Chế tạo màng mỏng dẫn điện trong suốt zno bằng phương pháp điện tử xung (PED)

ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI
TRƢỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN
---------------

DƢƠNG VĂN NAM

CHẾ TẠO MÀNG MỎNG DẪN ĐIỆN TRONG SUỐT ZnO
BẰNG PHƢƠNG PHÁP ĐIỆN TƢ̉ XUNG (PED)

LUẬN VĂN THẠC SĨ KHOA HỌC

LỜI CẢM ƠN

Hà Nội – 2014


ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI
TRƢỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN
---------------

DƢƠNG VĂN NAM

CHẾ TẠO MÀNG MỎNG DẪN ĐIỆN TRONG SUỐT ZnO
BẰNG PHƢƠNG PHÁP ĐIỆN TƢ̉ XUNG (PED)
Chuyên ngành: Vật lí nhiệt
Mã số: 60 44 09

LUẬN VĂN THẠC SĨ KHOA HỌC

NGƢỜI HƢỚNG DẪN KHOA HỌC:
PGS.TS PHẠM HỒNG QUANG

Hà Nội – 2014

Hà Nội – 2014


LỜI CẢM ƠN
Lời đầu tiên, em xin bày tỏ lòng biết ơn sâu sắc tới thầy hƣớng dẫn em
là PGS.TS Phạm Hồng Quang đã luôn chỉ bảo, hƣớng dẫn tận tình những
vƣớng mắc em gặp phải trong suốt quá trình làm Luâ ̣n văn tha ̣c si ̃ , để em có
thể hoàn thành tốt nhất bản Luâ ̣n văn thạc sĩ này.
Em xin gửi lời cảm ơn đến tất cả các thầy cô giáo trong khoa Vật lý đã
dạy dỗ và truyền đạt kiến thức bổ ích cho em trong suốt những năm qua, tạo
điều kiện để em có kiến thức thực hiện nội dung bài Luâ ̣n văn thạc sĩ này.
Đồng thời em xin gửi lời cảm ơn chân thành tới các thầy cô giáo, tập
thể cán bộ làm việc tại Bộ môn Vật lý nhiệt độ thấp trƣờng Đại học khoa học
tự nhiên đã tạo điều kiện giúp đỡ em trong thời gian qua.
Cuối cùng, em xin gửi lời cảm ơn tới bạn bè, những ngƣời đã ủng hộ,
động viên, giúp đỡ em trong quá trình làm Luâ ̣n văn tha ̣c si.̃
Hà Nội, ngày

tháng

năm 2014

Học viên

Dƣơng Văn Nam

MỤC LỤC

CHƢƠNG 1. TỔNG QUAN
1.1 Đặc điểm cấu trúc và tính chất của vật liệu ZnO
1.1.1 Cấu trúc lập phƣơng kiểu lục giác Wurtzite
1.1.2 Cấu trúc lập phƣơng đơn giản kiểu NaCl
1.1.3 Cấu trúc lập phƣơng giả kẽm
1.2 Cấu trúc vùng năng lƣợng
1.2.1 Cấu trúc vùng năng lƣợng của ZnO ở dạng lục giác Wurtzite
1.2.2 Cấu trúc vùng năng lƣợng của mạng lập phƣơng giả kẽm
1.2.3 Cấu trúc vùng năng lƣợng của mạng lập phƣơng kiểu NaCl
1.3 Tính chất điện
1.4 Tính chất quang
1.5 Xu hƣớng nghiên cứu hiện nay
1.5.1 Vật liệu cấu trúc nano ZnO một chiều
1.5.2 Vật liệu bán dẫn từ pha loãng
1.5.3 Vật liệu bán dẫn loại p
1.6. Một số nghiên cứu về cấu trúc tinh thể và tính chất của ZnO, ZnO
pha kim loại chuyển tiếp
1.6.1 Phổ nhiễu xạ tia X
1.6.2 Tính chất điện.


