BÀI GIẢNG MÔN HỌC CÔNG NGHỆ VI ĐIÊN TỬ

1

BÀI GIẢNG MÔN HỌC
CÔNG NGHỆ VI ĐIÊN TỬ
Credits: 2
Prerequisites:- Semiconductor Devices
- Microelectronic Circuit Design


References
1. HONG H. LEE, Fundamentals of Microelectronics Processing. 3
rd
Ed., McGraw-Hill; USA; 1990.
2. STEPHEN BROWN and ZVONKO VRANESIC, Fundamentals of Digital Logic with VHDL
Design, 3rd Ed., Mc.Graw-Hill, 2000.
3. SUNG-MO KANG and YUSUF LEBLEBICI, CMOS Digital Integrated Circuits Analysis and
Design. Mc.Graw-Hill, 2005.
4. DAN CLEIN, CMOS IC Layout, Newnes, 2000.
5. DAVID A. HODGES, HORACE G. JACKSON, RESVE A. SALEH, Analysis and Design of Digital
Integrated Circuits in Deep Submicron Technology, Mc.Graw-Hill, 2003.



2
CHƯƠNG 1. CƠ SỞ CƠNG NGHỆ MẠCH TÍCH HỢP
§1.1 Cạc mảch têch håüp
Cạc mảch têch håüp (IC) l cạc mảch âiãûn tỉí âỉåüc chãú tảo båíi viãûc tảo ra mäüt cạch âäưng thåìi cạc
pháưn tỉí riãng l nhỉ transistor, diodes ... trãn cng mäüt chip bạn dáùn nh (âiãøn hçnh l Si), cạc pháưn tỉí
âỉåüc näúi våïi nhau nhåì cạc váût liãûu kim loải âỉåüc ph trãn bãư màût ca chip. Cạc váût liãûu kim loải âọng
vai tr nhỉ cạc “ wireless wires”. tỉåíng ny láưn âáưu tiãn âỉåüc âỉa ra båíi Dummer nàm 1952. Cạc

mảch têch håüp âáưu tiãn âỉåüc phạt minh båíi Kilby, 1958.
Cạc mảch têch håüp vãư cå bn âỉåüc chia thnh 2 loải chênh: analog (hay linear) v digital (hay
logic). Cạc mảch têch håüp tỉång tỉû hồûc khúch âải hồûc âạp ỉïng cạc âiãûn ạp biãún âäøi. Tiãu biãøu l cạc
mảch khúch âải, timers, dao âäüng v cạc mảch âiãưu khiãøn âiãûn ạp (voltage regulators). Cạc mảch säú tảo
ra hồûc âạp ỉïng cạc tên hiãûu chè cọ hai mỉïc âiãûn ạp. Tiãu biãøu l cạc bäü vi xỉí l, cạc bäü nhåï, v cạc
microcomputer. Cạc mảch têch håüp cng cọ thãø âỉåüc phán loải theo cäng nghãû chãú tảo: monolithic hồûc
hybrid. Trong khän khäø giạo trçnh ny chụng ta chè ngiãn cỉïu loải thỉï nháút.
Quy mä ca sỉû têch håüp ca cạc mảch têch håüp trãn så såí Silicon â tàng lãn ráút nhanh chọng tỉì
thãú hãû âáưu tiãn âỉåüc chãú tảo båíi Texas Instruments nàm 1960 våïi tãn gi SSI (Small Scale Integration)
âãún thãú hãû måïi ULSI. Hiãûn nay cäng nghãû CMOS våïi minimum device dimension ( khong cạch gate to
gate) đạt tớ
i cåỵ vi chủc nm (0.65, 0.45).
Khuynh hỉåïng ch âảo trong viãûc gim nh kêch thỉåïc linh kiãûn trong cäng nghãû mảch têch håüp
l gim chi phê cho cng mäüt chỉïc nàng, gim tiãu thủ cäng sút v náng cao täúc âäü ca linh kiãûn. Mäüt
khuynh hỉåïng khạc l váùn tiãúp tủc sỉí dủng cạc âéa bạn dáùn låïn âãø gim chi phê trãn chip. Våïi c hai
khuynh hỉåïng trãn, cäng nghãû xỉí l vi âiãûn tỉí ln phi âỉåüc ci tiãún.
Cạc cäng nghãû IC ch úu hiãûn nay l cäng nghãû MOS v cäng nghãû BJT cho silicon v MES
cho gallium arsenide.


Hçnh 1-1 (256 K DRAM, 1983, AT&T Bell Laboratories)



3

4
Đ1.2 Baùn dỏựn vaỡ caùc haỷt taới

Si õồn tinh thóứ laỡ vỏỷt lióỷu cồ sồớ cho cọng nghóỷ IC. Hỗnh 1-2a mọ taớ mọỹt planar view cuớa tinh thóứ

