báo cáo multisim cấu kiện điện tử bách khoa hà nội
Bạn đang xem bản rút gọn của tài liệu. Xem và tải ngay bản đầy đủ của tài liệu tại đây (132.07 KB, 8 trang )
Họ và tên: Phùng Gia Hiến
Lớp: Điện tử truyền thông 02.k61
MSSV: 20161496
Họ và tên: Nguyễn Tuấn Anh
Lớp : Điện tử truyền thông 02.k61
MSSV: 20160193
Trong bài gồm có:
1 Chỉnh lưu nửa chu kỳ
2 Chỉnh lưu cầu
3 Ổn áp dùng Zener
4 Hạn chế Tranzito
5 Mạch phân cực Bazo
6 Mạch phân cực Emito
7 Mạch phân cực phân áp
8 Mạch phân cực hồi tiếp Colectơ
Quy ước: Các đồ thị đường màu đo là điện áp vào và đường màu xanh là điện áp ra.
I. Mạnh chỉnh lưu nửa chu ki
XSC1
Ext Trig
+
_
B
A
+
_
+
_
D1
V1
120Vrms
50Hz
0°
T1
10:1
1BH62
R1
1kΩ
C1
1 mF [T491E108M004AT]
* Đặc điểm:
-Nửa chu ki đầu, diode phân cực thuận nên cho dòng điện đi qua, nửa chu ki sau, diode phân cực
ngược nên không cho dòng điện chạy qua.
-Sự chênh lệch biên độ điện áp ở đồ thị 1 khi chưa có tụ là do sự sụt áp khi qua diode.
-Khi lắp thêm tụ, tụ điện C1 có tác dụng nạp và phóng để dòng Ur ổn định hơn.
*Không có tụ C1:
*Có tụ C1:
II.
Mạch chỉnh lưu cầu.
XSC1
Ext Trig
+
_
B
A
+
D1
1BH62
V1
12Vrms
50Hz
0°
+
_
D3
1BH62
R1
1kΩ
D2
1BH62
_
C1
220 uF [T495D227M004ATE050]
D4
1BH62
*Đặc điểm:
-Tại nửa chi ki đầu tiên, D3 và D2 sẽ phân cực thuận, cho dòng đi qua. Tiếp theo nửa chu ki tiếp
theo, D1 và D4 sẽ phân cực thuận cho dòng đi qua.
-Có sự sụt áp (1,6V ) do đi qua 2 diode.
-Tụ C để ổn định Ur.
*Khi chưa lắp tụ C1:
*Khi lắp tụ C1:
III. Mạch ổn áp bằng diode zener
XSC1
Ext Trig
+
_
B
A
+
V1
12Vrms
50Hz
0°
R1
R2
1kΩ
1kΩ
D1
1N5337BRLG
_
+
_
*Đặc điểm
-Khi E<= Uz thi Ur =E
-Khi E> Uz thi Ur=Uz
*Đồ thị:
IV. Mạch hạn chế
Mạch hạn chế trên – dưới bằng diot zener
XSC1
Ext Trig
+
_
B
A
+
_
+
_
R1
1kΩ
V1
15Vrms
10Hz
0°
D1
1N5337BRLG
D2
1N5337BRLG
*Đặc điểm:
- Nửa chu ki đầu, D1 phân cực ngược hoạt động ở vùng zener giữ Ur=Uz, D2 phân cực thuận
cho dòng điện đi qua.
-Nửa chu ki sau, D2 phân cực ngược hoạt động ở vùng zener giữ Ur=Uz, D1 phân cực thuận cho
dòng điện đi qua.
*Đồ thị
V. Mạch phân cực Bazơ
20V
+
-
+
-
0.043m
A
6.494m
A
V1
Ic
DC 1e-009Ohm
Rc
2.2kΩ
IB
DC 1e-009Ohm
+
Q1
2N3904
Rb
500kΩ
+
-
6.533m
A
-
5.712
IE
DC 1e-009Ohm
*Đặc điểm:
- Mạch đơn giản
- Điểm làm việc tĩnh chịu nhiều ảnh hưởng của nhiệt độ.
