Nghiên cứu lý thuyết cấu trúc và tính chất của một số cluster của kim loại paladi pdn n = 2÷6

TRƢỜNG ĐẠI HỌC TÂY BẮC
=====o0o=====

BÁO CÁO TỔNG KẾT
ĐỀ TÀI NGHIÊN CỨU KHOA HỌC CỦA SINH VIÊN

NGHIÊN CỨU LÝ THUYẾT CẤU TRÚC VÀ TÍNH CHẤT
CỦA MỘT SỐ CLUSTER KIM LOẠI PALADI Pdn n = 2÷6

Thuộc nhóm ngành khoa học: TN2

Sơn La, tháng 6/2017


TRƢỜNG ĐẠI HỌC TÂY BẮC
=====o0o=====

BÁO CÁO TỔNG KẾT
ĐỀ TÀI NGHIÊN CỨU KHOA HỌC CỦA SINH VIÊN

NGHIÊN CỨU LÝ THUYẾT CẤU TRÚC VÀ TÍNH CHẤT
CỦA MỘT SỐ CLUSTER KIM LOẠI PALADI Pdn n = 2÷6

Thuộc nhóm ngành khoa học: TN2
Sinh viên thực hiện: Thào Seo Lùng
Vũ Thị Phƣơng Thảo

Giới Tính:Nam Dân tộc: Mông
Giới Tính:Nữ

Lớp: K55 ĐHSP Hóa Học

Năm thứ: 03/Số năm đào tạo: 04
Ngành học: Sƣ phạm Hóa Học
Sinh viên chịu trách nhiệm chính: Thào Seo Lùng
Ngƣời hƣớng dẫn: ThS. Lê Khắc Phƣơng Chi

Sơn La, tháng 6/2017

Dân tộc: Kinh

Khoa: Sinh - Hóa


Lời cảm ơn
*****
Với lòng kính trọng và biết ơn sâu sắc, chúng em xin chân thành cảm ơn cô
giáo ThS. Lê Khắc Phƣơng Chi đã tận tình hƣớng dẫn, động viên và tạo mọi điều kiện
thuận lợi nhất để chúng em hoàn thành đề tài này.
Chúng em xin chân thành cảm ơn đến các thầy cô tại Trung Tâm Khoa Học
Tính Toán trƣờng Đại Học Sƣ Phạm Hà Nội đã tạo mọi điều kiện thuận lợi để chúng
em hoàn thành đề tài.
Chúng em xin tỏ lòng biết ơn sâu sắc và chân thành đến thầy cô giáo trong tổ
bộ môn hóa Vô cơ - Hóa lý - Hóa phân tích, Ban chủ nhiệm Khoa Sinh – Hóa, thầy
cô phòng khoa học và hợp tác quốc tế và trung tâm thông tin thƣ viện trƣờng Đại
học Tây Bắc đã tạo điều kiện thuận lợi để chúng em hoàn thành đề tài này.
Chúng tôi xin chân thành cảm ơn sự giúp đỡ và ủng hộ nhiệt tình của bạn bè lớp
K55 ĐHSP Hóa học, ngƣời thân trong gia đình đã dành cho chúng tôi sự động viên
khích lệ tinh thần tạo điều kiện cho chúng em trong thời gian học tập và rèn luyện tại
ngôi trƣờng Đại học Tây Bắc.
Xin trân trọng cảm ơn!
Sơn La, tháng 6 năm 2017

Nhóm tác giả

Thào Seo Lùng
Vũ Thị Phƣơng Thảo


MỤC LỤC
MỞ ĐẦU ..................................................................................................................... 1
I. LÍ DO CHỌN ĐỀ TÀI ............................................................................................. 1
II. MỤC ĐÍCH NGHIÊN CỨU ................................................................................... 3
III. NHIỆM VỤ NGHIÊN CỨU ................................................................................. 3
IV. PHẠM VI NGHIÊN CỨU .................................................................................... 3
V. PHƢƠNG PHÁP NGHIÊN CỨU .......................................................................... 3
NỘI DUNG ................................................................................................................. 4
CHƢƠNG I. CƠ SỞ LÝ THUYẾT ......................................................................... 4
I. CƠ SỞ LÝ THUYẾT HÓA HỌC LƢỢNG TỬ [8, 17, 19].................................... 4
I.1. Phƣơng trình Schrodinger ở trạng thái dừng ........................................................ 4
I.2. Phƣơng trình Schrodinger cho hệ nhiều electron [1, 3, 8, 17, 19] ....................... 5
I.2.1. Toán tử Hamilton ............................................................................................... 5
I.2.2. Hàm sóng của hệ nhiều electron ........................................................................ 7
I.2.3. Phương trình Schrodinger của hệ nhiều electron ............................................. 8
I.3. Cấu hình electron và bộ hàm cơ sở ....................................................................... 8
I.3.1. Cấu hình electron ............................................................................................... 8
I.3.2. Bộ hàm cơ sở ...................................................................................................... 9
II. CÁC PHƢƠNG PHÁP TÍNH TOÁN HÓA HỌC [8, 19] ................................... 11
II.1. Phƣơng pháp Hartree – Fock ............................................................................. 11
II.2. Phƣơng pháp phiếm hàm mật độ (DFT) ............................................................ 12
II.2.1. Mô hình Thomas – Fermi................................................................................ 13
II.2.2. Các định lí Hohenberg – Kohn ....................................................................... 13
II.2.3. Các phương trình Kohn – Sham ..................................................................... 14

III. CẤU TRÚC VÙNG NĂNG LƢỢNG TRONG CHẤT BÁN DẪN .................. 16
IV. ĐẠI CƢƠNG VỀ PHỔ TỬ NGOẠI – KHẢ KIẾN (UV – Vis) [2] .................. 17
CHƢƠNG II. TỔNG QUAN VỀ HỆ CHẤT NGHIÊN CỨU ............................ 19
I. HỆ CHẤT NGHIÊN CỨU ..................................................................................... 19
I.1 Cluster kim loại .................................................................................................... 19
I.2. Kim loại Paladi .................................................................................................... 22
I.3. Lịch sử nghiên cứu ............................................................................................... 23
II. PHƢƠNG PHÁP NGHIÊN CỨU ........................................................................ 24


II.1. Phần mềm tính toán ............................................................................................ 24
II.2. Phƣơng pháp nghiên cứu ................................................................................... 24
CHƢƠNG III. KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN....................................................... 26
I. KHẢO SÁT PHƢƠNG PHÁP TÍNH TOÁN........................................................ 26
II. KHẢO SÁT CÁC DẠNG CẤU TRÚC BỀN CỦA KIM LOẠI Pdn .................. 26
III. MỘT SỐ TÍNH CHẤT CỦA CÁC CLUSTER Pdn BỀN .................................. 31
IV. PHỔ UV-Vis CỦA MỘT SỐ CLUSTER Pdn .................................................... 36
KẾT LUẬN ............................................................................................................... 39
TÀI LIỆU THAM KHẢO ....................................................................................... 41


