Bài Giảng Kỹ thuật Mạch điện tử

Vro
Vr


Hà nội 5/ 2005
Đào Thanh Toản
Phạm Thanh Huyền
Võ Quang Sơn



Bài giảng
Kỹ thuật mạch điện tử
Chuyên ngành: KTVT, KTTT, ĐKH-THGT



BomonKTDT-ĐHGTVT
2




Lời nói đầu:
Bài giảng Kỹ thuật Mạch Điện tử đợc biên soạn dựa trên các giáo trình và
tài liệu tham khảo mới nhất hiện nay, đợc dùng làm tài liệu tham khảo cho sinh
viên các ngành: Kỹ thuật Viễn thông, Kỹ thuật Thông tin, Tự động hoá, Trang thiết
bị điện, Tín hiệu Giao thông.
Trong quá trình biên soạn, các tác giả đã đợc các đồng nghiệp đóng góp
nhiều ý kiến, mặc dù cố gắng sửa chữa, bổ sung cho cuốn sách đợc hoàn chỉnh
hơn, song chắc chắn không tránh khỏi những thiếu sót, hạn chế. Chúng tôi mong

nhận đợc các ý kiến đóng góp của bạn đọc!
Xin liên hệ:


DTT_PTH_VQS

3


BomonKTDT-ĐHGTVT
4
Chơng I. Những khái niệm chung và cơ sở
phân tích mạch điện tử

I. Mạch điện tử:

Mạch điện tử là loại mạch có nhiệm vụ gia công tín hiệu theo những thuật
toán khác nhau, chúng đợc phân loại theo dạng tín hiệu đợc xử lý.
Tín hiệu: là số đo điện áp huặc dòng điện của một quá trình, sự thay đổi của
tín hiệu theo thời gian tạo ra tin tức hữu ích.
Tín hiệu đợc chia làm 2 loại là tín hiệu tơng tự Anolog và tín hiệu só
Digital.
Tín hiệu tơng tự là tín hiệu biến thiên liên tục theo thời gian và có thể nhận
mọi giá trị trong khoảng biến thiên của nó.
Tín hiệu số: là tín hiệu đã đợc rời rạc hoá về mặt thời gian và lợng tử hoá
về mặt biên độ, nó đợc biểu diễn bởi tập hợp xung tại những điểm đo rời rạc.
Tín hiệu có thể đợc khuếch đại; điều chế; tách sóng; chỉnh lu; nhớ; đo ;
truyền đạt; điều khiển; biến dạng; tính toán bằng các mạch điện tử.
Để gia công 2 loại tín hiệu số và tơng tự dùng 2 loại mạch cơ bản: mạch
tơng tự và mạch số, trong khuôn khổ giáo trình này chỉ xem xét các mạch tơng tự.

Với mạch điện tử tơng tự, chỉ quan tâm tới 2 thông số: biên độ tín hiệu và
độ khuếch đại tín hiệu.
Biên độ tín hiệu: liên quan mật thiết đến độ chính xác của quá trình gia công
tín hiệu và xác định mức độ ảnh hởng của nhiễu đến hệ thống. Khi biên độ tín hiệu
nhỏ mV, huặc àV, thì nhiễu có thể lấn át tín hiệu, vì vậy khi thiết kế các hệ thống
điện tử cần lu ý nâng cao biên độ tín hiệu ngay ở tầng đầu của hệ thống.
Khuếch đại tín hiệu là chức năng quan trọng nhất của mạch tơng tự, có thể
thực hiện trực tiếp huặc gián tiếp trong các phần tử chức năng của hệ thống, thông
thờng trong một hệ thông lại chia thành tầng gia công tín hiệu, tầng khuếch đại
công suất.
Hiện nay các mạch tổ hợp(IC) tơng tự đợc dùng phổ biến, không những
đảm bảo các chỉ tiêu kỹ thuật mà còn có độ tin cậy cao và chi phí thấp, tuy nhiên
chúng đợc dùng chủ yếu cho tín hiệu có phạm vi tần số thấp.
Xu hớng phát triển của kỹ thuật mạch điện tử tơng tự là nâng cao độ tích
hợp, và khả năng ứng dụng của mạch.
II. Các kiến thức cơ bản về transistor

Xem lại ở các giáo trình Cấu kiện Điện tử, những nội dung sau:
1- Cấu tạo, nguyên lý hoạt động,
2- Có 3 cách mắc cơ bản của BJT(FET) : EC(SC); CC(DC); BC(GC).
3- Các ứng dụng của BJT và FET, tuỳ theo việc phân cực mà T sẽ làm việc theo các
chế độ sau:
+ Chế độ khuếch đại tín hiệu: phân cực ở chế độ khuếch đại
+ Làm việc ở chế độ khoá: miền bão hoà và miền cắt
4- Các sơ đồ tơng đơng của T
5- Đặc tính tần số của T
6- Sơ đồ và cách tính toán cuả T khi khuếch đại tín hiệu nhỏ
7- So sánh giữa BJT và FET,
Gợi ý :

DTT_PTH_VQS

5
Fet có u điểm kích thớc và điện áp cung cấp(dẫn đến công suất tiêu thụ) nhỏ hơn
và độ tin cậy cao hơn BJT, nhng Fet lại có nhợc điểm là điện dẫn g nhỏ và nhạy
cảm với điện tích tĩnh, vì vậy Fet thờng đợc tích hợp trong mạch IC, còn BJT
thờng dùng cho mạch rời.

