Đề cương môn Kỹ Thuật Điện Tử HVKTQS

Câu 1: Trình bày sơ đồ khối và phân tích chức năng các khối của hệ thống thông tin
quảng bá?
Câu 2: Các dạng tín hiệu điều chế. Tín hiệu điều biên và phổ của nó?
Câu 3: Khái niệm mạch lọc tần số? Mạch lọc LC thông thấp, thông cao (Hình Ґ, T,
П)?
Câu 4: Các phần tử thụ động R, L, C? (Tính chất, cấu tạo, ký hiệu, đại lượng đặc
trưng, đơn vị đo)?
Câu 5: Chất bán dẫn là gì? Trình bày cấu tạo và cơ chế hình thành hạt dẫn trong bán
dẫn loại “n”
Câu 6: Thế nào là bán dẫn thuần? Trình bày cấu tạo và cơ chế hình thành hạt dẫn
trong bán dẫn loại “p”?
Câu 7: Sự hình thành mặt ghép bán dẫn P-N. Hoạt động của mặt ghép dưới tác động
của điện trường ngoài?
Câu 8: Đi ốt bán dẫn (Cấu tạo, đặc tính V-A, các tham số, phân loại, ứng dụng của
nó)?
Câu 9: Cấu tạo và nguyên lý hoạt động của tranzistor loại PNP?
Câu 10: Cấu tạo và nguyên lý hoạt động của tranzistor loại NPN?
Câu 11: Các họ đặc tuyến vào và đặc tuyến ra của tranzistor?
Câu 12: Lý thuyết chung về khuếch đại? (định nghĩa, phân loại, các đặc tuyến và
tham số).
Câu 13: Hồi tiếp trong mạch khuếch đại là gì? Đặc điểm của bộ khuếch đại khi có
hồi tiếp, các cách mắc hồi tiếp?
Câu 14: Các chế độ làm việc, các cách cấp nguồn và ổn định điểm công tác của
tranzistor trong chế độ khuếch đại?
Câu 15 : Mạch khuếch đại điện trở Emitơ chung (EC)?
Câu 16: Mạch khuếch đại điện trở colectơ chung (CC), so sánh ưu nhươc điểm của
nó với mạch khuêch đại điện trở EC?
Câu 17: Đặc điểm mạch khuếch đại công suất; Mạch KĐ công suất đơn có biến áp
ra?
Câu 18: Mạch khuếch đại công suất đẩy kéo song song có biến áp ra?
Câu 19: Trình bày sơ đồ nguyên lý, nguyên lý làm việc và ứng dụng của mạch

khuếch đại vi sai?
Câu20: Mạch khuếch đại thuật toán? (Định nghĩa, các thông số kỹ thuật, các đặc
tuyến, cấu trúc bên trong theo sơ đồ khối).
Câu 21: Trình bày các mạch cộng, trừ trên KĐTT?
Câu 22: Trình bày các mạch vi phân, tích phân trên KĐTT?
Câu 23: Trình bày nguyên lý tạo dao động hình sin dùng mạch khuếch đại có hồi tiếp
dương. Phân tích điều kiện cân bằng biên độ, cân bằng pha? Quá trình phát sinh, phát
triển và xác lập dao động?
Câu 24: Mạch tạo dao động hình sin ghép hỗ cảm?
Câu 25: Mạch tạo dao động hình sin kiểu ba điểm điện cảm?
Câu 26: Mạch tạo dao động hình sin kiểu ba điểm điện dung?
Câu 27: Tạo dao động hình sin RC trên KĐTT?
Câu 28: Mạch khuếch đại đảo pha có biến áp?
Câu 29: Mạch khuếch đại đảo pha không có biến áp?


Câu 30: Trình bày mạch khuếch đại đảo trên khuếch đại thuật toán
Câu 31: Trình bày mạch khuếch đại không đảo trên khuếch đại thuật toán.
Câu 32: Sơ đồ khối mạch nguồn một chiều, phân tích chức năng các khối?
Câu 33: Mạch chỉnh lưu một pha một bán chu kỳ, so sánh ưu nhược điểm của mạch
này với các mạch chỉnh lưu khác?
Câu 34: Mạch chỉnh lưu một pha hai bán chu kỳ, so sánh ưu nhược điểm của mạch
này với các mạch chỉnh lưu khác?
Câu 35: Mạch chỉnh lưu một pha kiểu cầu so sánh ưu nhược điểm với các mạch
chỉnh lưu khác?
Câu 36: Các mạch ổn áp một chiều tham số?(Mạch ổn áp dùng đi ốt ổn áp)
Câu 37: Mạch ổn áp một chiều kiểu bù tuyến tính. Phân tích hoạt động trên sơ đồ
khối kiểu nối tiếp?
Câu 38: Mạch ổn áp một chiều kiểu bù tuyến tính. Phân tích hoạt động trên sơ đồ
nguyên lý kiểu nối tiếp?

Câu 39: Nguyên lý ổn áp xung?

Câu 1: Trình bày sơ đồ khối và phân tích chức năng các khối của hệ thống thông
tin quảng bá?
Là hệ thống điện tử mang tính truyền thống nhất, nó bao trùm toàn bộ các hoạt
động của xã hội. Hệ thống TTQB đã dúp mọi người tìm hiểu, học hỏi, trao đổi các
kiến thức, thông tin…
dưới dạng là những tin tức, hình ảnh, số liệu…


Bên phát
Nguồn tin: Là những âm thanh, hình ảnh … Thông qua thiết bị biến đổi biến
đổi thành các dao động điện.Đó là những dao động tần số thấp, chúng được gọi là
hàm tin tức hay hàm sơ cấp.
Sóng mang: Để truyền tin tức đi xa người ta phải dùng một dao động cao tần
điều hoà làm sóng mang hay còn gọi là tải tin.
Mạch điều chế: Làm nhiệm vụ trộn tin tức vào sóng mang .Quá trình trộn sẽ
làm cho một trong các tham số của sóng mang biến đổi theo quy luật của tin tức. Quá
trình này gọi là quá trình điều chế (Modulation). Sản phẩm của quá trình điều chế là
dao động cao tần biến điệu theo dạng tín hiệu sơ cấp, gọi là tín hiệu đã được điều
chế hoặc tín hiệu vô tuyến điện (VTĐ).
Mạch khuếch đại phát: Khuếch đại tín hiệu VTĐ cho đủ lớn để đưa đến anten
phát và phát lên không gian .
An ten phát:Làm nhiệm vụ bức xạ sóng điện từ ra môi trường truyền.
*Bên thu
Anten thu:Cảm ứng tất cả những sóng điện từ tác động vào nó. Tín hiêu thu
được từ anten tuy rất yếu, nó được đưa đến mạch vào để chọn lọc loại bỏ bớt tạp âm,
rồi đến bộ khuếch đại cao tần
Mạch khuếch đại cao tần: lạ mạch KĐ dải rộng nên hệ số KĐ không cao chỉ
cỡ chục lần.Tín hiệu sau KĐCT được đưa đến bộ trộn.

