Nghiên cứu mối quan hệ giữa cấu trúc và khả năng ức chế ăn mòn kim loại của một số hợp chất hữu cơ

lời mở đầu
Mỗi năm khoảng 30% tổng lợng kim loại trên thế giới mất đi do ăn mòn,
thu hồi lại khoảng 20%, còn 10% coi nh mất hoàn toàn. Và chi phí cho hoạt động
chống ăn mòn là rất lớn. Ví dụ: Một năm ở Anh tiêu tốn cho việc chống ăn mòn
hơn 200 triệu Sterling, ở Mỹ khoảng 6 tỉ USD, ở Đức là 3 tỉ Mác, ở Việt Nam
trung bình 1,8 đến 4,5% GDP. Vì vậy nên các nớc trên thế giới rất chú trọng vấn
đề này.
Đã có rất nhiều công trình nghiên cứu cơ cấu ăn mòn và các phơng pháp
bảo vệ chống ăn mòn. Tuy nhiên, phần lớn các công trình đều mới chỉ tiến hành
nghiên cứu trên lĩnh vực thực nghiệm. Trong khi khả năng ức chế ăn mòn của các
hợp chất hữu cơ liên quan chặt chẽ với các tính chất lợng tử của phân tử. Và khi
những mối quan hệ này đợc làm sáng tỏ, sẽ có tác dụng định hớng cho thực
nghiệm trong việc tổng hợp những hợp chất có khả năng ức chế ăn mòn kim loại
cao. Chính vì vậy em đã chọn đề tài: " Nghiên cứu mối quan hệ giữa cấu trúc
và khả năng ức chế ăn mòn kim loại của một số hợp chất hữu cơ".
Việc nghiên cứu đợc tiến hành trên 5 dãy chất : Piridin (P) ; Quinolin ( Q);
Oxađiazol (A); Hidrazon ( H ) và 1, 2, 4-Triazol (T) với các nhóm thế khác nhau,
tại các vị trí khác nhau, theo cả hai phơng pháp thực nghiệm đo khả năng ức chế
ăn mòn và tính toán cấu trúc trên cơ sở hoá học lợng tử. Đồng thời nghiên cứu
cấu trúc sản phẩm sinh ra khi phân tử các chất ức chế hấp phụ trên bề mặt kim
loại, từ đó tính toán các thông số lợng tử cho các phức chất trên.
Từ tất cả các thông số thu đợc, tiến hành xử lí hồi quy, tìm ra các phơng
trình định lợng mô tả sự phụ thuộc cũng nh mối tơng quan giữa các yếu tố ảnh h-
ởng đến khả năng ức chế ăn mòn của các hợp chất hữu cơ.
Với một khoảng thời gian không dài, kiến thức bản thân cũng còn nhiều
hạn hẹp, vì vậy mà khoá luận này không tránh khỏi nhiều thiếu sót. Em rất mong
đợc sự quan tâm, góp ý của các thầy cô để khoá luận đợc hoàn thiện hơn, bản
thân em đợc bổ sung kiến thức. Và em cũng mong góp phần nhỏ bé của mình vào
quá trình nghiên cứu vấn đề ứng dụng công nghệ thông tin trong lĩnh vực ăn mòn
và chống ăn mòn kim loại.

Em xin chân thành cảm ơn!

1

phần một: tổng quan
Chơng 1 : ăn mòn và bảo vệ ăn mòn kim loại
I. Ăn mòn kim loại
I.1. Định nghĩa
ăn mòn kim loại là hiện tợng tự phá huỷ các vật liệu kim loại do tác dụng
hoá học hoặc tác dụng điện hoá giữa kim loại với môi trờng bên ngoài.
I..2 Phân loại.
Có nhiều cách phân loại quá trình ăn mòn: Theo cơ cấu quá trình ăn mòn,
theo môi trờng ăn mòn hoặc theo đặc trng của dạng ăn mòn. Chủ yếu ngời ta
phân loại theo cơ cấu quá trình ăn mòn:
+ Ăn mòn điện hoá: Ăn mòn điện hoá là quá trình phá vỡ cấu trúc kim
loại do phản ứng điện hoá xảy ra ở hai vùng khác nhau trên bề mặt kim loại. Ăn
mòn điện hoá chỉ xảy ra trong môi trờng tĩnh điện, luôn gắn liền với sự hình
thành các vi pin đoản mạch: Vi catot và vi anot nối trực tiếp với nhau. Qúa trình
ăn mòn này làm xuất hiện dòng electron chuyển động trong kim loại và dòng ion
chuyển động trong dung dịch điện li theo hớng từ vùng điện cực này sang vùng
điện cực khác, do đó phát sinh dòng điện. Nh vậy hoá năng đã biến đổi thành
điện năng.
+Ăn mòn hoá học: Là quá trình phá huỷ kim loại do tác dụng hoá học của
môi trờng với kim loại. Ăn mòn hoá học xảy ra trong môi trờng không dẫn điện
nh không khí khô và dung dịch điện li dạng lỏng. Đặc điểm của ăn mòn hoá học
là không phát sinh dòng điện, sản phẩm của quá trình ăn mòn nằm ngay trên bề
mặt kim loại tiếp xúc với môi trờng.
*Phân loại theo môi trờng ăn mòn gồm:
+ Ăn mòn không khí.
+ Ăn mòn trong đất.

+ Ăn mòn trong dung dịch
Hoặc dựa theo đặc trng của dạng ăn mòn ngời ta chia thành các dạng: Ăn
mòn đều, ăn mòn cục bộ, ăn mòn rạn nứt, ăn mòn lựa chọn...
I.3. Các chỉ tiêu đánh giá mức độ ăn mòn kim loại.
Để đánh giá mức độ ăn mòn kim loại, ngời ta dựa vào một số chỉ tiêu nh:
+ Khuynh hớng ăn mòn: Kr là thời gian xuất hiện vết ăn mòn đầu tiên trên
một đơn vị diện tích bề mặt kim loại.
+ Vết ăn mòn: Kn số lợng vết ăn mòn xuất hiện trên một đơn vị diện tích
trong một đơn vị thời gian ( mm/năm ).
+ Thay đổi khối lợng:

2

K
m
=
tS
m
.

( g/cm
2
.h )


m: Độ biến thiên khối lợng mẫu thí nghiệm ( gam).
S: Diện tích mẫu thí nghiệm ( m
2
).
t: thời gian tiến hành thí nghiệm ( h).

