Bài Giảng Mạch Điện Tử 2 - Chương 2.4

1
Mạch Điện Tử 2
Đáp ứng tần số cao của mạch
khuếch đại ghép RC
(GBW, Khóa Transistor)
2
Đáp ứng tần số cao của mạch khuếch đại
ghép RC: nội dung

BJT ở tần số cao

FET ở tần số cao

Mạch khuếch đại RC ghép liên tầng

Tích số độ lợi-băng thông (GBW)

Khóa transistor
3
Tích số độ lợi – băng thông (Gain-
Bandwith Product, GBW): giới thiệu

GBW là một thông số được dùng để ước lượng
đáp ứng của mạch khuếch đại băng rộng đa
tầng trong bước thiết kế sơ bộ.
him
fA=GBW
Độ lợi
dải giữa
Tần số cắt
cao 3dB

4
 f
T
được dùng để ước lượng giới hạn tần số cao của BJT và được cho
bởi nhà sản xuất.
Tích số độ lợi – băng thông của mạch kđ
BJT đơn tầng
eb
m
Tfe
C
g
ffh
'
2
GBW
π
β
≈==
Mạch khuếch đại CE đơn tầng “lý tưởng“ (R
L
->0), độ lợi dải giữa xấp xỉ
h
fe
và tần số cắt cao 3dB là f
β
, vì vậy:
Giá trị thực tế bị giảm bởi điện dung Miller:
( ) ( )
Meb

m
Mebeb
ebm
CC
g
CCR
Rg
+
=






+
=
'''
'BJT
22
1
GBW
ππ
5
Tích số độ lợi – băng thông của mạch kđ
FET đơn tầng
( )
( )









+
=
Mgsi
sdsm
CCr
Rrg
π
2
1
||GBW
FET
ddsi
Rrr ||=
GBW
FET
thường được chuẩn hóa bằng cách giả sử rằng:
( )
Mgs
m
CC
g
+
=
π

2
1
GBW
FET
(Điều kiện này có thể đạt được khi có một tầng FET khác đứng trước)
Khi đó GBW
FET
trở thành:
6
Tích số độ lợi – băng thông (Gain-Bandwith
Product, GBW): Mạch kđ liên tầng (1)
Xét một mạch kđ CE liên tầng gồm n tầng
Giả sử:
0
''
==
cbbb
Cr