- Ứng dụng chủ yếu trong chế độ chuyển mạch.
*Tính toán :
Ở chế độ một chiều EC - IBRB - UBE = 0
V
UCE
DC 10MOhm
-> EC = IBRB + UBE ->IB = (EC - UBE)/RB
IC = βIB -> UCE = EC - ICRC
Với các giá trị R và EC cho trên hinh vẽ, β = 150 ta có :
IB = 0.0386mA, IC = 5.79mA, IE = 5.8286mA, UCE = 7.262 V
Các giá trị tính toán lý thuyết sai lệch với thực nghiệm là vi trong quá trinh tính toán ta đã
bo qua điện trở của Transistor và một số thông số khác.
VI.Mạch phân cực Emiter
V1
20V
R1
2.2kΩ
+
+
-
0.032m
A
IB
DC 1e-009Ohm
-
4.748m
A
U1
DC 1e-009Ohm
+
Q1
2N3904
R2
500kΩ
+
-
4.777m
A
-
4.777
V
UCE
DC 10MOhm
IE
DC 1e-009Ohm
R3
1kΩ
*Đặc điểm
- Điểm làm việc ít chịu ảnh hưởng của nhiệt độ hơn mạch phân cực Bazơ.
- Re chọn không lớn quá sao cho (Ure < Ec/10 ) để tránh giảm thiểu hệ số khuyếch đại
của mạch.
*Tính toán :
IB = (EC - UBE)/(RB + (β +1)RE)
IC = βIB
UCE = EC - IC(RC + RE)
Với các giá trị R, EC cho trên và β = 150 ta có :
IB = 0.03mA, IC = 4.5mA, IE = 4.53mA, UCE = 5.57V
Các giá trị tính toán lý thuyết sai lệch với thực nghiệm là vi trong quá trinh tính toán ta đã
bo qua điện trở của Transistor và làm tròn một số bước tính.
VII. Mạch phân cực bằng phân áp.
*Đặc điểm :
- Điểm làm việc ít chịu nhiều ảnh hưởng của nhiệt độ.
- Re chọn không lớn quá sao cho (Ure < Ec/10 ) để tránh giảm thiểu hệ số khuyếch đại
của mạch.
*Tính toán :
Dùng thevenin ta tính được :
Rth=R1*R2/(R1+R2)
Eth=Ec*R2/(R1+R2)
IB = (EC - UBE)/(Rth + (β+1)* RE)
IC = βIB
UCE = EC - IC(RC + RE)
Với các giá trị R, EC cho trên và β = 150 ta có :
IB = 5.65*10-3 mA, IC = 0.848mA, IE = 0.853mA, UCE = 12.248V
Các giá trị tính toán lý thuyết sai lệch với thực nghiệm là vi trong quá trinh tính toán ta đã
bo qua điện trở của Transistor và làm tròn một số bước tính.
VIII. Mạch phân cực bằng hồi tiếp Collector
V1
20V
RC
2.2kΩ
+
-
+
-
0.021m
A
IB
DC 1e-009Ohm
RB
3.133m
A
IC
DC 1e-009Ohm
Q1
2N3904
500kΩ
+
-
3.129m
A
+
-
9.974
V
UCE
DC 10MOhm
IE
DC 1e-009Ohm
RE
1kΩ
*Đặc điểm :
- Điểm làm việc ít chịu nhiều ảnh hưởng của nhiệt độ.
- Re chọn không lớn quá sao cho (Ure < Ec/10 ) để tránh giảm thiểu hệ số khuyếch đại
của mạch.
*Tính toán :
IB = (EC - UBE)/(RB + β(RC + RE))
IC = βIB
UCE = EC - IC(RC + RE)
Với các giá trị R, EC cho trên và β = 150 ta có :
IB = 0.0197mA, IC = 2.955mA, IE = 2.9747mA, UCE = 9.6575V
Các giá trị tính toán lý thuyết sai lệch với thực nghiệm là vi trong quá trinh tính toán ta đã
bo qua điện trở của Transistor và làm tròn một số bước tính.