1.6.3 Phổ tán xạ Raman
1.6.4 Tính chất bề mặt
1.6.5 Tính chất quang
1.6.5.1 Phổ truyền qua của ZnO
1.6.5.2 Phổ hấp thụ
1.6.5.3 Phổ huỳnh quang
CHƢƠNG 2. PHƢƠNG PHÁP NGHIÊN CỨU

2.1 Phƣơng pháp sol – gel.
2.1.1 Định nghĩa.
2.1.2 Các quá trình chính xảy ra trong sol – gel
2.1.3 Ƣu điểm và nhƣợc điểm của quá trình sol – gel.
2.2 Phƣơng pháp phún xạ.
2.2.1 Định nghĩa.
2.2.2 Bản chất quá trình phún xạ.
2.2.3 Ƣu điểm và nhƣợc điểm của phún xạ.
2.3 Phƣơng pháp lắng đọng màng mỏng bằng lắng đọng xung lazer (
PLD).
2.3.1 Giới thiệu.
2..3.2 Cấu tạo và cơ chế của phƣơng pháp PLD.
2.3.3 Ƣu điểm và nhƣợc điểm của phƣơng pháp PLD.
2.4 Phƣơng pháp PED
2.4.1 Giới thiệu chung về thiế t bi ̣điê ̣n tƣ̉ xung PED.


2.4.2.

Hệ thống ống phóng điện tử.

2.4.3.

Âm cực rỗng (nguồn điện tử).

2.4.4.

Gia tốc chùm điện tử.

2.4.5.

Sự truyền chùm điện tử hội tụ.

2.4.6.

Quá trình lắng đọng

2.5. Ảnh hƣởng của một số yếu tố công nghệ chế tạo.
2.5.1. Mối quan hệ giữa điện thế phóng và áp suất khí.
2.5.2. Mối quan hệ giữa áp suất khí và chùm plasma.
2.5.3. Mối quan hệ giữa áp suất và tỷ lệ lắng đọng
2.5.4. Ảnh hƣởng của áp suất tới bề mặt, độ dày của màng
2.5.5. Ảnh hƣởng của áp suất tới tính chất của màng
CHƢƠNG 3: CHẾ TẠO LỚP MÀNG MỎNG DẪN ĐIỆN ZnO BẰNG
PHƢƠNG PHÁP LẮNG ĐỌNG XUNG ĐIỆN TỬ (PULSED ELECTRON
DEPOSITION – PED)
3.1. Kết quả đo chiều dày
3.2. Kết quả chụp hình thái bề mặt mẫu
3.3. Kết quả đo phổ nhiễu xạ tia X
3.4. Kết quả đo hệ số hấp thụ
3.5. Kết quả đo hiệu ứng Hall


DANH MỤC BẢNG BIỂU
Bảng 1.1: Mô tả các chỉ số đặc trƣng của vật liệu bán dẫn khối ZnO
tại nhiệt độ phòng
Bảng 2.1: Thông số hệ thống CS
Bảng 2.2: Áp suất tối ƣu của một số chất làm màng mỏng
Bảng 3.1: Thông số quá trình lắng đọng của các hệ mẫu
Bảng 3.2: Các tính chất chuyển của hệ AZO-2

DANH MỤC HÌNH VẼ
Hình 1.1. Cấu trúc Wurtzite lục giác xếp chặt của mạng ZnO ..……

12

Hình 1.2. Cấu trúc liên kết tinhh thể ………………………….……

13

Hình 1.3. Cấu trúc kiểu lập phƣơng đơn giản kiểu NaCl…..………..

13

Hình 1.4. Cấu trúc lập phƣơng giả kẽm …………………………….

14

Hình 1.5. Vùng Brilouin của cấu trúc lục giác Wurtzite …..……….

15

Hình 1.6: Cấu trúc đối xứng vùng năng lƣợng của ZnO ..………….

15

Hình 1.7. Phổ nhiễu xạ tia X của màng ZnO ở nhiệt độ khác nhau…

20

Hình 1.8. Sự dịch đỉnh phổ các mẫu dƣới điều kiện áp suất
khác nhau.. …………………………………………………………

20

Hình 1.9. Sự dịch đỉnh phổ các mẫu dƣới điều kiện áp suất
khác nhau……………………………………………………………

20

Hình 1.10. Sự thay đổi điện trở của màng ZnO khi nhiệt độ thay đổi…

21

Hình 1.11. Sự phụ thuộc của điện trở suất và nhiệt độ…….....……...

21

Hình 1.12. Sự phụ thuộc của điện trở suất và nhiệt độ…….....……...