Si vồùi caùc õióỷn tổớ cuớa lồùp ngoaỡi cuỡng (lồùp voớ) trong caùc lión kóỳt coỹng hoùa tri (covalent bond) giổợa caùc
nguyón tổớ lỏn cỏỷn. Mọỹt chỏỳt baùn dỏựn coù thóứ õổồỹc õởnh nghộa nhổ laỡ mọỹt vỏỷt lióỷu cú õọỹ dỏựn õióỷn coù thóứ
õióửu khióứn õổồỹc, trong khoaớng trung gian giổợa õióỷn mọi vaỡ kim loaỷi. Khaớ nng thay õọứi õọỹ dỏựn cuớa Si
trong khoaớng nhióửu bỏỷc coù thóứ õổồỹc thổỷc hióỷn bồới vióỷc õổa vaỡo maỷng tinh thóứ Si caùc nguyón tổớ taỷp chỏỳt
hoùa trở 3 nhổ Boron hoỷc hoùa trở 5 nhổ Phosphorus, chuùng õổồỹc goỹi laỡ caùc dopant hoỷc laỡ caùc taỷp chỏỳt
mong muọỳn. Quaù trỗnh naỡy goỹi laỡ quaù trỗnh pha taỷp hay doping. Caùc baùn dỏựn saỷch õổồỹc goỹi laỡ baùn dỏựn
thuỏửn hay intrinsic, caùc baùn dỏựn pha taỷp goỹi laỡ extrinsic. Nóỳu pha taỷp nhoùm 5 (chúng haỷn P) vaỡo Si thỗ
ngoaỡi 4 õióỷn tổớ lión kóỳt coỹng hoùa trở vồùi 4 õióỷn tổớ lồùp voớ cuớa caùc nguyón tổớ Si lỏn cỏỷn, õióỷn tổớ thổù 5 cuớa
nguyón tổớ taỷp coù lión kóỳt loớng leớo vồùi haỷt nhỏn vaỡ coù thóứ chuyóứn õọỹng tổồng õọỳi dóự daỡng trong maỷng tinh
thóứ Si. Daỷng baùn dỏựn naỡy õổồỹc gở laỡ baùn dỏựn loaỷi-n, vaỡ taỷp nhoùm 5 õổồỹc goỹi laỡ taỷp donor. Nóỳu pha taỷp
nhoùm 3 (chúng haỷn B) vaỡo Si thỗ 3 õióỷn tổớ lồùp voớ cuớa nguyón tổớ taỷ
p lión kóỳt coỹng hoùa trở vồùi caùc õióỷn tổớ
lồùp voớ cuớa caùc nguyón tổớ Si lỏn cỏỷn do õoù coù thóứ coi lồùp voớ cuớa nguyón tổớ taỷp coù 7 õióỷn tổớ, vaỡ bở trọỳng
mọỹt õióỷn tổớ. Vở trờ lión kóỳt khuyóỳt naỡy õổồỹc goỹi laỡ mọỹt lọự trọỳng (hole). Mọỹt õióỷn tổớ tổỡ nguyón tổớ Si gỏửn
õoù coù thóứ rồi vaỡo chọự trọỳng naỡy vaỡ lọự trọỳng õổồỹc xem nhổ chuyóứn dồỡi õóỳn vở trờ mồùi. Baùn dỏựn loaỷi naỡy
õổồỹc goỹi laỡ baùn dỏựn loaỷi -p, vaỡ taỷp nhoùm 3 õổồỹc goỹi laỡ taỷp acceptor. Caùc õióỷn tổớ vaỡ lọự trọỳng khi dởch
chuyóứn seợ mang theo chuùng caùc õióỷn tờch ỏm vaỡ dổồng nón õổồỹc goỹi laỡ caùc haỷt taớ
i. Caùc chỏỳt baùn dỏựn coù
thóứ ồớ daỷng nguyón tọỳ (nhổ Si, Ge) hoỷc hồỹp phỏửn. Sọỳ õióỷn tổớ trung bỗnh trón mọỹt nguyón tổớ thổồỡng bũng
4, ngoaỷi trổỡ trổồỡng hồỹp caùc baùn dỏựn A
V
-B
VI
.
Mọỹt baùn dỏựn thuỏửn thổồỡng laỡ õióỷn mọi trổỡ khi noù õổồỹc kờch thờch nhióỷt hoỷc quang. Nóỳu kờch
thờch õuớ maỷnh noù coù thóứ trồớ thaỡnh dỏựn õióỷn. Caùc mổùc nng lổồỹng khaớ dộ cuớa õióỷn tổớ laỡ rồỡi raỷc vaỡ sổỷ kờch
thờch seợ laỡm cho caùc õióỷn tổớ coù thóứ nhaớy lón mổùc nng lổồỹng cao hồn. Vỗ chỏỳt baùn dỏựn coù thóứ laỡ õióỷn mọi
hay dỏựn õióỷn tuỡy thuọỹc vaỡo mổùc õọỹ kờch thờch, nón coù thóứ coi noù bióứu hióỷn nhổ mọỹt chỏỳt dỏựn õióỷn nóỳu
nng lổồỹng kờch thờch vổồỹt quaù mọỹt mổùc ngổồợng nhỏỳt õởnh, goỹi laỡ energy barrier, kyù hióỷu E
g

(coỡn õổồỹc
goỹi laỡ khe nng lổồỹng - energy gap). Khe nng lổồỹng thay õọứi tổỡ 0.18 eV cho InSb tồùi 3.6 eV cho ZnS.
Caùc vỏỷt dỏựn nhổ kim loaỷi khọng coù khe nng lổồỹng nón coù thóứ dỏựn õióỷn khi coù hoỷc khọng coù kờch thờch.
Caùc chỏỳt caùch õióỷn coù khe nng lổồỹng lồùn õóỳn mổùc khọng dỏựn õióỷn ngay caớ khi kờch thờch maỷnh. Khi

