CHƯƠNG 6
ĐÁP ỨNG TẦN SỐ CỦA MẠCH
KHUẾCH ĐẠI
1
Tương ứng với chương 17 trong sách Microelectronic Circuit Design_Richard C. Jaeger & Travis N. Blalock
Nội dung chương 6
6.1. Các điện dung bên trong diode và BIT
6.2. Mạch tương đương của BJT ở tần số cao, tín hiệu nhỏ
6.3. Hệ số khuếch đại dòng điện khi ngắn mạch đầu ra
6.4. Đáp ứng tần số của mạch E chung khi ngắn mạch đầu ra
6.5. Định lý MILLER
6.6. Tính toán đáp ứng tần số của mạch sử dụng MOSFET
6.7. Tính toán đáp ứng tần số của mạch sử dụng BJT
8/6/2015
2
6.1. Các điện dung bên trong diode và BIT
ĐIỆN DUNG DO VÙNG NGHÈO TẠO RA:
Cj
Wdo: độ rộng vùng nghèo
sA
Wdo (1
A: diện tích thiết diện ngang
vD
j
)
ĐIỆN DUNG DO KHUẾCH TÁN
i D T
CD
gm T
VT
vD: điện áp diode
j: điện áp bên trong (build-in)
T = F :thời gian dịch chuyển
theo hướng thuận (hằng số)
3
6.1. Các điện dung bên trong diode và BJT
Các thông số của BJT ở tín hiệu nhỏ
gm
IC
V
; r F ; ro A
VT
gm
IC
C b F gm (diffusion capacitance)
sA
C je
Wdo
(depletion capacitance)
VBE
1
VbiBE
C C b C je
C C jc
sA
Wdo 1
VBC
VbiBC
(depletion capacitance)
4
6.2. Mạch tương đương của BJT ở tần số cao,
tín hiệu nhỏ
If R1→0
VCC
R2
ii
io
io
C
r
ii
C
ro
R1
CCB = C = Cjc (điện dung do vùng nghèo dưới
tác dụng phân cực nghịch)
CBE = C = Cje (điện dung do vùng nghèo) + Cb (điện dung do khuếch
tán dưới tác dụng phân cực thuận)
5
6.3. Hệ số khuếch đại dòng điện khi ngắn mạch đầu ra
Ngắn mạch đầu ra để khảo sát đáp ứng tần số
của do các thành phần bên trong BJT tạo ra
v ii [r / /
C
ii
r
v
io
ro
C
gmv
1
1
//
]
sC sC
ii
1
s ( C C )
r
io gm v v sC
so :
gm sC
io
Ai
1
ii
s (C C )
r
6
6.4. Đáp ứng tần số của mạch E chung
khi ngắn mạch đầu ra
Quan hệ hệ số khuếch đại dòng điện theo tần số.
gmr
f2
f1
fT
1 s
Ai ( s ) gm r
Ngắn mạch đầu ra để
khảo sát đáp ứng tần số
của do các thành phần
bên trong BJT tạo ra
C
gm
1 sr (C C )
where: gm r F DC short-circuit current gain
f
f2
Ai ( f ) gm r
f
1 j
f1
1 j
1
f1
2r (C C )
f2
gm
f1
2 C
7
6.4. Đáp ứng tần số của mạch E chung
khi ngắn mạch đầu ra
1 s
Ai ( s ) gm r
C
gm
1 sr (C C )
where: gm r F DC short-circuit current gain
f 0; Ai gm r
f ; Ai gm r
gmv
C
C
gm
r (C C ) C C
f2
f1
fT
Tần số tương ứng với Ai=1:
fT
gm
2 (C C )
8
ĐÁP ỨNG TẦN SỐ
fT phụ thuộc vào dòng điện và thường được cho trong sổ tay tra cứu BJT
fT
1
2 F
C C b C je F gm C je
fT
gm
2 ( F gm C je C )
For very small bias levels:
fT
gm
IC
2 (C je C ) 2 VT (C je C )
For "normal" bias levels:
fT
gm
2 F gm
1
2 F
9
6.5. Định lý MILLER
Hệ số KĐ điện áp được Av biểu diễn:
iz
z
v2 Av v1
i2
1
V2 (1 )
V1 (1 Av )
Av
iz
z
z
Network N
v1
i1
v2
Điều này đồng nhất với:
z
z1
1 Av
i2
v1
Network N
i1
z1
z2
v2
z2
z
1
1
Av
10
6.5. Định lý MILLER
VDD
RD
Sử dụng định lý Miller
xác định các tụ vào và ra
của mạch?