+ Thể tích ăn mòn:
Kv =
tS
V
.
( ml/cm
2
.h)
V: Thể tích khí.
S: Diện tích mẫu.
t: Thời gian thí nghiệm.
+ Thay đổi điện trở :
Kr =
Ro
R

. 100% trong thời gian t
R: Điện trở mẫu kim loại.
+Thay đổi tính chất cơ học.
Tuỳ thuộc bản chất vật liệu, bản chất và thành phần của môi trờng làm
việc, phơng pháp nghiên cứu và nhu cầu sử dụng mà lựa chọn các chỉ tiêu đánh
giá phù hợp.
II. Bảo vệ kim loại- các biện pháp chống ăn mòn điện hoá.
II.1. Nguyên tắc.
Để bảo vệ kim loại và chống ăn mòn ngời ta thờng tiến hành các biện pháp
theo hớng giảm tác động của môi trờng với kim loại qua xử lí môi trờng, cách li
vật liệu với môi trờng, kết cấu hình dạng hợp lí, cải tạo vật liệu tăng độ bền...
Ngời ta đánh giá hiệu suất bảo vệ kim loại bằng hệ số kìm hãm

, cho

biết tốc độ ăn mòn giảm đi bao nhiêu lần:


=
'V
Vo
Hiệu suất bảo vệ còn đợc tính theo % mức độ bảo vệ:
Z% =
Vo
VVo '

.100%
Trong đó Vo: Tốc độ ăn mòn khi không có sự bảo vệ.
V': Tốc độ ăn mòn khi có sự bảo vệ.
Đối với phơng pháp điện hoá, hiệu quả bảo vệ tính theo giá trị mật độ
dòng ăn mòn i
am
hoặc điện trở phân cực R
p

3

Z% =
%100*
'
'
pR
pRpR
o

( 1) Z=
%100*
'
corr
corr
corr
i
ii

( 2)
i
am
, i'
am
: Mật độ dòng ăn mòn khi không có và khi có sự bảo vệ
Rp, R'p : Điện trở phân cực khi không có và khi có sự bảo vệ.
R'p càng lớn thì hiệu quả bảo vệ càng cao.
i'
am
càng nhỏ thì hiệu quả bảo vệ càng cao.
II.2. Các phơng pháp chống ăn mòn điện hoá.
II.2.1. Dùng chất ức chế:

Chất ức chế là một chất hoá học mà khi thêm một lợng nhỏ vào môi trờng
cũng có khả năng giảm tốc độ ăn mòn nhanh chóng. Ngày nay ngời ta đã tìm ra
hơn 3000 chất ức chế trong đó đa số là các chất hữu cơ. Khi cho vào môi tr ờng,
chất ức chế phản ứng với bề mặt kim loại hay hấp phụ lên bề mặt kim loại tạo
thành màng bảo vệ rất mỏng, có tác dụng:

+ Tạo hàng rào khuếch tán: hấp phụ lên bề mặt kim loại, tạo màng hoạt

động nh hàng rào cản trở khuếch tán ion, tăng điện trở phân cực, giảm tốc độ ăn
mòn.
+ Bịt các tâm phản ứng.
+ Tham gia phản ứng điện cực nh chất xúc tác.
+ Làm thay đổi lớp điện kép: làm tăng hoặc giảm thế thế trên lớp dung
dịch sát bề mặt kim loại...
Hiệu quả ức chế tỉ lệ với diện tích bao phủ

của chất ức chế với bề mặt kim
loại . Tác dụng ức chế của các chất khác nhau phụ thuộc nhiều yếu tố :
+ Bề mặt kim loại.
+ Cấu trúc và nhóm chức năng chất ức chế.
+Tơng tác của chất ức chế : Với kim loại, với nớc, với các ion khác.

* Phân loại chất ức chế: Có nhiều cách phân loại.
+ Theo cơ chế tác dụng:
. ức chế vật lí: Chất ức chế hấp phụ lên bề mặt vật liệu bằng lực
Vandervan.
. ức chế hóa học: Chất ức chế hấp phụ lên bề mặt vật liệu nhờ hình thành
liên kết do cặp electron d của chất ức chế với obitan trống của kim loại trên bề
mặt.
+ Theo cơ chế phản ứng ngời ta chia :
. Hấp phụ.
. Thụ động hoá
. Kết tủa chất vô cơ hoặc phức hữu cơ khó tan.
. Loại bỏ tác nhân ăn mòn

4

Ngoài ra còn theo một vài cách phân loại khác.

*Cơ chế hoạt động của các chất ức chế:
Nhiều công trình nghiên cứu đã đang và tiếp tục đợc thực hiện để xem xét
ảnh hởng riêng lẻ và phối hợp của các chất ức chế. Ngời ta cho rằng sự tổ hợp của
các electron

hoặc eletron tự do của chất ức chế và obitan còn trống của kim
loại là nguyên nhân gây ra sự kìm hãm quá trình ăn mòn.
II.2.2. Bảo vệ điện hoá.
+ Bảo vệ bằng Protectơ
+ bảo vệ catot bằng dòng điện ngoài.
+ Bảo vệ anot bằng dòng điện ngoài.
II.2.3. Phơng pháp bao phủ bảo vệ.
Kim loại cần bảo vệ bao phủ bằng các kim loại, phi kim hoặc các chất có
tính chất bảo vệ.
Ngoài ra còn chú ý đến các phơng pháp nh:
+ cấu tạo hợp lí.
+ lựa chọn vật liệu....
chơng II: Cơ sở lý thuyết các phơng pháp hoá
học lợng tử.

