BỘ CÔNG THƯƠNG
TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHIỆP TP.HCM
KHOA CÔNG NGHỆ ĐIỆN TỬ
TIỂU LUẬN THƯỜNG KỲ, HỌC KỲ 1 (2021-2022)
THỰC TẬP ĐIỆN TỬ
NÂNG CAO
Họ và tên sinh viên:
Mã số sinh viên:
Lớp học:
Email sinh viên:
Điện thoại sinh viên:
Giảng viên giảng dạy:
Điểm
Hà Văn Quý, Hoàng Trần Thiện
19534881 (Stt: 3), 19519351 (Stt: 7)
DHDTVT15ATT (422000409002)
0828796654
Trần Minh Hồng
Họ, tên và chữ ký của
cán bộ chấm thi thứ 1
Họ, tên và chữ ký của
cán bộ chấm thi thứ 2
BÀI 2: MẠCH KHUẾCH ĐẠI SỬ DỤNG
TRANSISTOR (Phần 1: BJT)
........................................................................................1
BÀI 2: MẠCH KHUẾCH ĐẠI SỬ DỤNG
TRANSISTOR (Phần 1: BJT).....................................2
DÒNG ĐIỆN NGÕ RA NGÕ VÀO LẦN 1...............5
TÍNH TỐN LÝ THUYẾT ĐO LẦN 1......................7
DÒNG ĐIỆN NGÕ RA NGÕ VÀO LẦN 2..............11
Bảng B1.1.....................................................................14
1
BÀI 2: MẠCH KHUẾCH ĐẠI SỬ DỤNG
TRANSISTOR
(Phần 1: BJT)
I. THIẾT BỊ SỬ DỤNG:
`Phần mềm mô phỏng ORCAD.
II. MỤC TIÊU:
Sau khi học xong SV viên có khả năng:
- Đo, vẽ và giải thích được ý nghĩa đường tải DC.
- Phân tích được sự ảnh hưởng của điểm làm việc Q tới mạch khuếch đại.
- Đo được và giải thích các thơng số của mạch khuếch đại.
- Phân tích và đánh giá được kết quả đo.
- Có khả năng thảo luận và trình bày được các kết luận của nhóm.
III.CHUẨN BỊ
SV chuẩn bị trước các nội dung sau:
- Ý nghĩa đường đặc tuyến ngõ vào và ngõ ra của BJT.
- Các cách phân cực và tính tốn phân cực cho BJT.
- Xem lại lý thuyết về mạng hai cửa (môn Mạch điện).
- Ý nghĩa các thông số .
IV. NỘI DUNG
2
Mạch khuếch đại E chung
Lần 1:
Sinh viên mắc mạch như hình vẽ.
-
Điều chỉnh ng̀n tín hiệu hình sin, tần số 1kHz và cấp vào v% của mạch
trên.
Sau đó, chỉnh biên độ ng̀n tín hiệu sao cho điện áp đỉnh đỉnh đo tại v& bằng
30mV.
Dùng VR điều chỉnh điểm làm việc của BJT sao cho điện áp ngõ ra v) không
bị
méo dạng.
-
Sử dụng OSC đo và vẽ điện áp v& (kênh 1) và v) (kênh 2) vào hình H1.10.
Xác định độ lợi áp, trở kháng vào (chọn R* = 220Ω), trở kháng ra và các tần
số
cắt của mạch khuếch đại và ghi vào bảng B1.1.
