HỆ THỐNG điện mặt TRỜI độc lập, nối lưới tại TPHCM VIỆT NAM

Chương 1

CAO ĐẲNG LILAMA 2

LẠI MINH HỌC

HƯỚNG DẪN ĐỒ ÁN
HỆ THỐNG ĐIỆN MẶT TRỜI ĐỘC LẬP, NỐI LƯỚI
TẠI TPHCM VIỆT NAM

1


Chương 1

Chương 1

TỔNG QUAN

1.1. Tổng quan chung về lĩnh vực nghiên cứu, các kết quả nghiên cứu trong và
ngoài nước đã công bố
Năng lượng mặt trời bức xạ ra vũ trụ là một lượng khổng lồ. Mỗi giây nó phát
ra 3,865.1026J, tương đương với năng lượng đốt cháy hết 1,32.10 16 tấn than đá tiêu
chuẩn. Nhưng bề mặt quả đất chỉ nhận được một phần năng lượng rất nhỏ và bằng
17,57. 1016 J hay tương đương năng lượng đốt cháy của 6.106 tấn than đá.

Hình 1.1. Quang phổ mặt trời ngoài khí quyển trái đất

Hình 1.2. Thang sóng điện từ của bức xạ mặt trời

2

Chương 1

Hình 1.1 Trình bày thang sóng điện từ của bức xạ mặt trời ánh sáng nhìn thấy
được có bước sóng 0,4µm đến gần 0,8µm, chỉ chiếm một phần rất nhỏ trong phổ
sóng điện từ của bức xạ mặt trời.
Bảng 1.1: Phân bố bức xạ mặt trời theo bước sóng
Quang phổ

Bước sóng

2

Tỷ lệ %

Mật độ năng lượng (W/m )
Tia vũ trụ
Tia x
Tia tử ngoại C
Tia tử ngoại B
Tia tử ngoại A

< 1nm
0,1 nm
0,2 ÷ 0,28 µm
0,28 ÷ 0,32 µm
0,32 ÷ 0,4 µm

−5

6,978.10
−7

6,978.10
6

0,57
1,55
5,90

7,864.10
1

2,122.10
1

8,073.10
Tia nhìn thấy

0,4 ÷ 0,52 µm
0,52 ÷ 0,62 µm
0,62 ÷ 0,78 µm

2

2,24.10
2

16,39

13,36
16,68

1,827.10
2

Tia hồng ngoại
Sóng vô tuyến
điện

2,280.10
4,125.102
1,836.102
2,637.101
6,987.10-9
6,987.10-10

0,78 ÷1,4 µm
1,4 ÷3 µm
3 ÷100 µm
0,1 ÷10 cm
10 ÷100cm
1 ÷ 20cm

30,18
13,43
1,93

6,987.10-9
Tuy nhiên, quả đất bị bao bọc xung quanh bởi một tầng khí quyển có chiều dài

khoảng 7991 km bao gồm các phân tử khí, hơi nước, các hạt bụi, các hạt chất lỏng,
chất rắn và các đám mây. Vì vậy, khi bức xạ mặt trời xuyên qua lớp khí quyển đó để
đến được mặt đất thì năng lượng và phổ của nó bị thay đổi đáng kể.

3


Chương 1

Ơ bên ngoài lớp khí quyển quả đất, năng lượng bức xạ mặt trời là hằng số và
2

có giá trị 1353 W/m .
Ở Việt Nam, Vị trí địa lý đã ưu ái cho chúng ta một nguồn năng lượng tái tạo
vô cùng lớn, đặc biệt là năng lượng mặt trời. Trải dài từ vĩ độ 23023’ Bắc đến 8027’
Bắc, Việt Nam nằm trong khu vực có cường độ bức xạ mặt trời tương đối cao, năng
lượng bức xạ mặt trời trung bình đạt 4 đến 5kWh/m2 mỗi ngày.