5

I. Cơ sở của phơng pháp MO .
Thuyết orbital phân tử hay còn gọi là phơng pháp MO là công trình nhiều
tác giả nh Mulliken, Hund, Lenard - Jones . Quan điểm của thuyết này bao gồm
các vấn đề về hàm sóng , toán tử và phơng pháp giải bài toán cho hệ nhiều hạt của
các phân tử.
Hàm sóng theo phơng pháp MO có thể đợc biểu diễn dới dạng tổ hợp
tuyến tính các orbital nguyên tử - các AO.. Hàm sóng đơn electron trong phơng
pháp MO đợc công thức hoá dới dạng:

ii
i
.C
=
àà

Trong đó:
à
: hàm MO thứ à ; C
à
i
: hệ số tổ hợp tuyến tính

i
: AO thứ i
Phơng trình Schrodinger cho trạng thái dừng có dạng:
H
à
=
à

à

Trong đó: H: là toán tử Hamilton của hệ.
H = Tu + Te + U
T: là toán từ động năng của các hạt nhân và các electron.
U: là toán tử thế năng.
Năng lợng gần đúng của hệ đợc biểu thị hay tính bằng công thức:
E =

dt
dtH

Trên đây là nội dung cơ bản của phơng pháp MO
II. Cơ sở của các phơng pháp lý thuyết cho hệ nhiều electron.
II.1. Phơng pháp trờng tự hợp của Hartree - Fock.
Phơng pháp trờng tự hợp của Hartree - Fock hay còn gọi là phơng pháp
SCF (Self - consistent - Field)
Hàm sóng toàn phần của hệ nhiều electron đợc biểu diễn dới dạng định
thức Slater [21]
= (N!)
-1/2
.
i

i


i

i
là định thức dạng rút gọn của hàm Spin - orbital cơ sở.
Từ đó năng lợng toàn phần của hệ có thể tính theo biểu thức:
E =

dtd
dtdH

H: là oán tử Hamilton có dạng sau:
Thay thế (6) ,(8) vào (7) và biến đổi ta thu đợc phơng trình Hartree - Fock

6

E =
mn
nm
mn
nm
m
m
KJE
<
+

J
mn
: tích phân Coulomb ; K
mn
: tích phân trao đổi
E
m
: là năng lợng của electron trên Spin - orbital
m

m
Phơng trình là cơ sở của phơng trình AB INITIO và cũng là cơ sở cho các
phơng pháp gần đúng và bán kinh nghiệm sau này

II.2. Phơng pháp Roothaan.
Để giải quyết gần đúng các bài toán phân tử, Roothaan đã phát triển
thuyết SCF và đa ra những quan điểm chính sau:
- Hàm sóng MO phải là hàm tổ hợp tuyến tính của các AO i dới dạng sau:

à
=
i

a
à
i

i

Hệ số a
à
i
là những tham số biến thiên sao cho
à
là hàm gần đúng tốt nhất.
- Toán tử trong phơng pháp Roothaan là toán tử Hartree - Fock có dạng:
H = -

++
=
ij
2
N
ji
im
2
m
1i
2
i
i
2
r
e
r
Zml
V
m2

TB theo j
áp dụng nguyên lý biến phân cho (5) và biến đổi ta thu đợc các phơng
trình Roothaan:

a
à
i
(F
ij
- E
à
S
ij
) = 0 (i = 1,2, ....M)
F
ij
- E
à
S
ij
= 0
Năng lợng của electron trên orbital
à
đợc biểu thị bằng phơng trình:

à
= E
à
+ (2J
à
- K
à
)
Trong hệ thức (13), (14), (15) E

à
là động năng của electron trên orbital
à
;
J
à
; K
à
là các tích phân coulomb và tích phân trao đổi đa tâm tơng ứng; F
ij
là các
phần tử ma trận Fock đợc biểu diễn thông qua các tích phân đa tâm.
Phơng pháp của Roothaan thực chất là phơng pháp trờng tự hợp orbital
phân tử tổ hợp tuyến tính các orbital nguyên tử (SCF - MO - LCAO). Các phơng
trình là cơ sở cho bài toán phân tử và các phơng pháp gần đúng, bán kinh nghiệm
sau này
III. Giới thiệu các phơng pháp tính gần đúng .
Các phơng pháp tính gần đúng đợc xây dựng trên phơng trình Roothaan .
Hầu hết các phơng pháp đó đều tập trung giải quyết vấn đề thế năng tơng tác giữa

7

các electron với nhau dựa vào việc giải gần đúng các phơng trình tích phân
Coulomb và các tích phân xen phủ giữa các electron . Các phơng pháp tính gần
đúng đợc biết hiện nay bao gồm phơng pháp không kinh nghiệm Ab-initio và các
phơng pháp bán kinh nghiệm sử dụng các tham số thực nghiệm: CNDO, NDDO,
INDO, AM1, PM3, MINDO, ZINDO/1, ZINDO/S ,...
Có thể thấy sự khác nhau cơ bản của hai phơng pháp này qua bảng so sánh
sau:
Phơng pháp Ab- Anitio Phơng pháp bán kinh nghiệm

-Trải qua tất cả các giai đoạn ớc tính đối với
phơng trình Schroedinger .
-Xử lý tất cả các electron .
-Tính toán đầy đủ các tích phân
-Tất cả thành phần của ma trận Fock đều đợc
thành lập theo lý thuyết .
-Thờng dùng các hàm cơ sở kiểu Gauss (GTO)
.
-Cần dùng dung lợng đĩa và thời gian CPU rất
nhiều .
- Qua tất cả các giai đoạn ớc tính đối
với phơng trình Schroedinger .
-Chỉ xử lý các electron hoá trị .
-Bỏ qua một số tích phân mà việc
tính toán mất thời gian .
-ít nhất vài thành phần của ma trận Fock
đợc thành lập qua tham khảo và so sánh
với dữ liệu thực nghiệm .
-Thờng dùng các hàm cơ sở kiểu Slater
(STO) .
-Cần dùng dung lợng đĩa và thời gian t-
ơng đối ít .
III.1. Phơng pháp Ab-initio hay phơng pháp không kinh nghiệm .
Trong phơng pháp này, ngời ta sử dụng các phơng pháp gần đúng toán học
nhằm đơn giản hoá quá trình giải. Ưu điểm chủ yếu của nó là cho phép xác định
mọi tính chất của phân tử chỉ từ những yếu tố cơ bản của bài toán: Số hạt
electron, điện tích electron, số hạt nhân mà không cần biết các số liệu thực
nghiệm khác. Phơng pháp này tuy không tính đến năng lợng tơng hỗ nhng kết
quả thu đợc rất phù hợp với các số liệu đo đợc trong việc xác định cấu trúc hình
học của phân tử, hàng rào quay và nhiều vấn đề khác của phân tử. Vì thế giá trị

của phơng pháp này càng đợc nâng cao. Có thể nói phơng pháp Ab-initio có một
lời giải khá chính xác cho hầu hết các hệ phân tử và là sự tính từ đầu cho tất cả
các tích phân bằng phép giải tích.
III.2. Các phơng pháp bán kinh nghiệm .
Xuất phát từ thực tiễn trong tính toán, sự giảm bớt chi phí thời gian tính và
kết quả thu đợc nằm trong phạm vi cho phép để xét đoán các quá trình hoá học
mà ta tìm kiếm phơng pháp mới. Các phơng pháp bán kinh nghiệm xuất hiện để
đáp ứng nhu cầu này.