CF
Vi
VO
RS
M1
11
6.5. Định lý MILLER
Sử dụng định lý Miller, thay tụ CF
bằng 2 tụ tương đương Cin và Cout
VDD
VDD
RD
RD
CF
VO
Vi
VO
RS
M1
RS
Vi
M1
Cout
Cin
12
6.5. Định lý MILLER
VDD
RD
Cin (1 Av )C F
VO
RS
Vi
M1
Cout
Cout (1
1
)C F
Av
Av g m RD
Cin
13
6.5. Định lý MILLER
VDD
1
in
RS C in
RD
VO
and
out
RS
Vi
M1
Cin
Cout
1
RS (1 gm RD )C F
1
RDC out
1
RD (1
1
)C F
gm RD
14
6.6. Tính toán đáp ứng tần số của mạch sử dụng
MOSFET
Calculate f in and f out , if gm (150 )1 ,
VDD
RD 2k , RS =1 k and C F 80 fF
C in (1 gm RD )C F
RD
VO
RS
C out
Vi
M1
Cin
Cout
1 =??
(1
2000)80 f
150
1.15 pF
1
(1
)C F
gm RD
(1
1
=??
1
2000
150
86 fF
)80 f
15
6.6. Tính toán đáp ứng tần số của mạch sử dụng
MOSFET
Calculate f in and f out , if gm (150 )1 ,
RD 2k , RS =1 k and C F 80 fF
VDD
Lời giải
C in (1 gm RD )C F
RD
VO
RS
C out
Vi
M1
Cin
1
2000)80 f
150
1.15 pF
1
(1
)C F
gm RD
(1
Cout
(1
1
1
2000
150
86 fF
)80 f
16
6.6. Tính toán đáp ứng tần số của mạch sử dụng
MOSFET
VDD
Calculate f in and f out , if gm (150 )1 ,
RD 2k , RS =1 k and C F 80 fF
RD
VO
RS
f in ?
f out ?
Vi
M1
Cout
Cin
17
6.6. Tính toán đáp ứng tần số của mạch sử dụng
MOSFET
Lời giải
VDD
f in
RD
VO
RS
1.38 108 Hz
f out
Vi
M1
Cout
1
2 RS C in
1
2 RDC out
9.2 108 Hz
Cin
18
6.7. Tính toán đáp ứng tần số của mạch sử dụng BJT
VBE ,on 0.7V ;VCE , sat 0.1V ;
Q1(2 N 3904) 100; F 150 ps;VA 100V ;
C 1 pF ; C 1 pF
jc
je
VCC
R2
RC
Rs
C2
Q1
vo
C1
vi
R1
RE
CE
Rs 100; R1 10k ; R2 100k ;
RC 10k ; RE 1k ; RL 10k ;
C C C 10 F ;V 12V
2
E
CC
1
19
6.7. Tính toán đáp ứng tần số của mạch sử dụng BJT
Có 3 vùng tần số:
Vùng tần số cao: (xem xét các tụ bên trong của BJT)
Vùng tần số thấp: (xem xét các tụ trong mạch điện)
Vùng tần số trung bình: (xem xét ảnh hưởng của 2 loại tụ trên)
20
Phân tích chế độ 1 chiều (DC)
VCC
RC
R2
Rs
vi
C2
Q1
vo
C1
R1
Rs 100; R1 10k ; R2 100k ;
RC 10k ; RE 1k ; RL 10k ;
C C C 10 F ;V 12V
2
E
CC
1
RE
CE
0.7V ;V
0.1V ;
BE ,on
CE , sat
Q1(2 N 3904) 100; F 150 ps;VA 100V ;
C 1 pF ; C 1 pF
jc
je
V
Bước1: Phân tích DC: xác định IC, IB, và VCE
IB=?; IC=? VCE=?
21
Phân tích chế độ 1 chiều (DC)
VCC
RC
R2
Rs
vi
C2
Q1
vo
C1
R1
Rs 100; R1 10k ; R2 100k ;
RC 10k ; RE 1k ; RL 10k ;
C C C 10 F ;V 12V
2
E
CC
1
RE
CE
0.7V ;V
0.1V ;
BE ,on
CE , sat
Q1(2 N 3904) 100; F 150 ps;VA 100V ;
C 1 pF ; C 1 pF
jc
je
V
Bước1: Phân tích DC: xác định IC, IB, và VCE
I C 391 A; I B 3.91 A;
V
7.70
V
CE
22
Xác định các thông số của mạch
C
Rs
C
vi
R1//R2
ro
r
RC
RL
gmv
Bước 2: Xác định các thông số khác
gm=?; r=?; ro=?; C=?; C=?
fT
gm
572
? MHz
2 (C C )
23
Xác định các thông số của mạch
Bước 2: Xác định các thông số khác
gm 15.6mS ; r 6.4k ; ro 256k
C
2.34
pF
;
C
3.34
pF
;
C
1
pF
b
gm
fT
572 MHz
2 (C C )
24
Xác định các thông số của mạch
Bước 3: Phân tích mạch tín hiệu nhỏ:
Xác định hệ số khuếch đại điện áp
Rs
Ri
gmv
R1//R2
r
ro
RC
RL
vo
vi
Avs=?
25