Nghiên cứu tính chất quang của cấu trúc một chiều ZnS chế tạo bằng phương pháp bốc bay nhiệt (Luận án tiến sĩ)

BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO
TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI

NGUYỄN VĂN NGHĨA

NGHIÊN CỨU TÍNH CHẤT QUANG CỦA CẤU TRÚC
MỘT CHIỀU ZnS CHẾ TẠO BẰNG PHƯƠNG PHÁP
BỐC BAY NHIỆT

LUẬN ÁN TIẾN SĨ KHOA HỌC VẬT LIỆU

Hà Nội - 2018


BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO
TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI

NGUYỄN VĂN NGHĨA

NGHIÊN CỨU TÍNH CHẤT QUANG CỦA CẤU TRÚC
MỘT CHIỀU ZnS CHẾ TẠO BẰNG PHƯƠNG PHÁP
BỐC BAY NHIỆT

Ngành: Khoa học vật liệu
Mã số: 9440122

LUẬN ÁN TIẾN SĨ KHOA HỌC VẬT LIỆU

NGƯỜI HƯỚNG DẪN KHOA HỌC:
1. TS. NGUYỄN DUY HÙNG
2. TS. NGUYỄN DUY CƯỜNG

Hà Nội - 2018


LỜI CAM ĐOAN
Tôi xin cam đoan đây là công trình nghiên cứu của riêng tôi dưới sự hướng dẫn của
Tiến sĩ Nguyễn Duy Hùng và Tiến sĩ Nguyễn Duy Cường. Các kết quả nghiên cứu trong
luận án là trung thực, chính xác, khách quan và chưa từng được công bố bởi bất kì tác giả
nào.
Thay mặt tập thể hướng dẫn

Hà Nội, ngày

tháng

năm 2018

Nghiên cứu sinh

Nguyễn Văn Nghĩa

TS. Nguyễn Duy Hùng

i


LỜI CẢM ƠN
Dân tộc ta có câu “Không thầy đố mày làm nên”. Lời đầu tiên, từ đáy lòng mình
em xin chân thành cảm ơn tập thể hướng dẫn: Tiến sĩ Nguyễn Duy Hùng và Tiến sĩ
Nguyễn Duy Cường, những người thầy đã luôn ở bên hỗ trợ em trong suốt bốn năm dưới

ngôi nhà AIST yêu dấu. Tiến sỹ Nguyễn Duy Hùng là người định hướng con đường khoa
học cho em, luôn theo sát quá trình học tập, thí nghiệm, cung cấp cho em những kiến thức
khoa học còn hổng, đặt ra những yêu cầu khắt khe nhưng luôn khuyến khích em sáng tạo,
tìm ra cái mới trong khoa học. Tiến sỹ Nguyễn Duy Cường với những góp ý sâu sắc về
phương pháp nghiên cứu. Các thầy là những tấm gương sáng cho em học hỏi về tác phong
khoa học, kiến thức chuyên ngành, sự nhiệt huyết và nghiêm túc trong công việc. Em cũng
bày tỏ sự biết ơn đến tất cả các thầy cô trong Viện Tiên tiến Khoa học và Công nghệ
(AIST), Trường Đại học Bách Khoa Hà Nội đã dạy dỗ và giúp đỡ em trong suốt thời gian
học tập ở Viện. Đặc biệt, em bày tỏ sự kính yêu và cảm ơn đến PGS.TS. Phạm Thành Huy,
thầy là người đầu tiên em gặp tại Viện và là người đã trao cho em cơ hội để được vào
nhóm nghiên cứu của TS. Nguyễn Duy Hùng.
Để có được kết quả nghiên cứu này, không thể không kể đến sự giúp đỡ và tạo điều
kiện tối đa của cơ quan em đang công tác. Em xin được gửi lời cảm ơn sâu sắc đến Ban
Giám hiệu Trường Đại học Thủy Lợi, Phòng Tổ chức cán bộ, Phòng Tài vụ, Ban chủ
nhiệm khoa Năng lượng cùng toàn thể anh chị em đồng nghiệp trong bộ môn Vật lý đã hỗ
trợ em cả về vật chất và tinh thần, cũng như tạo điều kiện cho em sắp xếp công việc hài
hòa giữa giảng dạy và nghiên cứu, giúp em có đủ thời gian để có thể hoàn thành luận án.
Nếu không có hậu phương vững chắc thì thật khó có thể có chiến thắng nào vẻ
vang. Xin được cảm ơn gia đình nội ngoại hai bên đã luôn động viên em trong suốt thời
gian nghiên cứu. Đặc biệt, sự hy sinh thầm lặng của người bạn cùng phòng Nguyễn Thị
Huyền Anh. Người ta nói rằng đằng sau sự thành công của một người đàn ông luôn có
bóng dáng của một người phụ nữ, câu nói ấy thật đúng. Cảm ơn Huyền Anh cùng hai con
Nguyễn Nguyên Phong và Nguyễn Nguyên Thăng, những người vừa là điểm tựa, vừa là
chất xúc tác cho mọi nỗ lực phấn đấu của em trong cuộc sống.
Sẽ không trọn vẹn nếu thiếu lời cảm ơn gửi tới bạn bè và anh chị em đồng môn. Em
xin bày tỏ sự biết ơn đến Tiến sĩ Đỗ Quang Trung, người anh đi trước, rất vô tư, nhiệt tình,
chỉ cho em từng động tác thí nghiệm trong những ngày đầu bỡ ngỡ. Anh như người thầy
thứ ba hướng dẫn em trên bước đường nghiên cứu khoa học. Xin được cảm ơn anh chị em