III. Mạch cấp nguồn và ổn định chế độ làm việc

1. Đặt vấn đề:
Trong các tầng khuếch đại tín hiệu nhỏ, điểm làm việc nằm trong miền tích
cực của BJT, trong miền thắt của FET, ở chế độ tĩnh, trên các cực của T có các dòng
điện tĩnh Ic(T
D
); I
B
(I
G
) và điện áp một chiều U
CE
(U
DS
); U
BE
(U
GS
). Điểm làm việc
tơng ứng với chế độ này là điểm làm việc tĩnh Q.

Khi có tín hiệu vào thì điện áp và dòng điện thay đổi xung quanh giá tri tĩnh,
để đảm bảo cho các tầng làm việc bình thờng trong những điều kiện khác nhau,
ngoài việc cung cấp điện áp thích hợp cho các cực, còn cần phải ổn định điểm làm
việc tĩnh đã chọn, nếu không chất lơng làm việc của tầngbị giảm sút.

2. Với BJT.
a. Sơ đồ ổn đinh tuyến tính:
Sơ đồ phổ biến là sơ đồ hồi tiếp- một chiều: nhằm biến đổi điện áp mạch vào
của T sao cho có thể hạn chế sự di chuyển điểm tĩnh trên đặc tuyến ra, gây
nên bởi các yếu tố mất ổn định. Sơ đồ nh sau:
Ví dụ hình a:

Vcc
Uv
R1
Rc
C5 R2
Vcc
Ur
Uv
Q3
Ur
C2
Q2
C1
R1
Re
UvUr
R2
R1
C2
C1
Q1
Rc
Vcc

Ic
I1
I1
h.a
h.b
h.c
Mạch cung cấp và ổn định điểm làm việc bằng hồi tiếp âm điện áp
ha. EC; hb:CC; hc: BC


BomonKTDT-ĐHGTVT
6
Nguyên tắc ổn định: nếu có một nguyên nhân mất ổn định nào đó làm cho
dòng một chiều I
CEo
trên colector tăng thì điện thế U
CEo
giảm, do đó dòng định thiên
I
Bo
= U
CEo
/R1 giảm theo, làm I
CEo
giảm xuống, nghĩa là dòng tĩnh ban đầu giữ nguyên.
Cũng có thể dùng sơ đồ hồi tiếp dòng điện:
Nguyên tắc ổn định nh sau:

Khi I
C
tăng, thì điện áp U
Eo
=Ie. Re, tăng. vì điện áp Ue lấy trên bộ phân áp
R1 và R2 không đổi, nên U
BEo
=I

B
R2- U
Eo
giảm làm cho I
B
giảm, do vậy I
C
không
tăng. Tụ Ce có tác dụng tránh hồi tiếp - xoay chiều.

a. Sơ đồ ổn đinh phi tuyến :
áp dụng phơng pháp bù nhiệt nhờ các phần tử có tham số phụ thuộc vào
nhiệt độ nhứ T, D, Điện trở nhiệt, phơng pháp này thích hợp cho mạch tổ hợp.
- Nếu D và T nh hình a đều đợc sản xuất từ một loại bán dẫn nh nhau, và
nhiệt độ mặt ghép của chúng nh nhau, thì đặc tính nhiệt của điện áp B-E và của
điện áp hạ trên D là nh nhau; hơn nữa U
BE
; U
D
có chiều ngợc nhau, nên ảnh
hởng của nhiệt độ đợc bù hoàn toàn.
- Sơ đồ hình B cũng làm việc theo nguyên tắc đó, khi mắc nối tiếp R2 với D
phân cực thuận, thì R1, R2, D tạo thành mạch phân áp đa điện áp vào B, nếu chọn
R2<<R1 thì UB hầu nh không phụ thuộc nguồn Vcc.
- Sơ đồ hình c: dùng điện trở có hệ số nhiệt - để bù, khi nhiệt độ tăng thì R
T

giảm, do đó điện áp U
E
tăng làm I

C
giảm sao cho có thể bù lại sự tăng của I
C
theo
nhiệt độ
Các mạch loại này có u điểm có tổn hao phụ không đáng kể, không gây ảnh hởng
đến áp ra.