3
Kênh 1: Vin
Kênh 2: Vout:
4
DÒNG ĐIỆN NGÕ RA NGÕ VÀO LẦN 1
5
Kênh 1 iin
Kênh
2 io
6
TÍNH TỐN LÝ THUYẾT ĐO LẦN 1
RBB =
R1 * R2
0.75 *11
=
= 0.7V
R1 +R2
0.75 +11
VBB =VCC
I CQ =
R1
0.75
=12
=0.76V
R1 +R2
0.75 +11
VBB −VBE
0.76 −0.7
=
=3.5(mA)
RBB
0.7
3
RE +
(0.01 +
) *10
100
β
Sơ đờ tương đương tín hiệu nhỏ tân số thấp
7
hie = mh fe
VT
25 *10 −3
=100
= 714Ω
−3
I CQ
3.5 *10
R E ′ = ( h fe +1) RE = h fe RE =100(0.01*10 3 ) =1k Ω
RT = R1 / / R2 = 0.7V
Z i = R1 / / R2 * (hie +R E ′) = 0.7 / /1.714 = 0.497 k Ω
Z 0 = RC = 4.7 k Ω
8
Lần 2:
- Sinh viên giữ cố định biến trở VR và mạch như lần một nhưng gắn thêm tụ
CE= 10uF song song với RE.
- Xác định độ lợi áp, trở kháng vào, trở kháng ra và các tần số cắt của mạch
khuếch đại và ghi vào bảng B1.1.
Kênh 1 Vin
9
Kênh 2 Vout
10
DÒNG ĐIỆN NGÕ RA NGÕ VÀO LẦN 2
11
Kênh 1 Iin
Kênh 2 Iout
12
TÍNH TỐN LÝ THUYẾT ĐO LẦ
........................................................................................1
BÀI 2: MẠCH KHUẾCH ĐẠI SỬ DỤNG
TRANSISTOR (Phần 1: BJT).....................................2
DÒNG ĐIỆN NGÕ RA NGÕ VÀO LẦN 1...............5
TÍNH TỐN LÝ THUYẾT ĐO LẦN 1......................7
DỊNG ĐIỆN NGÕ RA NGÕ VÀO LẦN 2..............11
Bảng B1.1.....................................................................14
N2
Trường hợp mắc thêm tụ CE
11*0.75
= 0.7 K
11 + 0.75
R *V
0.75*12
VBB = 1 CC =
= 0.76V
R1 + R2 11 + 0.75
RBB = R1 / / R2 =
Áp dụng định luật KII :
−VBB + I B RBB + VBE + I E RE = 0
IC
I ( β + 1)
RBB + VBE + C
RE = 0
β
β
VBB − VBE
0.75 − 0.7
⇒ IC =
=
= 3.5mA
1
( β + 1)
0.7 K (100 + 1)
R +
RE
+
10
β BB
β
100
100
−VBB +
Mạch tương đương tín hiệu nhỏ, tần số thấp
13
AV =
vo
=
ib
vo vo ib
=
vi ib vi
− β ib .
RC RL
RC + RL
R R
= −β . C L
ib
RC + RL
ib
i
1
= b =
vi ib .hie hie
hie = mβ
26mA
26mA
= 1.100.
= 742.85Ω
I CQ
3.5mA
⇒ AV = − β .
RC RL 1
4.7 k .3.3k
1
. = −100.
.
= −260.98
RC + RL hie
4.7k + 3.3k 742.85
Bảng B1.1.
Vi
Mạch khuếch đại CE lần
đo 1
15mV
Mạch khuếch đại CE lần
đo 2
15mV
Vo
1.05V
1.14V
Av
Vo/vi=70
1.14/15m=76
Zi
Vi/ii=15m/25.5u=588
15m/25.5u=588
Zo
Vo/io=1.05/320uA=3281
1.14/0.344m=3313
ii
2.36 mA
2.44 mA
io
0.32 mA
0.34 mA
14
Nhận xét:
1/. Độ lợi áp ở trường hợp nào lớn hơn? Tại sao?
-Kết quả tính tốn cho thấy độ lợi áp A v lần 2 cao hơn lần 1 do sự khác
nhau giữa RE lần đo 1 khơng có tụ kháng lần đo 2 có tụ kháng nên dịng
khơng chia cho RE.
15
2/. So sánh của lần 1 và lần 2? Giải thích?
-Kết quả đo lần 1 và lần 2 có sự chênh lệch những không đang kể
-Độ lợi áp lần 1 thấp hơn lần 2 có sự thay đổi do giá trị RE thay đổi.
-Điện áp ra của lần 2 cao hơn lần 1 do có tụ kháng C làm cho điện áp R E bị
ngắn mạch.
16