8

Chúng đã sử dụng các tham số thực nghiệm thay thế việc tính toán các tích
phân phức tạp đơn thuần lý thuyết. Nhờ sự loại bỏ hàng loạt các tích phân, các
phơng pháp gần đúng bán kinh nghiệm lần lợt ra đời .
III.2.1. Huckel mở rộng (Extended Huckel).
Huckel mở rộng (EHT) là một sự cải thiện của phơng pháp Huckel. Đối
với phơng pháp này, năng lợng của các orbital đợc xác định tốt, và năng lợng toàn
phần bằng tổng năng lợng orbital chiếm chỗ. Điều này cũng đúng cho những ph-
ơng pháp khác. Huckel mở rộng là rất hữu hiệu đối với việc kiểm tra dạng chung
và sắp đặt năng lợng các MO. Phơng pháp đơn giản và nó có thể trả lời các câu
hỏi về cấu trúc điện tử một cách định tính.
Đối với các kim loại chuyển tiếp, sự tách của AO-d trong một trờng phối
tử đợc tiến hành tốt nhất khi sử dụng EHT. Trong tất cả các phơng pháp bán kinh
nghiệm, năng lợng orbital phụ thuộc vào sự chiếm chỗ electron. Những tính toán
MO của Hyperchem đa ra các tách mức năng lợng orbital mà đợc phân biệt nhờ
những dự đoán đơn giản của thuyết trờng tinh thể. Hàm sóng phân tử toàn phần là
một hàm phản đối xứng của các orbital phân tử chiếm chỗ. Thực tế, sự tổ hợp của
các là kết quả của tính toán SCF, trong đó chúng dờng nh ít thích hợp để mô tả
hàm sóng phân tử.
Nhìn chung, để xem sự mô tả chính xác giữa các mức t

2g
và e
g
, phải sử
dụng EHT, chứ không phải là các phơng pháp khác.
III.2.2. Phơng pháp ZDO (Zero Differential Overlap).
Đây là phơng pháp gần đúng xen phủ vi phân bậc không do Pople đa ra. Nó
bỏ qua tất cả các tích của các hàm cơ sở phụ thuộc vào cùng toạ độ electron định
vị trên các nguyên tử khác nhau. Giả định của Pople có nghĩa là orbital nguyên tử
định vị trên tâm A là
A
trên tâm B là
B
, gần đúng ZDO tơng đơng với
A
.
B
=0
(AB). Vì tích các hàm cơ sở trên các nguyên tử khác nhau đợc đặt bằng không,
nên không có tích tích phân trên một tích nh vậy hay
A
.
B
d =0. Điều này dẫn
đến các hệ quả sau .
-Ma trận xen phủ đợc chuyển thành ma trận đơn vị .
-Các tích phân một electron ba tâm (hai từ các hàm cơ sở và một từ toán
tử) đợc đặt bằng không .

-Tất cả các tích phân hai electron ba tâm và bốn tâm đợc bỏ qua.

Để bù lại cho sự gần đúng này, các tích phân còn lại đợc chuyển thành các
tích phân tham số và các giá trị của nó đợc xác định trên cơ sở tính toán hoặc từ
dữ liệu thực nghiệm khác nhau.
III.2.3. Phơng pháp CNDO (Complete Neglect of Differential Overlap).

9

Mặc dù CNDO kém chính xác hơn những phơng pháp NDO khác, nhng có
hai lý do để sử dụng chúng.
+ CNDO và INDO nói chung nhanh hơn MINDO/3, MNDO, AM1, và
PM3 và đòi hỏi ít bộ nhớ hơn nhiều. Bạn có thể áp dụng chúng cho những phân tử
quá lớn đối với MINDO/3, MNDO, AM1, và PM3.
+ Phần về tốc độ,về khía cạnh nào đó thì CNDO là đơn giản. Nó sử dụng ít
tham số hơn bất kì phơng pháp nào ngoại trừ EHT, và do đó dễ dàng hiểu các kết
quả của việc thay đổi một tính toán.
Chú ý: Không sử dụng CNDO trên bất cứ vấn đề mà electron-spin là quan
trọng. Việc bỏ qua hoàn toàn tích phân trao đổi nguyên tử làm cho nó không có
khả năng liên quan với những vấn đề này.
III.2.4. Phơng pháp INDO (Intermediate Neglect of Differential Overlap).
INDO nhanh hơn MINDO/3, MNDO, AM1, và PM3 và không giống với
CNDO, có thể liên quan tới ảnh hởng spin. Nó đặc biệt lu tâm tới sự lựa chọn
UHF trên phân tử vỏ mở. Ngoài ra nó cũng có thể dùng với những kiểu tính chộn
lẫn. INDO có cùng u điểm về tốc độ và bộ nhớ của CNDO và ngoài ra chính xác
hơn. Mặc dầu vậy, nó thích hợp với một số kết quả, nhng nó mất một vài tính
đơn giản và dễ hiểu của CNDO.
III.2.5. Phơng pháp MINDO/3 (Modified Intermediate Neglect of
Differential Overlap) .
MINDO/3 là phơng pháp tốt nhất của Dewar. Nó có thể tính toán hình học
và nhiệt hình thành chính xác hơn CNDO hoặc INDO, và đợc sử dụng rộng rãi.
MINDO/3 dựa trên những hạn chế của việc gần đúng INDO, do đó mà có thể sử

lý những phân tử chứa dị tố một cách chính xác.
MINDO/3 đặc biệt tốt cho việc miêu tả các carbocation, và các hợp chất
hữu cơ polynitro. Đối với những vấn đề này, nó cho những kết quả tốt hơn
MNDO và AM1. Thậm chí các phơng pháp này nhìn chung chính xác hơn. Trong
báo cao Stewart, đối với tập hợp của 11 hợp chất nitro và polynitro hữu cơ có sai
số trung bình trong nhiệt tạo thành là 3,5 kcal/mol đối với MINDO/3, so với 34,5
kcal/mol với MNDO hoặc 13,7 kcal/mol cho AM1.
III.2.6. Phơng pháp MNDO (Modified Neglect of Diatomic Overlap).
MNDO là một phơng pháp cải tiến một vài vấn đề của MINDO/3. Nó đã
đợc sử dụng rất rộng rãi để tính nhiệt hình thành, hình học phân tử, momen lỡng
cực, năng lợng ion hoá, ái lực electron, và các tính chất khác

