Chương 3. Transistor lưỡng cực BJT
(Bipole transistor)
Cấu tạo của BJT
Hình 1
09/2007
Người soạn: Bùi Thư Cao
1
Chương 3. Transistor lưỡng cực BJT
(Bipole transistor)
Cấu tạo của BJT
Hình 2
09/2007
Người soạn: Bùi Thư Cao
2
Chương 3. Transistor lưỡng cực BJT
(Bipole transistor)
Hình 4
Hình 3
Chiều dịng điện
09/2007
Người soạn: Bùi Thư Cao
Hình dạng khối
(Package)
3
Chương 3. Transistor lưỡng cực BJT
(Bipole transistor)
Các thông số của BJT
• β là hệ số khuếch đại của BJT
• ICmax là dịng Collector lớn nhất
• PCmax là cơng suất cực đại của BJT
• fT là tần số giới hạn trên của BJT
• Cb’c là tụ kí sinh giữa 2 cực B-C của BJT
• Cb’e là tụ kí sinh giữa 2 cực B-E của BJT
Các thông số này được cho bởi nhà sản xuất, có thể truy cập
trong các Datasheet trên mạng Internet ()
09/2007
Người soạn: Bùi Thư Cao
4
Chương 3. Transistor lưỡng cực BJT
(Bipole transistor)
Đặc tuyến Volt-ampe của BJT
iC
Hình 5
vCE
Saturation region
Breakdown region
VCEsat 0.2V
iC ( 1)iB
VCE VCE _ Breakdown
VBEsat 0.8V
09/2007
Amplification region
VCEsat 0.2V
Người soạn: Bùi Thư Cao
5
Chương 3. Transistor lưỡng cực BJT
(Bipole transistor)
Kiểm tra transistor BJT
Hình 6
09/2007
Người soạn: Bùi Thư Cao
6
Chương 3. Transistor lưỡng cực BJT
(Bipole transistor)
Phân cực cho BJT
5.000V
Rc
R1
1k
Mạch phân cực dạng
cầu phân áp
5Vdc
1k
3.179V
Q1
2.494V
0V
0
I
Hình 7
I
1.833V
R2
Nếu mạch ở chế độ khuếch đại
Re
1k
1k
0V
I CQ
VBB VBE
Rb
RE
0
và
VCE 0.2V
Rc
1k
Rb
5Vdc
0V
0
Q1
500
Nếu mạch ở chế độ bão hồ
VBB
Re
2.5V
I CQ
09/2007
VCC VCEsat
RC RE
Hình 8
1k
và
0V
VBE 0.8V
0
Mạch tương đương thevenin
Người soạn: Bùi Thư Cao
7
Chương 3. Transistor lưỡng cực BJT
(Bipole transistor)
Phân cực cho BJT
Nếu mạch ở chế độ khuếch đại
5.000V
Rc
Rb
150k
1k
2.782V
Q1
2.899V
5Vdc
0V
0
I CQ
2.232V
VCC VBE
Rb
RE
và
VCE 0.2V
Re
Hình 9
1k
Nếu mạch ở chế độ bão hồ
0
Mạch phân cực
dạng trực tiếp
09/2007
I CQ
VCC VCEsat
RC RE
Người soạn: Bùi Thư Cao
và
VBE 0.8V
8
Chương 3. Transistor lưỡng cực BJT
(Bipole transistor)
Bài tập: Tính tốn phân cực cho các mạch điện sau đây
Rc
Rb
Bài 1
10k
Rc
5Vdc
R1
1k
2k
0
Q1
0
Q1
Bài 3
R2
Re
Re
3k
1k
5Vdc
1k
1k
0
0
Rc
R1
2k
Bài 2
5Vdc
Rc
5k
Rb
0
Q1
150k
R2
5Vdc
1k
0
Q1
Bài 4
Re
3k
1k
Hình 10
Re
1k
0
09/2007
0
Người soạn: Bùi Thư Cao
9
Chương 3. Transistor lưỡng cực BJT (tt)
Đáp án
5.000V
5.000V
Rc
Rb
Bài 1
10k
1k
2.606V
Q1
3.249V
Rc
5Vdc
R1
0V
2k
0
1k
2.700V
Q1
2.983V
5Vdc
0V
0
Bài 3
2.315V
2.569V
R2
Re
Re
3k
1k
1k
0V
0
0
5.000V
Rc
R1
Bài 2
2k
5k
1.443V
Q1
2.132V
5.000V
5Vdc
0V
Rc
Rb
0
150k
1.435V
R2
Re
3k
1k
2.782V
Q1
2.899V
0V
0
Bài 4
2.232V
Hình 11
Re
1k
1k
0V
09/2007