Rc
Re
1k
R2
Ce
Re
R1
C
1uF
R2
Vcc
Ur
Uv
Q3
Ur
C2
Vcc
Q2
C1
R1
Re
UvUr

Uv
R2
R1
C2
C1
Q1
Rc
Vcc
ha
hb

hc
Sơ đồ cung cấp và ổn định điểm làm việc bằng hồi tiếp - dòng điện một chiều.
ha. EC; hb: CC; hc: BC
Rt
(-)

Vcc
Rc
Q3
C2
C1
R1
R2
Uv
Ur
Re
Re1
Ur
Uv

R2
R1
C3
C4
Q2
Rc1
Vcc
Re
Ur
Uv
R2
R1
C2
C1
Q1
Rc
Vcc


DTT_PTH_VQS

7

c. ổn định trong mạch tổ hợp tơng tự
Dùng các nguồn điện để ổn định vì nguồn dòng dễ chế tạo dới dạng tổ hợp,
trên sơ đồ dới đây, giả thiết IC không phụ thuộc U
CE
và Q1, Q2 có tham số hoàn
toàn giống nhau và ở cùng một nhiệt độ, do đó:
I
C1
=I
C2
và I
B1
=I
B2
= I
C1
/B
N

Theo sơ đồ hình a:
I
1
=I
C1
+ 2I
B2

= I
C2
+ 2I
C2
/B
N

Từ đó suy ra: I
C2
= I
1
/(1+2/B
N
) I
1
khi B
N
>>2
Từ đây ta thấy có thể dùng I
1
để điều khiển trị số của I
C2
. Để I
1
ổn định, đơn
giản nhất là nối A với Vcc qua R.

Trong các mạch tổ hợp, tránh chế tạo các điện trở có trị số lơn, do vậy khó
có dòng I
1
nhỏ, vì vậy để đạt đợc I
1
nhỏ thờng dùng sơ đồ bên phải.
3. với FET
Vấn đề ổn định nhiệt của FET là làm cho điểm làm việc không phụ thuộc
vào độ tạp tán tham số của FET, không phụ thuộc nhiệt độ, thời gian, và các biến
đổi của điện áp nguồn cung cấp, cũng giống BJT biện pháp ổn định nhiệt của FET
cũng dùng nguyên tắc hồi tiếp - dòng điện và điện áp. ví dụ:
Các loại sơ đồ hồi tiếp - dòng điện thông qua R
S
có dạng nh hình sau:
Nếu coi I
G
=0, ta có U'
G
=I
D
R
S
+ U

GS
; biểu thức này cho biết dạng của đờng
điện trở Rs với độ dốc:







R
Ucc
Ucc
Q1
Q2
A
Ucc
Ucc
Q1
Q2
Ur
+
-
Vs1
R
G
R
S
U
DD

R
D
Q1
I
S


BomonKTDT-ĐHGTVT
8









tg=-(dI
D
/dU
GS
)

U'
G
phải chọn sao cho dòng máng I
D
không đổi khi thay FET, chọn U'
G

chính

là chọn R
G
, điện trở ổn định.


DTT_PTH_VQS

9

chơng 2. Hồi tiếp

I. Khái niệm:
1. Định nghĩa:
Hồi tiếp là ghép một phần tín hiệu ra(điện áp huặc dòng điện)
của mạng 4 cực tích cực(phần tử khuếch đại- Transistor huặc KĐTT) về
đầu vào thông qua một mạng 4 cực, mạng 4 cực này gọi là mạng hồi tiếp.

Hồi tiếp đóng vai trò quan trọng trong kỹ thuật mạch điện tử
tơng tự, nó cho phép cải thiện các tính chất của bộ khuếch đại nh: trở
kháng vào, trở kháng ra, băng thông,
2. Phân loại:
Theo tác dụng hồi tiếp có hai loại về hồi tiếp cơ bản:
- Hồi tiếp (-) : Tín hiệu hồi tiếp ngợc pha với tín hiệu vào
- Hồi tiếp (+): Tín hiệu hồi tiếp cùng pha với tín hiệu vào
Trong các loại hồi tiếp ta lại quan tâm: tín hiệu hồi tiếp là một chiều hay
xoay chiều, hồi tiếp âm một chiều đợc dùng để ổn định chế độ công tác, còn hồi
tiếp âm xoay chiều đợc dùng để ổn định các tham số của bộ khuếch đại. Quan tâm
đến cách ghép nối tiếp hay song song.
Tổng hợp ta có các loại nh sau:
+ Hồi tiếp nối tiếp điện áp: tín hiệu hồi tiếp đa đến đầu vào nối tiếp với
nguồn tín hiệu ban đầu và tỷ lệ với điện áp đầu ra.
+ Hồi tiếp song song điện áp: tín hiệu hồi tiếp đa đến đầu vào song song
với nguồn tín hiệu ban đầu và tỷ lệ với điện áp đầu ra.
+ Hồi tiếp nối tiếp dòng điện: tín hiệu hồi tiếp đa đến đầu vào nối tiếp với
nguồn tín hiệu ban đầu và tỷ lệ với dòng điện đầu ra.
+ Hồi tiếp song song dòng điện: tín hiệu hồi tiếp đa đến đầu vào song song
với nguồn tín hiệu ban đầu và tỷ lệ với dòng điện đầu ra.
K
K
ht
+(-)