ii

nghiên cứu sinh, học viên cao học, sinh viên tại Viện AIST đã luôn đồng hành cùng em
trên bước đường nghiên cứu, cho em những giây phút ấm cúng và những năm tháng không
thể nào quên. Em cũng xin được gửi lời cảm ơn đến bạn bè ngoài Viện đã luôn động viên
em trong suốt quá trình học tập, nghiên cứu cũng như trong cuộc sống.
Hà Nội, ngày

tháng

năm 2018

Tác giả luận án

Nguyễn Văn Nghĩa

iii


MỤC LỤC
LỜI CAM ĐOAN ................................................................................................................... i
LỜI CẢM ƠN........................................................................................................................ ii
DANH MỤC KÝ TỰ VIẾT TẮT ....................................................................................... vii
DANH MỤC CÁC BẢNG ................................................................................................. viii
DANH MỤC CÁC HÌNH VẼ, ĐỒ THỊ ............................................................................ viii
MỞ ĐẦU ............................................................................................................................... 1
1. Lý do chọn đề tài ........................................................................................................... 1
2. Nhiệm vụ nghiên cứu ..................................................................................................... 3
3. Phương pháp nghiên cứu ............................................................................................... 3
4. Ý nghĩa khoa học của đề tài ........................................................................................... 3

5. Những đóng góp mới của luận án .................................................................................. 4
6. Bố cục của luận án ......................................................................................................... 4
CHƯƠNG 1: TỔNG QUAN VỀ CÁC CẤU TRÚC THẤP CHIỀU ZnS ............................ 6
1.1. Giới thiệu chung về vật liệu ZnS ................................................................................ 6
1.2. Các phương pháp chế tạo cấu trúc thấp chiều ZnS ..................................................... 8
1.2.1. Các phương pháp hóa học .................................................................................... 8
1.2.2. Các phương pháp vật lý...................................................................................... 10
1.2.3. Cơ chế mọc của các cấu trúc thấp chiều chế tạo bằng phương pháp bốc bay
nhiệt .............................................................................................................................. 11
1.3. Tính chất quang của các cấu trúc thấp chiều ZnS..................................................... 14
1.3.1. Phát xạ vùng - vùng của các cấu trúc thấp chiều ZnS ........................................ 14
1.3.2. Các phát xạ trong vùng nhìn thấy của các cấu trúc thấp chiều ZnS ................... 16
1.4. Tính chất quang của các cấu trúc nano lai hóa giữa ZnS với ZnO ........................... 19
1.5. Tính chất quang của các cấu trúc thấp chiều ZnS pha tạp kim loại chuyển tiếp ...... 21
1.6. Kết luận chương 1 ..................................................................................................... 24
CHƯƠNG 2: PHƯƠNG PHÁP BỐC BAY NHIỆT VÀ MỘT SỐ PHƯƠNG PHÁP
KHẢO SÁT CÁC ĐẶC TÍNH CỦA VẬT LIỆU ............................................................... 27