DANH MỤC KÍ HIỆU VIẾT TẮT
Kí hiệu

Tiếng Anh

Tiếng Việt

AO

Atomic Orbital

Obitan nguyên tử

CGF

Constracted Gaussian Functions

Bộ hàm Gauss rút gọn

DFT

Density Functional Theory

Lý thuyết phiếm hàm mật độ

Energy

Năng lƣợng

Gaussian Type Orbitals

Các obitan kiểu Gaussian

E
GTO
HF

Hartreee-Fock

HOMO

Hightest Occupied Molecular Orbital

LCAO

Linear Combination of Atomic Orbital

Năng lƣợng lƣợng tử ở trạng
thái tĩnh (năng lƣợng điểm đơn)
Obitan phân tử bị chiếm cao
nhất
Tổ hợp tuyến tính các obitan
nguyên tử

LCD

Liquid Crystal Display

Màn hình tinh thể lỏng

LED

Light Emitting Diode

Điốt phát quang

LUMO
MO
OLED

Lowest Unoccupied Molecular Orbital

Obitan phân tử không bị
chiếm thấp nhất

Molecular Orbital

Obitan phân tử

Organic Light Emitting Diode

Điốt phát quang hữu cơ
Nhóm kim loại bạch kim

PGM

Platinum Group Metal

(paladi, platin, rhodi, rutheni,
iridi và osimi)

STO

Slater Type Orbitals

Các obitan kiểu Slater
Phiếm hàm mật độ phụ thuộc

TD-DFT

Time- Density Functional Theory

UV-Vis

Ultraviolet Visible Spectroscopy

Phổ tử ngoại – khả kiến

UHF

Ultra High Frequency

Tần số cực cao

ZPE

Zero Point Energy

Năng lƣợng điểm không

vào thời gian


DANH MỤC CÁC BẢNG
Bảng 3. 1. Giá trị độ dài liên kết Pd-Pd (Å) và năng lƣợng liên kết trung bình (eV)
ELKTB của cluster Pd2. .....................................................................................................26
Bảng 3. 2. Giá trị năng lƣợng điểm đơn (au/hartree), năng lƣợngd ao động điểm không
ZPE (J/mol), năng lƣợng tổng E (eV) và năng lƣợng tƣơng đối ∆E (eV) của Pd 2........26
Bảng 3. 3. Cấu trúc của một số cluster Pdn. ...................................................................28

Bảng 3. 4. Giá trị năng lƣợng đeểm đơn (au/hartree), năng lƣợngda o động điểm không
ZPE (J/mol), năng lƣợng tổng E (eV) và năng lƣợng tƣơng đối ∆E (eV). ....................31
Bảng 3. 5. Cấu trúc bền của các cluster Pdn. ..................................................................32
Bảng 3. 6. Các thông số của dạng cluster Pdn bền. ........................................................32
Bảng 3. 7. Giá trị năng lƣợng liên kết Pd-Pd (EPd-Pd) (eV) và năng lƣợng liên kết trung
bình (ELKTB) (eV). ...........................................................................................................33
Bảng 3. 8. Giá trị năng lƣợng HOMO (eV), LUMO (eV) và mức chênh lệch năng
lƣợng LUMO-HOMO (eV) của một số cluster Pdn. ......................................................34
Bảng 3. 9. Giá trị mức chênh lệch năng lƣợng LUMO-HOMO của một số vật liệu bán
dẫn phổ biến hiện nay. ....................................................................................................35
Bảng 3. 10. Kết quả phổ UV-Vis của một số cluster Pdn. .............................................36
Bảng 3. 11. Bƣớc sóng cực đại, cƣờng độ dao động của một số cluster Pdn. ...............37


DANH MỤC CÁC HÌNH
Hình 1. 1. Mô hình vùng năng lƣợng trong chất bán dẫn. .............................................16
Hình 1. 2. Sơ đồ bƣớc chuyển năng lƣợng của các electron. .........................................18
Hình 3. 1. Đồ thị biến đổi năng lƣợng liên kết Pd-Pd (EPd-Pd) và năng lƣợng liên kết
trung bình (ELKTB) của các cluster Pdn. ..........................................................................33
Hình 3. 2. Đồ thị biến đổi EHOMO (eV), ELUMO (eV) và ∆ELUMO-HOMO (eV) của các
cluster Pdn. ......................................................................................................................35


MỞ ĐẦU
I. LÍ DO CHỌN ĐỀ TÀI
Hiện nay, cùng với sự phát triển mạnh mẽ về kinh tế, khoa học công nghệ cũng
đã và đang đạt đƣợc những thành tựu vƣợt bậc để đóng góp vào những bƣớc tiến quan
trọng trong sự phát triển của nhân loại. Trong đó, đáng chú ý nhất là sự ra đời và phát
triển nhanh chóng của một lĩnh vực mới đó là khoa học nano. Lĩnh vực này đƣợc mở
rộng sang vật lý, hóa học, kỹ thuật và nhiều lĩnh vực khác, từ khoa học cơ bản đến ứng

dụng công nghệ. Trong vài năm trở lại đây, công nghệ nano ra đời đã tạo nên những
bƣớc nhảy đột phá trong ngành hóa học vật liệu, điện tử, tin học, y khoa, sinh học, giải
trí,… đặc biệt trong cuộc sống đƣợc sử dụng rộng rãi nhƣ gạc chữa bỏng đƣợc phủ
nano bạc, pin năng lƣợng mặt trời, đèn LED, sơn kháng khuẩn nano… Công nghệ
nano đã làm thay đổi cuộc sống nhờ vào khả năng can thiệp của con ngƣời tại kích
thƣớc nanomet (nm). Tại quy mô đó, vật liệu nano thể hiện những tính chất đặc biệt và
lý thú khác hẳn với tính chất của chúng ở các kích thƣớc lớn hơn. Trong đó các cluster
chiếm một vị trí quan trọng.
Các cluster đƣợc định nghĩa là một tập hợp có từ một đến hàng ngàn nguyên tử
có kích cỡ nm hoặc nhỏ hơn. Chính vì có kích thƣớc nm nên nó có những tính chất vật
lý và hóa học khác biệt với khi ở dạng khối. Có lẽ, minh chứng rõ ràng nhất cho hiện
tƣợng này đó chính là việc khám phá ra các cluster kim loại vàng, một vật liệu đƣợc
biết đến với sự thụ động hóa học của nó ở dạng khối, nhƣng lại hoạt động hóa học
mạnh và trở thành vật liệu xúc tác tuyệt vời cho nhiều phản ứng nhƣ oxi hóa CO, khử
NO,… Từ công trình nghiên cứu của Walter David Knight và các cộng sự đã mở ra
một kỉ nguyên mới trong lĩnh vực nghiên cứu cluster khi điều chế và phát hiện ra các
cluster kim loại kiềm có đến 100 nguyên tử bằng cách cho bay hơi kim loại natri và
dẫn hơi kim loại qua ống phun siêu âm. Sau đó các nghiên cứu đƣợc mở rộng với
những cluster kim loại có kích thƣớc lớn hơn, nhƣng có lớp vỏ giống với các cluster
kim loại kiềm đó là các cluster của các kim loại quý nhƣ: Au, Ag, Cu, … và các kim
loại chuyển tiếp có phân lớp d chƣa bão hòa. Những electron ở orbitan d chƣa bão hòa
đóng vai trò quan trọng trong quá trình hình thành liên kết hóa học và vì thế nó đƣợc
dự đoán sẽ tạo ra những đặc tính khác biệt đối với các cluster. Hơn nữa, các cluster
kim loại khi tƣơng tác với ánh sáng, chúng sẽ trải qua các chuyển mức năng lƣợng, hệ
quả là xảy ra các hiện tƣợng hấp thụ, phát xạ ánh sáng và hiện tƣợng cộng hƣởng bề
1