5
khọng coù kờch thờch tỏỳt caớ caùc õióỷn tổớ cuớa baùn dỏựn chióỳm caùc mổùc nng lổồỹng thỏỳp trong caùc traỷng thaùi
hoùa trở. Mỷc duỡ caùc mổùc nng lổồỹng laỡ giaùn õoaỷn nhổng vỗ coù rỏỳt nhióửu mổùc nón coù thóứ xem tỏỷp hồỹp caùc
traỷng thaùi coỹng hoùa trở nhổ mọỹt daới hay vuỡng hoùa trở (valence band). Mổùc nng lổồỹng cao nhỏỳt cuớa vuỡng
hoùa trở kyù hióỷu laỡ E
v
. Phờa trón khe nng lổồỹng ( coỡn goỹi laỡ vuỡng cỏỳm) laỡ daới nng lổồỹng cuớa caùc traỷng
thaùi dỏựn, goỹi laỡ vuỡng dỏựn. Mổùc nng lổồỹng thỏỳp nhỏỳt cuớa vuỡng dỏựn kyù hióỷu laỡ E
c
. Hỗnh 1-2a mọ taớ cỏỳu
hỗnh caùc mổùc nng lổồỹng cuớa mọỹt baùn dỏựn thuỏửn ồớ 0
o
K. Khi baùn dỏựn thuỏửn õổồỹc pha taỷp donor, caùc õióỷn
tổớ donor seợ chióỳm caùc mổùc nng lổồỹng gỏửn dổồùi vuỡng dỏựn, vồùi mổùc nng lổồỹng thỏỳp nhỏỳt trong caùc mổùc
naỡy õổồỹc goỹi laỡ mổùc donor, kyù hióỷu laỡ E
d
(hỗnh 1-2b). Khi baùn dỏựn thuỏửn õổồỹc pha taỷp acceptor, caùc lọự
trọỳng seợ chióỳm caùc mổùc nng lổồỹng gỏửn trón õốnh vuỡng hoùa trở, vồùi mổùc nng lổồỹng cao nhỏỳt trong caùc
mổùc naỡy õổồỹc goỹi laỡ mổùc acceptor, kyù hióỷu laỡ E
a
(hỗnh 1-2c). Khi baùn dỏựn thuỏửn chởu kờch thờch nhióỷt,
mọỹt sọỳ õióỷn tổớ trong vuỡng hoùa trở bở kờch thờch coù thóứ vổồỹt qua vuỡng cỏỳm õóứ lón vuỡng dỏựn õọửng thồỡi taỷo
ra mọỹt sọỳ lọự trọỳng tổồng ổùng ồớ vuỡng hoùa trở, vaỡ caùc cỷp õióỷn tổớ lọự trọỳng (EHP - electron hole pair) õổồỹc
taỷo ra. Vỗ caùc mổùc donor trong baùn dỏựn loaỷi -n rỏỳt gỏửn vồùi vuỡng dỏựn nón caùc kờch thờch nheỷ cuợng õuớ õóứ
laỡm cho caùc õióỷn tổớ donor nhaớy lón vuỡng dỏựn, do õoù nọửng õọỹ õióỷn tổớ trong voỡng dỏựn laỡ rỏỳt lồùn ngay caớ ồớ

nhióỷt õọỹ thỏỳp õọỳi vồùi vióỷc hỗnh thaỡnh caùc EHP. Vồùi baùn dỏựn loaỷi -p, vỗ caùc mổùc acceptor rỏỳt gỏửn trón õốnh
vuỡng hoùa trở nón mọỹt kờch thờch nheỷ coù thóứ laỡm cho caùc õióỷn tổớ trong vuỡng hoùa trở nhaớy lón chióỳm caùc
mổùc acceptor vaỡ õóứ laỷi caùc lọự trọỳng trong vuỡng hoùa trở. Do õoù caùc baùn dỏựn loaỷi -p coù thóứ coù nọửng õọỹ lọự
trọỳng lồùn ngay caớ ồớ nhióỷt õọỹ thỏỳp.
Khi mọỹt baùn dỏựn õổồỹc pha taỷp loaỷi-n hoỷc loaỷi -p, mọỹt trong hai loaỷi haỷt taới seợ chióỳm ổu thóỳ vóử
nọửng õọỹ vaỡ õổồỹc goỹi laỡ haỷt taới cồ baớn (hay majority carrier), loaỷi haỷt taới coỡn laỷi õổồỹc goỹi laỡ haỷt taới khọng
cồ baớn (hay minority carrier).