iv


2.1. Phương pháp bốc bay nhiệt ....................................................................................... 27
2.2. Phương pháp đo phổ huỳnh quang (PL) và phổ kích thích huỳnh quang (PLE) ...... 29
2.3. Phương pháp đo giản đồ nhiễu xạ tia X (XRD) ........................................................ 29
2.4. Phương pháp đo phổ tán xạ Raman .......................................................................... 31
2.5. Phương pháp chụp ảnh nhờ kính hiển vi điện tử truyền qua (TEM) ........................ 32
2.6. Phương pháp chụp ảnh nhờ kính hiển vi điện tử quét (SEM) .................................. 32
2.7. Phổ tán sắc năng lượng tia X (EDS) ........................................................................ 33
2.8. Phổ quang điện tử tia X (XPS) ................................................................................. 33
2.9. Kết luận chương 2 ..................................................................................................... 35

CHƯƠNG 3: NGHIÊN CỨU ẢNH HƯỞNG CỦA CÁC ĐIỀU KIỆN CHẾ TẠO LÊN
TÍNH CHẤT QUANG CỦA CẤU TRÚC THẤP CHIỀU ZnS ......................................... 36
3.1. Đặt vấn đề ................................................................................................................. 36
3.2. Nghiên cứu ảnh hưởng của lớp SiO2 trên đế silic lên hình thái, thành phần, cấu trúc
và tính chất huỳnh quang của ZnS ................................................................................... 37
3.2.1. Các thông số thí nghiệm ..................................................................................... 37
3.2.2. Hình thái và thành phần của các cấu trúc ZnS chế tạo trên đế Si và đế Si/SiO2 38
3.2.3. Nghiên cứu pha của các đai micro mọc trên các đế Si và Si/SiO2 ..................... 40
3.2.4. Tính chất quang của các đai ZnS chế tạo trên các đế Si và Si/SiO2................... 42
3.3. Ảnh hưởng của nhiệt độ đế và khoảng cách bốc bay lên hình thái, cấu trúc và tính
chất quang của cấu trúc thấp chiều ZnS .......................................................................... 47
3.4. Ảnh hưởng của nhiệt độ bốc bay tại một vị trí đặt đế lên tính chất huỳnh quang của
các cấu trúc ZnS ............................................................................................................... 52
3.5. Ảnh hưởng của thời gian bốc bay lên tính chất huỳnh quang của các cấu trúc ZnS 54
3.6. Khảo sát các cấu trúc dạng đai và dây ZnS cho phát xạ mạnh do chuyển mức vùngvùng ................................................................................................................................. 55
3.7. Kết luận chương 3 ..................................................................................................... 60
CHƯƠNG 4: NGHIÊN CỨU SỰ TĂNG CƯỜNG HUỲNH QUANG VÀ PHÁT XẠ
LAZE CỦA CẤU TRÚC LAI HÓA ZnS-ZnO ................................................................... 62

v


4.1. Đặt vấn đề ................................................................................................................. 62
4.2. Các thông số thí nghiệm ........................................................................................... 63
4.3. Pha của các đai ZnS-ZnO chế tạo bằng phương pháp bốc bay nhiệt........................ 63
4.4. Hình thái và thành phần của các đai ZnS - ZnO. ...................................................... 65
4.5. Liên kết giữa các nguyên tố trong các đai ZnS-ZnO ................................................ 67
4.6. Tính chất quang của các đai micro ZnS-ZnO ........................................................... 68
4.7. Kết luận chương 4 ..................................................................................................... 72
CHƯƠNG 5: NGHIÊN CỨU ẢNH HƯỞNG CỦA CÁC ION Mn2+ VÀ Cu2+ LÊN CÁC

PHÁT QUANG DO SAI HỎNG TRONG MẠNG NỀN ZnS............................................ 73
5.1. Đặt vấn đề ................................................................................................................. 73
5.2. Các thông số thí nghiệm ........................................................................................... 74
5.3. Hình thái và thành phần của các cấu trúc ZnS:Mn và ZnS:Cu ................................. 74
5.4. Pha và thành phần của các đai micro ZnS không pha tạp và pha tạp Mn và Cu ...... 77
5.5. Ảnh hưởng của Mn2+ và Cu2+ lên tính chất quang của các đai micro ZnS ............... 78
5.6. Kết luận chương 5 ..................................................................................................... 82
KẾT LUẬN CHUNG VÀ KIẾN NGHỊ .............................................................................. 83
TÀI LIỆU THAM KHẢO ................................................................................................... 85
DANH MỤC CÁC CÔNG TRÌNH ĐÃ CÔNG BỐ CỦA LUẬN ÁN ............................. 100