Hình 1.3. Phân bố tổng số giờ nắng 3 tháng 1,2,3 năm 2011

4


Chương 1

Hình 1.4. Bức xạ mặt trời tại ba thành phố tiêu biểu năm 2009
Ngày nay, nhu cầu sử dụng các nguồn năng lượng tái tạo đang tăng lên mạnh
mẽ do bởi các nguồn năng lượng hóa thạch đang dần cạn kiệt và chúng gây ra
những hậu quả về môi trường như hiệu ứng nhà kính, lũ lụt… Trong các nguồn
năng lượng tái tạo, năng lượng mặt trời đang dần trở nên rất phổ biến bởi vì chúng

có nhiều ưu điểm trong phương pháp phát điện, chí phí bảo dưỡng thấp, an toàn cho
người sử dụng và không gây ô nhiễm môi trường. Nguồn năng lượng điện mặt trời
đã tăng 20% - 25% so với 20 năm qua do bởi các yếu tố sau:
-

Hiệu suất phát điện của pin mặt trời ngày càng được cải thiện
Cải tiến trong công nghệ sản xuất pin
Giá thành giảm
Tuy nhiên, ở thời điểm hiện tại giá thành pin mặt trời còn khá cao. Công suất
phát ra bởi pin mặt trời lại phụ thuộc trực tiếp vào bức xạ, nhiệt độ và điều kiện thời
tiết. Đặc tính PV và VI của pin mặt trời lại không tuyến tính, trên đường đặc tuyến
đó tồn tại một điểm làm việc cực đại (MPP) mà ở đó công suất phát ra của pin mặt
trời là lớn nhất. Nhưng điểm này không phải là hằng số, chúng luôn thay đổi theo
nhiệt độ và bức xạ. Vỳ vậy, dò tìm điểm làm việc cực đại của pin mặt trời (MPPT)
phải được sử dụng để đưa pin mặt trời luôn làm việc tại điểm này, nhằm nâng cao
hiệu suất của pin mặt trời.

5


Chương 1

Trên thế giới và trong nước đã có nhiều nghiên cứu về hệ thống pin mặt trời
nối lưới. Chủ yếu về các lĩnh vực như:
Ổn định và nâng cao điện áp phát ra của hệ thống pin mặt trời [5,6]
Các phương pháp điều khiển nhằm đưa hệ thống pin mặt trời làm việc tại điểm
công suất cực đại [16-26].
Các phương pháp nghịch lưu nhằm cải thiện chất lượng điện trong hệ thống
năng lượng mặt trời [4-15].
Các phương pháp điều khiển công suất tác dụng, công suất phản kháng và

dòng điện bơm vào lưới của hệ thống pin mặt trời nối lưới [12,13].
Comparative

Study

of

Maximum

Power

Point

Tracking

Algorithms [24].
Comparison Of Maximum Power Point Tracking Algorithms For Photovoltaic
System [7].
A study of a two stage maximum power point tracking control of a
photovoltaic system under partially shaded insolation conditions [28]
1.2. Mục đích của đề tài
Đề tài tập trung nghiên cứu các phương pháp tìm điểm làm việc cực đại của
pin mặt trời xét trên 1 cá thể pin mặt trời và xét trên toàn thể cách đồng pin năng
lương mặt trời, khi xét điểm làm việc cực đại của hệ thống cánh đồng pin mặt trời
có xét đến ảnh hưởng của bóng. Trên đặc các đặc tuyến của pin mặt trời, tồn tại một
điểm vận hành tối ưu nơi mà công suất nhận được từ pin mặt trời là cực đại. Tuy
nhiên, điểm vận hành tối ưu này không cố định mà nó thay đổi theo các điều kiện
môi trường đặc biệt là bức xạ mặt trời và nhiệt độ pin, đối với cán đồng pin năng
lượng mặt trời điểm vận hành tối ưu này còn phụ thuộc vào vùng bóng của cách
đồng pin. Vì vậy tìm điểm làm việc cực đại (MPP) của pin mặt trời là một phần