Mạch tạo dao động ngoại sai: Tạo ra một dao động ở ngay tại máy thu có tần
số fns,.Tần số này luôn được đồng chỉnh cùng tần số mạch vào.
Bộ trộn tần:Làm nhiệm vụ trộn hai tín hiệu cao tần (f th) và tần số ngoai sai (f ns),
để lấy ra tần số trung gian ftg (ftg = fns - fth).
Khuếch đại trung tần: do ftg luôn luôn cố định nên mạch KĐTT có hệ số KĐ
rất lớn và độ chọn lọc cao. Tín hiệu trung tần được khuếch đại dủ lớn rồi đưa đến tách
sóng.
Tách sóng: Làm nhiệm vụ tách tin tức ra khỏi sóng mang. Là quá trình ngược
lại quá trình điều chế, còn được gọi là quá trình giải điều chế ( demodulation).
Câu 2: Các dạng tín hiệu điều chế. Tín hiệu điều biên và phổ của nó?
Điều chế tín hiệu là gì:
Do tin tức là những dao động tần số thấp.Khi muốn gửi đi xa người ta phải dùng
hàm tin tức tac động vào một dao đông cao tần điều hòa . Kết quả làm cho một trong
các tham số cơ bản của dao động cao tần biến thiên theo quy luật hàm tin tức
Quá trình đó gọi là điều chế
Kết quả của điều chế gọi là dao động bị điều chế hay tín hiệu điều chế
Mạch điều chế tín hiệu có mặt trong nhiều hệ thống điện tử.
- Các dạng tín hiệu điều chế
a/ Biểu thức tổng quat của tín hiệu điều chế
Xét trường hợp uΩ(t) là tin tức cần truyền
uΩ(t) =UΩmcos(Ωt+φΩ)
Sóng mang :
u0(t)=U0mcos(ω0t+φ0) =U0mcos (Ф0)
Theo định nghĩa thì biểu thức giải tích của tín hiệu điều chế là:


udc(t)=U(t)Cos(ω(t)t+ φ(t))= U(t)Cos(Ф(t))
b/ Phân loại tín hiệu điều chế
Nếu: U(t) biến thiên theo dạng của u Ω(t) còn: Ф(t)≡ Ф0 thì đó là tín hiệu điều
biên-AM

Nếu: U(t)≡Uo còn: Ф(t) biến thiên theo dạng của u Ω(t) theo một quy luật nào đó
thì gọi chung là tín hiệu điều chế góc.Tín hiệu điều chế góc gồm hai dạng:
+ Nếu tần số góc ω(t) biến thiên theo quy luật uΩ(t), thì đó là tín hiệu điều tần FM
+ Nếu góc pha đầu φ(t) biến thiên theo quy luật uΩ(t), thì đó là tín hiệu điều pha PM
- Tín hiệu điều biên AM (Amplitude Modulation)
- Để điều chế biên độ người ta dùng tin tức u Ω (t ) tác động lên biên độ của sóng
mang u 0 (t ) làm cho biên độ của sóng mang biến thiên theo quy luật hàm tin tức.
a/ Điều biên đơn âm.
+ Biểu thức giải tích của tín hiệu điều biên đơn âm
Xét trường hợp

uΩ (t ) là một dao động hình sin (Đơn âm)

u

Ω

(t ) =U Ωm cos(Ωt + ϕ )
Ω

Sóng mang : u 0 (t ) =U 0 m cos(ω 0 t + ϕ 0 )
Theo định nghĩa thì biểu thức giải tích của tín hiệu điều biên sẽ có biểu thức:
Udb(t) = [ U0m + h. u Ω (t ) ] cos( ω 0t + ϕ 0) =
U0m[1 +

h.U Ωm

U

0m

cos(Ωt + ϕ ) ]cos( ω 0 t + ϕ 0 )=U0m[1 + mcos( Ω t+ϕ )]cos( ω 0 t + ϕ 0 )
Ω
Ω

Trong đó: h- là một hằng số,biểu thị mức độ thâm nhập của ham sơ cấp vào sóng
mang (Do mạch điều biên quyết định)
m=

hU Ωm

U

- Gọi là độ sâu hoặc chỉ số điều biên.

0m

Để điều biên không làm méo dạng tín hiệu thì phải thoả mãn :0 ≤ m ≤ 1
+ Phổ của tín hiệu điều biên đơn âm:
Biểu thức của tín hiệu điều biên có thể biến đổi về dạng
Udb(t) = U0m[1 + mcos( Ω t+ϕ Ω )]cos( ω 0 t + ϕ 0 ) =
= U0m cos( ω 0 t + ϕ 0 ) +

mU 0 m
2

cos[( ω 0+ Ω) t + ϕ 0+ϕ Ω ] +

mU 0 m
2

cos[( ω 0- Ω) t + ϕ 0-ϕ Ω ]

Biểu thức trên cho thấy tín hiệu điều biên gồm ba thành phần:
*Thành phần thứ nhất là sóng mang với tần số ω 0 , biên độ U0m
* Thành phần thứ hai có tần số góc ( ω 0+ Ω) , biên độ
* Thành phần thứ ba có tần số góc ( ω 0- Ω) , biên độ

mU 0 m
2

mU 0 m
2

gọi là t.phần biên trên.

gọi là t. phần biên dưới.