10

Mặc dù AM1 nhìn chung là một sự cải thiện đầy ý nghĩa qua MNDO,
song MNDO vẫn cho kết quả tốt hơn đối với một vài phân tử nh là hợp chất phốt
pho.
III.2.7. Phơng pháp MNDO/d (Modified Neglect of Diatomic Overlap for d)
Phơng pháp MNDO/d là chuyển đổi loại bỏ của sự xen phủ hai nguyên tử
cho obitan d, là việc áp dụng phơng pháp SCF đối với tính toán lợng tử bán thực
nghiệm. Phơng pháp là một sự mở rộng của MNDO. Đối với những nguyên tử
không có obitan d, MNDO/d tơng đơng với MNDO.
III.2.8. Phơng pháp AM1 (Austin Model 1).
Nhiều vấn đề với MNDO liên quan đến những trờng hợp mà ở đó sự gần
đúng NDO của tơng tác đẩy electron-electron là quan trọng nhất. Phơng pháp
AM1 là một sự cải thiện qua MNDO, thậm chí nó sử dụng những sự gần đúng t-
ơng tự. Nó nhìn chung là phơng pháp bán kinh nghiệm tốt nhất trong Hyperchem
và là phơng pháp hay đợc lựa chọn trong nhiều vấn đề nghiên cứu. Việc thay đổi
một phần khung lý thyuết (hàm sóng mô tả giữa các tâm nguyên tử). Và ấn định
những tham số nhằm cải thiện việc xử lý công việc của AM1. Nó liên quan với

những liên kết hidro riêng biệt, đa ra những dự đoán chính xác hoạt tính cản trở
đối với nhiều phản ứng, và đa ra nhiệt hình thành của những phân tử với sai một
sai số mà nó nhỏ hơn 40% so với MNDO.
III.2.9. Phơng pháp PM3 (Parametric Model 3) .
PM3 là một sự tham số hoá lại của AM1, mà nó đợc dựa trên sự gần đúng
bỏ qua xen phủ vi phân hai nguyên tử NDDO. NDDO giữa lại tất cả các số hạng
phủ vi phân một tâm khi tích phân Coulomb và tích phân trao đổi đã đợc tính.
PM3 chỉ khác với AM1 trong các giá trị của các tham số. Những tham số đối với
PM3 đã đợc rút ra bằng cách so sánh sự khác nhau rộng hơn lớn hơn của các trái
ngợc thực nghiệm đã tính ra các tính chất phân tử. Đặc biệt các tơng tác không
liên kết thì tơng tác đẩy trong PM3 ít hơn trong AM1. PM3 đợc sử dụng chủ yếu
cho các phân tử hữu cơ, nhng ngoài ra nó cũng tham số hoá đợc cho nhiều
nguyên tố nhóm chính và một vài kim loại chuyển tiếp.
III.2.10. ZINDO/1.
Phơng pháp ZINDO/1 là phơng pháp thích hợp nhất trong Hyperchem đối
với việc khảo sát cấu trúc và năng lợng của các phân tử nhất hoặc thứ hai của dãy
kim loại chuyển tiếp.

11

Khả năng biểu diễn các tính toán MO trên kim loại là cực kì hữu ích bởi vì
các phơng pháp cơ học phân tử nhìn chung là không có khả năng xử lý các kim
loại. Điều này do các kim loại có một phạm vi hoá trị, trạng thái oxi hoá, độ bội
spin tơng đối rộng, và có những trạng thái liên kết bất thờng (vi dụ nh liên kết d

-
p

). Ngoài ra, bản chất của liên kết kim loại ít tuân theo sự giải thích bởi mô hình
một quả cầu và lò xo.

Ngợc lại, những yếu tố này điều khiển quá trình tính toán MO trên các kim
loại mà kết quả tạo ra kém tin cậy hơn các hợp chất hữu cơ.
III.2.11. ZINDO/S.

ZINDO/S đợc tham số hoá để tạo lại sự chuyển đổi quang phổ, vì vậy
chúng ta không sử dụng phơng pháp này để tối u hình học. Bạn có thể đạt đợc sự
tính toán tốt hơn khi tính toán điểm đơn (Single point) với ZINDO/S trên một cấu
trúc hình học đã nhận đợc từ Model Build hay một sự tối u sử dụng một phơng
pháp khác của Hyperchems, hoặc một phơng pháp nào đó.
Đối với phức kim loại chuyển tiếp với một vài sự xắp xếp spin có thể, một sự tính
toán phân tách trong đó mỗi độ bội spin có thể đòi hỏi trạng thái cơ bản của phức.
Khi tính phổ UV-VIS bạn nên tính toán đơn CI. Tính toán RHF hoặc UHF
là đủ để tạo lại thứ tự riêng của các MO trong các phức tốt nhất.
III.3. Hiệu quả sử dụng của các phơng pháp tính gần đúng.
Mỗi phơng pháp áp dụng hiệu quả trên một số đối tợng và cho kết quả tốt
về một số tính chất lợng tử. Việc lựa chọn phơng pháp tối u để khảo sát đối tợng
căn cứ vào các yếu tố sau :
+ Mức độ chính xác : Các phơng pháp có thể cho các kết quả khác nhau
về một số tính chất nào đó của phân tử. Phơng pháp có độ tin cậy cao hơn khi nó
cho kết quả phù hợp với thực nghiệm hơn. Ví dụ phơng pháp AM1 và PM3 chính
xác hơn CNDO.
+ Đối tợng cần tính toán: Phơng pháp MINDO/3 áp dụng cho phân tử
hữu cơ lớn, cation, hợp chất hữu cơ chứa nhiều nhóm nitrô; MNDO thích hợp với
các phân tử hữu cơ có các nguyên tố của 1 và 2 của bảng hệ thống tuần hoàn,
không tơng tác hydrogen liên phân tử, AM1, và PM3 thích hợp với những phân tử
hữu cơ có các nguyên tố của chu kì I , II (trừ kim loại chuyển tiếp với AM1),
ZINDO/1, PM3 là phơng pháp thích hợp nhất đối với việc xác định cấu trúc và
năng lợng của phân tử của các kim loại chuyển tiếp (riêng PM3 chỉ thích hợp với
một vài kim loại chuyển tiếp nh Fe, Cu, Co,...)