X
V
X
R
X
ht
X
h
X
V
: tín hiệu vào
X
R
: tín hiệu ra
X
ht
: tín hiệu hồi tiếp
K: Hệ số khuếch đại của mạch Khuếch đại
K
ht
: H
ệ
số khuếch đ
ạ
i m
ạ
ch hồi tiế
p
Hình. Sơ đồ khối bộ khuếch đại có hồi tiế
p

BomonKTDT-§HGTVT
10

K
K
ht
u
V
u
R
u
ht
H×nh. S¬ ®å khèi håi tiÕp nèi tiÕp ®iÖn ¸p

K
K
ht
u
V
u
R
u
ht
H×nh. S¬ ®å khèi håi tiÕp nèi tiÕp dßng ®iÖn

i
ht

K
K
ht
u
V
u
R
u
ht
H×nh. S¬ ®å khèi håi tiÕp song song ®iÖn ¸p

K
K
ht
u
V
u
R
u
ht
H×nh.
S
¬ ®å khèi håi tiÕp song song dßng ®iÖn

i
ht


DTT_PTH_VQS

11

3. Các phơng trình cơ bản:

Từ sơ đồ suy ra các quan hệ:
+ X
R
= KX
h

+ X
v
= K
n
X
n

+ X
h
= X
v
- X
ht
nếu tín hiệu vào(X
h
) và tín hiệu hồi tiếp X
ht

đồng pha (X
v
= X
h
+ X
ht

)
+ X
h
= X
v
+ X
ht
nếu tín hiệu vào(X
h
) và tín hiệu hồi tiếp X
ht

ngợc pha (X
v
= X
h
- X
ht
)

+ X
ht
= K
ht
X
r



n

n
R
tp
htV
R
KK
X
X
K
KK
K
X
X
K ';
1
' ==

==


K : Hàm truyền đạt mạng 4 cực tích cực có hồi tiếp
K
tp
: Hàm truyền đạt toàn phần của nó
K
n
: Hàm truyền đạt toàn phần của khâu ghép
- Gọi K
v
= KK

ht
là hệ số khuếch đại vòng
- Gọi g = 1 K
v
=1 KK
ht
là độ sâu hồi tiếp(dấu khi hồi tiếp song song,
dấu + khi hồi tiếp là nối tiếp)
Các tham số này dùng để đánh giá mức độ thay đổi các tham số của bộ
khuếch đại. Phân biệt các trờng hợp sau:
g >1, tức K<K, tức mạch hồi tiếp mắc vào làm giảm hệ số khuếch
đại, ta có hồi tiếp (-).
K
K
ht
+
X
V
X
R
X
ht
X
h
X
V
: tín hiệu vào
X
R
: tín hiệu ra

X
ht
: tín hiệu hồi tiếp
K: Hệ số khuếch đại của mạch Khuếch đại
K
ht
: Hệ số khuếch đại mạch hồi tiếp
X
n
: tín hiệu từ tầng trớc
K
n
: Hệ số khuếch đại mạch ghép
Hình. Sơ đồ khối bộ tổn
g
q
uát khuếch đại có hồi tiế
p

Kn
X
n
+

-



BomonKTDT-ĐHGTVT
12

g <1, tức K >K, tức mạch hồi tiếp mắc vào làm tăng hệ số khuếch
đại, ta có hồi tiếp (+).
g=1, tức K = K, mạch trở thành mạch dao động(xem chơng mạch
dao động)

III. Phơng pháp phân tích mạch có hồi tiếp:

Phân tích là việc tìm ra các thông số cơ bản: Zv, Zr, K, B Cơ bản giống nh
các mạch điện tử khác, chủ yếu vẫn dùng các kiến thức của lý thuyết mạch điện để
phân tích, ngoài ra còn có thể kết hợp với các lý thuyết khác nh lý thuyết điều
khiển tự động.
Hồi tiếp + sẽ xem xét tại chơng dao động, sau đây xét cho các trờng hợp
hồi tiếp -
Sau đây là ví dụ về các trờng hợp, phần tử tích cực là Transistor:
a, Hồi tiếp âm dòng điện, ghép nối tiếp
Chọn giá trị của các tụ điện sao cho trở kháng của nó với tần số
tín hiệu làm việc của mạch là rất nhỏ, để có thể coi tín hiệu đợc nối tắt
mà không qua Re ở sơ đồ không hồi tiếp.
Với sơ đồ có hồi tiếp, không dùng Re, nên dòng ngõ ra i
e
i
c
, đi qua Re tạo ra
điện áp xoay chiều, đây cũng chính là điện áp hồi tiếp Vht=Ve=Re.i
e
(phải tính là
điện áp vì tín hiệu X
h
là tín hiệu áp-Vs).
Hệ số khuếch đại hồi tiếp:

K
ht
=Xht/Xr = Vht/Vc=(i
B
..Re) /(-i
B
..Rc)= - Re/Rc
Từ kết quả này ta có thể tình tiếp các thông số khác
ur
Vs
Vcc
C2
C1
R2
R1
Re=Rht
Rc
hình. Mạch khuếch đại hồi tiế
p
ie
uht= ve


DTT_PTH_VQS

13

b, Hồi tiếp âm điện áp, ghép nối tiếp
Cặp điện trở Rht và Re1 tạo thành cặp phân áp lấy tín hiệu áp u
r
về đầu vào,
điện áp hồi tiếp lấy trên điện trở Re1, có giá trị:


Rht
uVhtKu
Rht
Vht
ủr
+
===>
+
=
1Re

1Re
/'.
1Re
1Re


Từ công thức ta thấy hệ số khuếch đại hồi tiếp phụ thuộc
vào 2 điện trở Re1 và Rht, nhng để đảm bảo chế độ thiên áp một chiều
cho Q1, Re1 không thể thay đổi trong phạm vi lớn, vì vậy hệ số khuếch
đại hồi tiếp phụ thuộc chủ yếu vào Rht.
Vcc
Q2
Rc2
R2
C3
u
r
C2
C1
R1
Rc1
Q1
Vs
Hình. Mạch khuếch đại không hồi tiếp
Ce
ur
Vs
Vcc
C2
C1

R2
R1
Re
Rc
hình. Mạch khuếch đại không hồi tiếp


BomonKTDT-§HGTVT
14

c, Håi tiÕp ©m ®iÖn ¸p, ghÐp song song

§iÖn trë Rht thay thÕ Rb ph©n ¸p cho B cña Transistor, ®ång thêi Rht còng
lÊy ®iÖn ¸p ra håi tiÕp vÒ.
Rht kÕt hîp víi tæng trë ngâ vµo t¹o thµnh m¹ch ph©n ¸p, ®iÖn ¸p håi tiÕp
®−îc xac ®inh:
R
hthie
hie
uVhtKu
R
hthie
hie
Vht
ñr
+
===>
+
= /'.

Re1
R
ht
Vcc
Q2
Rc2
R2
C3

u
r
C2
C1
R1
Rc1
Q1
Vs
H×nh. M¹ch khuÕch ®¹i håi tiÕp ®iÖn ¸p nèi tiÕp
+
+
-
-
+
Vht
Rht
Ur
Vcc
Vs
C2
C1
Rc
Q1
H×nh. Håi tiÕ
p
©m ®iÖn ¸
p
son
g
son

g
hie
uht


DTT_PTH_VQS

15















d, Hồi tiếp âm dòng điện, ghép song song
Mạch hồi tiếp dùng Rht lấy Ve2 để phân cực cho B1 đồng thời lấy tín hiệu
ra i
c2
i
e2
qua Re2 tạo tín hiệu dòng i

ht
.
Dòng điện hồi tiếp i
ht
phản ánh thành điện áp hồi tiếp Vht qua điện trở Rht
đa đến đầu vào
Hệ số hồi tiếp dòng điện:
Ki=(Re2+Rht)/Re2
U
r
Re2
Q2
Rc2
C3
Rb
2
Rb1
Vc
c
Vs
C2
C
1
Rc1
Q1
R
h
t

i

ht
Mạch hồi tiếp âm dòng, ghép song song
h
i
e

i
e2

Ur
Vcc
Vs
C2
C1
Rb
Rc
Q1
Hình .Mạch khôn
g
hồi tiế
p


BomonKTDT-ĐHGTVT
16

IV. ảnh hởng của hồi tiếp đến các thống số của mạch.
ảnh hởng của hồi tiếp đợc tóm tắt theo bảng sau:

Các thông số kỹ
thuật
Hồi tiếp
âm
dòng
điện nối
tiếp
Hồi tiếp
âm điện
áp nối

tiếp
Hồi tiếp
âm điện
áp song
song
Hồi tiếp
âm dòng
điện song
song
Tổng trở ngõ vào:
Z
v

Zi.g Zi.g Zi /g Zi /g
Tổng trở ngõ ra:
Z
r

Zo.g Zo /g Zi /g Zi.g
Độ khuếch đại điện
áp: K
U

Ku/g Ku/g Ku/g Ku/g
Độ rộng băng
thông: B
B.g B.g B.g B.g
Trong đó g =1 K.K
ht

Các mạch khuếch đại hồi tiếp âm làm tăng tổng trở ngõ vào thờng dùng
cho tầng tiền khuếch đại, để không làm giảm biên độ của tín hiệu hữu ích, các mạch
hồi tiếp âm làm giảm tổng trở ngõ ra thờng dùng cho các tầng cuối(công suất), để
tăng khả năng cấp dòng cho tải.
Ngoài các thông số thống kê trên, mạch hồi tiếp còn có tác dụng giảm biên
độ nhiễu, giảm độ méo phi tuyến và méo tần số.