Chỉ có hai thành phần biên có mang tin tức ( có chứa tấn số Ω) nhưng biên độ
của chúng lại chỉ nhỏ hơn một nửa tảI tin U0m ( Vì m ≤ 1 )
b/ Điều biên đa âm
Trường hợp tín hiệu sơ cấp không phải chỉ có một tần số mà là một giải tần số từ
ω min đến ω max , tức là : uΩ (t ) = ∑U im cos(Ωi t + ϕ i) .Khi đó tín hiệu điều biên có dạng:
i


1
∑ miU 0m cos[(ω 0 + Ω i )t + ϕ 0 + ϕ i ] +
2 i
1

∑ miU 0m cos[(ω 0 − Ω i )t + ϕ 0 − ϕ i ]
2 i

Udb(t)=U0mcos( ω 0t+ ϕ 0)+

mi =

hU Ωim

U
∑m

- Là chỉ số điều biên bộ phận

0m

m=

i

2
i

-

Là chỉ số điều biên toàn phần ;

Chỉ số điều biên toàn phần cũng phải thoả mãn:

0≤ m ≤ 1

Câu 3: Khái niệm mạch lọc tần số? Mạch lọc LC thông thấp, thông cao (Hình Ґ,
T, П)?
Khái niệm mạch lọc tần số :Một trong những khâu quan trọng của việc xử lý
tín hiệu là chọn lấy những tín hiệu có tần số hữu ích và loại bỏ đi những tín hiệu
không hữu ích.Việc đó gọi là lọc tần số.Mạch điện thực hiện nhiệm vụ đó gọi là mạch
lọc tần số hay gọi tắt là mạch lọc.
Mạch lọc LC:
1/ Điều kiện hình thành mach lọc thuần kháng

Để hình thành mạch lọc thuần kháng thì Z1 và Z2 phảicó tính chất kháng ngược nhau:
Z1 = ± jX1 thì Z2 = mjX2 Z L = jwL
2/ Mạch lọc thông thấp


Ở miền tần số thấp ở nhánh ngang ZL= jwL =>nhỏ
Ở miền tần số thấp ở nhánh dọc Zc = 1/jwC =>lớn
 Tín hiệu bị suy giảm ít (aỞ miền tần số cao trên nhánh ngang ZL = jwL => lớn
Ở miền tần số cao trên nhánh dọc Zc =1/jwC => NHỎ
 Tín hiệu bị suy giảm nhiều: dải chắn.
3/ Mạch lọc thông cao

Câu 4: Các phần tử thụ động R, L, C? (Tính chất, cấu tạo, ký hiệu, đại lượng
đặc trưng, đơn vị đo)?
a/ Điện trở.Tính chất của phần tử điện trở:Là phần tử tiêu hao năng lượng của
mạch, nó biến năng lượng điện thành năng lượng nhiệt.
Ký hiệu phần tử điện trở: R Đặc trưng cho phần tử điện trở và được gọi là điện trở

Nghịch đảo của phần tử điện trở là điện dẫn: g = 1/R; Biểu thức định luật ôm của điện

trở: i =u/R, u=Ri
Đơn vị đo của điện trở là Ôm ,ký hiệu là: Ω;
Đơn vị đo điện dẫn là si-men : 1/Ω
Công suất tiêu hao trên phần tử điện trở: p=ui ; p =i2R =u2g Chứng tỏ công suất tức
thời không âm
Mô hình vật lý thực của phần tử điện trở: là các dây kim loại, hợp kim có trở suất lớn
hoặc bằng vật liệu gốm,giấy...
Cách ghi giá trị của điện trở: Có thể ghi bằng số hoặc bằng vạch màu.
b/Phần tử điện dung:
Tính chất:Phần tử điện dung là phần tử tích trữ năng lượng của mạch dưới dạng
điện trường,nó không tiêu thụ năng lượng của mạch mà chỉ trao đổi năng lượng với
mạch. Biểu thức định luật ôm của phần tử điện dung


du
dt
i =c

1

c∫

idt

, u=

Đơn vị đo: Là Fara (F) ; Biểu thức công suất: p=ui=cu

du
dt

Phân tích mô hình vật lý thực của phần tử điện dung:

a/
b/
c/
Các hình trên là sơ đồ thay thế tương đương của tụ điện:
a/Khi bỏ qua tổn hao nhỏ trong tụ điện
b/Khi tính đến cả tổn hao của dòng xoay chiều và dòng một chiều
c/Khi chỉ tính đến tổn hao dòng xoay chiều
c/ điện cảm
Tính chất:Phần tử điện cảm là phần tử tích trữ năng lượng của mạch dưới dạng
từ trường, nó chỉ trao đổi năng lượng với mạch mà không tiêu hao năng lượng của
mạch
Biểu thức định luật Ôm của phần tử điện cảm:

di
dt
u=L

1
udt
L∫
,

i=

hay là:
i=
di

Đơn vị đo là Henry (H). Công suất tức thời: p =ui =Li
dt
Công suất tức thời có thể lớn hơn ,nhỏ hơn hoặc bằng không
Mô hình vật lý thực của phần tử điện cảm là cuộn dây điện từ

a/
b/
c/
a/Sơ đồ thay thế tương đương đơn giản
b/Khi tính đến tổn hao trong điện trở thuần của cuộn dây

1 t
udt+i(to)
L to∫


c/sơ đồ thay thế tương đương đầy đủ
Câu 5: Chất bán dẫn là gì? Trình bày cấu tạo và cơ chế hình thành hạt dẫn
trong bán dẫn loại “n”
Chất bán dẫn là chất có độ dẫn điện ở mức trung gian giữa chất dẫn
điện và chất cách điện. Chất bán dẫn hoạt động như một chất cách điện ở nhiệt
độ thấp và có tính dẫn điện ở nhiệt độ phòng
Bán dẫn loại N
Nếu ta trộn tạp chất thuộc nhóm V bảng tuần hoàn Men deleep ( As) vào mạng
tinh thể của bán dẫn thuần thì một nguyên tử tạp chất gồm 5 điện tử lớp ngoài cùng,
sẽ có 4 điện tử tham gia liên kết với 4 nguyên tử bán dẫn , còn dư một điện tử liên kết
lỏng lẻo với hạt nhân rất dẽ ion hoá trở thành điện tử tự do. Bán dẫn này gọi là chất
cho điện tử – Bán dẫn loai N. Cùng với quá trình tạo hạt dẫn như trên thì quá trình
ion hoá như trong bán dẫn thuần cũng xẩy ra và kết quả là số lỗ trống tự do nhỏ hơn
nhiều số các điện tử tự do. Điện tử tự do gọi là động tử chính , còn lỗ trống là động tử