§1.3 Cạc quan hãû cå bn v âäü dáùn âiãûn
Vç chuøn âäüng ca cạc hảt ti tảo ra sỉû dáùn âiãûn, nãn näưng âäü hảt ti l âải lỉåüng âỉåüc quan tám
hng âáưu trong cäng nghãû IC. Våïi bạn dáùn thưn, näưng âäü âiãûn tỉí trong vng dáùn n bàòng näưng âäü läù
träúng trong vng họa trë p:
n = p = n
i
(1.1)
trong âọ n
i
gi l näưng âäü hảt ti näüi ca bạn dáùn thưn åí trảng thại cán bàòng (hay trảng thại ténh).
Gi thiãút cạc tảp cháút phán bäú âäưng nháút. Âãø tha mn âiãưu kiãûn trung ha âiãûn têch (trung ha
ténh âiãûn) trong bạn dáùn thưn, cạc âiãûn têch dỉång phi bàòng cạc âiãûn têch ám. Våïi silicon, cạc tảp cháút
hồûc thiãúu hủt hồûc dỉ thỉìa mäüt âiãûn tỉí so våïi Si. Vç váûy:
P + N
D
= n + N
A
(1.2)
trong âọ, N
D

l näưng âäü cạc ngun tỉí donor v N
A
l näưng âäü cạc ngun tỉí acceptor
.
Phỉång

trçnh
(1.2) cn gi l âiãưu kiãûn trung ha âiãûn têch khäng gian, trong âọ â gi thiãút ràòng táút c cạc âiãûn tỉí
donor v cạc läù träúng acceptor âãưu âỉåüc kêch thêch hon ton sao cho cạc mỉïc donor v acceptor âãưu
hon ton bë chiãúm båíi cạc âiãûn tỉí. ÅÍ nhiãût âäü phng, gi thiãút ny nọi chung cọ thãø cháúp nháûn âỉåüc trỉì
khi pha tảp quạ mảnh (näưng âäü ngun tỉí tảp cháút > 10
18
cm
-3
). Nọi cạch khạc, N
D
cọ thãø âỉåüc thay thãú
båíi N
D
+
v N
A
båíi N
A
-
.
ÅÍ trảng thại cán bàòng nhiãût:
pn = n
i
2

(1.3)
Quan hãû ny âụng cho cạc loải bạn dáùn báút k åí cán bàòng nhiãût.
Våïi mäüt bạn dáùn loải -n, näưng âäü âiãûn tỉí n
n
cọ thãø nháûn âỉåüc khi thay (1.3) vo (1.2):

(1.4)
()
[]
⎭
⎬
⎫
⎩
⎨
⎧
+−+−=
2
1
22
4
2
1
iADADn
nNNNNn

Tỉång tỉû cho bạn dáùn loải -p:

(1.5)
()
[]

⎭
⎬
⎫
⎩
⎨
⎧
+−+−=
2
1
22
4
2
1
iDADAp
nNNNNp


6
Nọửng õọỹ haỷt taới nọỹi cuớa Si laỡ 4.5 x 10
10
cm
-3
ồớ 27
o
C, cuớa GaAs laỡ 9 x 10
6
. ọỹ lồùn cuớa nọửng õọỹ taỷp chỏỳt
tọứng coỹng | N
D
- N

A
| noùi chung lồùn hồn rỏỳt nhióửu so vồùi n
i
. Vỗ vỏỷy nọửng õọỹ haỷt taới cồ baớn coù thóứ õổồỹc tờnh
xỏỳp xố tổỡ (1.4) vaỡ (1.5):
n
n
N
D
- N
A
(1.6)
p
p
N
A
- N
D
(1.7)
Nọửng õọỹ haỷt taới khọng cồ baớn (thióứu sọỳ) coù thóứ õổồỹc tờnh xỏỳp xố tổỡ (1.6) , (1.7) vaỡ (1.3):

AD
i
n
NN
n
p


2

(1.8)


DA
i
p
NN
n
n

2

(1.9)

trong õoù p
n
vaỡ laỡ nọửng õọỹ lọự trọỳng trong baùn dỏựn n vaỡ n
p
laỡ nọửng õọỹ õióỷn tổớ trong baùn dỏựn p.
Xaùc suỏỳt f(E) õóứ mọỹt traỷng thaùi õióỷn tổớ vồùi mổùc nng lổồỹng E bở chióỳm bồới mọỹt õióỷn tổớ õổồỹc cho bồới haỡm
xaùc suỏỳt Fermi-Dirac:
()
kTEE
F
e
Ef
/
1
1
)(

+
=

(1.10)

vồùi T laỡ nhióỷt õọỹ tuyóỷt õọỳi, k laỡ hũng sọỳ Boltzmann (8.62 x 10
-5
eV/K = 1.38 x 10
-23
J/K) vaỡ E
F
õổồỹc goỹi
laỡ mổùc Fermi. Mổùc Fermi chờnh laỡ thóỳ hoùa hoỹc cuớa õióỷn tổớ trong chỏỳt rừn, vaỡ coù thóứ xem nhổ mổùc nng
lổồỹng maỡ taỷi õoù xaùc suỏỳt chióỳm traỷng thaùi cuớa õióỷn tổớ õuùng bũng 1/2. ọử thở haỡm phỏn bọỳ xaùc suỏỳt
Fermi-Dirac cho caùc nhióỷt õọỹ khaùc nhau õổồỹc minh hoỹa ồớ hỗnh (1-3):





