làm việc . Tín hiệu ra ở tầng KĐ vi sai đợc lấy trên colector của Q9 ,và đợc kích
thích qua Q5 trớc khi đa vào tầng KĐCS cuối cùng .
Các Tranzitor Q10 và Q11 đợc mắc theo sơ đồ Emitơ chung và đợc phân
cực bằng dòng cố định nhờ diode Zener D z . Dz đợc chọn có trị số càng nhỏ càng
tốt ,trong khoảng (2ữ5)V .
2. Tính toán chi tiết :

a. Nguồn cung cấp :
Ecc đợc chọn sao cho Uramax=(0.4ữ0.8)Ecc.
Chọn Uramax=0.8Ecc ,mà Uramax=31.62V Ecc=50V
Biên độ dòng ra cực đại là: Irmax = Urmax /Rt = 31.62/10 =3.162(A)
b. Chọn Tranzitor.
Q1, Q3 là 2 Tranzitor liên hợp .
Yêu cầu: Ucmax >2Ecc
Icmax >Ir max.
Kết hợp điều kiện trên, ta chọn Ic max=6A
Ucmax=150V
1=3=20
fgh=1000KHz
Q2,Q4 là hai tranzitor liên hợp .Ta có I cmax ( Q2,Q4 )= Irmax /1 = 3.162/20 =
0.1581 (A).
Vậy Q2, Q4 đợc chọn với các thông số nh sau:

Ucmax=150V
Icmax =0,5 A.
2=4=100.
fgh=1000KHz.

Q5 chọn sao cho Icmax>Icmax(Q2)/ 2=0.5(A)/100=5 mA. Vậy chọn Q5
có Icmax=10mA,5=50 .
Q6ữQ11 chọn là các tranzitor nhỏ có o=100 và Ucmax=150V.
Các Tranzitor có UBE=0.7V; Các Diode chọn là Diode silic có UD=0.7V
4


Đồ án Điện tử cho CNTT

Mạch khuếch đại công suất tần số thấp

c. Tính toán các chế độ phân cực :
Để chống trôi nhiệt, chọn chế độ làm việc của Q2,Q4 là chế độ AB có phân
cực.Q1,Q3 chọn ở chế độ B không có dòng.
Chọn Io=5mA
Vì Q2,Q4 là các Tranzitor liên hợp nên UR3R4=2UBE(Q2,Q4)=2x0.7=1.4(V);
Do đó ta có Io = UR3R4/( R3+R4) nên R3+R4 = UR3R4 /Io =1.4/5mA=140
(Ohm).
Từ Q5ữQ11 đều chọn làm việc ở chế độ A.
Chọn dòng qua R8 : I11.5Ira(Q5)
Ta có Ira(Q5) =

Ir
3.535
=
1.8(mA)
1. 3 20 x100

Do đó , chọn I1= 2,5 mA
Khi đó tính đợc R8=( Uz-UBE(Q10))/I1 = 1.3/2.5.10-3=520 Ohm.
Để xác định R7 ,ta chọn dòng qua Dz càng nhỏ càng tốt ,trong khoảng
(2ữ5)mA . Ta chọn : IDz=2mA ,khi đó tính đợc :
R7=( 0-(-Ecc)-UDZ )/ IDZ =(50-2)/2mA =24KOhm.
R6,R9 đợc chọn trong khoảng (1ữ300) ,ta chọn R6=50;
R9=100.
Để tính R10,ta cần chọn dòng I2 qua Tranzitor Q11,I2 đợc chọn trong
khoảng (1ữ2)mA ,ta chọn I2=1.3 mA , khi đó ta có :
R10=(Uz-UBE(Q11) )/ I2 = (2-0.7)/1.3.10-3 =1kohm.
R11 đợc chọn bằng tải của tầng trớc để chống trôi nhiệt ,chọn càng bé càng

tốt ,trong khoảng (1ữ11)k ,ta chọn R11=1k.
Xác định R12,R13 :
Các Tranzitor Q1ữQ4
Kucs=Ku(Q1,Q2,Q3,Q4)=1.

mắc

theo

sơ

đồ

lặp

Emitơ

nên

Q6,Q7 đợc mắc theo gơng dòng điện ,tơng đơng một điện trở rất nhỏ nên
Kuvi saităng lên đáng kể ,khoảng vài chục lần .
Q5 có 5=50 do đó KuQ5 khoảng vài trăm lần .
Do vậy hệ số khuếch đại điện áp của khâu KĐCS sẽ là :
Ku=Kvs.Ku(Q5).Kucs>>1;
5