mặt. Tính chất quang học của các hạt có kích thƣớc nm của các kim loại đã đƣợc
nghiên cứu trong những năm gần đây và đƣợc đƣa vào ứng dụng có hiệu quả cao trong

công nghiệp hiện đại đƣợc ứng dụng trong nghiên cứu về y học, vật liệu bán dẫn…
Tuy nhiên, vẫn chƣa có lí thuyết đầy đủ để giúp chúng ta dự đoán các cấu trúc bền của
các cluster kim loại ở trong các phân tử và các chất rắn. Hơn nữa, chúng ta vẫn tƣơng
đối ít biết về mối quan hệ phức tạp và tinh vi giữa cấu trúc, electron và nguyên tử với
độ bền và khả năng phản ứng của hợp chất. Do đó, việc nghiên cứu các tính chất độc
đáo, khác biệt và khả năng ứng dụng rộng rãi của các cluster của nhiều kim loại
chuyển tiếp đang là mối quan tâm của rất nhiều nhà khoa học trên thế giới. Trong đó,
paladi là một trong những kim loại chuyển tiếp đang đƣợc quan tâm và nghiên cứu
hiện nay vì những ứng dụng to lớn của kim lại này trong các lĩnh vực khác nhau nhƣ là
làm trang sức, đƣợc sử dụng trong công nghệ sản xuất tụ điện gốm nhiều lớp, sản xuất
dụng cụ trong nha khoa và với công nghệ phát triển hiện nay paladi đƣợc dùng để sản
xuất các hợp mạch, tiếp điểm áp thấp,... Vì vậy, việc nghiên cứu lý thuyết và tính chất
của một số cluster kim loại paladi là một nhu cầu cấp thiết với hy vọng kết quả thu đƣợc
cho hệ nghiên cứu có thể sử dụng làm tài liệu tham khảo cho các nhà khoa học làm thực
nghiệm cũng nhƣ các nghiên cứu lý thuyết sâu rộng hơn.
Nhƣ chúng ta biết rằng hóa học lƣợng tử là một ngành khoa học ứng dụng cơ
học lƣợng tử vào giải quyết các vấn đề của hóa học. Cụ thể nó cho phép tiến hành các
nghiên cứu lí thuyết về cấu trúc phân tử và khả năng phản ứng, giúp tiên đoán nhiều
thông số của phản ứng trƣớc khi tiến hành thí nghiệm. Hơn thế nữa, cùng với sự tiến
bộ của công nghệ số trong thời đại ngày nay, máy tính có thể tính toán một cách nhanh
chóng những phép tính phức tạp, giúp cho việc phát triển các phƣơng pháp và phần
mềm tính toán hóa học lƣợng tử. Áp dụng các phƣơng pháp và phần mềm này để tính
toán không những cho biết các tham số về cấu trúc, về các loại năng lƣợng, bề mặt thế
năng, cơ chế phản ứng, các thông số nhiệt động lực học… mà còn cho chúng ta biết
các thông tin về phổ hồng ngoại, phổ khối lƣợng, phổ UV-VIS... Nhờ vậy các phƣơng
pháp hóa học lƣợng tử và các phần mềm tính toán trở thành công cụ đắc lực trong việc
nghiên cứu, khảo sát các cấu trúc phân tử, cơ chế của rất nhiều phản ứng hóa học trong
các điều kiện khác nhau mà đôi khi thực nghiệm rất khó thực hiện hoặc không thể thực
hiện đƣợc. Với tất cả những lí do trên, chúng tôi chọn đề tài: “Nghiên cứu lý thuyết
cấu trúc và tính chất của một số cluster kim loại paladi (Pdn) n=2÷6”.

2


II. MỤC ĐÍCH NGHIÊN CỨU
Áp dụng phƣơng pháp tính toán hóa lƣợng tử để nghiên cứu cấu trúc bền và
tính chất của một số cluster kim loại của paladi.
Với các kết quả nghiên cứu, chúng tôi hi vọng các thông số thu đƣợc có thể
đƣợc sử dụng làm tài liệu tham khảo cho các nguyên cứu lý thuyết tiếp theo, đồng thời
định hƣớng cho các nghiên cứu hóa học thực nghiệm.
III. NHIỆM VỤ NGHIÊN CỨU
Nghiên cứu lí thuyết bằng cách tính toán các tham số cấu trúc [7] đƣa vào
(input) hệ thống sử lý cho ra kết quả (output).
Nghiên cứu cơ sở lý thuyết về hóa học lƣợng tử và các phần mềm tính toán
đƣợc sử dụng trong hóa học lƣợng tử nhƣ Gaussian 09, Gaussview, ChemCraft,
ChemOffice…
Sƣu tầm và đọc các bài báo, các tài liệu về các hợp cluster kim loại chuyển tiếp,
đặc biệt về cluster kim loại Pdn.
Chọn phƣơng pháp tính toán tốt nhất để khảo sát hệ nghiên cứu. Sử dụng
phƣơng pháp đã chọn để tối ƣu hóa cấu trúc, tính năng lƣợng điểm đơn, năng lƣợng
điểm không, năng lƣợng HOMO, LUMO, mức chênh lệch năng lƣợng LUMO-HOMO
(band gap), phổ UV-Vis, của các cluster kim loại Pdn… để tìm ra cấu trúc bền và khả
năng bán dẫn.
IV. PHẠM VI NGHIÊN CỨU
Các phƣơng pháp phiếm hàm mật độ nhƣ B3LYP, B3PW91, BP86, PBE1…,
phƣơng pháp phiếm hàm mật độ phụ thuộc thời gian (TD-DFT), phần mềm tính toán
hóa học lƣợng tử Gaussian 09 và các phần mềm hỗ trợ nhƣ gaussview 5.0,
chemcraft,… Từ đó tối ƣu hóa cấu trúc và các loại năng lƣợng cũng nhƣ tính chất bán
dẫn của một số cluster kim loại Pdn (n = 2÷6).
V. PHƢƠNG PHÁP NGHIÊN CỨU
Tất cả tính toán đƣợc thực hiện bằng phần mềm Gaussian 09 kết hợp với một số

phần mềm hóa học hỗ trợ khác nhƣ Gaussview, ChemCraft, ChemOffice…
Tối ƣu hóa cấu trúc, tính các tần số dao động và các loại năng lƣợng nhƣ năng
lƣợng điểm đơn, năng lƣợng dao động điểm không, năng lƣợng tổng, năng lƣợng
tƣơng đối, năng lƣợng liên kết Pd-Pd, năng lƣợng liên kết trung bình, năng lƣợng

3


HOMO, LUMO, mức chênh lệch năng lƣợng LUMO-HOMO, phổ UV-VIS, … của
các hệ chất nghiên cứu.