6


Chương 1

không thể thiếu của hệ thống pin mặt trời nói chung và là của bộ chuyển đổi năng
lượng từ pin mặt trời nói riêng. Bộ chuyển đổi năng lượng có nhiệm vụ chuyển toàn
bộ năng lượng của pin mặt trời ra tải, dưới sự điều khiển của bộ tìm điểm cực đại
của pin mặt trời.
Có rất nhiều bộ chuyển đổi năng lượng từ pin mặt trời đã được nghiên cứu và
công bố. Các bộ chuyển đổi năng lượng này khác nhau ở nhiều khía cạnh như mức
độ phức tạp, thông số đo lường, số lượng cảm biến yêu cầu, tốc độ chuyển đổi và
giá thành. Đề tài sẽ nghiên cứu các bộ chuyển đổi năng lượng từ pin mặt trời. Mục
đích của nghiên cứu của đề tài là đề xuất bộ chuyển đổi năng lượng kết hợp với
phương pháp MPPT tối ưu với khả năng đáp ứng dưới các điều kiện môi trường như
nhiệt độ, bức xạ thay đổi và chi phí thấp, có khả năng dò được điểm làm việc tối ưu
của hệ thống cánh đồng pin năng lượng mặt trời.
1.3. Nhiệm vụ của đề tài và giới hạn đề tài
-

Xây dựng mô hình pin mặt trời xét đến ảnh hưởng của bóng che, phân tích các đặc
tuyến I-V, P-V của pin mặt trời, sự phụ thuộc các đặc tính của pin mặt trời dưới các

-

điều kiện môi trường
Nghiên cứu các giải thuật MPPT của pin mặt trời, đề xuất phương pháp MPPT xét

-

đến ảnh hưởng của bóng che.
Đề xuất cấu hình cánh đồng pin mặt trời.
Thi công phần cứng dò tìm điểm cực đại khi bị bóng che.
Dùng phần mềm Matlab/Simulink nghiên cứu xây dựng mô hình pin mặt trời, bộ
chuyển đổi năng lượng và giải thuật dò tìm điểm làm việc cực đại cho cánh đồng
pin.
1.4. Phương pháp nghiên cứu

-

Thu thập tài liệu liên quan đến đề tài nghiên cứu.
Nghiên cứu các mô hình toán học của pin mặt trời. Đề nghị mô hình tính toán cụ

-

thể.
Xây dựng mô hình mô phỏng pin mặt trời và các giải thuật MPPT kết hợp với bộ

-

chuyển đổi năng lượng DC/DC.
Phân tích các kết quả nhận được và các kiến nghị.

7


Chương 1

-

Đánh giá tổng quát toàn bộ bản luận văn. Đề nghị hướng phát triển của đề tài.

8


Chương 1

Chương 2

CƠ SỞ LÝ THUYẾT

2.1. Mô hình pin mặt trời

Một lớp tiếp xúc bán dẫn p-n có khả năng biến đổi trực tiếp năng lượng bức xạ
mặt trời thành điện nhờ hiệu ứng quang điện được gọi là pin mặt trời. Mạch điện
tương đương của pin mặt trời được cho như hình 2.1:

Hình 2.1. Mạch điện tương đương của pin mặt trời
Mạch điện gồm có dòng quang điện Iph, điot, điện trở dòng rò Rsh và điện trở
nối tiếp Rs, đặc tuyến I-V của pin được mô tả bằng biểu thức sau:

Trong đó:
Iph: dòng quang điện (A)
Is: dòng bão hòa (A)
q: điện tích của electron, q = 1,6x10-19 C
k: hằng số Boltzmann’s, k =1,38x10-23 J/K

9

Chương 1

Tc: nhiệt độ vận hành của pin (K)
A: hệ số lý tưởng phụ thuộc vào công nghệ chế tạo pin, ví dụ công nghệ Simono A=1.2, Si-Poly A = 1.3…
Dòng quang điện Iph phụ thuộc trực tiếp vào bức xạ mặt trời và nhiệt độ của
pin:

Trong đó:
Isc: dòng ngắn mạch tại nhiệt độ tiêu chuẩn 250C (A) và bức xạ 1kW/m2
K1: hệ số dòng điện phụ thuộc vào nhiệt độ (A/0C)
Tc: Nhiệt độ vận hành của pin mặt trời (K)
TRef : Nhiệt độ tiêu chuẩn của pin mặt trời (K)
λ: Bức xạ mặt trời (kW/m2)
Mặt khác, dòng bão hòa Is là dòng các hạt tải điện không cơ bản được tạo ra
do kích thích nhiệt. Khi nhiệt độ của pin mặt trời tăng dòng bão hòa cũng tăng theo
hàm mũ.

Trong đó:
IRS: Dòng điện ngược bão hòa tại nhiệt độ tiêu chuẩn (A)
EG: Năng lượng lỗ trống của chất bán dẫn
Đối với pin mặt trời lý tưởng, điện trở dòng rò R sh = ∞, Rs = 0. Khi đó mạch
điện tương đương của pin mặt trời được cho bởi hình 2.2:

10


Chương 1

Hình 2.2. Mô hình pin mặt trời lý tưởng

Khi đó, biểu thức (2.1) có thể được mô tả như sau:

Và dòng bão hòa ngược tiêu chuẩn có thể được biểu diễn như sau:

Thông thường, công suất của pin mặt trời khoảng 2 W và điện áp khoảng 0.5
V. Vì vậy, các pin mặt trời được ghép nối với nhau theo dạng nối tiếp - song song để
sinh ra lượng công suất và điện áp đủ lớn. Mạch điện tương đương của mô đun pin
mặt trời gồm có Np nhánh song song và Ns pin nối tiếp được mô tả như hình 2.3:

Hình 2.3. Mô đun pin mặt trời
Mạch điện hình 2.3 được miêu tả bởi biểu thức sau:

Pin mặt trời chuyển một phần bức xạ mặt trời trực tiếp thành năng lượng điện,
nhưng một phần đó chuyển thành nhiệt cộng với pin mặt trời có màu dễ hấp thụ

11


Chương 1

nhiệt nên nhiệt độ vận hành của pin có thể cao hơn nhiệt độ môi trường. Nhiệt độ
của pin dưới các điều kiện khác nhau có thể được đánh giá qua nhiệt độ vận hành
bình thường (NOCT).
Đặc tuyến I-V tương ứng với tùng bức xạ nhất định được mô tả như sau:

Hì
nh 2.4: Đặc tuyến I-V với các bức xạ khác nhau

12

Chương 1

Hì
nh 2.5: Đặc tuyến P-V với các bức xạ khác nhau
2.2. Bộ chuyển đổi DC/DC

Bộ biến đổi DC/DC được sử dụng rộng rãi trong nguồn điện 1 chiều với mục
đích chuyển đổi nguồn một chiều không ổn định thành nguồn điện một chiều có thể
điều khiển được. Trong hệ thống pin mặt trời, bộ biến đổi DC/DC được kết hợp chặt
chẽ với MPPT. MPPT sử dụng bộ biến đổi DC/DC để điều chỉnh nguồn điện áp vào
lấy từ nguồn pin mặt trời, chuyển đổi và cung cấp điện áp lớn nhất phù hợp với tải.
2.2.1. Bộ chuyển đổi DC/DC boost converter

Mạch boost converter hay còn được gọi là mạch tăng áp. Bộ biến đổi này phù
hợp với các ứng dụng có điện áp yêu cầu lớn hơn điện áp đầu vào. Nguyên lý hoạt
động của bộ biến đổi này dựa vào đặc tính lưu trữ và tích phóng năng lượng của
cuộn dây.