Đồ án Điện tử cho CNTT

Mạch khuếch đại công suất tần số thấp

Khi có phản hồi âm điện áp từ đầu ra của tầng về tầng KĐVS qua 2 điện
trở phân áp R12 và R13 ,ta có :
Ku(ph)=Ku/(1+B.Ku)=1/B=14.14 nên B=1/14.14
Mặt khác B=R13/(R12+R13) . R12 đợc chọn trong khoảng (3.3ữ10)k ,ta
chọn R12=10k ,tính đợc R13=760 .
II. Khâu KĐĐA :
Đối với khâu KĐĐA ,ta dùng mạch KĐ đảo ,mắc theo sơ đồ nh sau :

Sơ đồ nguyên lý khâu KĐĐA
Nguồn vào có Uv=0.1V,tần số chọn bằng 1kHz, điện trở trong Ri=1k .
Trong đó R0 đợc chọn sao cho R0<10k ,(2.2ữ5.6)k .Ta chọn R0=3k
,khi đó do mạch mắc theo sơ đồ khuếch đại đảo nên ta có :
Ku =

Rht
Ri + R 0

Do đó để Ku=20 ,thì Rht=20x(Ri+R0)=80(k);
Để hệ số méo M1(20Hz)<1.4 ,ta chọn C=1àF .

Bớc 5 : Mắc mạch và nhận xét kết quả :
Với các giá trị chọn và tính toán đợc nh trên , ta có sơ đồ nguyên lý của
tầng khuếch đại công suất tần số thấp và đồ thị biểu diễn kết quả dạng sóng ra so
với sóng vào nh sau :
6


Đồ án Điện tử cho CNTT

Mạch khuếch đại công suất tần số thấp

Nhận xét kết quả :
Kết quả có thể thấy trên hình dạng sóng của máy hiện sóng OscilloScope
,tín hiệu ra và tín hiệu vào có pha ngợc nhau (do qua bộ KĐĐA dùng vi mạch mắc
theo sơ đồ mạch KĐ đảo ) ,biên độ ra cực đại thấy đợc trên OscilloScope đúng
bằng 31,61V= Urmax nh tính toán lý thuyết .
Biên độ tín hiệu ra quan sát thấy trên Vônkế ,có số chỉ Ur=22.34 V(vì
vônkế cho các giá trị hiệu dụng ,tức bằng 31,61 xấp xỉ với tính toán là 22.36V ;
Dòng qua tải đợc cho bởi Ampekế ,có số chỉ Ir=2.236 A (đây cũng là giá trị hiệu
dụng) ,cũng gần đúng với kết quả tính toán lý thuyết là 3.549 A ,công suất thu đợc
khi đó sẽ là Pt=Ur x Ir = 22.24x2.236 49.7 (W) ,sai lệch với công suất thiết kế là
0.3W ,có thể chấp nhận đợc .
Các giá trị của điện thế và dòng điện khác có thể đo trực tiếp trên mạch
,nhận thấy cúng khá chính xác với tính toán và chọn trong phần phân tích trên .
Tuy nhiên trong thực tế ,các giá trị điện trở và các linh kiện bán dẫn có các
thông số phụ thuộc vào nhiệt độ phức tạp hơn nên trong mạch thực tế cần phải có
biện pháp khắc phục để có đợc kết quả ổn định .

7


§å ¸n §iÖn tö cho CNTT

M¹ch khuÕch ®¹i c«ng suÊt tÇn sè thÊp

S¬ ®åchi tiÕt toµn m¹ch.

8

Đồ án Điện tử cho CNTT

Mạch khuếch đại công suất tần số thấp

Sơ đồ nguyên lý toàn mạch.

Sơ đồ chi tiết mạch Khuếch đại Công suất tần số thấp .
Một số chú ý :

Trong mạch có tạo một số th viện riêng cho mạch này ,trong đó cơ bản là thay đổi điện
áp UBE =0.7V của các Tranzitor (giá trị mặc định trong th viện Default là 0.75V) cho phù hợp
với kết quả tính toán ;Diode Dz cũng đợc thay đổi giá trị UDz=2V . Trong mạch còn có thêm bộ
Oscilloscope để so sánh tín hiệu vào-ra ,nhng do lỗi phần mềm nên không đa hình vào văn bản
đợc ,mong thầy thông cảm !

9