Báo cáo mạch khuếch đại âm tthanh

TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI
VIỆN ĐIỆN TỬ VIỄN THÔNG
===================

BÁO CÁO BÀI TẬP LỚN
Đề tài:
GVHD:

MẠCH KHUẾCH ĐẠI ÂM THANH
Thầy Nguyễn Vũ Thắng

Thành viên:
Phạm Thanh Tùng
Ngô Đắc Phong
Nguyễn Mạnh Dũng
Nguyễn Vũ Đạt
Nguyễn Viết Phúc

MSSV
20145135
20143424
20140806
20155345
20143482

Thứ 4, Ngày 05 tháng 04 năm 2017.

0


MỤC LỤC

Trang

LỜI NÓI ĐẦU……………………………………………..2
PHẦN I. PHÂN CÔNG CÔNG VIỆC…………………………..3
PHẦN II. CƠ SỞ LÝ THUYẾT……………………………….…4
PHẦN III. CÁC LINH KIỆN DÙNG TRONG MẠCH…….………………5
1. Transistor………………………………………………………...5
2. Tụ điện……………………………………………………………6
3. Điện trở…...……………………….……………………………..7
4. Một số linh kiện khác……………………………………………7
PHẦN IV. THIẾT KẾ MẠCH..………………….…………………………..8
1. Sơ đồ nguyên lý…………………………………………………8
2. Sơ đồ mạch in…………………………………………………..9
3. Mạch mô phỏng………………………………………………….9
IV. KẾT LUẬN……………………………………………………………….9

1


LỜI NÓI ĐẦU
Ngành điện tử là một trong những ngành quan trọng góp phần vào sự
phát triển của đất nước. Do nhu cầu ngày càng cao của con người đòi hỏi
ngành điện tử không ngừng phát triển các sản phẩm để đáp ứng. Các
sảm phẩm điện tử đều bắt nguồn từ những linh kiện: R, L, C, Diode,
Transistor… mà nền tảng là điện tử tương tự.
Nhằm áp dụng tốt kiến thức được dạy và tìm hiểu cách làm mạch
điện tử thực tế chúng em chọn “Mạch Khuếch Đại Âm Thanh” làm đề
tài của nhóm.
* Trong quá trình thực hiện bài tập lớn, chúng em không thể tránh
những thiếu sót, kính mong thầy cho nhận xét để chúng em hoàn

thành tốt hơn trong lần sau.

2


PHẦN I : PHÂN CÔNG CÔNG VIỆC
 CÁC CÔNG VIỆC CHÍNH :
1. Thiết kế sơ đồ nguyên lý & mô phỏng.
- Ngô Đắc Phong.
- Nguyễn Viết Phúc.

2. Thiết kế mạch in, layout.
- Phạm Thanh Tùng.
- Ngô Đắc Phong.
- Nguyễn Viết Phúc.

3. Thiết kế phần cứng , hoàn thiện mạch.
-

Phạm Thanh Tùng.
Ngô Đắc Phong.
Nguyễn Vũ Đạt ( hỗ trợ ).
Nguyễn Mạnh Dũng ( hỗ trợ ).

4. Viết báo cáo.
- Nguyễn Mạnh Dũng.
- Nguyễn Vũ Đạt.
- Phạm Thanh Tùng (hỗ trợ).

3

PHẦN II. CƠ SỞ LÝ THUYẾT
Có 3 cách mắc mạch khuếch đại đó là emitơ chung (EC), bazơ chung
(BC) và colectơ chung (CC). Mỗi cách mắc đều có ưu điểm và nhược
điểm chung, nhưng mạch EC được sử dụng rộng rãi nhất vì có hế số
khuếch đại điện áp và dòng điện lớn.
Tương ứng các mạch khuếch đại dùng trazito lưỡng cực, cũng có các
mạch khuếch đại tương ứng dùng tranzito trường là SS, GS và DC. Các
mạch khuếch đại dùng FET có hệ số khuếch đại thấp nhưng lại có độ ổn
định và tránh nhiễu tốt hơn so với BJT.
Một trong các khối mạch quan trọng trong các thiết bị điện tử là khối
mạch khuếch đại công suất. Đây thường là khối mạch cuối cùng , có
nhiệm vụ khuếch đại tín hiệu lên đủ công suất để đưa ra tải.
Do khuếch đại tín hiệu lớn, tranzito làm việc trong miền không tuyến
tính nên không thể dùng sơ đồ tương đương tín hiệu nhỏ để nghiên cứu
mà phải dùng phương pháp đồ thị.
Các tham số cơ bản của tầng khuếch đại công suất là:
- Hệ số khuếch đại công suất Kp là tỷ số giữa công suất ra và công suất
vào :

Kp
- Hiệu suất là tỷ số công suất ra và công suất cung cấp một chiều P0:

ᶯ
- Hiệu suất càng lớn thì công suất tổn hao trên cực C của tranzito càng
nhỏ.