Ce2
Re2
Q2
Rc2
C3
Rb2
Rb1
Vcc
Vs
C2
C1
Rc1
Q1
Mạch dạn
g
khôn
g
hồi tiế
p


DTT_PTH_VQS

17
Chơng 3. Các sơ đồ cơ bản của tầng
khuếch đại tín hiệu nhỏ dùng Transistor

- Với tín hiệu nhỏ thờng dùng sơ đồ tơng đơng để phân tích, có thể biểu diễn các
phần tử tích cực bằng sơ đồ tơng đơng , huặc sơ đồ tơng đơng của mạng 4
cực
I. Khái niệm
- Transisor là linh kiện phi tuyến, nhng khi xét với tín hiệu trong phạm vi
biến thiên nhỏ thì mức độ phi tuyến ảnh hớng không lớn, nên có thể xem nh
mạch tuyến tính, T đợc vẽ thành các mạch tơng đơng gồm R, nguồn dòng, để có
thể tính toán và phân tích theo các nguyên lý của Lý thuyết mạch, có thể biểu diễn
bằng sơ đồ tơng đơng , huặc sơ đồ tơng đơng của mạng 4 cực
- Việc tính toán, phân tích một mạch khuếch đại dùng T bao gồm các phần
sau:
+ Tính toán chế độ một chiều
+ Tính toán các tham số ở chế độ xoay chiều(chế độ động).
Phần tính toán chế độ một chiều ta đã xem xét ở phần Cấu kiện Điện tử, vì
vậy chỉ nghiên cứu chế độ động.
II. Phân tích mạch khuếch đại bằng sơ đồ tơng đơng
1. Mạch tơng đơng của Transistor
Điều kiện để một T dẫn là phân cực thuận với tiếp giám BE và phân cực
ngợc với tiếp giám BC, mạch tơng đơng của T nh sau:

Trong đó:
+ Rb là điện trở đoạn từ cực B và giữa vùng bán dẫn của cực B.
+ Re là điện trở thuận ở trạng thái xoay chiều của mối nối BE:
Re=26mV/I
E
(mA)
+ Rc là điện trở nghịch của mối nối BC.
Mạch tơng đơng T dùng thông số của ma trận H:











E
Re
B
Rb
Rc
C
ie
ic
C

Ic=

.ib
Re
Rb
Ib

B
Ie
E
Ube
Uce


BomonKTDT-ĐHGTVT
18
trong đó:
+ ib: dòng điện tín hiệu ngõ vào, giá trị phụ thuộc vào Rb, Re
+ ic : dòng điện tín hiệu ngõ ra, ic=ib
Phơng trình đặc trng theo ma trận H:
Ube=h11.ib+h12.Uce
ic = h21.ib +h22.Uce
+ h11=Ube/Ib: điện trở ngõ vào
+ h21=Ic/Ib: hệ số khuếch đại dòng
+ h12=Ube/Uce: độ khuếch đại điện áp ngợc
+ h22=Ic/Uce: dẫn nạp ngõ ra.
2. Mạch tơng đơng kiểu EC:

- Tổng trở ngõ vào:
h11= hie=Ri=
ib
reibrbib
ib
reierbib
Ib
Vi

+
=
+
=
- Tổng trở ngõ ra:
ro=1/h22
- Độ khuếch đại dòng:
Ki=h21=
- Độ khuếch đại điện áp:
Ku=

Rbe
Rc
hUbe
Uce
.
12
1

==


3. Mạch tơng đơng kiểu BC:

- Tổng trở ngõ vào:
h11= hie=Ri=


rere
ie
rbibreie
+
=
+
=


- Tổng trở ngõ ra:
ro=Vo/ic
- Độ khuếch đại dòng:
Ki=ic/ie=(/(+1))1

- Độ khuếch đại điện áp:
Ku=
Rbe
Rc
Riie
Rcic
.
.
.

=



Rc
R0
C
Ic
Re
Rb
B


DTT_PTH_VQS

19

4. Mạch tơng đơng kiểu CC:

- Tổng trở ngõ vào:
h11= hie=Ri= 1
1
Rrerb
ib
Riereierbib

++=
+
+
=
- Tổng trở ngõ ra:
ro=re+1/(rs+rb)
- Độ khuếch đại dòng:
Ki=ie/ib=+1
- Độ khuếch đại điện áp:
Ku= 1
1
1.