vi


DANH MỤC KÝ TỰ VIẾT TẮT
TT

KÍ HIỆU

TÊN TIẾNG ANH

TÊN TIẾNG VIỆT

1

VLS

Vapor - Liquid – Solid

Hơi-lỏng-rắn

2

VS

Vapor – Solid

Hơi-rắn

3

CVD

Chemical Vapor Deposition

Lắng đọng hơi hóa học

4

MOCVD

Metalorganic Chemical Vapor

Lắng đọng hơi hóa học hữu cơ kim

Deposition

loại

5

FESEM

Field Emission Scanning Electron
Microscopy

Kính hiển vi điện tử quét phát xạ
trường

6

HRTEM

High-resolution Transmission

Kính hiển vi điện tử truyền qua độ

Electron Microscopy

phân giải cao

7

EDS

Energy DispersiveX-ray
Spectroscopy

Phổ tán sắc năng lượng tia X

8

XRD

X-ray Diffraction

Nhiễu xạ tia X

9

PL

Photoluminescence Spectrum

Phổ huỳnh quang

10

PLE

Photoluminescence Excitation
Spectrum

Phổ kích thích huỳnh quang

11

XPS

X-ray PhotoelectronSpectroscopy

Phổ kế quang điện tử tia X

12

TO

Transverse Optical

Quang ngang

13

LO

Longitude Optical

Quang dọc

14

TA

Transverse Acoustic

Âm ngang

15

LA

Longitudinal Acoustic

Âm dọc

16

SAED

Selected Area Electron Diffraction

Nhiễu xạ điện tử vùng lựa chọn

vii


DANH MỤC CÁC BẢNG
Bảng 1.1. Bảng thống kê các cấu trúc nano thấp chiều ZnS chế tạo bằng phương pháp hóa
học, vùng nhiệt độ chế tạo và các tài liệu tham khảo tương ứng........................................... 9
Bảng 1.2. Bảng thống kê một số phương pháp vật lý để chế tạo các cấu trúc nano ZnS thấp
chiều, vùng nhiệt độ chế tạo và các tài liệu tham khảo tương ứng ...................................... 10
Bảng 1.3: Liệt kê các phát xạ trong vùng nhìn thấy của một số nhóm nghiên cứu và giải
thích về nguồn gốc gây nên các phát xạ này. ...................................................................... 17

DANH MỤC CÁC HÌNH VẼ, ĐỒ THỊ
Hình 1.1. Mô hình chỉ ra sự khác nhau giữa các cấu trúc tinh thể lục giác và lập phương:
(a,c,e): lục giác; (b,d,f): lập phương [158] ............................................................................ 6
Hình 1.2. Cấu trúc vùng năng lượng của ZnS (mức Fermi được đặt ở 0) [68] .................... 7
Hình 1.3. Một số hình thái điển hình của cấu trúc nano ZnS một chiều đã được chế tạo: (a)
ống nano, (b) thanh nano, (c) dây nano, (d) đai hay băng nano, (e) cáp nano [44]. .............. 8

Hình 1.4. Quá trình mọc của tinh thể Si theo cơ chế hơi-lỏng-rắn: a) Điều kiện ban đầu:
Giọt hợp kim Au-Si lỏng hình thành trên đế silic; b) Tinh thể Si mọc với giọt chất lỏng trên
đầu [133]. ............................................................................................................................. 12
Hình 1.5. Các quá trình xảy ra trong khi mọc xúc tác: (a) hạt xúc tác ở đáy dây nano, (b)
hạt xúc tác ở đỉnh dây nano, (c) mọc đa nhánh, (d) mọc đơn nhánh [72] ........................... 13
Hình 1.6. Phổ huỳnh quang catốt của các cấu trúc nano ZnS chế tạo bằng phương pháp
hóa ướt: a) băng nano; b) dây nano; c) ống nano [87]......................................................... 15
Hình 1.7. Phổ huỳnh quang của các dây nano ZnS chế tạo bằng phương pháp a) bốc bay
nhiệt [47] và b) chuyển pha hơi áp suất thấp [91] ............................................................... 15
Hình 1.8. Phổ PL của dây nano ZnS đo tại nhiệt độ phòng và được kích thích bởi nguồn
laze xung (266 nm) [143]; ................................................................................................... 16
Hình 1.9. (a) Ảnh SEM và (b) phổ PL của cấu trúc nano dạng dùi ZnS [161]; (c) ảnh TEM
và (d) phổ PL của đai nano ZnS [168]................................................................................. 17
Hình 1.10. (a) Phổ huỳnh quang của các dây nano lõi-vỏ ZnO/ZnS [123]; (b) Phổ huỳnh
quang của các băng nano hai mặt ZnS/ZnO [38]; (c) Phổ huỳnh quang catốt của các đai
nano ZnS/ZnO hai trục song song [148]; (d) Phổ huỳnh quang của các dây nano ZnO phủ
ZnS [84] ............................................................................................................................... 20
Hình 1.11. (a) Phổ huỳnh quang của các dây nano ZnO và ZnO phủ MgO [149]; (b) phổ
huỳnh quang của các đai nano lai hóa ZnO/ZnS [150] ....................................................... 21

