Tải bản đầy đủ (.pdf) (21 trang)

Transistor lưỡng cực BJT (Bipole transistor)

Bạn đang xem bản rút gọn của tài liệu. Xem và tải ngay bản đầy đủ của tài liệu tại đây (710.05 KB, 21 trang )

Chương 3. Transistor lưỡng cực BJT
(Bipole transistor)
Cấu tạo của BJT

Hình 1

09/2007

Người soạn: Bùi Thư Cao

1


Chương 3. Transistor lưỡng cực BJT
(Bipole transistor)
Cấu tạo của BJT

Hình 2

09/2007

Người soạn: Bùi Thư Cao

2


Chương 3. Transistor lưỡng cực BJT
(Bipole transistor)
Hình 4
Hình 3


Chiều dịng điện

09/2007

Người soạn: Bùi Thư Cao

Hình dạng khối
(Package)
3


Chương 3. Transistor lưỡng cực BJT
(Bipole transistor)
Các thông số của BJT
• β là hệ số khuếch đại của BJT
• ICmax là dịng Collector lớn nhất
• PCmax là cơng suất cực đại của BJT
• fT là tần số giới hạn trên của BJT
• Cb’c là tụ kí sinh giữa 2 cực B-C của BJT
• Cb’e là tụ kí sinh giữa 2 cực B-E của BJT
Các thông số này được cho bởi nhà sản xuất, có thể truy cập
trong các Datasheet trên mạng Internet ()
09/2007

Người soạn: Bùi Thư Cao

4


Chương 3. Transistor lưỡng cực BJT

(Bipole transistor)
Đặc tuyến Volt-ampe của BJT

iC

Hình 5

vCE

Saturation region

Breakdown region

VCEsat  0.2V

iC  (   1)iB

VCE  VCE _ Breakdown

VBEsat  0.8V
09/2007

Amplification region

VCEsat  0.2V

Người soạn: Bùi Thư Cao

5



Chương 3. Transistor lưỡng cực BJT
(Bipole transistor)
Kiểm tra transistor BJT
Hình 6

09/2007

Người soạn: Bùi Thư Cao

6


Chương 3. Transistor lưỡng cực BJT
(Bipole transistor)
Phân cực cho BJT

5.000V
Rc
R1
1k

Mạch phân cực dạng
cầu phân áp

5Vdc

1k
3.179V
Q1

2.494V

0V
0

I

Hình 7

I
1.833V

R2

Nếu mạch ở chế độ khuếch đại

Re

1k

1k
0V

I CQ

VBB  VBE

Rb
 RE



0



VCE  0.2V



Rc
1k
Rb

5Vdc
0V
0

Q1

500

Nếu mạch ở chế độ bão hồ

VBB
Re

2.5V

I CQ 
09/2007


VCC  VCEsat
RC  RE

Hình 8

1k



0V

VBE  0.8V

0

Mạch tương đương thevenin
Người soạn: Bùi Thư Cao

7


Chương 3. Transistor lưỡng cực BJT
(Bipole transistor)
Phân cực cho BJT
Nếu mạch ở chế độ khuếch đại
5.000V
Rc
Rb
150k


1k
2.782V
Q1
2.899V

5Vdc
0V
0

I CQ

2.232V

VCC  VBE

Rb
 RE




VCE  0.2V

Re

Hình 9

1k


Nếu mạch ở chế độ bão hồ

0

Mạch phân cực
dạng trực tiếp

09/2007

I CQ 

VCC  VCEsat
RC  RE

Người soạn: Bùi Thư Cao



VBE  0.8V

8


Chương 3. Transistor lưỡng cực BJT
(Bipole transistor)
Bài tập: Tính tốn phân cực cho các mạch điện sau đây
Rc
Rb

Bài 1


10k

Rc

5Vdc

R1

1k

2k

0

Q1

0

Q1

Bài 3

R2

Re

Re

3k


1k

5Vdc

1k

1k

0
0

Rc
R1
2k

Bài 2

5Vdc
Rc

5k
Rb

0

Q1

150k


R2

5Vdc

1k
0

Q1

Bài 4

Re

3k

1k

Hình 10

Re
1k

0

09/2007

0

Người soạn: Bùi Thư Cao


9


Chương 3. Transistor lưỡng cực BJT (tt)
Đáp án
5.000V

5.000V
Rc
Rb

Bài 1

10k

1k
2.606V
Q1
3.249V

Rc

5Vdc

R1

0V

2k


0

1k
2.700V
Q1
2.983V

5Vdc
0V
0

Bài 3

2.315V

2.569V

R2

Re

Re

3k

1k

1k
0V


0

0

5.000V
Rc
R1

Bài 2

2k

5k
1.443V
Q1
2.132V

5.000V

5Vdc
0V

Rc
Rb

0

150k
1.435V


R2

Re

3k

1k
2.782V
Q1
2.899V

0V
0

Bài 4

2.232V

Hình 11

Re

1k

1k

0V

09/2007


5Vdc

0

Người soạn: Bùi Thư Cao

0

10


Chương 3. Transistor lưỡng cực BJT (tt)
Phân tích mạch DC& AC

iC
RL

Hình 12

iB

Rb

Q1

VCC

VBB

Re


Ce



iE
0

09/2007

Người soạn: Bùi Thư Cao

11


Chương 3. Transistor lưỡng cực BJT (tt)
Phân tích mạch DC& AC
Phương trình đường tải DC