++
=
Riereierbib
R
vb
ve















5. Phân tích mạch khuếch đại bằng mạch tơng đơng
Minh họa:

Rc
C
Ic
Rb
Re
E
B
Rs
R1
Re
Vs
C
Ic
Rb
B
ie


BomonKTDT-§HGTVT
20

ta cã Zi=hie//R1//R2

-Ki=β
- Ku=
Z
i
Zt
Vi
Vo
β
−=

-HÖ sè khuÕch ®¹i toµn m¹ch Ktp=Ku.
RsZt
Zt
Vs
Vi
+
−=
β



III. TÝnh to¸n c¸c th«ng sè ë chÕ ®é ®éng
Minh ho¹ qua vÝ dô:
TÝnh to¸n chÕ ®é ®éng cho m¹ch cã tham sè nh− h×nh vÏ:
Vcc
Zt
C2
Ce
Re
Rc

Q1
R2
R1
C1
Rs
Vs
Zt Rc
Ic
hieR2
R1
Rs
Vs
E
B C
Zt Rc
Ic
Zi
Rs
Vs
E
B C
Vi


DTT_PTH_VQS

21

Giải: Sơ đồ tơng đơng:










-Tổng trở vào của T: Ri=hie=2,5K
-Ki==100 lần
- Ku= 112
5,2

8,2
.100
//
=
hie
ZtRc

lần(hệ số KĐ của riêng T)
- Zv chung cả mạch=Zi//hie= K
RRhie
RRhie
Zihie
Zihie
2,2
)2//1(
)2//1(.

+
=
+

- Độ khuếch đại áp toàn mạch:
Ktp= 88
6002,2
2,2
.112 =
+
=
+
=

RsZv
Zv
Ku
Vs
Vi
Vi
Vo

Dấu - chứng tỏ tín hiệu ra ngợc pha với tín hiệu vào

IV. Transistor Trờng- FET
Mạch khuếch đại điển hình dùng FET, nh hình vẽ sau, dòng điện cực cửa
IG, có giá trị nhỏ không đáng kể, nên sụt áp trên Rs là không đáng kể, có thể bỏ
qua, , ta có:
+ V
GS
=-V
GG

+Vgs=Vs
Điện áp tổng gồm cả một chiều và xoay chiều là :
VGS=vgs+V
GS
,


Vcc
Zt
C2
Ce

Re
Rc
Q1
R2
R1
C1
Rs
Vs
Rs=600 C2=10àF
R1=100K Ce=50àF
R2=27K Rc=3,3K
Re=1K C1=10à
hie=2,5K =100
Zt=20K
Zt Rc
Ic
Zi
Rs
Vs
E
B C
Vi
rb+re


BomonKTDT-§HGTVT
22

§iÖn ¸p t¹i cùc th¸o lµ: V
DS
= V
DD
- R
D
.i
D
= )1(.
PO
s
PO
GS
DSSDDD
V
v
V

V
IRV ++−

- C«ng suÊt tiªu t¸n trªn FET:
P
D
=V
DS
.I
D

- C«ng suÊt ra trªn t¶i:
P
T
=R
D
+I
2
D
+R
D
.Id
2

Id: dßng trung b×nh cña tÝn hiÖu lµm viÖc
Sau ®©y lµ c¸c m¹ch khuÕch ®¹i th«ng dông:
- M¹ch SC(nguån chung):

§é khuÕch ®¹i ¸p Ku tÝnh gÇn ®óng: Ku =
D
gs
R
v
id
Vgs
V
.
0
−=
−
- M¹ch DC(th¸o chung):

Ur
+
-VGG
Vs
Rs
VDD
RD
Q1
C2
C1
RG
Cs
Rs
Ur
Vs
VDD
RD
Q1
Rs
C1
RG
Rs
Ur
Vs
VDD
Q1

DTT_PTH_VQS

23
Độ khuếch đại áp Ku tính gần đúng: Ku =
Rsg
Rsg
Vgs
V
m
m
+
=
1
.
0

Trong đó g
m
=i
d
/v
gs



V. Các phơng pháp Ghép tầng giữa các bộ khuếch đại

Một bộ khuếch đại thờng gồm nhiều tầng khuếch đại mắc liên tiếp vì
thông thờng một tầng khuếch đại không đảm bảo đủ hệ số khuếch đại cần

thiết. Trong trờng hợp này tín hiệu ra của tầng trớc là tín hiệu vào của tầng
sau và hệ số khuếch đại tổng

=
=
n
i
KidBK
1
)( với Ki là hệ số khuếch đại tính
theo dB của tầng khuếch đại thứ i trong tổng số n tầng khuếch đại.
Chọn số tầng và kiểu tầng
Việc lựa chọn số tầng khuếch đại, kiểu tầng và thứ tự của chúng chủ
yếu dựa vào trở kháng nguồn, trở kháng tải và hệ số khuếch đại yêu cầu. Hầu
hết các mạch khuếch đại cần:
Trở kháng vào cao so với trở kháng nguồn.
Trở kháng ra nhỏ so với trở kháng tải.
Ví dụ: khi cần bộ khuếch đại có hệ số tăng ích và trở kháng vào cao thì sẽ sử
dụng BJT mắc kiểu CC làm tầng 1 (trở kháng vào cao) và BJT mắc kiểu CE
làm tầng 2 (hệ số khuếch đại lớn).
Kiểu ghép giữa các tầng
Có 3 kiểu ghép tầng: ghép trực tiếp, ghép RC, ghép biến áp.
Phần tiếp sau đây sẽ giới thiệu các cách ghép giữa các tầng
1. Ghép RC
Trong mạch khuếch đại nhiều tầng, mạch ghép RC sẽ thực hiện ghép
giữa tầng này với tầng khác nhờ 1 tụ điện. Tụ C2 nh trong hình dới đây
biểu diễn kiểu ghép này giữa 2 tầng CE.