thiểu số;
Nn>> Pn

Câu 6: Thế nào là bán dẫn thuần? Trình bày cấu tạo và cơ chế hình thành
hạt dẫn trong bán dẫn loại “p”?
Bán dẫn thuần
Các nguyên tố thuộc nhóm IV bảng tuần hoàn Mendeleep như Gecmani(Ge),
Silic(Si) là những nguyên tố có 4 điện tử lớp ngoài cùng. ở điều kiện bình thường các
diện tử này đều tham gia liên kết hoá trị trong mạng tinh thể nên chất bán dẫn thuần
không có động tử tự do để dẫn điện.
Khi được kích thích bằng một nguồn năng lượng nào đó một số điện tử có thể
bứt ra khỏi liên kết để trở thành điện tử tự do dẫn điện như trong kim loại. Khi ion
hoá tạo thành một điện tử tự do thì cũng tạo thành một lỗ trống tự do tại chỗ điện tử
vừa ra đi, lỗ trống tham gia dẫn điện như một hat mang điện tích dương có điện tích
là e+.Khi đó chất bán dẫn trở thành chất dẫn
Gọi số điện tở tự do là : Ni
Gọi số lỗ trống là
: Pi
Thì trong bán dẫn thuần
Pi=Ni


b/Bán dẫn loại P
Nếu ta trộn tạp chất thuộc nhóm III (In) thì nguyên tử tạp chất chỉ có 3 điện tử
lớp ngoài cùng. trong mối liên kết ghép đôi điện tử hoá trị, ngoài 3 điện tử hoá trị
vành ngoài của nguyên tử tạp chất còn có một điện tử của nguyên tử bán dẫn thuần bị
lấy vào. Nơi điện tử bị lấy để lại một lỗ trống. Như vậy cứ một nguyên tử tạp chất tạo
thành sẽ tạo ra một lỗ trống .Đồng thời sự ion hoá như với bán dẫn thuần cũng xẩy ra
tạo ra từng cặp điện tử và lỗ trống. Vậy trong chất bán dẫn loại này rất nhiều các lỗ
trống là các động tử chính ,các động tử phụ là điện tử tự do – gọi là bán dẫn loại P

( loại nhận điện tử) PP >>NP

Câu 7: Sự hình thành mặt ghép bán dẫn P-N. Hoạt động của mặt ghép dưới tác
động của điện trường ngoài?
Mặt ghép bán dẫn P-N.
Khi cho tiếp súc công nghệ hai thanh bán dẫn P và N thì tại lân cận hai bên
mặt tiếp xúc tạo thành một môi trường vật chất có tính chất đặc biệt được gọi là mặt
ghép bán dẫn.
Mặt ghép bán dẫn dưới tác động của điện trường ngoài.
*Mặt ghép P-N phân cực thuận.


Khi đó điện trường tổng cộng trên mặt ghép E Σ =EN-ETX , Tức là điện trường
tổng công trên mặt ghép nhỏ hơn U TX , sự khuếch tán qua mặt ghép lại sẩy ra I KT tăng
lên gọi là sự phun các động tử chính qua mặt ghép, I TR giảm đi nhưng không đáng kể
vì chúng có giá trị nhỏ. IKT gọi là dòng điện thuận qua mặt ghép.
*Mặt ghép P-N phân cực ngược.

Khi đó điện trường tổng cộng trên mặt ghép E Σ =EN+ETX , Tức là điện trường
tổng cộng trên mặt ghép lớn hơn UTX , I KT giảm đi cho đến không còn ITR tăng lên
nhưng không đáng kể vì chúng được tạo thành từ các hạt thiểu số . Dòng qua mặt
ghép trong trường hợp này gọi là dòng điện ngược
Câu 8: Đi ốt bán dẫn (Cấu tạo, đặc tính V-A, các tham số, phân loại, ứng dụng
của nó)?
Điốt bán dẫn.
1/ Cấu tạo của đi ốt bán dẫn.
Điôt bán dẫn có cấu tạo là một mặt ghép bán dẫn P-N với hai điện cực,điện cực
nối với thanh P là cực Anốt, Điện cực nối với thanh N là cực Ka tốt.
Tuỳ theo diện tích tiếp súcgiữa hai lớp N vàP mà người người ta gọi là điốt tiếp
điểm hay tiếp mặt

2/ Đặc tính Von-Ampe (V/A) của điốt.

IA
+

I

IA
ER

D

UA

II

A
III

V

A

O

B

_

C
IV
§Æ
c tÝnh V/A

S¨
å lÊy ®
Æ
c tÝnh V/A

•

Giải thích dạng đặc tuyến:
I- Đặc tuyến thuận
Trong đoạn đặc tuyến thuận này ,điện áp tăng thì dòng điện tăng nhanh.người ta
chứng minh được rằng dòng điện thuận tăng theo quy luật hàm mũ
U
− 1)
e mU t
Trong đó : U là điện áp thuận, U t ≅ 0, 25mV gọi là điện thế nhiệt, m=1 ÷ 2 là hệ số
I = I 0(

hiệu chỉnh giữa lý thuyết và thực tế. I 0 dòng bão hoà ngược.
II-Đặc tuyến ngược . dòng điện ngược rất nhỏ và tăng cũng rất chậm. I 0 nhỏ cỡ

10

−12

A / cm

2

III-Đặc tính bị đánh thủng: khi Ung>Uncf thì dòng điện tăng đột ngột, do phân
cực ngược đủ lớn để phá vỡ các liên kết hoá trị. lúc này các điện tử từ vùng hoá trị
nhảy lên vùng dẫn, điốt mất tính chất van điện
IV- Đoạn mặt ghép bị phá huỷ không thể khôi phục lại
3/ Các thông số của điốt
Tham số giới hạn
Dòng điện cực đại cho phép: Imax
Điện áp ngược cho phép :UNGMAX
Công suất cực đại : Pmax
Tần số giới hạn Fmax
Tham số định mức
-

U
Điện trở một chiều của điốt: Rd =

-

Điện trở vi phân(Xoay chiều): rd =

-

Điện dung tiếp giáp p-n

AK

IA

=

UT
I
ln( A + 1)
IA
IS

∂U AK
UT
=
∂I A
(I A + IS )


4/ Phân loại điot
Theo đặc điểm cau tạo loại tiếp điểm ,tiếp mặt loại dùng Ge , Si
Phân loại theo công suất PACF
Theo tần số công tác
Theo nguyên lý hoạt động và phạm vi ứng dụng : có các loại chỉnh lưu,ổn
áp,varicáp,tunen...
5/ Ứng dụng của điot
Chỉnh lưu,ổn áp,điều chế,biến tần,tách sóng...
Câu 9: Cấu tạo và nguyên lý hoạt động của tranzistor loại PNP?
Cấu tạo và nguyên lý làm việc.
a/ Cấu tạo: Gồm ba thanh bán dẫn khác loại xếp xen kẽ nhau tạo thành hai mặt
ghép P-N liên tiếp. Tùy theo thứ tự sắp xếp ta có hai loại : PNP và NPN.