NỘI DUNG
CHƢƠNG I. CƠ SỞ LÝ THUYẾT
I. CƠ SỞ LÝ THUYẾT HÓA HỌC LƢỢNG TỬ [8, 17, 19]
I.1. Phƣơng trình Schrodinger ở trạng thái dừng
Hầu hết các hệ lƣợng tử đều đƣợc khảo sát ở trạng thái dừng, trạng thái mà tại
đó năng lƣợng của hệ không biến đổi theo thời gian mà chỉ biến đổi theo tọa độ. Mục
đích chính của hóa học lƣợng tử là tìm lời giải của phƣơng trình Schrodinger ở trạng
thái dừng đó


Hˆ  (r )  E (r )

Trong đó:

(I.1)

Hˆ là toán tử Hamilton.

E là năng lƣợng toàn phần của hệ.

 là hàm sóng toàn phần mô tả trạng thái của hệ.
Hàm sóng  là hàm liên tục, hữu hạn, xác định, đơn trị, khả vi, nói chung là
phức và thỏa mãn điều kiện chuẩn hóa:
*d = 2d =1

(I.2)

Nhiệm vụ đặt ra là phải thiết lập và giải phƣơng trình hàm riêng, trị riêng (I.1)
sẽ thu đƣợc hai nghiệm là  và E, từ đó cho phép rút ra đƣợc tất cả các thông tin khác

4


về hệ lƣợng tử. Nhƣ vậy, khi xét hệ lƣợng tử ở một trạng thái nào đó thì điều quan
trọng là phải giải đƣợc phƣơng trình Schrodinger ở trạng thái đó.
Đối với hệ (nguyên tử, phân tử hay ion) có N electron và M hạt nhân, bài toán
tổng quát là hàm sóng electron toàn phần  và năng lƣợng electron toàn phần E tƣơng
ứng. Trên cơ sở đó xác định các thông số cấu trúc, nhiệt động, động hóa học… của hệ.
I.2. Phƣơng trình Schrodinger cho hệ nhiều electron [1, 3, 8, 17, 19]
I.2.1. Toán tử Hamilton
Xét hệ gồm M hạt nhân và N electron. Trong hệ đơn vị nguyên tử, toán tử
Hamilton Hˆ tổng quát đƣợc xác định theo biểu thức:
N
M
N N
M M Z Z
1
1 2 N M Z
1
Hˆ    2p  

  
 
  
p 1 2
 1 2 M 
p 1  1 rp
p 1 pq rpq
 1   R

Trong đó:

(I.3)

p, q là các electron từ 1 đến N.
α,  là các hạt nhân từ 1 đến M.
Zα, Z là số đơn vị điện tích hạt nhân của α, .
rpq là khoảng cách giữa hai electron p và q.
Rα là khoảng cách giữa hai hạt nhân α và .
rpα là khoảng cách giữa electron p và hạt nhân α.

2 là toán tử Laplace có dạng:
2 

2
2
2


x 2 y 2 z 2

(I.4)

Mα là tỉ số khối lƣợng của một hạt nhân α với khối lƣợng của một electron.
Số hạng thứ nhất là toán tử động năng của electron.
Số hạng thứ hai là toán tử động năng của hạt nhân.
Số hạng thứ ba là toán tử thế năng tƣơng tác hút giữa các electron với hạt nhân.
Số hạng thứ tƣ và số hạng thứ năm là toán tử thế năng tƣơng tác đẩy giữa các electron
và giữa các hạt nhân tƣơng ứng.
Trên thực tế, ngƣời ta chỉ có thể giải chính xác phƣơng trình đối với hệ 1
electron và 1 hạt nhân (bài toán nguyên tử hiđro và những ion giống hiđro). Đối với hệ
nhiều electron, ngoài sự tƣơng tác giữa electron với hạt nhân còn có sự tƣơng tác giữa
các electron với nhau. Trạng thái của hệ phải đƣợc mô tả bởi những hàm sóng phụ
thuộc tọa độ của tất cả electron trong hệ. Việc giải phƣơng trình Schrödinger đối với

5


các hệ này là rất phức tạp nên thƣờng đƣợc tiến hành giải gần đúng dựa trên các mô
hình phù hợp sẽ đƣợc đề cập ở các phần tiếp theo.
Sự gần đúng Born – Oppenheimer: Vì các hạt nhân nặng hơn electron hàng
ngàn lần nên chuyển động rất chậm so với electron. Do đó, một cách gần đúng, có thể
coi hạt nhân là đứng yên so với electron, sự phân bố của electron không phụ thuộc vào
vận tốc hạt nhân mà phụ thuộc vào vị trí của hạt nhân.
Vì sự gần đúng này, số hạng thứ hai của (I.3) – động năng của hạt nhân có thể
bỏ qua và số hạng thứ năm – tƣơng tác đẩy giữa các hạt nhân đƣợc coi là hằng số.
Toán tử Hamilton của cả hệ trở thành toán tử Hamilton của các electron ứng với năng
lƣợng electron toàn phần Eel.
N M
N N
Z

1 N
1
Hˆ     2     
2 p1
p 1  1 rp
p 1 q p rpq

(I.5)

Theo nguyên lí không phân biệt các hạt đồng nhất, ta không thể phân biệt đƣợc
các hạt electron p và electron q. Nói cách khác, không thể xác định một cách tƣờng
minh rpq. Do đó, biểu thức của toán tử Hamilton cho hệ nhiều electron là không tƣờng
minh và không thể giải đƣợc chính xác phƣơng trình Schrodinger.
Trong trƣờng hợp chung, bài toán chỉ có thể giải gần đúng theo khuôn khổ mô
hình hạt độc lập, bằng cách sử dụng trƣờng thế 1 electron thích hợp thay cho những số
hạng

1
.
rpq
N N
1
Hˆ el  Hˆ core ( p)  
p 1 pq rpq

(I.6)

Hˆ el  Hˆ core ( p)  Vˆ ( p)

(I.7)

Trong đó, Hˆ core ( p) là toán tử Hamilton hiệu dụng 1 electron mô tả chuyển động
của 1 electron trong trƣờng hạt nhân điện tích α.
Vˆ ( p) là thế năng hiệu dụng của 1 electron.

Khi đó, phƣơng trình: Hˆ el el  Eel el

(I.8)

N

Có dạng: [ Hˆ core ( p)  Vˆ ( p)] el  Eel el

(I.9)

p 1

Lời giải của phƣơng trình là hàm sóng electron:
el = el ({rp}; RA)

(I.10)

6


Mô tả chuyển động của các electron. Hàm sóng này phụ thuộc vào các tọa độ
electron rp và tọa độ hạt nhân RA. Năng lƣợng electron cũng vậy.
Eel = Eel ({R})

(I.11)

Điều đó có nghĩa với các sự sắp xếp khác nhau của hạt nhân, el là hàm khác
nhau. Các tọa độ hạt nhân không xuất hiện rõ ràng trong el. Năng lƣợng tổng cho hạt
nhân cố định phải bao gồm hằng số tƣơng tác đẩy hạt nhân.
M

M

Etot  Eel   

Z Z 

 1  

(I.12)

R

I.2.2. Hàm sóng của hệ nhiều electron
Obitan đƣợc hiểu nhƣ là một hàm sóng cho một electron. Một obitan không




gian  i (r ) là một hàm của vectơ vị trí r mô tả chuyển động không gian của một
electron. Để mô tả đầy đủ chuyển động một electron, cần phải xác định đầy đủ spin
của nó. Một tập hợp đầy đủ mô tả đầy đủ spin của một electron bao gồm hai hàm trực
chuẩn α(ω) và (ω), nghĩa là spin lên và spin xuống. Hàm sóng mô tả cả phân bố




không gian và spin của electron là obitan spin  ( X ) . Từ một obitan không gian  i (r ) ,
có thể tạo hai obitan spin tƣơng ứng với spin lên và xuống bằng cách nhân obitan
không gian với các hàm spin α và :