VCC  I CQ ( RL  RC )  VCEQ

 VCC  VCEQ  I CQ ( RL  RC )
 I CQ

09/2007

VCEQ

VCC



RL  RC RL  RC

Người soạn: Bùi Thư Cao

(DC load line)

12


Chương 3. Transistor lưỡng cực BJT (tt)
Phân tích mạch DC& AC
Phương trình đường tải tổng

~
iC  I CQ  ic
VCC  iC RL  I CQ Re  vCE

 (VCC  I CQ Re )  vCE  iC RL
vCE VCC  I CQ Re
 iC  

RL
RL

09/2007

Người soạn: Bùi Thư Cao

(DC&AC load line)


13


Chương 3. Transistor lưỡng cực BJT (tt)
Phân tích mạch DC& AC
Đồ thị đường tải

iC

I CQ max

iC max

VCC

RL  RC

VCC  I C Re

RL
AC&DC load line
Q

I CQ
DC load line
Hình 13

VCEQ


vCE

VCC  I CQ Re
09/2007

Người soạn: Bùi Thư Cao

VCC
14


Chương 3. Transistor lưỡng cực BJT (tt)
Phân tích mạch DC& AC
Đáp ứng của tải AC

~
ib (t)

iC

iCmax

~
icmmax  min{ ICQ , iCmax  ICQ}
ICQmax
Hình 14

Q

ICQ


VCEQ

VCC  ICQRe
09/2007

~
ic (t)

Người soạn: Bùi Thư Cao

VCC

vCE

15


Chương 3. Transistor lưỡng cực BJT (tt)
Phân tích mạch DC& AC
Đáp ứng của tải AC

iC

iCmax
=> Tải ngõ ra biến dạng
ICQmax

~
ic (t)


Q

ICQ

VCEQ

VCC  ICQRe

VCC

vCE

Hình 15
09/2007

Người soạn: Bùi Thư Cao

16


Chương 3. Transistor lưỡng cực BJT (tt)
Phân tích mạch DC& AC
Đáp ứng của tải AC ở trạng thái đối xứng cực đại
(Maximum symmetrical swing)

iC

iCmax
ICQmax


iCmax
ICQ 
2

~
ic (t)

Q

Hình 16

VCEQ VCC  ICQ Re
09/2007

Người soạn: Bùi Thư Cao

VCC

vCE
17


Chương 3. Transistor lưỡng cực BJT (tt)
Tính tốn cơng suất trung bình (tham khảo hình 12)
Cơng suất của đoạn mạch AB
T

1
PAB   u AB (t ) i AB (t ) dt

T 0
Trong đó:
uAB(t) là điện áp tổng rơi trên đoạn mạch AB
iAB(t) là dòng điện trên đoạn mạch AB

09/2007

Người soạn: Bùi Thư Cao

18


Chương 3. Transistor lưỡng cực BJT (tt)
Tính tốn cơng suất trung bình
Cơng suất của nguồn cung cấp
T

1
PCC   VCC iC (t ) dt
T 0
T
1
~
  VCC ( I CQ  ic ) dt
T 0
T
T
1
1
~

  VCC I CQ d t 
 VCC i (t )c d t
T 0
T 0

PCC  VCC I CQ
09/2007

Người soạn: Bùi Thư Cao

19


Chương 3. Transistor lưỡng cực BJT (tt)
Tính tốn cơng suất trung bình
Cơng suất trên tải
T

1
PL   u L (t ) i (t ) dt
L
T 0
T
1
~ (t )][ I  ~ (t )] dt
  [U L  u L
iL
L
T 0
T

T
1
1 ~
~
  U L I L d t  u L (t ) iL (t ) dt
T 0
T0

PL  I LQ
09/2007

2

1 2
RL  iLm RL
2

Hay

PL  PL ( dc )  PL ( ac )

Người soạn: Bùi Thư Cao

20


Chương 3. Transistor lưỡng cực BJT (tt)
Tính tốn cơng suất trung bình
Định lý về bảo tồn cơng suất


PCC   PK
Trong đó
PCC là cơng suất của nguồn cung cấp
PK là công suất của các thành phần trong mạch

09/2007

Người soạn: Bùi Thư Cao

21



×