Hỗnh 1-3 phỏn bọỳ xaùc suỏỳt Fermi-Dirac

7
Tổỡ haỡm phỏn bọỳ xaùc suỏỳt Fermi-Dirac, sọỳ khaớ dộ caùc õióỷn tổớ trong baùn dỏựn coù mổùc nng lổồỹng xaùc
õởnh coù thóứ õổồỹc tờnh tổỡ haỡm mỏỷt õọỹ xaùc suỏỳt N(E). Nóỳu sọỳ traỷng thaùi nng lổồỹng trón mọỹt õồn vở thóứ tờch
(hay mỏỷt õọỹ traỷng thaùi) ồớ trong khoaớng nng lổồỹng dE laỡ N(E)dE, thỗ sọỳ õióỷn tổớ trón mọỹt õồn vở thóứ tờch
(hay mỏỷt õọỹ õióỷn tổớ) trong vuỡng dỏựn, n, õổồỹc cho bồới:

dEENEfn

c
E
)()(


=
(1.11)

Vóử nguyón từc
N(E)
coù thóứ õổồỹc tờnh tổỡ cồ hoỹc lổồỹng tổớ vaỡ nguyón lyù loaỷi trổỡ Pauli. Tuy nhión õóứ tióỷn lồỹi
coù thóứ bióứu dióựn caùc õióỷn tổớ phỏn bọỳ trong vuỡng dỏựn bồới
mỏỷt õọỹ hióỷu duỷng
caùc
traỷng thaùi N
c
õởnh xổù taỷi
bồỡ vuỡng dỏựn
E
c
.Khi õoù nọửng õọỹ õióỷn tổớ trong vuỡng dỏựn coù daỷng õồn giaùn:

N = N
c
f
(
E
c
) (1.12)

Trong õoù
N
c
õổồỹc cho bồới:

2/3
2
2
2







=

h
kTm
N
n
c
(1.13)

ì
ì
=


GaAsfor )300/(107.4
for )300/(108.2
32/317
32/319
cmT
SicmT



trong õoù m
n
*
laỡ khọỳi lổồỹng hióỷu duỷng cuớa õióỷn tổớ khi tờnh õóỳn aớnh hổồớng cuớa maỷng tinh thóứ lón õỷc trổng
cuớa õióỷn tổớ vaỡ h laỡ hũng sọỳ Plank. Nóỳu (E
c
- E
f
) lồùn hồn mọỹt vaỡi lỏửn kT (thổồỡng ồớ nhióỷt õọỹ phoỡng kT =
0.026eV nón õióửu kióỷn naỡy thoớa maợn), thi phỏn bọỳ xaùc suỏỳt f(E
c
) coù thóứ õổồỹc tờnh gỏửn õuùng nhổ sau:

(1.14)

()

()
kTEE
kTEE
c
fc
Fc
e
e
Ef
/
/
1
1
)(



+
=


8
Khi õoù (1.12) trồớ thaỡnh:

(1.15)
( )
kTEE
c
fc
eNn

/
=
Tổồng tổỷ:
(1.16)
( )
kTEE
v
vf
eNp
/
=
2/3
2
2
2









=

h
kTm
N
p

v


Vồùi



ì
ì
=


GaAsfor )300/(107
for )300/(1004.1
32/318
32/319
cmT
SicmT
(1.17)

m
p
*
laỡ khọỳi lổồỹng hióỷu duỷng cuớa lọự trọỳng. Caùc phổồng trỗnh (1.15) vaỡ (1.16) coù hióỷu lổỷc cho caớ baùn dỏựn
thuỏửn vaỡ pha taỷp, chố thay E
F
bũng E
I
cho trổồỡng hồỹp baùn dỏựn thuỏửn.
Nóỳu caùc haỷt taới phỏn bọỳ õóửu, mỏỷt õọỹ doỡng õióỷn do sổỷ dởch chuyóứn cuớa caùc õióỷn tổớ vồùi vỏỷn tọỳc

trung bỗnh theo mọỹt hổồùng naỡo õoù (chúng haỷn hổồùng
x
) laỡ:
n
v
(1.18)

nn
vqnJ =
Nóỳu caùc haỷt taới phỏn bọỳ khọng õóửu thỗ coỡn coù thóm thaỡnh phỏửn doỡng khuóỳch taùn:

(1.19)
dx
dn
qDvqnJ
nnn
)(=

Trong õoù
D
laỡ hóỷ sọỳ khuóỳch taùn cuớa haỷt taới. Sọỳ haỷng thổù nhỏỳt õổồỹc goỹi laỡ doỡng trọi (drift), tyớ lóỷ vồùi
cổồỡng õọỹ õióỷn trổồỡng
E
do vỏỷn tọỳc trung bỗnh cuớa caùc haỷt taới tyớ lóỷ vồùi cổồỡng õọỹ õióỷn trổồỡng
E
vồùi hóỷ sọỳ
tyớ lóỷ à, õổồc goỹi laỡ õọỹ linh õọỹng:

[ ]
sVEv ./cm ;

2
àà
=
(1.20)

Vồùi õióỷn tổớ: ,vồùi lọự trọỳng:
Ev
nn
à
=
Ev
pp
à
=

9
ọỹ linh õọỹng cuớa haỷt taới phuỷ thuọỹc vaỡo nọửng õọỹ haỷt taới vaỡ vaỡo nhióỷt õọỹ. Noùi chung õọỹ linh õọỹng
cuớa õióỷn tổớ lồùn hồn õọỹ linh õọỹng cuớa lọự trọỳng. Vồùi Si, ồớ nhióỷt õọỹ 20
o
C, à
n
= 1900 cm
2
/(V.s) vaỡ à
p
= 425
cm
2
/(V.s). Quan hóỷ (1.20) õuùng vồùi cổồỡng õọỹ õióỷn trổồỡng khọng quaù lồùn (thổồỡng nhoớ hồn 0.2V/cm). Vồùi
õióỷn trổồỡng lồùn hồn, õọỹ linh õọỹng tng chỏỷm theo cổồỡng õọỹ õióỷn trổồỡng vaỡ tióỳn tồùi giaù trở baợo hoỡa. Doỡng