 ( X )   i (r ). ( ) hoặc  ( X )   i (r ). ( )

(I.13)

Hàm sóng thích hợp mô tả một electron là obitan spin. Với hệ N electron ta có:
el = χi(1).χj(2)…χk(N)

(I.14)

Trong đó: χ đƣợc gọi là các obitan spin; chỉ số dƣới biểu diễn nhãn của obitan
spin; số trong ngoặc chỉ các electron.
Theo nguyên lý phản đối xứng hàm sóng toàn phần electron không phải là hàm
tích mà là phản đối xứng (đổi dấu) đối với sự hoán vị hai electron. Để giải quyết vấn
đề ngƣời ta viết hàm sóng toàn phần của hệ N electron dƣới dạng định thức Slater.

 el  ( N !)

 i (1). i (2)... i ( N )
 j (1). j (2)... j ( N )
1 / 2
.............................
 k (1). k (2)... k ( N )

(I.15)

Thừa số (N!) -1/2 là thừa số chuẩn hóa. Sự đổi chỗ của hai electron tƣơng đƣơng
với sự đổi chỗ của hai hàng định thức, nên định thức sẽ bị đổi dấu. Vì vậy, định thức
Slater thỏa mãn nguyên lý phản đối xứng. Nếu có hai electron chiếm giữ một obitan
7


spin sẽ tƣơng đƣơng với định thức có hai hàng bằng nhau nên định thức bằng không,
hàm sóng sẽ bị triệt tiêu. Nhƣ vậy, từ sự đòi hỏi phản đối xứng dấn tới cách phát biểu
thông thƣờng của nguyên lý loại trừ Pauli: Không thể có nhiều hơn một electron chiếm
giữ một obitan spin.
Để thuận tiện ngƣời ta thƣờng viết định thức Slater đã chuẩn hóa bằng cách chỉ
đƣa ra các phần tử nằm trên đƣờng chéo chính của định thức:
el = χi(1).χj(2)…χk(N)

(I.16)

Với quy ƣớc đã có mặt hệ số chuẩn hóa (N!) -1/2 . Nếu chúng ta luôn chọn
các nhãn electron theo thứ tự 1, 2, 3,…, N thì định thức Slater còn đƣợc viết ngắn
gọn hơn:
el = χi.χj…χk

(I.17)

Đối với hệ có vỏ electron không kín, hàm sóng của hệ là tổ hợp tuyến tính của
nhiều định thức Slater.
I.2.3. Phương trình Schrodinger của hệ nhiều electron
Phƣơng trình Schrodinger của hệ có dạng:
Hˆ el el  Eel el
N

 [ Hˆ (i )  C ] el  Eel el
i 1



N

 Hˆ
i 1

 el  ( Eel  C ) el

(i )

(I.18)

Nhƣ vậy, việc giải phƣơng trình Schrodinger cho hệ lƣợng tử trở thành việc giải
phƣơng trình Schrodinger cho hệ electron. Hàm sóng el trở thành hàm riêng của toán
tử

N

 Hˆ
i 1

(i )

và có trị riêng (Eel – C).

Để giải đƣợc phƣơng trình (I.18) phải áp dụng các phƣơng pháp tính gần đúng
hóa học lƣợng tử. Có hai phƣơng pháp giải chính:
- Phƣơng pháp tính lý thuyết (ab-initio): giải (I.18) hoàn toàn dựa trên lý thuyết.
- Phƣơng pháp tính bán kinh nghiệm: giải (I.18) có dùng tham số kinh nghiệm
thay cho một số tích phân.
I.3. Cấu hình electron và bộ hàm cơ sở
I.3.1. Cấu hình electron
8


* Cấu hình electron cho biết sự phân bố electron trong hệ lƣợng tử, việc xác
định cấu hình có ý nghĩa quan trọng vì nó liên quan đến việc chọn phƣơng pháp tính
thích hợp. Gồm có:
* Cấu hình vỏ đóng (Closed shell): Hệ có 2n electron chiếm n orbital không gian.
* Cấu hình vỏ mở (Opened shell): Hệ có 2n+1 electron, trong đó 2n electron
chiếm n orbital không gian, một electron còn lại chiếm orbital thứ n+1.
* Cấu hình hạn chế (Restricted): Là cấu hình mà một hàm không gian đƣợc sử
dụng chung cho hai hàm spin α và hàm spin β khi có 2 electron ghép đôi. Các electron
độc thân (nếu có) thuộc về các hàm không gian khác nhau. . Nhƣ vậy, chỉ các MO bị
chiếm bởi các electron không ghép đôi mới đƣợc xử lý riêng biệt. Phƣơng pháp
Hartree-Fock với cấu hình này có thể là RHF (với cấu hình vỏ đóng) hoặc ROHF (với
cấu hình vỏ mở và trạng thái kích thích).
* Cấu hình không hạn chế (Unrestricted): Là cấu hình mà các hàm spin α và β

thuộc hai hàm không gian khác nhau, nghĩa là không suy biến năng lƣợng. Tất cả các
electron đều đƣợc xử lí ở các orbital không gian riêng biệt. Cấu hình này có thể sử
dụng với hệ có 2n hoặc 2n+1 electron ở các dạng vỏ đóng, mở và trạng thái kích thích.
Phƣơng pháp Hartree-Fock với cấu hình này phải là UHF, phƣơng pháp này cho kết
quả tốt trong trƣờng hợp hệ là gốc, ion.
I.3.2. Bộ hàm cơ sở
Để giải phƣơng trình Schrodinger cho phân tử, ngƣời ta thực hiện phép gần
đúng đƣa obitan phân tử i về dạng tổ hợp tuyến tính của các obitan nguyên tử :
i = C1i1 + C2i2 + … + Cnin

(I.19)

Trong đó: Ci là hệ số tổ hợp,  là các AO cơ sở.
Biểu thức (I.19) đƣợc gọi là biểu thức tổ hợp tuyến tính các obitan nguyên tử
(Linear Conbination of Atomic Orbital – LCAO). Tập các AO {} đƣợc gọi là bộ
hàm cơ sở đƣợc sử dụng trong hóa lƣợng tử. Về nguyên tắc, số AO tham gia tổ hợp
càng lớn thì sự gần đúng càng tốt, tuy nhiên việc tính toán gặp khó khăn. Bộ hàm cơ
sở đƣợc chia làm ba loại:
- Bộ hàm cơ sở tối thiểu (minimal basic sets): bao gồm tất cả các obitan vỏ
trong và obitan vỏ hóa trị.
Vd: H: 1s; C: 1s, 2s, 2px, 2py, 2pz
- Bộ hàm cơ sở hóa trị (valence basic sets): chỉ có các obitan vỏ hóa trị.
Vd: H: 1s, 1s’; C: 1s, 2s, 2s’, 2px, 2py, 2pz, 2px’, 2py’, 2pz’
9


- Bộ hàm cơ sở mở rộng (extended basic sets): là tập cơ sở tối thiểu bao gồm thêm
các obitan của lớp vỏ bên ngoài vỏ hóa trị (obitan ảo – virtual orbital).
Thông thƣờng, mỗi hàm cơ sở có thể biểu diễn thành hai phần: phần góc Y(,)
và phần bán kính R(r): (r,,) = R(r).Y(,).