21

Hình 1.13. Phổ tán xạ Raman của màng ZnO ở các nhiệt độ đế
khác nhau………………………………………………………….

22

Hình 1.14. Phổ Raman của mẫu ZnO không pha tạp……...………...

23

Hình 1.15. Hình ảnh bề mặt của mẫu màng………………... ..……...

23

Hình 1.16. Hình ảnh bề mặt của mẫu màng………………... ..……...

23

Hình 1.17. Hình ảnh bề mặt của mẫu màng………………... ..……...

24

Hình 1.18. Hình ảnh bề mặt của mẫu màng………………... ..……...

24

Hình 1.19. Ảnh SEM của mẫu màng ở tốc độ quay khác nhau……...

24

Hình 1.20. Ảnh SEM của mẫu màng trên đế thủy tinh ở nhiệt độ
khác nhau …………………………………………………………..

.25

Hình 1.21. Phổ truyền qua màng ở các áp suất khác nhau…...……...

15

Hình 1.22. Phổ truyền qua màng ở các nhiệt độ khác nhau.....……...

15

Hình 1.23. Phổ hấp thụ của màng …………………………...……...

16


Hình 1.24. Phổ huỳnh quang màng ở các áp suất khác nhau...……...

17

Hình 1.25. Phổ huỳnh quang màng ở các nhiệt độ khác nhau...…….

17

Hình 2.1. Mô hình hệ thống lắng đọng điện tử xung …..……..…….

19

Hình 2.2. Sơ đồ hệ thống PED …..………………………………….

20

Hình 2.3. Nguồn điện tử ………….….…….……………………….

21

Hình 2.4. Nguồn lắng đọng điện tử PEBS – 20…..…………………

22

Hình 2.5. Định luật Paschen …..……………………...…………….

23

Hình 2.6. Ống phóng điện tử.…..………………...…………………

24

Hình 2.7. Sắp xếp của bia, đế và ống phóng điện tử .………………

25

Hình 2.8. Sắp xếp trong buồng lắng đọng ………...……..…………

26

Hình 2.9. Hình ảnh trƣớc và sau khi bắn chum xung điện tử và bia
vật liệu……………………….……………………………………..

29

Hình 2.10. Thiết bị kính hiển vi điện tử quét Jeol 5410 LV tại Trung tâm
Khoa học Vật liệu, Đại học Quốc gia Hà Nội…………………

31

Hình 2.11. Hiện tƣợng nhiễu xạ tia X trên mặt phẳng mạng tinh thể
và sơ đồ nguyên lí của máy nhiễu xạ tia X…………………………
Hình 2.12. Mẫu đƣợc đặt bốn đầu dò tiêu chuẩn………………………

32
35

Hình 3.1. Bề mặt của mẫu ZnO chế tạo ở nhiệt độ đế 4000C,
áp suất 10mTorr……………………………………………………

46

Hình 3.2. Giản đồ nhiễu xạ tia X của hệ AZO-1 chế tạo ở nhiệt độ
phòng với các áp suất khí khác nhau………………………………

46

Hình 3.3. Giản đồ nhễu xạ tia X của hệ AZO-2 chế tạo ở áp suất
khí 3,5; 5 và 10mTorr với nhiệt độ đế là 4000C……………………

48

Hình 3.4. Phổ hấp thụ của hệ AZO-1 chế tạo ở áp suất
khí 3,5; 5;10 và 15mTorr …………………………………………

49

Hình 3.5. Phổ hấp thụ của hệ AZO-2 chế tạo ở áp suất
khí 3,5; 5;10 và 10mTorr …………………………………………

50

Hình 3.6. Sự phụ thuộc của điện trở Hall vào cƣờng độ từ trƣờng H
của mẫu lắng đọng ở áp suất 5mTorr trong hệ AZO-2………………

