Báo cáo thí nghiệm mô phỏng mutisim

BỘ NÔNG NGHIỆP VÀ PHÁT TRIỂN NÔNG THÔN
TRƯỜNG ĐẠI HỌC THỦY LỢI
Khoa Năng lượng, Bộ môn Kĩ thuật Điện.
=================

Đ
H
T
L

L

BÁO CÁO THÍ NGHIỆM
MÔN HỌC : KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ I

Giáo viên hướng dẫn : Bùi Văn Đại

Hà nội, tháng 6 năm 2015


BÀI 1 & 2
LÀM QUEN LINH KIỆN ĐIỆN TỬ VÀ THIẾT BỊ ĐO

1.

Mục đích thí nghiệm.

Làm quen với các linh kiện điện tử: điện trở, diode, tụ và các thiết bị đo :
oscillosope và máy đo cầm tay.

2.

Tiến hành thí nghiệm:

2.1. Bảng màu điện trở
Màu sắc

Giá trị

Màu sắc

Giá trị

Đen

0

Nâu

1

Đỏ

2

Cam

3

Vàng

4

Lục

5

Lam

6

Tím

7

Xám

8

Trắng

9

Điện trở thông thường có 4 vạch hoặc 5 vạch, 1 vạch là vạch nhũ, chỉ sai số của
giá trị điện trở, vạch nhũ thường nằm cuối cùng. Nằm cạnh vạch nhũ là vạch chỉ độ
lớn với giá trị là 10 mũ giá trị vạch đó.
2.2. Phân loại điện trở
Điện trở thường: có công suất nhỏ, từ 0,125W đến 0,5W
Điện trở công suất: công suất lớn hơn, từ 1W, 2W, 5W, 10W
Điện trở sứ hay điện trở nhiệt: là 1 dạng điện trở công suất , có vở bọc bằng sứ và
khi hoạt động thì chúng tỏa nhiệt

2.3. Biến trở là: Điện trở có giá trị có thể điều chỉnh được
2.4. Tụ điện


Có giá trị đo bằng đơn vị Farad (kí hiệu là F). Giá trị F là rất lớn nên hay dùng các
giá trị nhỏ hơn như micro fara (μF), nano Fara (nF) hay picro Fara (pF). Chỉ số cuối
trong các loại tụ không ghi rõ chỉ số có giá trị là 10 mũ (pF).
1F=106μF=109nF=1012pF
Tụ chia làm 2 loại: phân cực và không phân cực, tụ phân cực thường là tụ hóa.
Tụ gốm là: là tụ có lớp vỏ ngoài bằng gốm, được bọc keo và nhuộm màu
Tụ giấy: Là tụ điện có bản cực là các lá nhôm hoặc thiếc cách nhau bằng lớp giấy
tẩm dầu cách điện làm dung môi.
Tụ hóa là: Là tụ giấy có dung môi hóa học đặc hiệu --> tạo điện dung cao và rất
cao cho tụ điện. Nếu bên ngoài có vỏ nhôm bọc nhựa thì còn gọi là tụ nhôm.
2.5. Đồng hồ vạn năng
Các thang đo gồm có:
Sử dụng đồng hồ đo thử giá trị điện trở
Sử dụng đồng hồ đo điện áp
2.6. Oscilloscope
Các thang đo
Các kênh đo
Dịch chuyển các kênh đo
2.7. Diode
Diode muỗi : công suất và kích thước nhỏ
Diode thường: phân chia theo công suất, ví dụ diode 1A, diode 4A
Diode zenner: Dùng để ổn áp
Led : là 1 dạng diode phát sáng.

3.

Kết quả thí nghiệm:


Giá trị điện trở (Ω)

Màu

1

Nâu - đen - nhũ

10

Nâu - đen - đen

100

Nâu - đen - nâu

220K

Đỏ - đỏ - vàng

470

Vàng - tím - nâu

1K

Nâu - đen - đỏ

2,2 K

Đỏ - đỏ - đỏ

3,3 K

Cam - cam - đỏ

4.7K

Vàng - tím - đỏ

5,6 K

Lục - lam - đỏ

10 K

Nâu - đen - cam

1M

Nâu - đen - xanh

Giá trị tụ (F)

Kí hiệu

10-10

101

10-9

102

10-8

103

10-7

104
BÀI 4
LÀM QUEN VỚI MUTILSIM

1. Mục đích thí nghiệm.


Trong thí nghiệm này chúng ta sẽ khảo sát một số mạch cơ bản bằng Multisim
2. Tiến hành thí nghiệm .
Sử dụng Multisim, mô phỏng các mạch sau

Hình 1

Hình 2

Hình 1: Sử dụng dụng cụ đo điện áp đầu ra

Hình 2: Cho các giá trị v1, v2, v3 tùy ý. Đo đầu ra vo

Hình 3
Hình 3 và 4: Đo đầu ra vo, nhận xét.

Hình 4


Hình 5

Hình 6

Hình 5 và hình 6: Đo đầu ra vo, cho nhận xét.