Tùy theo cách biểu diễn toán học của phần bán kính ta có các loại AO cơ sở
khác nhau. Có hai loại AO cơ sở thƣờng gặp là AO kiểu Slater STO (Slater Type
Orbitals) và AO kiểu Gauss GTO (Gaussian Type Orbitals):
+ AO kiểu Slater STO:  STO  C S e r R

(I.20)

A

+ AO kiểu Gauss GTO:  GTO  C G e  r R

2

A

Trong đó:

(I.21)

r là vectơ tọa độ obitan.
RA là tọa độ hạt nhân nguyên tử A.
CS, CG là các hệ số, bao gồm cả phần góc.
, α là hệ số mũ của các hàm STO và GTO tƣơng ứng.

Mỗi loại AO đều có những ƣu, nhƣợc điểm riêng. Hàm STO gần đúng hơn hàm
Gauss về các đặc trƣng định tính của obitan phân tử i. Tuy nhiên, lại gặp nhiều khó
khăn khi tính toán vì số lƣợng tích phân 2 electron phải tính hơi nhiều. Trong khi đó,
dùng hàm GTO thì việc tính tích phân 2 electron dễ dàng hơn, nhƣng lại kém chính
xác hơn. Vì vậy, trong thực tế, thay cho việc sử dụng trực tiếp các STO và GTO, ngƣời
ta có hai cách khác nhau để bộ hàm cơ sở tốt hơn:

- Làm khớp một hàm STO với một tổ hợp tuyến tính các hàm Gauss thu đƣợc
các hàm cơ sở kiểu STO – nG (n>1).
- Tổ hợp tuyến tính các hàm Gauss ban đầu, ta đƣợc bộ hàm Gauss rút gọn CGF
(Constracted Gaussian Functions).
 CGF (r  RA )   d   .g [   (r  RA )]

(I.22)

 1

Trong đó:

d là hệ số rút gọn.
g là các hàm Gauss ban đầu.
α là hệ số mũ.

Để thu đƣợc kết quả chính xác hơn, ngƣời ta dùng khái niệm phân cực
(polarization) do tâm khai triển hàm Gauss không trùng với tâm nguyên tử trong phân
tử và khái niệm khuếch tán (diffuse) biểu diễn các hàm có số mũ obitan nhỏ hơn giá trị
thông thƣờng.
10


Một số bộ hàm cơ sở của Pople: STO–3G, 3–21G(d), 3–21G(d,p), 6–
311+G(d,p), 6–311++G(d,p), 6–311++G(3df,2p), …
II. CÁC PHƢƠNG PHÁP TÍNH TOÁN HÓA HỌC [8, 19]
* Các phương pháp bán kinh nghiệm: Sử dụng các tham số rút ra từ thực
nghiệm để thay thế cho các tích phân trong quá trình giải phƣơng trình Schrodinger.
Do đó, các phép tính đơn giản hơn, tiết kiệm hơn và vẫn đạt đƣợc độ chính xác trong
phạm vi cho phép. Vì vậy, các phƣơng pháp bán kinh nghiệm vẫn đƣợc dùng rộng rãi

trong các nghiên cứu hóa học lƣợng tử, đặc biệt đối với những hệ lớn. Trong nhóm
phƣơng pháp này có các phƣơng pháp: Huckel mở rộng, phƣơng pháp NDDO, CNDO,
INDO, MINDO…
* Các phương pháp gần đúng lí thuyết (phương pháp ab-initio): Có thể chia
các phƣơng pháp ab-initio thành hai nhóm:
- Phƣơng pháp obitan phân tử (Molecular Orbital: MO): Giải phƣơng trình
Schrodinger dựa trên cơ sở các hàm sóng obitan phân tử. Bao gồm:
+ Phƣơng pháp trƣờng tử hợp Hartree-Fock (HF).
+ Phƣơng pháp hậu Hartree-Fock (Post-HF): Phƣơng pháp nhiễu loạn
(MPn), phƣơng pháp tƣơng tác cấu hình (CI), phƣơng pháp tƣơng tác chùm
Coupled Cluster (CC)…
- Phƣơng pháp phiếm hàm mật độ (DFT): Giải phƣơng trình Schrodinger dựa
trên cơ sở các hàm mật độ electron.
II.1. Phƣơng pháp Hartree – Fock
Hartree đã xây dựng phƣơng pháp trƣờng tự hợp (Self Consistent Field) xuất
phát từ quan niệm về trƣờng thế hiệu dụng trung bình đối với mỗi electron đƣợc
hợp bởi thế hút của hạt nhân và thế đẩy trung bình hóa do tất cả các electron khác
sinh ra.
Hàm sóng phản đối xứng đơn giản nhất đƣợc sử dụng để mô tả trạng thái cơ
bản của một hệ N electron là định thức Slater đơn.
 el   a1 a 2 ... aN

(I.23)

Trong đó, χi = i. là hàm spin obitan (ASO hoặc MSO).
Ta có: E   el* Hˆ  el d

(I.24a)

Hay E   el Hˆ  el

(I.24b)

11


N

N

N

N

i 1

i 1

i

j 1 ij

1
Trong đó: Hˆ   Hˆ (i )  Hˆ (core
i )  
N

N

N

i 1

i

j 1 ij

(I.25)

r

1
Đặt: Hˆ 1   Hˆ (core
; Hˆ 2  
i)

(I.26)

r

 Hˆ  Hˆ 1  Hˆ 2
Thay vào (1.24b) ta có:
E   el Hˆ 1  el   el Hˆ 2  el

(I.27)

Thực hiện biến đổi cần thiết, ta đƣợc:
n

n

n

i

i

i j

E  2 H ii   (2 J ij  K ij )

(I.28)

ˆ core
Trong đó: H ii  i Hˆ (core
1) i   i (1) H (1)  i (1)d 1

(I.29)

Hii là tích phân một electron, biểu diễn năng lƣợng của một electron trong
trƣờng lực hạt nhân trần (không có mặt của electron khác).
J ij  ij ij    i* (1) i* (2)

1
 i (1) j (2)d 1d 2
r12

(I.30)

Jij là tích phân Culông, biểu diễn năng lƣợng đẩy giữa hai electron (1) và (2) khi

hai electron này phân bố ở các obitan i, j khác nhau. Sự đẩy này làm tăng năng lƣợng
của hệ.
K ij  ij ij    i* (1) i* (2)

1
 i (1) j (2)d 1d 2
r12

(I.31)

Kij là tích phân trao đổi, biểu diễn tƣơng tác của hai electron có spin song song
trên các obitan i, j. Tƣơng tác này làm giảm năng lƣợng của hệ và không có tƣơng tự
cổ điển.
* Theo nguyên lý biến phân, hàm sóng tốt nhất là hàm sóng cho năng lƣợng
thấp nhất.
n

n

n

n

n

i

i

i j

i

i j

Đặt: G  2 H ii   (2 J ij  Kij )  2 ( ij Sij )

(I.32)