* Miền thứ nhất: Là miền có kích thước vá nồng độ tạp chất lớn nhất, gọi là
miền Emitơ. Điện cực nối với nó gọi là cực Emitơ (E), hay còn gọi là miền phát.
* Miền thứ hai: Là miền có kích thước vá nồng độ tạp chất nhỏ nhất, nằm xen kẽ
ở giữa và khác tính với hai miền hai bên gọi là miền Bazơ .Điện cực nối với nó gọi là
cực bazơ (B).
* Miền thứ ba: Là miền có kích thước vá nồng độ tạp chất trung bình,có cùng
tính chất bán dẫn với miền thứ nhất gọi là miền Colectơ. Điện cực nối với nó gọi là
cực Colectơ (C), hay còn gọi là cực góp.
Mặt ghép giữa E và B là mặt ghép Emitơ (JE)
Mặt ghép giữa C và B - mặt ghép colectơ(JC )
Như vậy về mặt cấu trúc có thể coi tranzistor lưỡng cực như hai điôt mắc nối
tiếp nhau qua điện trở khối rb của miền cực B.
Tuy nhiên không thể dùng 2 điôt mắc nối tiếp nhau để được 1 tranzistor vì trong
cấu tạo của tranzistor hai mặt ghép có tác dụng tương hỗ với nhau qua miền bazơ.
Hiệu ứng “tranzit” chỉ xảy ra khi khoảng cách giữa hai mặt ghép nhỏ hơn
nhiều so với độ dài khuếch tán của hạt dẫn


b/ Nguyên lý hoạt động.
Để cho tranzistor làm việc ta phân cực (cấp nguồn) cho nó
Với nguyên tắc : Trong chế độ khuếch đại thì:
* Mặt ghép Emitơ (JE) phải được phân cực thuận (thông)
* Mặt ghép colectơ (JC) phải được phân cực ngược (đóng).
Hai loại tranzistor này có cấu tạo khác nhau nhưng nguyên lý làm việc tương tự
nhau. Sự khác nhau ở đây là sự phân cực nguồn cho hai loại tranzistor này ngược
tính nhau. Vì vậy ta chỉ cần xét nguyên lý làm việc của một loại là có thể suy ra loại
kia.
Ví dụ: ta xét cấu tạo và nguyên lý làm việc của tranzistor thuận pnp.

Vì mặt ghép Emitơ phân cực thuận nên lỗ trống từ miền E phun vào miền Bazơ.

Các lỗ trống này tạo nên dòng cực phát I E. Các hạt này vào miền bazơ trở thành hạt
thiểu số (hạt dẫn phụ của bazơ) và đi sâu vào miền bazơ hướng tới mặt ghép colectơ.
Trên đường đi một số tái hợp với điện tử (hạt đa số của bazơ) tạo nên dòng bazơ I B
còn lại đa số đi tới mặt ghép colectơ vì miền bazơ rất mỏng (tức là đã xẩy ra hiệu ứng
"tranzit"). Tới đây nó bị trường gia tốc của cực colectơ (do mặt ghép colectơ phân
cực ngược) cuốn sang miền cực góp tạo thành dòng cực góp IC. Như vậy: IE=IB+IC
Tuy nhiên trong thành phần dòng colectơ còn có dòng ngược của mặt ghép
colectơ. Vì vậy: IC=aIE+IC0. a IE là phần dòng do lỗ trống “tranzit”sang cực C
IC0 - dòng ngược của mặt ghép colectơ. Thường thì I C0 rất nhỏ nên có thể coi
IC≈aIE và a=IC/IE , a gọi là hệ số truyền đạt dòng điện (cực phát), nó đánh giá độ hao
hụt dòng điện khuếch tán trong vùng bazơ. (a=0,9¸0,999)
Để đánh giá tác dụng điều khiển của dòng bazơ đối với dòng colectơ người ta
thường dùng hệ số khuếch đại dòng bazơ b : b= IC/IB. Vậy IE=IC +IB=(1+b)IB

α=

β
1+ β

Tất cả các kết luận trên đều đúng cho tranzistor ngược
Câu 10: Cấu tạo và nguyên lý hoạt động của tranzistor loại NPN?
a/ Cấu tạo: Gồm ba thanh bán dẫn khác loại xếp xen kẽ nhau tạo thành hai mặt
ghép P-N liên tiếp. Tùy theo thứ tự sắp xếp ta có hai loại : PNP và NPN.


* Miền thứ nhất: Là miền có kích thước vá nồng độ tạp chất lớn nhất, gọi là
miền Emitơ .Điện cực nối với nó gọi là cực Emitơ (E), hay còn gọi là miền phát.
* Miền thứ hai: Là miền có kích thước vá nồng độ tạp chất nhỏ nhất, nằm xen kẽ
ở giữa và khác tính với hai miền hai bên gọi là miền Bazơ .Điện cực nối với nó gọi là
cực bazơ (B).

* Miền thứ ba: Là miền có kích thước vá nồng độ tạp chất trung bình,có cùng
tính chất bán dẫn với miền thứ nhất gọi là miền Colectơ. Điện cực nối với nó gọi là
cực Colectơ (C), hay còn gọi là cực góp.
Mặt ghép giữa E và B là mặt ghép Emitơ (JE)
Mặt ghép giữa C và B - mặt ghép colectơ(JC )
Như vậy về mặt cấu trúc có thể coi tranzistor lưỡng cực như hai điôt mắc nối
tiếp nhau qua điện trở khối rb của miền cực B.
Tuy nhiên không thể dùng 2 điôt mắc nối tiếp nhau để được 1 tranzistor vì trong
cấu tạo của tranzistor hai mặt ghép có tác dụng tương hỗ với nhau qua miền bazơ.
Hiệu ứng “tranzit” chỉ xảy ra khi khoảng cách giữa hai mặt ghép nhỏ hơn nhiều
so với độ dài khuếch tán của hạt dẫn.
b/ Nguyên lý hoạt động.
Để cho tranzistor làm việc ta phân cực (cấp nguồn) cho nó
Với nguyên tắc : Trong chế độ khuếch đại thì:
* Mặt ghép Emitơ (JE) phải được phân cực thuận (thông)
* Mặt ghép colectơ (JC) phải được phân cực ngược (đóng)