5Vdc
0
Người soạn: Bùi Thư Cao
0
10
Chương 3. Transistor lưỡng cực BJT (tt)
Phân tích mạch DC& AC
iC
RL
Hình 12
iB
Rb
Q1
VCC
VBB
Re
Ce
iE
0
09/2007
Người soạn: Bùi Thư Cao
11
Chương 3. Transistor lưỡng cực BJT (tt)
Phân tích mạch DC& AC
Phương trình đường tải DC
VCC I CQ ( RL RC ) VCEQ
VCC VCEQ I CQ ( RL RC )
I CQ
09/2007
VCEQ
VCC
RL RC RL RC
Người soạn: Bùi Thư Cao
(DC load line)
12
Chương 3. Transistor lưỡng cực BJT (tt)
Phân tích mạch DC& AC
Phương trình đường tải tổng
~
iC I CQ ic
VCC iC RL I CQ Re vCE
(VCC I CQ Re ) vCE iC RL
vCE VCC I CQ Re
iC
RL
RL
09/2007
Người soạn: Bùi Thư Cao
(DC&AC load line)
13
Chương 3. Transistor lưỡng cực BJT (tt)
Phân tích mạch DC& AC
Đồ thị đường tải
iC
I CQ max
iC max
VCC
RL RC
VCC I C Re
RL
AC&DC load line
Q
I CQ
DC load line
Hình 13
VCEQ
vCE
VCC I CQ Re
09/2007
Người soạn: Bùi Thư Cao
VCC
14
Chương 3. Transistor lưỡng cực BJT (tt)
Phân tích mạch DC& AC
Đáp ứng của tải AC
~
ib (t)
iC
iCmax
~
icmmax min{ ICQ , iCmax ICQ}
ICQmax
Hình 14
Q
ICQ
VCEQ
VCC ICQRe
09/2007
~
ic (t)
Người soạn: Bùi Thư Cao
VCC
vCE
15
Chương 3. Transistor lưỡng cực BJT (tt)
Phân tích mạch DC& AC
Đáp ứng của tải AC
iC
iCmax
=> Tải ngõ ra biến dạng
ICQmax
~
ic (t)
Q
ICQ
VCEQ
VCC ICQRe
VCC
vCE
Hình 15
09/2007
Người soạn: Bùi Thư Cao
16
Chương 3. Transistor lưỡng cực BJT (tt)
Phân tích mạch DC& AC
Đáp ứng của tải AC ở trạng thái đối xứng cực đại
(Maximum symmetrical swing)
iC
iCmax
ICQmax
iCmax
ICQ
2
~
ic (t)
Q
Hình 16
VCEQ VCC ICQ Re
09/2007
Người soạn: Bùi Thư Cao
VCC
vCE
17
Chương 3. Transistor lưỡng cực BJT (tt)
Tính tốn cơng suất trung bình (tham khảo hình 12)
Cơng suất của đoạn mạch AB
T
1
PAB u AB (t ) i AB (t ) dt
T 0
Trong đó:
uAB(t) là điện áp tổng rơi trên đoạn mạch AB
iAB(t) là dòng điện trên đoạn mạch AB
09/2007
Người soạn: Bùi Thư Cao
18
Chương 3. Transistor lưỡng cực BJT (tt)
Tính tốn cơng suất trung bình
Cơng suất của nguồn cung cấp
T
1
PCC VCC iC (t ) dt
T 0
T
1
~
VCC ( I CQ ic ) dt
T 0
T
T
1
1
~
VCC I CQ d t
VCC i (t )c d t
T 0
T 0
PCC VCC I CQ
09/2007
Người soạn: Bùi Thư Cao
19
Chương 3. Transistor lưỡng cực BJT (tt)
Tính tốn cơng suất trung bình
Cơng suất trên tải
T
1
PL u L (t ) i (t ) dt
L
T 0
T
1
~ (t )][ I ~ (t )] dt
[U L u L
iL
L
T 0
T
T
1
1 ~
~
U L I L d t u L (t ) iL (t ) dt
T 0
T0
PL I LQ
09/2007
2
1 2
RL iLm RL
2
Hay
PL PL ( dc ) PL ( ac )
Người soạn: Bùi Thư Cao
20
Chương 3. Transistor lưỡng cực BJT (tt)
Tính tốn cơng suất trung bình
Định lý về bảo tồn cơng suất
PCC PK
Trong đó
PCC là cơng suất của nguồn cung cấp
PK là công suất của các thành phần trong mạch
09/2007
Người soạn: Bùi Thư Cao
21