Phƣơng pháp Hartree-Fock áp dụng rất tốt cho hệ nguyên tử, vì ta có thể trung
bình hóa các thế hiệu dụng một electron sao cho chúng có đối xứng xuyên tâm để
phƣơng trình một electron có ba biến trở thành phƣơng trình chỉ có một biến.
II.2. Phƣơng pháp phiếm hàm mật độ (DFT)

12


Thuyết phiếm hàm mật độ (Density Functional Theory – DFT) cho phép mô tả


trạng thái hệ electron theo hàm sóng  (r ) và phƣơng trình Schrodinger tƣơng ứng với


hàm mật độ  (r ) và những tính toán liên quan đến việc sử dụng hàm này, xuất phát từ
quan điểm cho rằng năng lƣợng của một hệ các electron có thể đƣợc biểu thị nhƣ một




hàm của mật độ electron  (r ) . Do đó, năng lƣợng của hệ các electron E[  (r )] là một

phiếm hàm đơn trị của mật độ electron.
II.2.1. Mô hình Thomas – Fermi
Năm 1927, Thomas và Fermi chỉ ra sự tồn tại của một phiếm hàm năng lƣợng
và tìm ra một biểu thức năng lƣợng Thomas – Fermi cho nguyên tử dựa trên mật độ
electron là:
ETF [  ] 

3
 (r ) 1
 (r1 )  (r2 )
(3 2 ) 2 / 3   5 / 3 (r )dr  Z  dr
  dr1dr2
10
Rr 2
r1  r2

(I.53)

Trong đó, Z là điện tích của hạt nhân, R là vectơ tọa độ của hạt nhân, r là vectơ
tọa độ electron. Phƣơng trình này chỉ dùng cho nguyên tử (có một hạt nhân). Mô hình
Thomas – Fermi quá đơn giản, không dùng đƣợc cho phân tử, độ chính xác khi dùng
cho các nguyên tử cũng không cao, chỉ nghiệm đúng trong một số ít trƣờng hợp (coi
electron là các hạt độc lập).
II.2.2. Các định lí Hohenberg – Kohn
Hohenberg và Kohn đã đƣa ra những định lí cơ bản để chỉ ra rằng trạng thái cơ
bản trong mô hình Thomas – Fermi có thể đƣợc xem nhƣ một sự xấp xỉ đối với một lý
thuyết chính xác – lý thuyết phiếm hàm mật độ. Họ đã chỉ ra rằng một hệ lƣợng tử N
electron chuyển động trong một trƣờng thế ngoài V(r) ứng với toán tử Halmiton Hˆ có
một trị riêng năng lƣợng và hàm sóng ở trạng thái cơ bản đƣợc xác định hoàn toàn
bằng cách tối thiểu hóa năng lƣợng toàn phần nhƣ một phiếm hàm của hàm sóng.







- Định lí 1: Mật độ electron  (r ) xác định thế ngoài Vext (r ) , hàm sóng  (r )
cũng nhƣ các tính chất khác của hệ ở trạng thái cơ bản.


Định lí này cho thấy  (r ) xác định năng lƣợng toàn phần của hệ theo biểu thức:



 
E[  (r )]  F[  (r )]    (r )Vext (r )dr

(I.54)



Trong đó, F[  (r )] là phiếm hàm Hohenberg-Kohn.


- Định lí 2: Đối với một ma trận mật độ thử  (r ) sao cho ma trận mật độ thử
 

đó là không âm và   (r )dr  N thì ta có năng lƣợng:
13


E0  E[  (r )]

(I.55)

Trong đó, E0 là năng lƣợng ở trạng thái cơ bản. Biểu thức (I.55) tƣơng tự




nguyên lí biến phân với E  E[ (r )] . Nó cho thấy phiếm hàm năng lƣợng E[  (r )] có
cực trị (cực tiểu là E0). Do đó, tại



d
 E[  (r )]  0 thì  (r ) xác định năng lƣợng của hệ
d (r )

ở trạng thái cơ bản, điều này đƣợc áp dụng khi xây dựng các phƣơng trình Kohn-Sham.
II.2.3. Các phương trình Kohn – Sham


Kohn và Sham chia phiếm hàm F[  (r )] thành 3 phần khác nhau, theo đó (I.48)
đƣợc viết lại là:







 
1  ( r )  ( R)  
E[  (r )]  T [  (r )]  
dr dR  Exc [  (r )]    (r )Vext (r )dr
2
rR

Trong đó:

(I.56)



+

Số hạng thứ nhất: T [  (r )] là phiếm hàm động năng của các electron,



 
1 N
(I.57)
 i* (r ) 2 i (r )dr


2 1

+ Số hạng thứ hai: Exc [  (r ) là năng lƣợng tƣơng quan trao đổi của hệ.

xác định bởi: T [  (r )]  

+

Số hạng cuối biểu thị năng lƣợng hút giữa hạt nhân và electron.




 

Đặt: G[  (r )]  E[  (r )]     (r )dr

(1.58)

Trong đó,  là thừa số bất định Lagrange.
Áp dụng định lí Hohenberg-Kohn thứ hai, theo nguyên lí biến phân với phiếm hàm G.
Tại điểm dừng, ta có:
 


 
d
 [ E[  (r )]     (r )dr ]  0
d (r )

Do   (r )dr  N nên ta có:



d
 E[  (r )]  
d (r )

(I.59)
(I.60)

Thay (I.56) vào (I.60) và biến đổi cần thiết, ta đƣợc:




d
 ( R) 
d
dR 
 T [  (r )]  Vext (r )  
 Exc [  (r )]  
d (r )
rR
d (r )




 ( R) 
d
Đặt: Veff (r )  Vext (r )  
dR 
 Exc [  (r )]

rR
d (r )

(I.61)
(I.62)



Trong đó, Veff (r ) là thế năng hiệu dụng.
(I.61) trở thành:



d
 T [  (r )]  Veff (r )  
d (r )

(I.63)

Thay (I.63) vào (I.57) và thực hiện các phép biến đổi cần thiết, ta có:
14



 1 2
 
 2 i  Veff (r )   i  i (r )  0

(I.64)

(I.64) là phƣơng trình Schrodinger một electron, có thể giải theo phƣơng pháp lặp




bằng cách đƣa vào thế năng hiệu dụng thử ban đầu Veff (r ) , thu đƣợc i và  i (r ) , từ đó




N

tính đƣợc:  (r )    i (r )

2

(I.65)

1



* Khi đã xác định đƣợc  (r ) theo (I.65), từ định lí Hohenberg-Kohn thứ nhất ta có


thể xác định đƣợc năng lƣợng E[  (r )] cũng nhƣ các thông tin khác của hệ lƣợng tử.