51


MỞ ĐẦU
1. Tính cấp thiết của đề tài
Vấn đề ô nhiễm môi trƣờng hiện nay có xu hƣớng ngày càng nghiêm trọng, một trong những
nguyên nhân đó là con ngƣời đã sử dụng quá nhiều các nguồn năng lƣợng hóa thạch. Nguồn năng
lƣợng chủ yếu này đang dần cạn kiệt và hết trong vài thập niên tới, xu hƣớng tiêu thụ nguồn năng
lƣợng hóa thạch đƣợc coi là không bền vững. Thay thế vào đó là chiến lƣợc phát triển bền vững
bằng cách sử dụng các nguồn năng lƣợng tái tạo. Sử dụng nguồn năng lƣợng mặt trời là một trong
các hình thức cũng nằm trong chiến lƣợc đó. Năng lƣợng mặt trời có có những ƣu điểm nhƣ: sạch,
không gây ô nhiễm môi trƣờng, chi phí nhiên liệu và bảo dƣỡng thấp, an toàn cho ngƣời sử dụng.
Để có nguồn năng lƣợng sạch đó, ngƣời ta phải phát triển ngành công nghiệp sản xuất pin mặt trời,
góp phần thay thế các nguồn năng lƣợng hóa thạch và giảm phát sinh khí thải gây hiệu ứng nhà
kính. Vì vậy, đây đƣợc coi là nguồn năng lƣợng quý giá, có thể thay thế những dạng năng lƣợng
cũng đang ngày càng cạn kiệt.
Pin năng lƣợng mặt trời đầu tiên đƣợc phát minh vào năm 1946. Cho đến nay, pin năng lƣợng mặt
trời vẫn chƣa đƣợc sử dụng phổ biến do giá thành cao và hiệu suất còn thấp. Các nhà khoa học và
nhà sản xuất trên thế giới đã và đang không ngừng nghiên cứu để chế tạo pin năng lƣợng mặt trời
có hiệu suất cao hơn, tuổi thọ dài hơn và giá thành thấp hơn.
Trên thế giới hiện có mô ̣t số trung tâm nghiên cƣ́u mạnh về pin mặt trời màng mỏng CIGS, điể n
hình là NREL (Mỹ), Đa ̣i ho ̣c tổ ng hơ ̣p Colorado (Mỹ), Đa ̣i ho ̣c tổ ng hơ ̣p Uppsala (Thụy Điển), Đa ̣i
học Quốc gia Chonnam (Hàn Quốc). Tại các cơ sở này đã và đang thực hiện các dự án lớn về pin
mặt trời màng mỏng CIGS, trong đó đã có các dự án xây dựng các dây chuyền sản xuất bằng các
phƣơng pháp vật lý.

Việt Nam là nƣớc nhiệt đới, có tiềm năng về năng lƣợng mặt trời. Với vị trí địa lý thuận lợi, ở Việt
Nam, nguồn năng lƣợng mặt trời có lƣợng bức xạ trung bình 5kW/m²/ngày với khoảng 2.000 giờ
nắng/năm. Bên cạnh đó, nguồn nhiên liệu tự nhiên dần cạn kiệt, trong khi các giải pháp thay thế
nhƣ pin mặt trời lại chƣa đƣợc sản xuất rộng rãi. Nhƣ vậy, để tăng trƣởng và phát triển bền vững,
các nhà khoa học trong nƣớc cần nghiên cứu và sử dụng năng lƣợng sạch nói chung và năng lƣợng
điện mặt trời nói riêng, sao cho có hiệu quả nhất. Việc nâng cao hiệu suất của pin mặt trời là một
điều vô cùng cần thiết. Hƣớng nghiên cứu về pin mặt trời thế hệ loại mới này đang đƣợc một nhóm
các nhà khoa học tại bộ môn Vật lý Nhiệt độ thấp, Khoa Vật lý, Trƣờng Đại học Khoa học Tự
nhiên – Đại học Quốc gia Hà Nội tiến hành. Hiện nay, Trƣờng đã đƣợc trang bị hệ thống máy lắng
đọng điện tử xung (PED) của công ty Neocera – Mỹ. Hệ thống đƣợc chế tạo dựa trên công nghệ
mới nhất của Neocera, nó đƣợc sử dụng để lắng đọng các chất siêu dẫn nhiệt độ cao, màng mỏng
kim loại, chất phủ cứng bề mặt, lắng đọng màng polymer…, đó là một phƣơng pháp mới để chế tạo
các màng mỏng chất lƣợng cao.
Trong các lớp cấu thành của một pin mặt trời màng mỏng CIGS, lớp hấp thụ CIGS và lớp
dẫn điện trong suốt ZnO có vai trò quan trọng hơn cả. Đối với lớp hấp thụ CIGS, đã và đang có
nhiều phƣơng pháp chế tạo đƣợc nghiên cứu. Có thể chia các phƣơng pháp này thành hai nhóm:
Nhóm các phƣơng pháp cần chân không, gồm: đồng bốc bay từ các nguyên tố riêng rẽ, bốc bay từ
hợp chất, lắng đọng hơi hóa học, phún xạ catot, epitaxy chùm phân tử, lắng đọng điện tử xung, lắng
đọng bằng xung laze; Nhóm các phƣơng pháp không cần chân không bao gồm: lắng đọng điện hóa,
lắng đọng bởi nhiệt phân, phun sơn nhiệt.

1


TÀI LIỆU THAM KHẢO

TIẾNG VIỆT
1. Nguyễn Năng Định (2005), Vật lí và kỹ thuật màng mỏng, Nhà xuất
bản Đại học Quốc gia Hà Nội, Hà Nội.
2. Nguyễn Văn Minh (2009), Cơ sở vật lý quang học chất rắn, Nhà xuất

bản Đại học Sƣ phạm Hà Nội, Hà Nội.
3. Ngô Đình Sáng (2013), Mô phỏng vật lý linh kiện, chế tạo và khảo sát
tính chất một số lớp chính của pin mặt trời thế hệ mới trên cơ sở màng
mỏng CIGS, Luận văn Tiến sĩ Vật lý, Trƣờng ĐHKHTN-ĐHQGHN.
4. Nguyễn Thế Khôi, Nguyễn Hữu Mình (1992), Vật lí chất rắn, Nhà xuất
bản Giáo dục, Hà Nội.
5. Phùng Hồ, Phan Quốc Phô (2001), Giáo trình vật lí bán dẫn, Nhà xuất
bản Khoa học và Kĩ thuật, Hà Nội.
6. Phạm Hồng Quang, Ngô Đình Sáng, Đỗ Quang Ngọc (2011), “Chế tạo
màng mỏng bằng lắng đọng xung điện tử (PED)”, Tuyển tập các báo
cáo Hội nghị Vật lý chất rắn và Khoa học Vật liệu Toàn quốc lần thứ 7,
tr. 241-246.
TIẾNG ANH
7. Aga R. S., Jr., Cox C. , Ueda A. , Jackson E. , Collins W. E. , and Mu
R. (2006), “Influence of background gas pressure charging potential
and target distance on the spot size ablated by single pulsed electron
beam” J. Vac. Sci. Technol. A 24(6), pp. 11-14
8. Andriesh A. M., Verlan V. I., Malahova L. A. (2003), “Deposition of
heterostructures based on CIGSE and CdS by electron-beam ablation”,
Journal of Optoelectronics and Advanced Materials 5(4), pp. 817-821.
9. Chandra V., Manoharan S. S. (2008), “Pulsed electron beam deposition
of highly oriented thin films of polytetrafluoroethylene”, Applied
Surface Science 254, pp. 4063-4066.
62


10.Chen Y., Bagnall D. M., Koh H. J., Park K. T., Hiraga K., Zhu Z. Q.,
and Yao T. (1998), “Plasma assited molecular beam epitaxy of ZnO on
c- plane sapphire: Growth and characterization”, J. Appl. Phys. 84(7),
pp. 3912- 3918.

11.Choudhary R. J., Ogale S. B., Shinde S. R., Kulkarni V. N., Venkatesan
T., Harshavardhan K. S., Strikovski M., Hannoyer B. (2004), “Pulsedelectronbeam deposition of transparent conducting SnO2 films and
study of their properties” Appl. Phys. Lett. 84(9), pp. 1483-1485.
12. Dikovska A. O., Atanaskov P. A., Dimitrov J. G., Imamova S. E.,
Vasilev T. (2009), “Transparent conductive Al doped ZnO thin films
produced by pulsed laser deposition”, Journal of Optoelectronics and
Advanced materials 11(10), pp. 1517-1520.
13. Hirata G.A., McKittrick J., Siqueiros J., Lopez O. A., Cheeks T.,
Contreras O., and Yi J. Y. (1996), “High transmittance-low resistivity
ZnO: Ga films by laser ablation”, J. Vac. Sci. Technol. A 14(3), pp.
791-794.
14. Huang L., Li X., Zhang Q., Miao W., Zhang L., Yan X., Zhuang Z.,
and Hua Z. (2005), “Properties of transparent conductive In2O3:Mo
thin films deposited by Channel Spark Ablation”, J. Vac. Sci. Technol.
A, 23(5), pp.1350-1353.
15. Jackson E. , Aga R., Jr., Steigerwald A. , Ueda A. , Pan Z. , Collins W.
E. , and Mu R. (2008), “Characterization of CdTe Nanoparticles
Fabricated by Pulsed Electron Deposition Technique at Different
Ablation parameters”, AIP Conf. Proc. 991, pp. 90-93.
16. Jiang X. L., and Xu N. (1989), “Preparation of dense films of
crystalline ZrO2 by intense pulsed-electron-beam ablation”, J. Appl.
Phys. 66(11), pp. 5594-5597.
17. Kovaleski S. D., Gilgenbach R. M., Ang L. K., and Lau Y. Y. (1999),
“Electron beam ablation of materials”, J. Appl.Phys. 86, pp. 7129-7138.
63


18. Kyoung P. Ko, Seung H. Moon, Kyu J. Song, Park Chan, Sang Im Yoo
(2005), “High quality SmBa2Cu3O7-δ thin films on SrTiO3 (100)
substrates deposited by pulsed electron beam deposition”, IEEE

Transactions on Applied Superconductivity 15(2), pp. 3054-3057.
19. Ngo Dinh Sang, Pham Hong Quang, Do Quang Ngoc (2012), “Effect
of oxygen pressure on the charge transport property of Al-doped ZnO
films grown by pulsed electron deposition”, Communications in
Physics 22 (2), pp. 155-160. 138.
20. Nampoori H. V., Rincon V., Chen M., and Kotru S. (2010),
“Evaluation of indium tin oxide films grown at room temperature by
pulsed electron deposition”, J. Vac. Sci. Technol. A 28(4), pp. 671-674.
21. Nistor M., Mandache N. B and Perriere J. (2008), “Pulsed electron
beam deposition of oxide thin films”, J. Phys. D: Appl. Phys. 41, pp.
165205 -165215.
22. Ohta J., Sakurada K., Shih F. Y., Kobayashi A., Fujioka H. (2009),
“Growth of group III nitride films by pulsed electron beam deposition”,
Journal of Solid State Chemistry 182, pp. 1241-1244.
23. Pham Hong Quang, Ngo Dinh Sang, Do Quang Ngoc (2012), “Pulsed
electron beam deposition of transparent conducting Al-doped ZnO
films”, Thin Solid Films 520, pp. 6455-6458.139
24. Park S. M., Ikegami T., Ebihara K., Shin P. K. (2006), “Structure and
properties of transparent conductive doped ZnO films by pulsed laser
deposition”, Applied Surface Science 253, pp. 1522-1527.
25.Porter H. L., Mion C., Cai A. L., Zhang X., Muth J. F. (2005), “Growth
of ZnO films on C-plane (0001) sapphire by pulsed electrodeposition
(PED)”, Material Science and Engineering B 119, pp. 210-212.
26.Stark R., Christiansen J., Frank K., Mucke F., and Stetter M. (1995),
“Pseudospark produced pulsed electron beam for material processing”,
IEEE Trans.Plasma Sci. 23(3), pp. 258-264.
64


27. Strikovski M. and Harshavardhan K.S. (2003), “Parameters that

control pulsed electron beam ablation of materials and film deposition
processes”, Appl. Phys. Lett. 82(6), pp. 853-855.
28. Vispute R. D., Talyansky V., Trajanovic Z., Choopun S., Downes M.,
Sharma R. P., Venkatesan T., Woods M. C., Lareau R. T., Jones K. A.,
and Iliadis A. A. (1997), “High quality crystalline ZnO buffer layers on
sapphire (001) by pulsed laser deposition for III-V nitrides”, Appl.
Phys. Lett. 70(20), pp. 2735-2737.
29. Zhan P., Li Z., and Zhangjun Zhang (2011), “Preparation of Highly
Textured ZnO Thin Films by Pulsed Electron Deposition”, Materials
transactions 52(9), pp. 1764-1767.

65