12

+Thời gian tính toán: Phơng pháp Ab-initio chính xác hơn phơng pháp
bán kinh nghiệm song nó không áp dụng đối với phân tử lớn và vừa, vả lại đòi hỏi
nhiều bộ nhớ và thời gian sử dụng CPU hơn nhiều.
VI.Vài nét về các phần mềm hoá học hịên đại.
VI.1. Hyperchem.
Hyperchem là phần mềm đa chức năng với giao diện sinh động, kết hợp
chặt chẽ giữa các phơng pháp bán kinh nghiệm , AB-INTINO, molercular
mechanic, có thể tính đợc tần số dao động, trạng thái chuyển tiếp, trạng thái kích
thích , động lực học phân tử, và mô phỏng Monte Carlo.
Các trờng lực bao gồm MM+; OPLS; BIO+; và AMBER. Các thông số đợc
tự động điều chỉnh. Các phơng pháp bán kinh nghiệm bao gồm CNDO, INDO,
MINDO/3, AM1, ZINDO/S, ZINDO/d.
VI.2 .Chem3D
Chem3D là chơng trình hoá học lợng tử mô phỏng có thể chạy trên môi tr-
ờng Windows 98 hoặc Window 2000. Dữ liệu đầu vào đợc lấy bằng phép đồ hoạ
(Tơng tự Hyperchem) thông qua chơng trình Chem Draw. Trong quá trình tính
toán chơng trình tiến hành đồng thời cả tối u hoá cấu hình để xác định cấu dạng
bền nhất tơng ứng với lệnh của ngời sử dụng. Mô tả phân tử dới dạng hình vẽ lập
thể động và đa ra các kết quả các thông số lợng tử của phân tử .
VI.3. MOPAC.
Mopac 6.0 có hệ thống gồm 73 từ khoá để ngời sử dụng lựa chọn tuỳ theo mục
đích nghiên cứu với phân tử khảo sát . Dữ liệu đầu vào đợc lấy dới dạng một khối
văn bản, gồm từ khoá , tên của hệ khảo sát , các thông số về cấu trúc dới dạng hệ
toạ độ nội của phân tử . Ngoài ra dữ liệu dầu vào có thể lấy trực tiếp từ chơng
trình Chem3D.
Kết quả đợc đa ra dới dạng ma trận hoặc các bảng về cấu trúc phân tử nh
độ dài liên kết A
o

, góc liên kết , góc vặn , toạ độ nguyên tử theo toạ độ Descarts
và các tính chất phân tử nh mật độ electron , điện tích hiệu dụng ...

13

phần hai: Đối tợng và phơng pháp nghiên
cứu
I. Đối tợng nghiên cứu.
Năm dãy hợp chất hữu cơ với các nhóm thế khác nhau và tại các vị trí khác
nhau:
+ Dãy 1,2,4-triazol ( T) : 6 phân tử.
+ Dãy piridin ( P) : 9 phân tử.
+ Dãy Hidrazol ( H) : 6 phân tử.
+ Dãy Quinolin ( Q) : 9 phân tử
+ Dãy Oxađiazol (A ) : 6 phân tử.
Và dãy phức chất Fe(py)
2
2+
Cl
2
( đợc hình thành trên bề mặt kim loại Fe
khi các phân tử chất ức chế ăn mòn hấp phụ trên bề mặt đó).
Việc nghiên cứu thực nghiệm về khả năng ức chế ăn mòn đợc tiến hành
cho dãy 1,2,4- triazol và dãy Oxađiazol.
Xác định các thông số lợng tử đợc tiến hành cho cả 6 dãy chất trên.
II. Phơng pháp nghiên cứu .
II.1. Đo tốc độ ăn mòn (Phơng pháp điện hoá).
* Cơ sở:
Trạng thái tự nhiên của hệ ăn mòn là không có dòng điện do các qúa trình
điện cực cân bằng với nhau ( về giá trị đại số nhng trái dấu nhau ). Đo ăn mòn

điện hoá tức là đo dòng điện i
corr
và thế điện cực E
corr
của hệ, tức là đo đờng cong
phân cực bằng cách phân cực hệ ra khỏi trạng thái cân bằng của nó rồi ngoại suy
về trạng thái không có dòng điện. ở đây sử dụng phơng pháp đo điện thế ổn định
( điện thế dừng), xây dựng đờng cong phân cực, từ đờng cong phân cực tính tốc
độ ăn mòn.
* Cách tính: Tính tốc độ ăn mòn từ đờng cong phân cực theo hai cách:

14

+ Phơng pháp ngoại suy Tafel:
Bớc 1: Đo thế nghỉ ( Xác định E
corr
).
Bớc 2: Phân cực anot, catot, xây dựng đờng cong E-lgi.
Bớc 3: Ngoại suy một phần đờng cong tìm icorr, E
corr
Chú ý: Đồ thị xây dựng đợc bằng ngoại suy trên đoạn thẳng nhất của đờng cong
trên một miền điện thế đủ dài ( 50- 100 mV), E
pc
-E
corr


20 mV, thế rơi và phân
cực nồng độ đợc hiệu chỉnh đến nhỏ nhất.
Ngoại suy miền catot cho đồ thị U

catot
= ac + bc* logi
Ngoại suy miền anot cho đồ thị U
a
= ac + ba * logi
Hai đờng giao nhau tại điểm có tạo độ ( i
corr
, E
corr
).
+ Phơng pháp điện trở phân cực:
Xác định điện trở phân cực Rp của hệ ăn mòn, tức là độ dốc đờng cong
phân cực tại thế ổn định.
Bớc 1: Đo thế nghỉ ( Xác định Ecorr).
Bớc 2: Phân cực anot, catot, xây dựng đờng cong E-i.
Bớc 3: Ngoại suy một phần đờng cong tìm icorr, Ecorr.

15

* cách tiến hành:
Xử lí các điện cực sạch, lắp đặt hệ thống máy, vào chơng trình
Potentiadynamic. Vào lệnh Adj.zero đợi máy điều chỉnh về điểm không. Vào
lệnh Autochecking Ur, máy đo thế nghỉ và cho kết quả hiện trên máy. Đặt các
thông số khác.
Theo dõi liên tục máy đo, sau 5' ghi lại giá trị thế nghỉ đến khi thấy giá trị
thế nghỉ ổn định( 30') , tiến hành phân cực anot, catot, xây dựng đồ thị E-i và E-
lgi, tiến hành ngoại suy, tính mật độ dòng ăn mòn và điện trở phân cực. Tính toán
theo công thức (1) và (2).
II.2. Tính toán theo cơ học lợng tử.
Tính theo quy trình chung cho các phân tử .