13


Chương 1

Hình 2.6. Sơ đồ nguyên lý mạch boost
Khi S đóng cho dòng qua (TON) dòng điện từ nguồn chạy qua cuộn dây, năng
lượng từ trường được tích lũy trong cuộn dây. Không có dòng điện chạy qua điốt D
và dòng tải được cung cấp bởi tụ điện C

Hình 2.7. Mạch điện khi S đóng

Hình 2.8. Dạng sóng điện áp và dòng điện trên cuộn dây L khi S đóng

14


Chương 1

Khi đó:
Suy ra:
Mặt khác:

Hình 2.9. Mạch điện khi S mở

Hình 2.10. Dạng sóng điện áp và dòng điện trên L khi S mở
Khi S đóng (TOFF), dòng điện cảm ứng chạy vào tải qua điốt cũng như nạp lại
cho tụ điện C.

15


Chương 1

Suy ra:

Năng lượng lưu trữ trong cuộn dây bằng 0 khi kết thúc chu kỳ.

Từ 2.17, ta có:

2.2.2. Bộ chuyển đổi DC/DC buck converter

Hình 2.11 cho thấy cấu hình cơ bản của một bộ chuyển đổi buck. Một số bộ
chuyển đổi có diode thay thế bằng một công tắc thứ hai được tích hợp vào bộ
chuyển đổi.

Hình 2.11. Cấu hình mạch buck

VIN(min) = điện áp ngõ vào nhỏ nhất
VOUT = điện áp ngõ ra mong muốn
ƞ = Hiệu suất mạch, ước tính 90%

16


Chương 1

Năng lượng trong cuộn cảm

VIN(min) = điện áp ngõ vào nhỏ nhất
D = chu kỳ hoạt động được tính trong công thức 2.19
fs = tần số đóng cắt của công tắc trong mạch
L = giá trị lựa chọn cuộn cảm
Dòng điện ngõ ra cực đại.

ILIM(min) = giá trị nhỏ nhất của giới hạn dòng điện của công tắc tích hợp (được
đưa ra trong bản dữ liệu)
ΔIL = năng lượng trong cuộn cảm được tính trong công thức 2.20
D = chu kỳ hoạt động được tính trong công thức 2.19
Nếu giá trị tính là hơn dòng điện ngõ ra cực đại của ứng dụng, dòng điện cực
đại qua công tắc trong hệ thống được tính toán:

IOUT(max) = dòng điện ngõ ra cần thiết cho ứng dụng
Đây là dòng điện đỉnh, cuộn cảm, các công tắc tích hợp và diode bên ngoài
phải bền.
Đối với các bộ phận mà không có phạm vi điện cảm được đưa ra, các công
thức sau đây là một ước lượng tốt cho điện cảm:

17


Chương 1

VIN = điện áp ngõ vào
VOUT = điện áp mong muốn ngõ ra
fs = tần số đóng cắt nhỏ nhất của công tắc trong mạch
ΔIL = năng lượng trong cuộn cảm, được giải thích như sau
Ước tính cho sóng dòng điện trong cuộn cảm là từ 20% đến 40% của dòng
điện ngõ ra.
( 0.2 đến 0.4 )
ΔIL = sóng dòng điện ước tính cho cuộn cảm
IOUT(max) = dòng điện ngõ ra cực đại cần thiết trong ứng dụng

2.3. Điểm làm việc cực đại của Pin mặt trời

Về cơ bản, trên đường đặc tuyến PV của pin mặt trời, trời tồn tại một điểm
công suất cực đại ứng với dòng điện và điện áp tương ứng.

18

Chương 1

Hình 2.12. Đặc tuyến I-V, P-V của pin mặt trời với điểm công suất cực đại
Tuy nhiên, điểm cực đại này lại không cố định, chúng luôn thay đổi theo các
điều kiện môi trường (Hình 2.13). Vì vậy, chúng ta cần điều khiển để điện áp hoặc
dòng điện để thu được công suất cực đại từ pin mặt trời khi nhiệt độ và bức xạ thay
đổi sử dụng bộ tìm điểm công suất cực đại.