viii


Hình 1.12. (a) Phổ huỳnh quang của các dây nano a) ZnS:Mn, b) ZnS: Cu; c) ZnS:Fe [10]
............................................................................................................................................. 22
Hình 1.13. Phổ PL của các cấu trúc a) ZnS:Mn [141] ; b) ZnS:Cu [28] và c) giản đồ năng
lượng của các cấu trúc ZnS, ZnS pha tạp Mn, pha tạp Cu và đồng pha tạp hai nguyên tố
trên [130] ............................................................................................................................. 22
Hình 1.14. Phổ huỳnh quang của các cấu trúc ZnS pha tạp a) Cu [151], b) Fe [140], c) Co
[108] và d) Ni [152]. ............................................................................................................ 23

Hình 2.1. a) Thiết bị thí nghiệm chế tạo các cấu trúc thấp chiều ZnS tại Viện Tiên tiến
Khoa học và Công nghệ, trường Đại học Bách khoa Hà Nội; b) Mô hình bố trí thí nghiệm
............................................................................................................................................. 28
Hình 2.2. Máy đo phổ PL và PLE Nanolog, Horiba Jobin Yvon. ..................................... 29
Hình 2.3. Máy đo giản đồ nhiễu xạ tia X. ........................................................................... 30
Hình 2.4. Máy đo phổ tán xạ Raman .................................................................................. 31
Hình 2.5. Kính hiển vi điện tử truyền qua. ......................................................................... 32
Hình 2.6. Kính hiển vi điện tử quét. ................................................................................... 33
Hình 2.7. Minh họa cách thu phổ XPS của đồng nguyên chất [57] ................................... 34
Hình 3.1. Ảnh FESEM với độ phóng đại thấp và cao của các đai ZnS: (a,b) chế tạo trên đế
Si/SiO2 và (c,d) trên đế Si. Phổ EDS của các đai ZnS: e) chế tạo trên đế Si/SiO2 và (f) trên
đế Si ..................................................................................................................................... 39
Hình 3.2. Giản đồ XRD của các đai micro ZnS chế tạo trên các đế Si/SiO2 và Si............. 40
Hình 3.3. Phổ Raman của các đai micro ZnS nuôi trên các đế Si/SiO2 và Si..................... 41
Hình 3.4. Phổ huỳnh quang PL tại nhiệt độ: a) 10 K và b) 300 K của các đai micro ZnS
nuôi trên các đế Si/SiO2 và Si dưới bước sóng kích thích 270 nm; c) đa đỉnh từ hình b. ... 43
Hình 3.5. a) Phổ huỳnh quang PL của màng SiO2:O và SiO2:S ở năng lượng kích thích
tương ứng 9,4 và 9,9 eV; b) Phổ kích thích huỳnh quang của các dải liên quan tới O (2,38
eV) và S (2,84 eV);c) Các hiệu ứng giao thoa trong phổ PLE của các màng mỏng. [8] .... 44
Hình 3.6. a) Phổ kích thích huỳnh quang PLE của các đai micro nuôi trên đế Si ở nhiệt độ
300 K tại các bước sóng ứng với các đỉnh 386 nm, 396 nm, 406 nm và 416 nm; b) Phổ
PLE của các đai micro ZnS nuôi trên các đế Si/SiO2 và Si ở 300 K ứng với các đỉnh phát
xạ tương ứng 500 nm và 520 nm; c) Kết quả fit hàm Gauss của phổ PLE trong hình b. .... 46
Hình 3.7. Phân bố nhiệt độ trong lò ống nằm ngang theo khoảng cách đến tâm lò ........... 47
Hình 3.8. Ảnh FESEM của các mẫu ở các vị trí đặt đế khác nhau ..................................... 48
Hình 3.9. Giản đồ nhiễu xạ tia X của các cấu trúc chế tạo được tại các vị trí đặt đế khác
nhau. .................................................................................................................................... 50