* Năng lƣợng tƣơng đối trao đổi Exc [  (r )] xác định từ (I.56) chỉ có thể tính
đƣợc trong một số ít trƣờng hợp. Để xác định giá trị này, trong trƣờng hợp tổng quát,

ngƣời ta dựa vào sự gần đúng mật độ địa phƣơng (Local Density Approximation:


LDA). Theo đó, giá trị Exc [  (r )] xấp xỉ với năng lƣợng tƣơng đối trao đổi của một


electron trong khí quyển electron đồng nhất có cùng mật độ electron  (r ) theo sự gần




 

đúng địa phƣơng: Exc [  (r )]    xc [ (r )] (r )dr


Giá trị  xc [  (r )] đƣợc tính với độ chính xác cao theo phƣơng pháp Quantum
Monte Carlo.
Sự phát triển của lí thuyết DFT ngày nay là tập trung vào việc làm sao để có
phiếm hàm Ε XC ρ ngày càng tốt hơn. Các phƣơng pháp DFT khác nhau ở dạng của
Ε XC ρ. Các phiếm hàm đó thƣờng đƣợc xây dựng dựa vào việc so sánh với kết quả

thực nghiệm hoặc so sánh với kết quả tính theo lí thuyết ở mức cao. Thông thƣờng
năng lƣợng trao đổi - tƣơng quan Exc đƣợc tách thành hai phần riêng biệt, phần trao đổi
Ex và phần tƣơng quan Ec.
Có nhiều phƣơng pháp DFT nhƣ: B3LYP, B3W91, MPW1PW91, BP86 … Các


phƣơng pháp này có các phiếm hàm Exc [  (r )] khác nhau.
Phƣơng pháp DFT.B3LYP có năng lƣợng tƣơng đối trao đổi chính xác đƣợc

tính theo biểu thức sau:
Exc  0,2.Ex ( HF )  0,8.Ex ( LSDA)  0,72.DEx ( B88)  0,81.Ec ( LYP)  0,19.Ec (VWN )

Trong đó:

+ Ex(HF)
+

là phần trao đổi Hartree-Fock.

Ex(LSDA) là phần trao đổi trong phƣơng pháp gần đúng mật độ spin

địa phƣơng.
+ Ex(B88)

là phần hiệu chỉnh gradient của hàm trao đổi Becke 88.
15


+ Ec(LYP)

là hàm tƣơng đối của Lee, Yang và Parr.

+ Ec(VWN)

là hàm tƣơng đối của Vosko, Wilk, Nusiar.

III. CẤU TRÚC VÙNG NĂNG LƢỢNG TRONG CHẤT BÁN DẪN
Tính chất dẫn điện của các vật liệu rắn đƣợc giải thích nhờ lý thuyết vùng năng
lƣợng. Mô hình vùng năng lƣợng trong chất bán dẫn đƣa ra một quan điểm rõ ràng hơn

về quá trình phát sinh cặp electron - lỗ trống và sự điều chỉnh nồng độ các hạt tải điện
bằng các tạp chất. Ngƣời ta chia ra làm 3 vùng là: vùng hóa trị, vùng dẫn và vùng cấm.

Hình 1. 1. Mô hình vùng năng lượng trong chất bán dẫn
- Vùng hóa trị là vùng có năng lƣợng thấp nhất theo thang năng lƣợng, là vùng
mà electron điện tử bị liên kết mạnh với nguyên tử và không linh động.
- Vùng dẫn là vùng có năng lƣợng cao nhất, là vùng mà các electron sẽ linh
động nhƣ các electron tự do và electron ở vùng này sẽ là electron dẫn, nghĩa là chất có
khả năng dẫn điện khi có các electron tồn tại trên vùng dẫn. Tính dẫn điện tăng khi
mật độ electron trên vùng dẫn tăng.
- Vùng cấm là vùng nằm giữa vùng hóa trị và vùng dẫn, không có mức năng
lƣợng nào, do đó electron không thể tồn tại trên vùng cấm. Nếu bán dẫn pha tạp có thể
xuất hiện các mức năng lƣợng trong vùng cấm (mức pha tạp). Khoảng cách giữa đáy
vùng dẫn và đỉnh vùng hóa trị gọi là độ rộng vùng cấm hay năng lƣợng vùng cấm. Tùy
theo độ rộng vùng cấm lớn hay nhỏ mag chất có thể là dẫn điện hoặc không dẫn điện.
Nhƣ vậy, tính chất của chất bán dẫn có thể lý giải một cách đơn giản nhờ lý
thuyết vùng năng lƣợng nhƣ sau: Các chất bán dẫn có vùng cấm có một độ rộng xác
định. Ở không độ tuyệt đối (0 ⁰K), mức Fermi nằm giữa vùng cấm, có nghĩa là tất cả
các điện tử tồn tại ở vùng hóa trị, do đó chất bán dẫn không dẫn điện. Khi tăng dần
nhiệt độ, các điện tử sẽ nhận đƣợc năng lƣợng nhiệt (kB.T với kB là hằng số
Boltzmann) nhƣng năng lƣợng này chƣa đủ để điện tử vƣợt qua vùng cấm nên điện tử
16


vẫn ở vùng hóa trị. Khi tăng nhiệt độ đến mức đủ cao, sẽ có một số điện tử nhận đƣợc
năng lƣợng lớn hơn năng lƣợng vùng cấm và nó sẽ nhảy lên vùng dẫn và chất rắn trở
thành dẫn điện. Khi nhiệt độ càng tăng lên, mật độ điện tử trên vùng dẫn sẽ càng tăng
lên, do đó, tính dẫn điện của chất bán dẫn tăng dần theo nhiệt độ (hay điện trở
suất giảm dần theo nhiệt độ).
Ngoài ra, tính dẫn của chất bán dẫn có thể thay đổi nhờ các kích thích năng

lƣợng khác, ví dụ nhƣ ánh sáng. Khi chiếu sáng, các điện tử sẽ hấp thụ năng lƣợng
từ photon, và có thể nhảy lên vùng dẫn nếu năng lƣợng đủ lớn. Đây chính là nguyên
nhân dẫn đến sự thay đổi về tính chất của chất bán dẫn dƣới tác dụng của ánh
sáng (quang-bán dẫn).
IV. ĐẠI CƢƠNG VỀ PHỔ TỬ NGOẠI – KHẢ KIẾN (UV – Vis) [2]
Cơ sở các phƣơng pháp phổ là quá trình tƣơng tác các bức xạ điện từ đối với các
phân tử vật chất. Khi tƣơng tác với các bức xạ điện từ, các phân tử có cấu trúc khác
nhau sẽ hấp thụ và phát xạ năng lƣợng khác nhau. Kết quả của sự hấp thụ và phát xạ
năng lƣợng này chính là phổ, từ phổ chúng ta có thể xác định ngƣợc lại cấu trúc phân tử.
Có 5 phƣơng pháp phổ:
- Phƣơng pháp quang phổ hấp thụ phân tử:
+ Phƣơng pháp phổ hồng ngoại.
+ Phƣơng pháp phổ Raman.
+ Phƣơng pháp phổ tử ngoại – khả kiến.
- Phƣơng pháp phổ cộng hƣởng từ hạt nhân.
- Phƣơng pháp phổ khối lƣợng.
* Bước chuyển dời năng lượng
Ở điều kiện bình thƣờng, các electron trong phân tử nằm ở trạng thái cơ bản,
khi có ánh sáng kích thích với tần số  thích hợp thì các electron này sẽ hấp thụ năng
lƣợng và chuyển lên các trạng thái kích thích có mức năng lƣợng cao hơn. Theo cơ học
lƣợng tử, ở trạng thái cơ bản các electron đƣợc sắp đầy vào các obitan liên kết ,  hay
n có mức năng lƣợng thấp, khi bị kích thích sẽ chuyển lên các mức năng lƣợng cao
hơn:   *,   * và n  *, *. Hiệu số mức năng lƣợng giữa hai obitan chính là
năng lƣợng hấp thụ từ nguồn sáng kích thích bên ngoài.

17