õióỷn tọứng cọỹng do caớ hai loaỷi haỷt taới laỡ:

J =J
n
+
J
p
(1.21)

Tổỡ (1.19) dóự thỏỳy rũng õọỹ dỏựn õióỷn:

= q(n
à
n
+
pà
p
) (1.22)
Hóỷ sọỳ khuóỳch taùn trong (1.19) quan hóỷ vồùi õọỹ linh õọỹng theo hóỷ thổùc Einstein

(1.23)
à
q
kT
D =

10
§1.4 Cạc âån vë cå såí ca mảch têch håüp
Cạc âån vë cå såí ca Si-based Ics l MOSFET v BJT, v ca GaAs-based ICs l MESFET. Mäüt
ỉïng dủng quan trng ca cạc tiãúp xục pn trong chãú tảo IC l dng âãø cạch ly vãư âiãûn cho nhiãưu loải pháưn

tỉí têch cỉûc. Våïi mủc âêch âọ cạc tiãúp xục pn phi âỉåüc ạp âàût thãú phán cỉûc ngỉåüc hồûc bàòng khäng. ÅÍ
chãú âäü ny chiãưu cao ro thãú s tàng khi tàng näưng âäü pha tảp.
Cạc transistor cọ thãø âỉåüc dng nhỉ cạc pháưn tỉí khúch âải hồûc chuøn mảch. Trong cáúu trục ba
låïp ca BJT-transistor, låïp base (låïp giỉỵa) ráút mng v âỉåüc pha tảp êt hån so våïi emitter v collector.
Vç váûy mäüt dng base ráút nh s gáy ra mäüt dng emitter-collector låïn hån nhiãưu. Mäüt BJT cạ
ch ly âiãøn
hçnh dng cho cạc mảch têch håüp âỉåüc mä t åí hçnh (1.2).


Hçnh 1.2 Mäüt âån vë npn-BJT cå bn dng cho IC.
Vç c ba cỉûc âãưu phi åí trãn bãư màût ca chip, nãn dng collector phi chy qua mäüt âỉåìng dáùn cọ
âiãûn tråí låïn trong váût liãûu pha tảp nhẻ
n
. Mäüt phỉång phạp chung âãø gim âiãûn tråí collector l dng mäüt
låïp pha tảp mảnh (n+) ngay bãn dỉåïi collector. Låïp n+ ny âỉåüc gi l låïp ngáưm (buried layer). Âãø cạch

11
ly õồn vở BJT naỡy vồùi caùc õồn vở khaùc ngổồỡi ta duỡng lồùp õóỳ p õóứ taỷo ra caùc chuyóứn tióỳp pn caùch ly. Caùc
BJT loaỷi npn õổồỹc duỡng nhióửu vỗ cọng nghóỷ chóỳ taỷo õồn giaớn hồn so vồùi pnp-BJT.
Transistor trổồỡng (FET) dổỷa trón cọng nghóỷ MOS chióỳm ổu thóỳ trong cọng nghóỷ IC, õỷc bióỷt cho
caùc IC logic. MOSFET coù thóứ laỡ kónh n hoỷc kónh p tuỡy thuọỹc vaỡo haỷt taới cho sổỷ dỏựn õióỷn laỡ n hay p. Vỗ
õọỹ linh õọỹng cuớa õióỷn tổớ cao hồn nhióửu so vồùi lọự trọng nón MOSFET kónh n õổồỹc duỡng nhióửu hồn. Mọỹt
lión hồỹp coù tờnh luỏn chuyóứn cuớa NMOS vaỡ PMOS õổồỹc goỹi laỡ CMOS (complimentary MOS), hỗnh ( ).
Hỗnh 1.3 Cỏỳu hỗnh CMOS õồn giaớn
Do khoù khn trong cọng nghóỷ chóỳ taỷo cỏỳu truùc MOS cho GaAs nón MESFET laỡ cỏỳu truùc cồ sồớ
cho IC trón cồ sồớ GaAs. Tuy nhión caùc MESFET-IC trón cồ sồớ GaAs coù tọỳc õọỹ cao, mỏỷt õọỹ tờch hồỹp cao
vaỡ õọỹ rọỹng vuỡ
ng cỏỳm lồùn. Mọỹt cỏỳu truùc õồn giaớn cuớa MESFET trón cồ sồớ GaAs õổồỹc mọ taớ ồớ hỗnh ().
MESFET hoaỷt õọỹng vồùi gate Schottky phỏn cổỷc ngổồỹc vaỡ caùc tióỳp xuùc Ohmic cho drain vaỡ source. óỳ laỡ
GaAs baùn õióỷn mọi do pha taỷp thờch hồỹp, chúng haỷn Cl, sao cho mổùc Fermi õổồỹc ghim ồớ gỏửn giổợa vuỡng

cỏỳm (do õoù õióỷn trồớ lồùn).