Hình 2.13. Các điểm MPP dưới các điều kiện môi trường thay đổi
Hình 2.14 giới thiệu sơ đồ khối của hệ thống CĐNL tiêu biểu. Hầu hết các bộ
CĐNL hiện nay gồm có ba phần cơ bản: bộ chuyển đổi DC-DC, bộ phận đo lường
và bộ phận điều khiển (bộ phận đo lường và bộ phận điều khiển chính là bộ MPPT)
Khi pin mặt trời được nối trực tiếp với tải, điểm vận hành của pin mặt trời
được điều khiển bởi tải. Tổng trở của tải được miêu tả như sau:
Trong đó, Vo, Io là điện áp và dòng điện phát ra của pin mặt trời.
Tổng trở tối ưu của tải cho pin mặt trời được miêu tả như sau:

19


Chương 1

Trong đó, VMPP, IMPP là điện áp và dòng điện phát ra của pin mặt trời tại điểm
tối ưu.
Khi giá trị RLOAD bằng với ROPT, công suất cực đại sẽ được truyền từ pin mặt
trời đến tải. Tuy nhiên, trong thực tế hai tổng trở này lại không bằng nhau. Mục đích
của bộ MPPT là điều chỉnh tổng trở tải nhìn từ phía nguồn bằng với tổng trở tối ưu
của pin mặt trời.
Thông thường bộ biến đổi DC/DC (tăng áp, giảm áp) được phục vụ cho việc
truyền công suất từ pin mặt trời tới tải. Bộ DC/DC hoạt động như thiết bị giao tiếp

giữa tải và pin mặt trời. Bằng việc thay đổi độ rộng xung, tổng trở tải nhìn từ phía
nguồn sẽ được thay đổi bằng với tổng trở nguồn tại điểm cực đại, vì vậy công suất
cực đại được cung cấp cho tải.

Hình 2.14. Sơ đồ khối của hệ thống CĐNL tiêu biểu
Giả sử, đối với mạch giảm áp DC/DC (Buck converter), ta có:
VOUT=D.VIN

(2.26)

Trong đó, VOUT là điện áp đầu ra, VIN điện áp đầu vào, khi đó:
ROUT = D2.RIN

(2.27)

(ROUT là tổng trở đầu ra, RIN tổng trở đầu vào nhìn từ phía nguồn)
RIN = ROUT/D2

(2.28)

Vì vậy, tổng trở ROUT được duy trì hằng số bằng việc thay đổi độ rộng xung,
khi đó RIN nhìn từ phía nguồn sẽ được thay đổi.

20


Chương 1

Hình 2.15. Bộ DC/DC giúp hút công suất cực đại từ pin mặt trời
Hay đối với mạch tăng áp (Boost converter), mối quan hệ giữa điện áp đầu vào

và đầu ra được miêu tả như sau:
Giả sử, không có công suất tổn hao, ta có:

Tổng trở đầu vào của bộ biến đổi DC-DC là:
Vì vậy, tổng trở ROUT được duy trì hằng số bằng việc thay đổi độ rộng xung,
khi đó RIN nhìn từ phía nguồn sẽ được thay đổi.
2.4. Các phương pháp tìm điểm cực đại của pin mặt trời phổ biến
2.4.1. Phương pháp điện áp hằng số

Cơ sở cho các thuật toán điện áp không đổi (CV) là quan sát từ đường cong I-V
giống như hình 1 là tỷ lệ điện áp tối đa của bin mặt trời VMPP, điện áp mở mạch của nó,
VOC, là hằng số, nói cách khác:

21


Chương 1

Các thuật toán điện áp không đổi có thể được thực hiện bằng cách sử dụng sơ
đồ thể hiện trong hình 2.17. Bộ bin mặt trời tạm thời bị cô lập từ MPPT, và được
thực hiện một phép đo V OC. Tiếp theo, MPPT tính toán điểm hoạt động chính xác
bằng cách sử dụng phương trình (2.33) và giá trị cho những thiết lập của K, và điều
chỉnh điện áp của bin cho đến khi được tính V MPP đạt. Hoạt động này được lặp đi lặp
lại theo định kỳ để theo dõi vị trí của MPP.
Mặc dù phương pháp này là cực kỳ đơn giản, nó là khó khăn để chọn giá trị tối
ưu của K. liên tục Các tài liệu báo cáo thành công với giá trị K khác nhau, 73-80%,
Hình 2.16 cho thấy các giá trị K thực tế cần thiết cho một mảng PV trên một phạm
vi nhiệt độ 0-600C và mức độ bức xạ từ 200 đến 1000 W/m2.