ix

Hình 3.10. Phổ huỳnh quang của các mẫu tại các vị trí đặt đế có nhiệt độ khác nhau ....... 51
Hình 3.11. a) Phổ kích thích huỳnh quang PLE của các mẫu tại các vị trí đặt đế có nhiệt độ
khác nhau; b) Phổ PL và PLE của mẫu S3 ở nhiệt độ đế 780 oC. ....................................... 52
Hình 3.12. Phổ huỳnh quang PL của các mẫu tại các nhiệt độ bốc bay khác nhau ............ 53
Hình 3.13. Phổ huỳnh quang PL của các mẫu với thời gian bốc bay khác nhau ................ 54
Hình 3.8. Ảnh FESEM của a) đai, b) dây ZnS và phổ EDS tương ứng của c) đai, d) dây
ZnS và e) bột ZnS tiền chất. ................................................................................................ 56
Hình 3.15. Giản đồ nhiễu xạ tia X (XRD) của các a) dây và b) đai ZnS. ........................... 57
Hình 3.16. Phổ Raman của các đai micro ZnS. .................................................................. 58
Hình 3.17. a) Phổ huỳnh quang PL của các dây và đai micro ZnS; b) Phổ huỳnh quang ở
nhiệt độ 300 K theo mật độ công suất kích thích của các đai micro ZnS............................ 59
Hình 3.18. a) Phổ huỳnh quang theo nhiệt độ của các đai ZnS; b) Cường độ huỳnh quang
tích phân của dây và đai ZnS ............................................................................................... 60
Hình 4.1. Giản đồ XRD của các đai ZnS-ZnO nuôi trên đế Si/SiO2. ................................. 64
Hình 4.2. a) Ảnh FESEM với độ phóng đại thấp và b) cao; c) phổ tán sắc năng lượng tia X
(EDS) của các đai micro. ..................................................................................................... 65
Hình 4.3. a) Ảnh HRTEM của một vùng được lựa chọn trên đai ZnS-ZnO; (b) vùng tiếp
giáp giữa hai pha; (c) giản đồ SAED chụp trong vùng đánh dấu trên hình a. ..................... 66
Hình 4.4. a) Phổ XPS phân giải thấp của các đai ZnS-ZnO và phân giải cao của các đỉnh
b) Znp3/2, c) O1s, và d) S2p. .............................................................................................. 67
Hình 4.5. a) Phổ huỳnh quang theo nhiệt độ của các đai micro; b) Cường độ huỳnh quang
tích phân theo nhiệt độ. ....................................................................................................... 68
Hình 4.6. Phổ kích thích huỳnh quang tại đỉnh 380 nm của các đai micro ZnS – ZnO. ... 69
Hình 4.7. a) Phổ huỳnh quang theo mật độ công suất kích thích; b) Fit hàm Gauss cho phổ
PL trong hình a ở mật độ công suất kích thích 6,7 mW/cm2; c) Sự phụ thuộc của cường độ
huỳnh quang tích phân theo mật độ công suất kích thích của các đai micro. Hình chèn
trong Hình 4.7a thể hiện sự dịch chuyển về phía bước sóng ngắn của các đỉnh laze khi tăng
mật độ công suất kích thích. ................................................................................................ 70
Hình 5.1. Ảnh FESEM của các đai ZnS không pha tạp với a) độ phóng đại thấp, b) độ

phóng đại cao và của các đai ZnS pha tạp Mn với c) độ phóng đại thấp và d) độ phóng đại
cao........................................................................................................................................ 75
Hình 5.2. Phổ tán sắc năng lượng tia X (EDS) của các đai micro ZnS a) pha tạp Mn và b)
pha tạp Cu. ........................................................................................................................... 76

x


Luận án đủ ở file: Luận án full