4

PHẦN III. CÁC LINH KIỆN DÙNG TRONG MẠCH
1. TRANSISTOR
1.1 Cấu tạo
Transitor hay còn gọi là bóng dẫn gồm ba lớp bán dẫn ghép với nhau
hình thành hai mối tiếp giáp P-N , nếu ghép theo thứ tự PNP ta được
Transistor thuận , nếu ghép theo thứ tự NPN ta được Transistor ngược.
Về phương diện cấu tạo Transistor tương đương với hai Diode đấu
ngược chiều nhau. Cấu trúc này được gọi là Bipolar Junction Transitor
(BJT) vì dòng điện chạy trong cấu trúc này bao gồm cả hai loại điện tích
âm và dương (Bipolar nghĩa là hai cực tính).

1.2 Kí hiệu

1.3 Linh kiện dùng trong mạch:
Transistor 2N3904, C9013, A1015

5


2. TỤ ĐIỆN
2.1 Cấu tạo
Cấu tạo của tụ điện gồm hai bản cực đặt song song, ở giữa có một lớp cách điện gọi
là điện môi.
Người ta thường dùng giấy, gốm , mica, giấy tẩm hoá chất làm chất điện môi và tụ
điện cũng được phân loại theo tên gọi của các chất điện môi này như Tụ giấy, Tụ
gốm, Tụ hoá.
Điện dung: Là đại lượng nói lên khả năng tích điện trên hai bản cực của tụ
điện, điện dung của tụ điện phụ thuộc vào diện tích bản cực, vật liệu làm chất điện
môi và khoảng cách giữ hai bản cực theo công thức

*

C=ξ.S/d
Trong đó C: là điện dung tụ điện, đơn vị là Fara (F) ξ : Là hằng
số điện môi của lớp cách điện d : là chiều dày của lớp cách
điện S : là diện tích bản cực của tụ điện

*

Đơn vị điện dung của tụ: Đơn vị là Fara (F), 1Fara là rất lớn do đó trong thực

tế thường dùng các đơn vị nhỏ hơn như MicroFara (µF) , NanoFara (nF), PicoFara
(pF).

2.2 Kí hiệu

2.3 Linh kiện dùng trong mạch
2 Tụ hóa loại 47µF, 470µF.

6


3. ĐIỆN TRỞ

3.1 Kí hiệu

3.2 Cách đọc trị số điện trở:
Giá trị của điện trở được vẽ trên thân điện trở. Đối với điện trở 4 vạch màu thì 3 vạch
đầu tiên biểu thị giá trị của điện trở, vạch thứ 4 là sai số của điện trở. Màu biểu thị giá

trị của điện trở và sai số của điện trở thể hiện trong bảng sau:

3.3 Linh kiện dùng trong mạch điện trở : 2 loại 1k , 1 loại 100k.
4. Một số linh kiện khác: Diode, Led, Loa, v.v...

7


PHẦN III. THIẾT KẾ
1. Sơ đồ nguyên lý

Hoạt động của mạch:
- Mạch khuếch đại công suất đẩy kéo class AB sử dụng 2 transistor khác loại
- Mạch ghép tầng trực tiếp
- Trong mạch này cực C của tranzito trước đấu trực tiếp vào cực B của tranzito sau.
Cách trực tiếp này làm giảm méo tần số thấp trong bộ khuếch đại, được dùng trong
bộ khuếch đại tín hiệu có thành phần một chiều (tín hiệu biến thiên chậm).

Sơ đồ mạch in:

8


2. Mạch mô phỏng

3. Mạch thực tế

IV. KẾT LUẬN
Kết quả làm mạch:
Mạch hoàn thành, chạy khá tốt và đã khuếch đại được âm thanh và

âm thanh rõ ràng .
Nhược điểm: Âm thanh đầu ra chưa thực sự tốt còn hơi nhiễu.
Cách cải tiến mạch : sử dụng linh kiện có chất lượng tốt hơn , thiết kế
thêm bộ ổn áp tuyến tính để chống nhiễu tốt hơn.

9