1. Nhập dữ liệu đầu vào bằng cách vẽ sơ lợc khung phân tử bằng Chem
Draw.
2. Xác định cấu dạng, các thông số lợng tử của phân tử, các tính chất của
phân tử bằng phơng pháp tối u hoá (Chem3D).
3. Chạy Hyperchem để xác định mật độ điện tích trên các nguyên tử,
momen lỡng cực, thể tích nhóm thế, năng lợng tổng, năng lợng liên kết, nhiệt
hình thành...
4. Chạy MoPac, lấy kết quả và so sánh các giá trị thu đợc từ các phơng
pháp trên.
5. Xử lí số liệu , vẽ đồ thị, tiến hành hồi quy tuyến tính trên Microsoft
Excel.

16

phần ba: Kết quả và thảo luận.
I. Kết quả đo ức chế ăn mòn theo phơng pháp điện hoá.
Bảng 1: Kết quả đo ức chế ăn mòn cho hợp chất 1,2,4- triazol theo phơng
pháp điện hoá.
Phơng pháp ngoại suy Taffel Đo điện trở
phân cực
Chất
Kí
hiệu
Thế
nghỉ
Ur
i
corr
.10
2

Z%
bv
10
-
3
.R
p
Z%
bv
HCl -0.43 3.34 4.87
CH
2
=CH-CH
2
-
OH
OCH
3
T1 -0.38 1.25 62.57 14.2 65.70
C
3
H
7
OCH
2
CH
2
-
N
NH

N
NH
T2 -0.42 0.74 77.84 21.6 77.45
C
3
H
7
OCH
2
N
NH
N
S
NH
2
T3 -0.42 0.36 89.07 72.3 93.26
C
3
H
7
OCH
2
C
O
-NH-NH-C-NH-
S
T4 -0.38 0.39 88.32 53.6 90.91
N
NH
N

S
C
3
H
7
OCH
2
NO
2
N=CH
T5 -0.37 0.41 87.72 38.0 87.18
N
NH
N
S
C
3
H
7
OCH
2
NO
2
N=CH
T6 -0.39 0.95 71.56 18.7 73.96
Bảng 2: Kết quả đo ức chế ăn mòn cho hợp chất theo phơng pháp điện hoá.

17

Phơng pháp ngoại suy Taffel

Đo điện trở
phân cực
Chất
Kí
hiệu
Thế
nghỉ
Ur
i
corr
.10
Z%
bv
0,1.R
p
Z%
bv
HCl -0.95 7.404 3.984
C
O
N N C
H
H
A1 -0.92 4.408 40.47 7.053 43.52
N N
O
A2 -0.91 4.050 45.30 7.762 48.67
N N
O
H

C
H
C
A3 -0.92 4.000 45.98 7.835 49.15
C
O
N N C
H
H
C
H
H
A4 -0.92 2.197 70.33 14.05 71.66
N N
O
N
CH
3
CH
3
A5 -0.93 2.485 66.44 10.20 60.95
C
O
N N C
H
H
N
CH
3
CH

3
A6 -0.91 6.620 10.59 4.510 11.67
Từ kết quả ở hai bảng 1 và 2 ta thấy:

18

+ Tất cả các chất thuộc hai dãy trên đều có khả năng ức chế ăn mòn với
hiệu quả bảo vệ khá cao ( mặc dù hàm lợng chất ức chế rất nhỏ: 0.3 gam trong
1lit dung dịch HCl 1N ).
+ Hiệu suất bảo vệ thu đợc theo hai phơng pháp trên tơng đồng nhau,
chứng tỏ kết quả thu đợc là hoàn toàn đủ độ tin cậy.
Và vì vậy có thể sử dụng các kết quả đo trên để làm cơ sở cho các bớc tính
toán tiếp theo.

19

II. Quan hệ giữa khả năng ức chế ăn mòn và giá trị năng lợng Delta.
Bảng 3: Các thông số của dãy Hidrazol.
C= N- NH- C
O
CH
3
OH
Y
Y Kí hiệu E
HOMO
( eV) E
LUMO
( eV) DELTA ( eV) Z% bv
NH

2
H
1
-9.004157 -0.375358 -8.628799 69
CH
3
H
2
-8.93045 -0.312675 -8.617775 70
OH
H
3
-9.007043 -0.499072 -8.507971 66
Cl
H
4
-9.061312 -0.640198 -8.421114 63
Br
H
5
-9.066148 -0.677912 -8.388236 59
NO
2
H
6
-9.187815 -1.467859 -7.719956 56
Quan hệ giữa khả năng ức chế ăn mòn và Delta
của dãy Hidrazol
56
59

63
69
70
66
0
20
40
60
80
-8.629 -8.618 -8.508 -8.421 -8.388 -7.72
Delta (eV)
Z% bv
Đồ thị 1: Quan hệ giữa giá trị năng lợng Delta và khả năng ức chế ăn mòn kim
loại của dãy Hidrazol.

20

Bảng 4: Các thông số của dãy Quinolin
1
2
3
5
4
N
6
7
8
Nhóm thế Kí hiệu E
HOMO
(eV) E

LUMO
(eV) DELTA (eV) Zbv (%)
H
Q1 -9.181257 -0.466682 -8.714575 59
2-CH
3
Q2 -9.086826 -0.413607 -8.673219 86
3-NH
2
Q3 -9.081061 -0.442296 -8.638765 94
3-Cl
Q4 -9.297091 -0.704629 -8.592462 98
3-Br
Q5 -9.344075 -0.757449 -8.586626 98
6-Cl
Q6 -9.277637 -0.702699 -8.574938 82
8-CH
3
Q7 -8.934209 -0.453547 -8.480662 82
8-OCH
3
Q8 -9.016154 -0.564053 -8.452101 86
8-OH
Q9 -8.761261 -0.454435 -8.306826 82
Quan hệ giữa Delta và khả năng ức chế ăn mòn của các
Quinolin
82
86
82
82

98
59
86
94
98
40
50
60
70
80
90
100
-8.71 -8.67 -8.64 -8.59 -8.59 -8.57 -8.48 -8.45 -8.31
Delta (eV)
Zbv (%)
Đồ thị 2: Quan hệ giữa giá trị năng lợng Delta và khả năng ức chế ăn mòn kim
loại của dãy Quinolin.
Bảng 5: Các thông số lợng tử của dãy Triazol

21

Hợp chất E
HOMO
(eV) E
LUMO
(eV) DELTA (eV) Zbv (%)
T1
-8.72325 0.53817 -9.26142 65.704
T2
-8.87000 -0.23915 -8.63083 77.454

T3
-8.79600 -1.74 -7.056 93.264
T4
-7.79275 0.08166 -8.00921 90.914
T5
-9.0682 -1.60541 -7.4628 87.184
T6
-8.7456 -1.34685 -7.3988 73.957
Quan hệ giữa Delta và khả năng ức chế ăn mòn của
dãy Triazol
77.454
73.957
93.264
87.184
90.914
65.704
40
50
60
70
80
90
100
-9.261 -8.631 -8.009 -7.463 -7.399 -7.056
Delta (eV)
Z% bv
Đồ thị 3: Quan hệ giữa giá trị năng lợng Delta và khả năng ức chế ăn mòn kim
loại của dãy Triazol.