Hình 7
Hình 7 và hình 8: Đo đầu ra vo, cho nhận xét.

Hình 8


3. Kết quả
Hình 1: Mạch khuếch đại đảo

Hình 2: Mạch cộng đảo


Hình 3: Mạch khuếch đại không đảo


Hình 4: Mạch tích phân

Error: Reference source not found

Hình 5: Mạch chỉnh lưu bán kỳ




Hình 6: Mạch chỉnh lưu toàn kỳ



Hình 7: Mạch chỉnh lưu cầu


Hình 8: Mạch nhân đôi điện áp


4.Nhận xét


BÀI 5
LÀM QUEN VỚI MUTILSIM
1. Mục đích thí nghiệm
Trong thí nghiệm này chúng ta sẽ khảo sát một số mạch cơ bản sử dụng
transistor bằng Multisim
2. Tiến hành thí nghiệm
A. Transistor BJT

1kΩ

V2
10V

100Ω

Q1
V1
5V

2kΩ

Q1

V1
2N2102

10kΩ
3V

Hình 1

Hình 2

a.

Xác định chế độ làm việc của transistor; đo IC, IB, IE, VC, VB, VE.

b.

Xây dựng đường quan hệ đặc tính IC theo VBE, VCB, VCE

c.

Xây dựng quan hệ đặc tính VO theo VI

2N2102

V2
12V


B. Transistor MOSFET
R3
5kΩ

R1

V2
12V

R3
1kΩ

Q1
IRF540

R1

1kΩ

V1
5V

Q1
IRF540

1kΩ
V1
5V

R2
1kΩ

Hình 3

R2
1kΩ

Hình 4

b.

Xác định chế độ làm việc của Mosfet trong mỗi hình, tính ID
Xây dựng quan hệ ID theo VDS với 3 giá trị VGS khác nhau

c.

Xây dựng quan hệ VO theo VI

a.

V2
12V


Hình 1: Transistor BJT hoạt động chế độ bão hòa
U6
U2
+

0.705

A
-

R2
1kΩ

V

+

0.014

U5
2.147m

R1

A

2kΩ

DC 1e-009Ohm

Q1

+

DC 1e-009Ohm
U1

DC 10MOhm

+

9.987m

V

DC 10MOhm

2N2102
U3
+

V1
5V

0.012n

V

U4
DC 1e-009Ohm

A
-

0.012

+

DC 10MOhm

IC = 9.986 mA, IB = 2.147 mA, IE = 0.012 mA
VC = 0.014 V, VB = 0.705 V, VE = 0 V
VBE= 0,705V => BJT hoạt động ở chế độ bão hòa

V2
10V


Hình 2: Transistor BJT hoạt động chế độ tích cực
U2
U4
V
-

0.02

A
-

R1
100Ω

0.697

+

DC 1e-009Ohm

+

U5

DC 10MOhm

V

+

10.009

R2
10kΩ

U6

A

2N2102

U1
DC 1e-009Ohm

+

0.02n

V

DC 10MOhm
+

+

0.23m

DC 10MOhm

Q1

U3
DC 1e-009Ohm

A
-

0.02

V1
3V

IC = 0,02A IB = 0,23mA IE= 0,02A
VC = 10,009 V

VB = 0,697 V

VE = 0V

VBE = 0,7V VCE = 10,009V => BJT hoạt động tích cực

V2
12V


Hình 3: Transistor MOSFET hoạt động ở chế độ triode
U4
-

1.091m

DC 1e-009Ohm
R2
10kΩ
U3

U2

V
-

+

4.999

1.091

+

DC 10MOhm

V

DC 10MOhm
Q1
IRF540
U1

R1
1kΩ

+

1.091m

U6
DC 1e-009Ohm

+
A

+
A

1.091

V1
5V

V

DC 10MOhm
U5
DC 1e-009Ohm

-

-

-0.888u

+
A

R3
1kΩ

ID = 1,091 mA

Vt = 3,9 V
VDS = 0 V, VGS = 3,908 V
VGS – Vt =0,008 V > VDS  MOSFET hoạt động ở chế độ triode

Hình 4: Transistor MOSFET hoạt động ở chế độ bão hòa

V2
12V


U4
-

+
A

1.434m

R2
DC 1e-009Ohm
1kΩ

U2
V
-

U3
+

4.999

10.568

+

DC 10MOhm

DC 10MOhm
Q1
IRF540
U1

R1

+

U5
DC 1e-009Ohm

1.431

V

+
A

DC 10MOhm
U6
DC 1e-009Ohm

-

1.431m

-

-0.888u

+
A

1kΩ

V1
5V

V

R3
1kΩ

ID = 1.434 mA
Vt = 3,5 V
VDS = 9.137 V > 0, VGS = 3.568 V > 0 (thỏa mãn điều kiện hoạt động)
VGS – Vt =0,068 V < VDS  MOSFET hoạt động ở chế độ bão hòa

V2
12V