BomonKTDT-ĐHGTVT

24

Ghép RC cho phép tín hiệu ac đi qua nhng lại ngăn cản tín hiệu dc.
Nh vậy, thành phần một chiều không ảnh hởng lẫn nhau giữa các tầng,
đồng thời điểm làm việc tĩnh cũng đợc cách ly.
2. Ghép biến áp
Trong trờng hợp này, việc liên kết giữa 2 tầng khuếch đại đợc thực
hiện bởi biến áp. Dới đây là mạch ghép điển hình giữa 2 tầng dùng biến áp.
Nh ta thấy trong hình trên, cuộn sơ cấp của biến áp thay cho điện trở
tải R
L
. Vì biến áp hoạt động giống nh một cuộn cảm (có trở kháng bằng 0
hay rất nhỏ so với dòng dc), nên dòng tĩnh I
CQ
qua tầng thứ nhất sẽ không bị
suy hao. Còn với thành phần dòng ac, tải động (tải xoay chiều) sẽ là tải thứ
cấp khi nhìn từ cuộn sơ cấp, tức là bằng với (n
2

. R) với n: là hệ số truyền đạt
của biến áp. Việc sử dụng biến áp sẽ khiến các tầng khuếch đại đợc cách ly
với nhau. Điểm làm việc tĩnh Q có thể đợc xác định tách biệt với từng tầng.
Ưu điểm của ghép biến áp là: không có dòng một chiều trên tải và đạt đợc
hiệu suất cao hơn.
Nhợc điểm của ghép biến áp là: kích cỡ và trọng lợng lớn của biến áp, giới
hạn tần số của biến áp và sự không tuyến tính của đờng cong đáp ứng tần số.
Vì những nhợc điểm nh vậy, biến áp sẽ không đợc sử dụng trong
các mạch tần số thấp, tín hiệu nhỏ. Nó chỉ đợc dùng nhiều trong các mạch
khuếch đại tần số cao điều chỉnh kênh thu, trong đó biến áp sử dụng để tạo
mạch cộng hởng.

Trong mạch khuếch đại sử dụng biến áp, thành
phần tín hiệu ac trong cuộn sơ cấp sẽ phụ thuộc vào
điện kháng của cuộn dây. Hệ số khuếch đại tỷ lệ với
điện kháng của biến áp vì thế tín hiệu ra sẽ phụ thuộc
vào tần số. Để khắc phục vấn đề này, cần mắc song
song một mạch RC với cuộn sơ cấp.(hình bên).


DTT_PTH_VQS

25

3. Ghép trực tiếp.
Ghép trực tiếp là phơng
pháp đa trực tiếp tín hiệu từ
tầng trớc tới tầng sau mà
không thông qua bất cứ một
linh kiện nào. Hình bên là một
ví dụ của sơ đồ mạch ghép trực
tiếp dùng 2 tầng T : một tải kép
(tầng 1) và một CC (tầng 2).
Đáp ứng tần số của sơ đồ mạch ghép trực tiếp đợc xác định bởi từng
tầng cấu thành mạch. Ghép trực tiếp đợc viết tắt là d.c.
Nhợc điểm lớn nhất của kiểu ghép trực tiếp là: điện áp một chiều giữa các
tầng không độc lập với nhau. Sự dao động của điểm Q tại tầng 1 sẽ khiến
điểm làm việc Q của tầng 2 thay đổi.
4. Các kiểu ghép transistor khác
a. Mạch Darlington.
Hai Transistor đợc gọi là kết nối Darlington (hoặc tạo thành cặp
Darlington) khi dòng emitter của tầng đầu tiên chính là dòng base của tầng

thứ hai (hình dới đây)
Cặp Darlington có hệ số khuếch
đại dòng cao và trở kháng vào cao. Nó
thờng đợc dùng thay cho các mạch
lặp E
Thông thờng các nhà chế tạo
Transistor sẽ đặt cặp Darlington vào
trong 1 vỏ đơn làm cho cả 2 Transistor
có cùng nhiệt độ làm việc.


Các đặc điểm chính của mạch lặp E sử dụng kết nối Darlington so với
mạch lặp E dùng Transistor đơn là:
- Trở kháng vào cao hơn.
- Hệ số khuếch đại áp Av gần 1 hơn.
- Hệ số khuếch đại dòng cao hơn.
- Trở kháng ra nhỏ hơn.