Bạn đang xem bản rút gọn của tài liệu. Xem và tải ngay bản đầy đủ của tài liệu tại đây (1.77 MB, 49 trang )
a vào
đồ thị biểu diễn sự phụ thuộc của xác suất dịch chuyển đa phonon vào số phonon để
xác định xác suất AMP.
Trƣớc hết phải dựa vào kết quả phép đo phổ Raman của thủy tinh Tellurite
Lê Thị Mỹ Hạnh
Trang 38
KHOÁ LUẬN TỐT NGHIỆP
GVHD: Th.s Trần Thị Hồng
Từ hình 2.7b (giản đồ các mức năng lƣợng) ta thấy đối với các ion Eu3+ thì
khoảng cách từ mức kích thích 5D0 đến mức năng lƣợng thấp hơn liền kề 7F6
khoảng 12300 cm-1, trong khi năng lƣợng phonon cực đại trong nền thủy tinh
Tellurite là 1328cm-1 (hình 2.9). Tức là khe năng lƣợng tƣơng đƣơng với khoảng 9
lần năng lƣợng của phonon hay số phonon cực đại p
9. Theo tài liệu [13], sự phụ
thuộc của AMP vào số phonon p đƣợc biểu diễn nhƣ đồ thị dƣới đây:
Ứng với số phonon xác định đƣợc khoảng 9 phonon thì xác suất phục hồi đa
phonon là rất nhỏ (AMP
0) đó ta có thể bỏ qua đại lƣợng này. Vì vậy, xác suất
dịch chuyển không bức xạ bằng xác suất truyền năng lƣợng. Xác suất truyền năng
lƣợng thông qua phục hồi ngang là: ATR