c/ Nguyên tắc hoạt động của Transistor.
* Xét hoạt động của Transistor NPN .
Mạch khảo sát về nguyên tắc hoạt động của transistor NPN. Ta cấp một nguồn
một chiều UCE vào hai cực C và E trong đó (+) nguồn vào cực C và (-) nguồn vào
cực E. Cấp nguồn một chiều UBE đi qua công tắc và trở hạn dòng vào hai cực B và E
, trong đó cực (+) vào chân B, cực (-) vào chân E. Khi công tắc mở , ta thấy rằng,
mặc dù hai cực C và E đã được cấp điện nhưng vẫn không có dòng điện chạy qua mối
C E ( lúc này dòng IC = 0 ) Khi công tắc đóng, mối P-N được phân cực thuận do đó
có một dòng điện chạy từ (+) nguồn UBE qua công tắc => qua R hạn dòng => qua
mối BE về cực (-) tạo thành dòng IB Ngay khi dòng IB xuất hiện => lập tức cũng có
dòng IC chạy qua mối CE làm bóng đèn phát sáng, và dòng IC mạnh gấp nhiều lần
dòng IB Như vậy rõ ràng dòng IC hoàn toàn phụ thuộc vào dòng IB và phụ thuộc

theo một công thức . IC = β.IB Trong đó IC là dòng chạy qua mối CE IB là dòng
chạy qua mối BE β là hệ số khuyếch đại của Transistor
Giải thích : Khi có điện áp UCE nhưng các điện tử và lỗ trống không thể vượt
qua mối tiếp giáp P-N để tạo thành dòng điện, khi xuất hiện dòng IBE do lớp bán dẫn
P tại cực B rất mỏng và nồng độ pha tạp thấp, vì vậy số điện tử tự do từ lớp bán dẫn
N ( cực E ) vượt qua tiếp giáp sang lớp bán dẫn P( cực B ) lớn hơn số lượng lỗ trống
rất nhiều, một phần nhỏ trong số các điện tử đó thế vào lỗ trống tạo thành dòng IB
còn phần lớn số điện tử bị hút về phía cực C dưới tác dụng của điện áp UCE => tạo
thành dòng ICE chạy qua Transistor.
Câu 11: Các họ đặc tuyến vào và đặc tuyến ra của tranzistor? Tranzistor
trường cực cửa mặt ghép N-P (JFET)
a/ Cấu tạo và ký hiệu quy ước.
Trên đế tinh thể bán dẫn Si-n người ta tạo một lớp xung quanh bằng bán dẫn p
(có nồng độ tạp chất cao hơn đế) và đưa ra ba điện cực:
Cực nguồn S ( Source)
Cực máng D ( Drein)
Cực cửa
G (Gate)
Như vậy hình thành một kênh dẫn điện loại n nối giữa hai cực D và S , cách ly với
cực cửa G ( Dùng làm điện cực điều khiển) bởi một lớp tiếp xúc P-N bao quanh kênh
dẫn


b/ Nguyên lý hoạt động
Để phân cực cho JFET người ta dùng hai nguồn điện áp ngoài là: U DS > 0 và UGS
< 0 (Với loại kênh P thì các chiều điện áp phân cực sẽ ngược lại). Nguyên tắc phân
cực là tiếp giáp P-N bao quanh kênh dẫn luôn phân cực ngược.
Do tác dụng của các điện trường này trên kênh dẫn xuất hiện một dòng điện ( là
dòng điện tử với kênh n) hướng từ cực D đến cực S gọi là dòng cực máng I D. Dòng
cực máng phu thuộc cả vào UDS và UGS vì độ dẫn của kênh phụ thuộc mạnh vào cả hai

điện trường này.
ID=f(UGS,UDS)
Nếu tách riêng sự phụ thuộc vào từng tham số ta có hai hệ hàm quan trọng của JFET:
ID=f1(UDS)/UGS=const
ID=f2(UGS)/UDS=const
Là các họ đặc tuyến ra và đặc tuyến truyền đạt của JFET đặc tuyến truyền đạt của
JFET

Đặc tuyến ra của JFET chia làm ba vùng rõ rệt:
* Vùng gần gốc, khi UDS nhỏ, dong ID tăng mạnh tuyến tính theo UDS và ít phụ
thuộc vào UGS . Đây là vùng làm việc ở đó JFET giống như một điện trở thuần
* Vùng ngoài điểm A gọi là vùng thắt ( vùng bão hoà) , khi U DS đủ lớn , ID phụ
thuộc rất yếu vào UDS mà phụ thuộc mạch vào UGS . Đây là vùng JFET làm việc như
mọt phần tử khuếch đại, dòng ID được điều khiển bằng điện áp UGS
* Vùng ngoài điểm B gọi là vùng đánh thủng.
Câu 12: Lý thuyết chung về khuếch đại? (định nghĩa, phân loại, các đặc tuyến
và tham số).
1/ Đặc điểm
- Là mạch điện làm tăng công suất cho tín hiệu nhỏ


- Khuếch đại là quá trình biến đổi năng lượng có điều khiển, trong đó năng
lượng của nguồn một chiều (không mang tin) được biến đổi thành năng lượng xoay
chiều của tín hiệu có mang tin. Đây là quá trình gia công tín hiệu tương tự.
- Mạch khuếch đại có mặt hầu hết trong các thiết bị điện tử
- Mạch khuếch đại điện tử gồm phần tử khuếch đại (tranzisto, IC), nguồn một
chiều và các phần tử thụ động RLC
2/ Mô hình mạch khuếch đại với phần tử trung tâm là tranzistor
+ECC

IC
RC
IB

Ura
UV

IE

Tín hiệu vào đưa vào giữa B và E , Tín hiệu ra lấy giữa C và E . Dòng điện I B
biến đổi theo dạng của UV , IB lại điều khiển IC theo dạng của IV
Mà:
Ura = ECC - IC.RC
Vậy Ura biến đổi theo dạng của Uv và có biên độ và công suất lớn hơn nhiều. Đó
chính là khuếch đại
3/ Các chỉ tiêu tham số cơ bản của một tầng khuếch đại.
a. Hệ số khuếch đại. Là tỷ số giữa đại lượng đầu ra và đại lượng đầu vào của bộ KĐ.
K= Đại lượng đầu ra / Đại lượng đầu vào
Ku=

U
U

ra

,

KI=

v

I
I

ra
v

,

KP=

P
P

ra
v

Các đại lượng này là các đại lượng phức.
.