22

Bảng 6: Các thông số lợng tử của dãy Piridin
1
2
3
6
4
N
5
Nhóm thế Kí Hiệu E
HOMO
(eV) E
LUMO
(eV) DELTA (eV) Z
bv
(%)
H
P
1
-9.93202 0.138345 -10.070365 13
2-CH
3
P
2
-9.6272 0.149925 -9.777125 19
3-CH
3
P
3
-9.63772 0.133412 -9.771132 14

2-Cl
P
4
-9.879054 -0.22961 -9.649444 28
2,4,6-(CH
3
)
3
P
5
-9.357102 0.237259 -9.594361 38
3-Br
P
6
-9.87489 -0.322184 -9.552706 86
3-CHO
P
7
-10.315195 -0.780877 -9.534318 77
2-OCH
3
P
8
-9.28786 0.198624 -9.486484 73
3-OH
P
9
-9.405603 0.074433 -9.480036 21
Quan hệ giữa Delta và khả năng ức chế ăn mòn các Piridin
13

19
14
28
38
86
77
73
21
0
20
40
60
80
100
-10.07 -9.7771 -9.7711 -9.6494 -9.5944 -9.5527 -9.5343 -9.4865 -9.48
Delta (eV)
Zbv (%)
Đồ thị 4: Quan hệ giữa giá trị năng lợng Delta và khả năng ức chế ăn mòn kim
loại của dãy Piridin.
Bảng 7: Các thông số lợng tử của dãy Oxađiazol

23

Hợp chất E
HOMO
(eV) E
LUMO
(eV) DELTA (eV) Zbv (%)
A1 -8.8449 -0.3778 -8.4671 40.47
A2 -8.5718 -0.4898 -8.0820 45.30

A3 -9.0164 -0.9788 -8.0376 45.98
A4 -8.0465 -0.2713 -7.7752 70.33
A5 -8.7914 -1.0819 -7.7095 66.44
A6 -8.2985 -0.7820 -7.5165 10.59
Quan hệ giữa Delta và khả năng ức chế ăn mòn
của dãy Oxađiazol
40.5
45.3
46
70.3
66.4
10.6
0
20
40
60
80
-8.47 -8.08 -8.04 -7.78 -7.71 -7.52
Delta (eV)
Z% bv
Đồ thị 5: Quan hệ giữa giá trị năng lợng Delta và khả năng ức chế ăn mòn kim
loại của dãy Oxađiazol.
Từ kết quả đa ra trong các bảng trên ta thấy:

24

- Khả năng ức chế ăn mòn của cả năm dãy chất đợc khảo sát đều có quan
hệ chặt chẽ với giá trị năng lợng

(

= E
HOMO
- E
LUMO
HOMO: Highest
occupied molecular orbital; LUMO: Lowest unoccuoied molecular orbital). Khi

tăng, Z
bv
tăng. Nhng đến một giá trị giới hạn

max , thì khi

tăng, E lại
giảm.
+ Với dãy Quinolin:

max = -8.59 eV
+ Với dãy Hidrazol:

max = -8.62 eV
+ Với dãy Triazol :

max = -8.01 eV
+ Với dãy Piridin :

max = -9.55 eV
+ Với dãy Oxađiazol:

max = - 7.78 eV.
- Sự chênh lệch năng lợng

giữa năng lợng của obitan bị chiếm đầy cao
nhất và obitan cha bị chiếm thấp nhất có vai trò quy định khả năng phản ứng
( khả năng cho eletron ) của các hợp chất hữu cơ. Khi

tăng về giá trị âm, tức
giảm về trị tuyệt đối thì khả năng cho e của phân tử tăng lên. Và do vậy khả năng
bị hấp phụ lên bề mặt kim loại tăng, đồng nghĩa với việc tăng khả năng ức chế.
Tuy nhiên khi khả năng cho electron của một hợp chất quá cao, sẽ phản ứng với
các chất khác nhau trong dung dịch ăn mòn, trớc khi đợc hấp phụ trên bề mặt vật
liệu. Do vậy mà khi tăng đến giá trị

max, khả năng ức chế ăn mòn lại giảm.
- Giá trị

max ( tại đó khả năng ức chế ăn mòn là lớn nhất ), dao động
trong khoảng từ (-7.78) đến (-8.62) eV. Các giá trị này không trùng nhau, là do
kết quả về khă năng ức chế ăn mòn của các dãy chất khác nhau thu đợc trong các
điều kiện thực nghiệm khác nhau về vật liệu làm điện cực; dung dịch ăn mòn và
phơng pháp đo.
+ Với dãy Quinolin: dd HNO
3
3N ; Điện cực thép.
+ Với dãy Hidrazol: dd HNO
3
1N ; Điện cực Cu.
+ Với dãy Triazol: dd HCl 1N ; Điện cực thép CT3.
+ Với dãy Piridin: dd HCl 3N ; Điện cực thép.

+ Với dãy : dd HCl 1N ; Điện cực Zn.
- Trong một số trờng hợp, kết quả thu đợc không đúng với quy luật trên,
chứng tỏ chỉ với giá trị Delta, không đủ để giải thích và đa ra một kết luận đầy đủ
về khả năng ức chế ăn mòn của các hợp chất hữu cơ. Nh vậy khả năng ức chế ăn
mòn không những phụ thuộc vào giá trị năng lợng Delta mà còn phụ thuộc nhiều
yếu tố khác.
Để chứng minh nhận định trên, chúng ta tiếp tục tìm hiểu quan hệ giữa
khả năng ức chế ăn mòn và các thông số lợng tử khác của phân tử chất ức chế
cũng nh của các phân tử phức hình thành trong quá trình hấp phụ chất ức chế lên
bề mặt kim loại.

25