12
§1.5 Mäüt säú cå såí váût lyï linh kiãûn baïn dáùn

Nồng độ hạt tải vượt trội tại các bờ vùng điện tích không gian:
()
( )
1
/
0
−=−=∆
kTqV
nenenn
eppxpp
( )
( )
1
/
0
−=−−=∆
kTqV
pepepp
ennxnn




13
Phương trình Shockley

A
L
nqD
L
pqD
I
n
pen
p
nep
⎟
⎟
⎠
⎞
⎜
⎜
⎝
⎛
+=∆
0
()
( )
2/12/1
,
nnnppp
DLDL
ττ
==

Dưới thế phân cực ngược (C-B), dòng ngược từ n to p chỉ phụ thuộc
vào tốc độ tiêm lỗ trống p được điều khiển bởi chuyển tiếp pn (Emitter-
Base) phân cực thuận.
→ Good pnp Transistor cần gần như toàn bộ lỗ trống tiêm từ Emitter
vào Base phải được góp vào Collector. → Base cần đủ mỏng sao cho
neutral length của Base W
b
nhỏ hơn nhiều so với quãng đường khuếch tán
của lỗ trống (không xảy ra tái hợp trong vùng Base). Đồng thời dòng điện

14
tử từ Base đến Emitter phải nhỏ hơn nhiều so với dòng lỗ trống từ E đến B.
→Pha tạp miền B thấp hơn miền E (p
+
n Emitter junction).
Các đại lượng quyết định tính năng của một BJT: hiệu suất tiêm
Emitter, hệ số truyền đạt dòng, hệ số khuếch đại dòng base-collector.
α
α
β
γα
γ
−
=≡
==≡
+
≡
1

C

CCC
B
EpEpE
Ep
E
EpEn
Ep
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
II
I

• Chỉ cần giải phương trình trung hoà cho miền Base vì các dòng
được xác định bởi đặc trưng của hạt tải trong 2 miền chuyển
tiếp quanh Base.
• Khi các thế phân cực lớn và Emitter pha tạp mạnh thì:
⎟
⎟
⎠
⎞
⎜
⎜

⎝
⎛
=
⎟
⎟
⎠
⎞
⎜
⎜
⎝
⎛
=
⎟
⎟
⎠
⎞
⎜
⎜
⎝
⎛
=
p
b
E
p
b
C
p
b
B

L
W
aI
L
W
aI
L
W
aI
coth
csch

2
tanh
1
1
1

15

()
1,
/
1
−=∆
∆
=
kTqV
Bep
p

pp
EB
E
E
ep
L
qAD
a
L
p
là chiều dài khuếch tán trong miền Base và p
Be
là nồng độ lỗ trống
cân bằng trong miền Base.
• Ba yếu tố quan trọng:
- Thế phân cực (số hạng exp(qV/kT)
- Các dòng Emitter và Collector được xác định bởi gradient
nồng độ hạt tải không cơ bản tại biên của chuyển tiếp.
- Dòng Base bằng hiệu dòng Emitter và Collector
Cấu trúc MIS:
đặc biệt quan trọng cho digital ICs.

16


17

17
Đặc trưng I-V:
()

⎥
⎦
⎤
⎢
⎣
⎡
−−=
2
2
1
DDTG
in
D
VVVV
L
ZC
I
µ

Z: chiều sâu của kênh, L: chiều dài kênh, C
i
: điện
dung lớp cách điện trên đơn vị diện tích,
n
µ

độ linh
động bề mặt của điện tử.

18
Đ1.6 Vờ duỷ thióỳt kóỳ BJT
Phỏửn naỡy seợ xem xeùt mọỹt thióỳt kóỳ cho vióỷc chóỳ taỷo mọỹt BJT vồùi mọỹt
lồùp ngỏửm nhổ õaợ noùi tồùi ồớ phỏửn trổồùc. Tuỏửn tổỷ thióỳt kóỳ vaỡ chóỳ taỷo chổa õổồỹc
õóử cỏỷp ồớ õỏy. Hỗnh (1.6.1) laỡ sồ õọử cuớa mọỹt n+pn+ BJT.

Caùc thọng sọỳ quan troỹng laỡ hóỷ sọỳ khuóỳch õaỷi doỡng base-collector, ,
tỏửn sọỳ cutoff, laỡ tỏửn sọỳ ổùng vồùi sổỷ suy giaớm cuớa hóỷ sọỳ khuóỳch õaỷi ac vóử õồn
vở, tỏửn sọỳ cừt alpha, f

, lión quan vồùi thồỡi gian dởch chuyóứn cuớa haỷt taới thổù
yóỳu qua mióửn base
B
, tổồng ổùng vồùi sổỷ suy giaớm 3 dB cuớa õọỹ lồỹi so vồùi giaù
trở cuớa noù ồớ tỏửn sọỳ thỏỳp:
f

= 1/(2
B
)

vaỡ:
n
b
B
D
W


2

=



19
trong õoù laỡ hóỷ sọỳ phuỷ thuọỹc vaỡo mổùc pha taỷp (=2 cho base pha taỷp
õọửng nhỏỳt), vaỡ vaỡo õióỷn trổồỡng aùp õỷt.
Ngoaỡi ra coỡn coù hai tióu chuỏứn cho sổỷ hoaỷt õọỹng bỗnh thổồỡng cuớa
transistor. Mọỹt laỡ thóỳ õaùnh thuớng. Dổồùi õióửu kióỷn phỏn cổỷc ngổồỹc, coù hai
nguyón nhỏn gỏy ra hióỷn tổồỹng õaùnh thuớng. Mọỹt laỡ tunnel do õióỷn trổồỡng
caớm ổùng (thổồỡng giổợa hai mióửn pha taỷp maỷnh, hióỷu ổùng Zener). Hai laỡ õaùnh
thuớng thaùc luợ, do caùc cỷp õióỷn tổớ-lọự trọỳng õổồỹc taỷo ra do caùc haỷt taới õổồỹc
gia tọỳc bồới õióỷn trổồỡng. Thóỳ õaùnh thuớng (BV) thổồỡng lión quan vồùi hóỷ sọỳ
nhỏn collector nhổ sau:

[]
n
CBCB
BVV
M
o
)/(1
1

=


Trong õoù n laỡ hũng sọỳ vaỡ (BV)
Cbo
laỡ thóỳ õaùnh thuớng hồớ maỷch.

ọỹ lồỹi doỡng õổồỹc bióứu dióựn bồới:


T
E
En
En
Cn
Cn
C
E
C
M
I
I
I
I
I
I
I
I
===

20
Trong õoù
T
laỡ hóỷ sọỳ vỏỷn chuyóứn base,

22
2/1

1
sec
nb
n
b
T
LW
L
W
h
+





EB
GG /1
1
+





Trong õoù L
n
laỡ quaợng õổồỡng khuóỳch taùn cuớa õióỷn tổớ, sọỳ Gummel G
B

õổồỹc xaùc õởnh bồới:



(1.6.1)
nB
Bo
base
B
nB
B
D
qQ
dxxN
D
G
/
)(
1
==



vaỡ G
E
õổồỹc xaùc õởnh tổồng tổỷ cho emitter, Q
Bo
laỡ õióỷn tờch tióỳp xuùc cuớa
base. Dỏỳu xỏỳp xố ổùng vồùi õióửu kióỷn W
b

>> L
n
.

[]
n
CBoCBbEB
BVVLWGG )/(2//
1
2
+




Nóỳu giaớ thióỳt coù mọỹt phỏn bọỳ Gauss cuớa nọửng õọỹ taỷp chỏỳt (kóỳt quaớ cuớa
uớ nhióỷt), vồùi nọửng õọỹ taỷi bóử mỷt laỡ N
Bo
thỗ:
CBoB
N
Dt
x
xNN = )
4
p(e
2


21

Vồùi N
C
laỡ nọửng õọỹ taỷp ồớ collector (bón phờa base cuớa chuyóứn tióỳp
collector-base), khi õoù:
dxNdyedyeN
Dt
q
Q
CB
EB
x
x
C
t
y
t
y
Bo
Bo

=

1
2
2
2
0
2/
0
2/
2/1
2


Vồùi
()
2/1
1
2Dt
x
t
EB
=

()
2/1
2
2Dt
x
t
CB
=

Trong õoù x
EB
vaỡ x
CB
laỡ khoaớng caùch tổỡ bóử mỷt tồùi meùp cuớa caùc mióửn
emitter-base vaỡ collector-base tổồng ổùng. Khi õoù:


22
(1.6.2)









+=

q
WQxN
q
xQ
q
BV
bBoCBo
S
CBo
22
)(
2
11

Vồùi x
1
= x
epi
- x
BC
Caùc phổồng trỗnh (1.6.1 v 1.6.2) duỡng õóứ xaùc õởnh cọng nghóỷ chóỳ taỷo.
Vỏỳn õóử coù thóứ õổồỹc phaùt bióứu dổồùi daỷng: cho caùc giaù trở mong muọỳn cuớa ,
f
T
, (BV)
CBo
, vaỡ R
SB
(trồớ khaùng sheet cuớa base), cỏửn xaùc õởnh kờch thổồùc vaỡ
caùch thổùc pha taỷp cho vióỷc chóỳ taỷo BJT nhổ hỗnh (1.6.1). Baỡi toaùn vaỡ lồỡi

giaới õổồỹc toùm từt trong baớng

sau
.





23

24
Læu âäö thuáût toaïn cho baìi toaïn
chóỳ taỷo
:

1. Choỹn mọỹt giaù trở tióu bióứu cuớa G
E
(5x10
13
cm
-4
). Giaớ thióỳt thoớa
maợn (coù thóứ kióứm tra laỷi sau), tờnh G
B
:
G
B
= G
E

/ = 5x10
13
/45 = 1.11x10
12
cm
-4
s
Nọửng õọỹ pha taỷp trung bỗnh ồớ base thổồỡng laỡ 10
17
cm
-3
.

Tổỡ hỗnh 1-7 õoỹc õổồỹc D
nB
laỡ 15 cm
2
/s. Tổỡ (1.63) suy ra:
Q
Bo
/q = D
nB
G
B
= 1.67x10
13
cm
-2
Tổỡ 1.57 vaỡ 1.58 vồùi = 4 vaỡ giaới cho W
b

suy ra:
W
b
= (D
nB
/2f)1/2 = 0.49 àm

25