K= K
Trong đó

e

jφK

mô đun K và acgumen ϕ k đều là những hàm của tần số ω .

K = f1 (ω ) gọi là đặc tính biên độ tần số .cho biết tỷ số về biên độ của

đại lượng lối ra và lối vào phụ thuộc tần số như thế nào.

k

ω

ω

T

ω

C


K được tính theo đơn vị logarit gọi là dexiben (dB) : K (dB) = 20 lg K
Khi ghép liên thông n tầng khuếch đại có các hệ số khuếch đại tương ứng là
k1...kn thì hệ số khuếch đại tổng cộng của bộ khuếch đại xác định bởi:
K = k1.k2...kn Hay: K (dB) = k 1 (dB) + ... k n (dB)
ϕ k = f 2(ω ) Gọi là đặc tuyến pha tần số .Cho biết sự lệch pha của tín hiệu lối ra với
tín hiệu lối vào phụ thuộc vào tần số như thế nào.

b. Đặc tính biên độ của tầng khuếch đại.
Ura=f 3 (UV)

Ura
III
II
Uv

I
UVMIN

UVMAX

Giải thích dạng của đặc tuyến:
I khi Uv=0 thì Ura khác 0 đó là do can nhiễu
II khi Uv tăng thì Ura tăng đây lạ đoạn làm việc chính của mạch KĐ
III khi Uv tăng thì Ura không tăng nữa đây là đoạn bão hoà của mạch KĐ
c. Trở kháng lối vào và ra của một tầng khuếch đại.
Là tham số quan trọng chúng đặc trưng cho khả năng phối hợp với nguồn tín
hiệu ở đầu vào và phối hợp với tải ở đầu ra của bộ khuếch đại.


ZVào =

U
I

V

U
I

, Zra =

V

ra
ra

Yêu cầu với các mạch điện trong thực tế là Zvào càng lớn càng tốt , còn Zra thì
càng nhỏ càng tốt.
d. Hiệu suất của bộ KĐ

η=

P
P

R
0

Trong đó: PR là công suất tải ; P0 công suất tiêu thụ của nguồn
e/ Méo không đường thẳng.
Do tính chất phi tuyến của các phần tử làm cho đầu ra của bộ khuếch đại xuất
hiện các tần số lạ, thường gọi là các thành phần hài. Để đánh giá người ta dùng hệ số
méo phi tuyến:
γ=

U

2
2m

2

2

+U 3m + ... + U nm

U

2

100%

1m

Câu 13: Hồi tiếp trong mạch khuếch đại là gì? Đặc điểm của bộ khuếch đại khi
có hồi tiếp, các cách mắc hồi tiếp?
a. Hồi tiếp là gì.
Hiện tượng một phần năng lượng của tín hiệu ở lối ra được đưa trở lại đầu vào
bộ KĐ gọi là hiện tượng hồi tiép ( Phản hồi) trong bộ KĐ.
Có thể do chủ động của người thiết kế mạch hoặc do ký sinh khi lắp mạch , thì
hiện tượng hồi tiếp vẫn luôn đi liền với bộ KĐ.

*

K=K e
β =β e
*

jϕ k

jϕ β

b. Các cách mắc hồi tiếp:
Theo đầu ra:
* Nếu điện áp ra của bộ KĐ là tham số thực hiện hồi tiếp thì ta có hồi tiếp điện áp

* Nếu dòng điện lối ra của bộ KĐ là tham số thực hiện hồi tiếp thì ta có hồi tiếp dong
điện.
Theo đầu vào
*Khi điện áp đưa về hồi tiếp mà nối tiếp với nguồn tín hiệu vào thì ta có hồi tiếp nối
tiếp


* Khi đưa điện áp hồi tiếp đặt tới đầu vào bộ KĐ song song với điện áp nguồn tín
hiệu thì có hồi tiếp song song
Như vậy kết hợp đầu vào và đầu ra ta có 4 cách mắc hồi tiếp:
- Nối tiếp điện áp
- Nối tiếp dòng điện
- Song song điện áp
- Song song dòng điện

c. Ảnh hưởng của hồi tiếp đến các tham số của bộ KĐ.
Hồi tiếp sẽ làm cải ảnh hưởng đến tất cả các tham số của bộ KĐ

Ở đầu vào ta có: UY=UV+UHT
Ta chia cả hai vế cho UR ta được :

U
U

Y
R

= U V + U HT

U

R

U

R


U
= 1 là nghịch dảo hệ số KĐ của bản thân bộ KĐ
U
K
U = 1 Là nghịch dảo hệ số KĐ của mạch khi có tính cả hồi tiếp
U K
U =β
Là hệ số truyền đạt của khâu hồi tiếp, thường gọi là hệ số hồitiếp.
U
1 = 1 +β ⇒ K = K
Ta có:
1− K β
K K
Y

mà:

R

V

R

β

HT
R

β

β

Trong miền tần số trung bình thì các đại lượng này đều có thể thay thế bằng giả trị

K
1− K β
Khi 0< K β <1 thì K

thực

K

β

=

*
gọi là hồi tiếp dương, khi đó ở đầu vào tín hiệu hồi
β >K
tiếp đưa trở về đồng pha với tín hiệu vào. UY=UV+UHT
Điện áp ra khi có hồi tiếp dương là: UR=K(UV+UHT) >KUV do đó K β > K

Nếu: K β ≥ 1 là điều kiện tự kích của bộ KĐ. Lúc này ở đầu ra của bộ KĐ suất hiện
một phổ tần số không phụ thuộc vào tín hiệu đầu vào . Bộ KĐ trong trường hợp này làm
việc trong chế độ máy phát dao động .
Hồi tiếp dương tuy hệ số KĐ tăng nhưng các tham số khác bị tác động theo hướng
sấu: ZR tăng, ZV giảm , hệ số méo phi tuyến tăng , độ ổn định của hệ số KĐ giảm.
* Khi