Hình 2.16. Tỷ lệ phần trăm của VMPP và VOC như chức năng của nhiệt độ và bức xạ

22


Chương 1

Hình 2.17 Sơ đồ thuật toán điện áp không đổi
Điều khiển điện áp không đổi có thể được thực hiện dễ dàng với phần cứng
tương tự. Tuy nhiên, MPPT theo dõi hiệu quả của nó là thấp so với các thuật toán
khác. Lý do cho điều này bao gồm các lỗi nói trên trong các giá trị của K, và thực tế
là đo điện áp mạch mở đòi hỏi một sự cắt nguồn bin tạm thời. Nó có thể tự động
điều chỉnh giá trị của K, nhưng đòi hỏi phải có một thuật toán tìm kiếm và về cơ
bản kết thúc lên được giống như P&O.
2.4.2. Phương pháp P&O (Perturb and Observe)

Những lợi thế của thuật toán này, đơn giản và dễ thực hiện. Tuy nhiên, P&O
có những hạn chế làm giảm hiệu quả MPPT của nó. Một nhược điểm cơ bản của
P&O là nó không thể xác định khi nó đã thực sự đạt đến MPP. Thay vào đó, nó dao
động xung quanh MPP, thay đổi các dấu hiệu của sự nhiễu loạn sau mỗi lần đo P.

23


Chương 1

Hãy xem xét trường hợp trong đó các bức xạ như vậy mà nó tạo ra đường cong V P1 trong hình 2.18. MPPT là dao động xung quanh MPP từ điểm B đến C đến A và
như vậy. Sau đó, giả sử tăng bức xạ và các đường cong P-V của mảng di chuyển
đường cong 2. Nếu, trong sự gia tăng nhanh chóng trong bức xạ mặt trời và công
suất ra, MPPT gây nhiễu các điểm hoạt động từ điểm A đến điểm B, MPPT thực sự
sẽ di chuyển từ A đến D. Như đã thấy trong hình 2.18, kết quả này trong một ΔP

dương, và MPPT sẽ tiếp tục gây nhiễu trong cùng một hướng, hướng tới điểm F.
Nếu bức xạ vẫn còn tăng nhanh, các đường cong điện PV sẽ di chuyển đến G trên
đường cong 3 thay vì F trên đường cong 2. Một lần nữa các MPPT sẽ thấy một ΔP
dương và sẽ giả định nó là di chuyển theo hướng MPP các, tiếp tục để lo ngại cho
điểm I. Từ điểm A đến D đến G đến I các MPPT là liên tục di chuyển đi từ MPP,
làm giảm hiệu quả của các thuật toán P&O.
Start
Đo V(k), I(k)
P(k) = V(k) x I(k)
Delay P(k)&I(k) by k-1 instant p(k-1), V(k-1)

ΔP = P(k) – P(k-1)
ΔV = V(k) – V(k-1)
YES

NO
ΔP = 0
NO

YES
ΔP > 0
YES

NO
YES
NO
Hình 2.18. Sự thay đổi điểm MMP của P&O nhanh chóng theo gia tăng bức xạ
ΔV > 0
ΔV < 0

Giảm D
(giảm độ rộng xung)

Tăng D
Giảm D
(tăng độ rộng xung)
(giảm độ rộng xung)
24

Tăng D
(tăng độ rộng xung)


Chương 1

Hình 2.19. Lưu đồ giải thuật P&O
2.4.3. Phương pháp INC (Incremental Conductance)

Phương pháp InC (Incremental Conductance) dựa trên đạo hàm P-V của
đường cong PV có thể được miêu tả như sau:

25