Kβ

<0 thì

K

β

=

1
1+ K β


Đó là hồi tiếp âm .Khi đó tín hiệu hồi tiếp đưa về sẽ ngược pha với tín hiệu vào
UY=UV-UHT
Tín hiệu lối ra sẽ bị giảm đi. tức là hệ số KĐ khi có hồi tiếp âm sẽ nhỏ hơn khi không có
hồi tiếp.
Tuy khi có hồi tiếp âm hệ số KĐ giảm nhưng các tham số khác được cải thiện theo
hướng tốt: ZR giảm, ZV tăng, hệ số méo giảm và độ ổn định hệ số KĐ tăng lên
Nên bộ KĐ có phản hồi âm được sử dụng nhiều hơn.
Câu 14: Các chế độ làm việc, các cách cấp nguồn và ổn định điểm công tác của

tranzistor trong chế độ khuếch đại?
Các chế độ làm việc cơ bản của một tầng khuếch đại.
Để phần tử KĐ làm việc bình thường, tin cậy ở một chế độ xác định cần hai điều kiện
cơ bản:
- Xác định cho các cực B,C,E của nó những điện áp một chiều cố định, gọi là
phân cực cho phần tử khuếch đại.
- ổn định chế độ tĩnh đã được xác lập ,để trong quá trình hoạt động , chế độ của
phần tử KĐ chỉ phụ thuộc vào điện áp điều khiển đưa tới lối vào


UCE =ECC-ICRC
Khi UCE =0

⇒

I C=

E
R

CC
C

(0,

E
R

CC

)

C

⇒
Khi IC=0
UCE=ECC (ECC,0) khi nối hai điểm này ta được đặc
tuyến tải tĩnh
Mỗi điểm trên đặc tuyến tải tĩnh xác định một chế độ làm việc tĩnh của tranzistor
* Chế độ A : Khi với điểm làm việc nằm giữa đoạn MN
* Chế độ B : Khi điểm làm việc trùng với điểm N
* Chế độ AB : Khi điểm làm việc dịch dần từ P về phía N
* Chế độ C : Khi điểm làm việc ra ngoài N
* Chế độ Khoá : + Khi điểm làm việc nằm xa ngoài N tranzistor bị khoá ngắt dòng
+ Khi điểm làm việc nằm gần M tranzistor bị khoả bão hoà dòng
2. Các cách cấp nguồn cho tranzistor
Dùng một nguồn điện áp một chiều Ecc để cấp nguồn (phân cực) cho cả hai mặt
ghép emitơ và colectơ
Muốn có dòng tĩnh Ic0 phải cấp cho bazơ một điện áp, gọi là thiên áp

Để cấp thiên áp cho bazơ thường dùng sơ đồ định dòng bazơ hoặc sơ đồ định áp bazơ
a/Cấp nguồn bằng định dòng bazơ


Nhận xét:
- Cấp nguồn bằng định dòng bazơ làm việc kém ổn định và chưa có biện pháp
ổn định nhiệt
- Để ổn định nhiệt có thể gây hồi tiếp âm trên điện trở R b bằng cách đấu Rb với
cực C của tranzistor
- Phân Rb thành hai điện trở R1 và R2

b/ Cấp nguồn bằng định áp bazơ

Câu 15 : Mạch khuếch đại điện trở Emitơ chung (EC)?
a/ Sơ đồ nguyên lý:


- Điện trở RB1, RB2 và RE có tác dụng định thiên và ổn định chế độ công tác (ổn
định nhiệt) cho tranzistor.
- RE Tạo hồi tiếp âm dòng một chiều để tăng tính ổn định của mạch
- Tụ điện CE được chọn sao cho nó ngắn mạch hoàn toàn các thành phần tín hiệu
sụt trên RE để triệt bỏ hồi tiếp âm theo tần số tín hiệu trên RE.
- Các tụ điện CN1 Và CN2 dùng để nối tín hiệu giữa các tầng KĐ gọi là tụ liên lạc
- Điện trở RL và CL tạo thành mạch lọc nguồn vừa ngăn cách ảnh hưởng lẫn
nhau giữa các tầng dùng chung nguồn E CC, vừa khử sụt áp xoay chiều trên nội trở
nguồn ECC.
- RC là điện trở gánh dùng để lấy tín hiệu lối ra
Nguyên lý hoạt động.
Khi đưa nguồn tín hiệu vào qua tụ cN1 đặt vào cực bazơ, làm thay đổi dòng bazơ
(iB) của tranzistor do đó làm thay đổi dòng colectơ (iC )ở mạch ra của tầng, Hạ áp trên
điện trở RC tạo nên điện áp xoay chiều trên colectơ.
Ura=ECC-ICRC
Điện áp này qua tụ CN2 tới tải
Điện áp lấy ra trên colectơ luôn ngược pha với điện áp vào trên bazơ.
* Sơ đồ thay thế tương đương

+ Vùng tần số trung bình:

+ Vùng tần số cao:

+ Vùng tần số thấp:

Đặc tuyến tần số: Như vậy Mạch KĐ điện trở emitơ chung KĐ cả điện áp và
dòng điện và cho hệ số KĐ công suất lớn, có trở kháng vào tương đối lớn, trở kháng
ra xác định bằng điện trở colectơ R C , điện áp ra ngược pha với điện áp vào. Do
những đặc điểm trên mà mạch EC được sử dụng rộng rãi .
Câu 16: Mạch khuếch đại điện trở colectơ chung (CC), so sánh ưu nhươc điểm
của nó với mạch khuêch đại điện trở EC?
Tín hiệu đưa vào giữa B và C , điện áp ra lấy giữa E và C.
Do tín hiệu ra lấy trên RE nên không thể mắc tụ CE chống phản hồi âm. Do đó
mạch có hồi tiếp âm rất sâu.
Mạch có ZV rất lớn, ZR rất nhỏ, hệ số KĐ điện áp KU ≤ 1 , Điện áp ra đồng pha
với điện áp vào. Mạch CC được gọi là mạch lặp lại điện áp.
Mạch có thể KĐ dòng điện hoặc KĐ công suất.
Do hồi tiếp âm sâu nên mạch làm việc rất ổn định ,có tổng trở đầu vào lớn,tổng
trở đầu ra nhỏ.Vì vậy người ta thường dùng làm tầng đệm giữa các tầng KĐ hoặc ở
tầng khuếch đại cuối để phối hợp với tải.

Ưu điểm của CC so với EC: