Nghiên cứu thiết kế bộ khuếch đại tạp âm thấp sử dụng công nghệ MMIC dùng cho ra đa băng X

Hội nghị Quốc gia lần thứ 24 về Điện tử, Truyền thông và Công nghệ Thông tin (REV-ECIT2021)

Nghiên cứu thiết kế bộ khuếch đại tạp âm thấp sử
dụng công nghệ MMIC dùng cho ra đa băng X
Nguyễn Xuân Ngọc*, Nguyễn Huy Hồng*, Lương Duy Mạnh*
*Khoa Vơ tuyến điện tử
Học Viện Kỹ thuật Quân sự
Email:
Tóm tắt—Trong bài báo này, chúng tơi trình bày
phương pháp thiết kế một bộ khuếch đại tạp âm thấp
công nghệ MMIC hoạt động ở tần số trung tâm 10 GHz
ứng dụng cho rađa. Bóng bán dẫn sử dụng là transistor
hiệu ứng trường NP2500MS với công nghệ 0.25 µm
AlGaN/ GaN HEMT của hãng WIN Semiconductor, Đài
Loan. Mục tiêu thiết kế nhằm đạt được hệ số khuếch đại
(HSKĐ) tối thiểu là 25 dB và hệ số tạp âm nhỏ hơn 1 dB.
Quy trình thiết kế được thực hiện trên phần mềm
Keysight ADS với mơ hình, linh kiện MMIC do hãng
cung cấp. Chỉ tiêu của bộ khuếch đại được đánh giá cả ở
mức độ tín hiệu nhỏ và tín hiệu lớn thơng qua phân tích
lý thuyết và mơ phỏng trên phần mềm.

xuất cách thiết kế một bộ LNA cho rađa băng X gồm 2

Từ khóa— LNA GaN HEMT, khuếch đại tạp âm thấp
cho rađa, LNA băng X rađa.

hưởng không nhỏ tới mạch PHTK nhất là các mạch
PHTK phức tạp, nhiều phần tử. Khảo sát 5 cơng trình đã

I. GIỚI THIỆU

công bố trước đây [2], [3], [4], [5] và [6] sử dụng sơ đồ
ghép 2 hoặc 3 tầng khuếch đại, điểm chung ở đây là việc

tầng khuếch đại [1], nhấn mạnh vào nâng cao hệ số
khuếch đại, tối thiểu tạp âm, thuận tiện cho phối hợp trở
kháng (PHTK) giữa 2 tầng và tổn hao đầu ra nhỏ.
Tuy nhiên do đặc điểm mơ hình và linh kiện dùng
thiết kế mạch đều do nhà sản xuất (NSX) cung cấp nên
đối với các linh kiện thụ động như L và C thì NSX chỉ
cung cấp rời rạc một số giá trị nhất định gây khó khăn
cho q trình PHTK, hơn nữa khi hoạt động ở tần số siêu
cao thì việc bố trí các linh kiện, mạch phân áp cũng ảnh

Các bộ khuếch đại tạp âm thấp (LNA) có nhiều ứng
dụng quan trọng trong các hệ thống thông tin vô tuyến

PHTK giữa các tầng đều phải sử dụng tụ ghép tầng Cp

hiện nay như: thông tin vệ tinh, thông tin di động hay

để nối tầng, đây là phương pháp thông thường để cách ly
về mặt một chiều giữa các transistor, tuy nhiên việc gắn

rađa. Các bộ thu trên đòi hỏi phải nhỏ gọn, tiếp nhận
thơng tin nhanh và chính xác, đặc biệt là trong thời đại

thêm tụ điện thường làm xê dịch phối hợp trở kháng giữa
các tầng khuếch đại. Kết quả Bảng 1 cũng cho thấy [3],

cơng nghệ ngày nay thì u cầu đó càng trở thành quan
trọng hơn. Tín hiệu thu là các tín hiệu vơ tuyến, năng

[4] và [5] mặc dù sử dụng 3 tầng khuếch đại tuy nhiên hệ
số khuếch đại khơng cao hơn thậm chí cịn thấp hơn so

lượng tín hiệu thu thường rất nhỏ, lan truyền trong mơi
trường có nhiều tạp âm và nhiễu, tổn hao đường truyền

với việc sử dụng 2 tầng khuếch đại, cơng trình [2], [5] dải

lớn. Đặc biệt trong lĩnh vực rađa, tín hiệu đầu vào máy

thơng cịn nhỏ hơn dải tần số hoạt động được cơng bố.
Trong phạm vi bài báo, nhóm nghiên cứu đề xuất việc

thu rất nhỏ nên thường yêu cầu bộ LNA phải có HSKĐ
lớn, hệ số tạp âm nhỏ và phối hợp đầu vào, đầu ra tốt

mạch PHTK giữa 2 tầng khuếch đại không sử dụng tụ nối
tầng Cp mà sử dụng đoạn đường truyền ghép (Coupled

cũng như cho khả năng tiêu thụ nguồn thấp. Để thực
hiện được điều này thì các bộ LNA phải được chế tạo

Line) [7], [8]; vừa đảm bảo cho quá trình thiết kế đơn
giản, dễ hiệu chỉnh vừa đảm bảo thuận tiện cho việc cấp

dựa trên các công nghệ vật liệu bán dẫn thế hệ mới với
công nghệ chế tạo mạch cao tần kiểu mới. Với sự ra đời

nguồn một chiều cho các transistor. Mạch PHTK vào và
ra vẫn sử dụng các phần tử tập trung L và C như được thể
hiện trong sơ đồ nguyên lý. Phần còn lại của bài báo tập

của cơng nghệ mạch tích hợp ngun khối (MMIC), các
mạch điện cao tần thế hệ mới ngày nay có thể được chế
tạo với kích thước nhỏ gọn, cho cơng suất tiêu thụ thấp

trung vào giải thích kết quả mơ phỏng thu được trên linh
kiện thực tế MMIC và so sánh kết quả thiết kế với một

và có độ tích hợp cao. Để đáp ứng những yêu cầu ngày
càng cao đối với các bộ LNA như đã nêu, bài báo đề

ISBN 978-604-80-5958-3

số bài báo nước ngoài đã được phát hành.

84


Hội nghị Quốc gia lần thứ 24 về Điện tử, Truyền thông và Công nghệ Thông tin (REV-ECIT2021)

II. XÂY DỰNG SƠ ĐỒ NGUN LÝ

Hình 1. Sơ đồ ngun lý tồn mạch trên phần tử lý tưởng
A. Chọn sơ đồ và điểm làm việc tĩnh cho transistor
Từ phần này, nhóm đề tài sử dụng phương pháp phân
tích và chạy mơ phỏng trên phần mềm Keysight ADS

[9], các chỉ tiêu bộ LNA dựa trên mơ hình tín hiệu nhỏ
dựa trên việc khảo sát đặc tuyến tĩnh và đặc tuyến động
từ mơ hình bóng bán dẫn do NSX cung cấp. Đây là bóng
bán dẫn có dải tần hoạt động lên tới 50 GHz hoàn toàn
phù hợp để lựa chọn thiết kế bộ LNA theo yêu cầu. Để
đảm bảo HSKĐ cao nhóm nghiên cứu sử dụng sơ đồ
ghép 2 tầng khuếch đại (Hình 1). Phương pháp thiết kế
Hình 2. Đặc tuyến ra của bóng GaN HEMT với các giá
trị VGS khác nhau

với tầng thứ nhất là ưu tiên cho hệ số tạp âm nhỏ, HSKĐ
ở mức vừa phải; tầng thứ hai ưu tiên cho HSKĐ cao, tạp

L và C, điểm khác là các linh kiện này không phải gắn

âm ở mức cho phép để đảm bảo hệ số tạp âm toàn mạch

ngoài mà được NSX cung cấp trong gói thiết kế nhằm

nhỏ hơn 1 dB. Để bắt đầu quá trình thiết kế, trước tiên ta

tích hợp vào mạch thành một khối thống nhất. Do đó giá

xác định điểm làm việc tĩnh là điểm m1 và m2 trên Hình

trị của cuộn cảm L chỉ cố định ở một số giá trị nhất định

2. Transistor thứ nhất được cấp điện áp cực máng là VDS1

nên cách thực hiện là chọn gần với giá trị lý tưởng nhất

=10 V, dịng tĩnh IDS1=38 mA (điểm m1) mục đích là

và bù trừ bằng các đoạn đường truyền (TL) cho trường

dòng IDS1 nhỏ để hệ số tạp âm nhỏ, với transistor thứ 2

hợp L lý tưởng sai khác nhỏ với L MMIC, nếu giá trị sai

chọn VDS2=10.5 V và IDS2 = 53 mA (điểm m2), cao hơn

khác lớn có thể thực hiện ghép song song hoặc nối tiếp

tầng thứ nhất về cả VDS và IDS nhằm mục đích nâng cao

nhiều cuộn cảm để được giá trị L tương đương gần nhất

HSKĐ. Như vậy với cách chọn điểm làm việc này cơng

với lý tưởng. Việc tính các giá trị của C cũng làm tương

suất tiêu thụ của bộ LNA Pdc = 0.94 W.

tự, tuy nhiên NSX cho phép thay đổi giá trị của điện

B. Thiết kế mạch PHTK vào và ra

dung C được mịn hơn bằng việc thay đổi các kích thước

Mạch PHTK vào và PHTK ra được thiết kế theo mạch

dài (L) và rộng (W) của linh kiện. Sơ đồ thực tế trên linh

phối hợp chữ L được thực hiện trên các phần tử tập trung

kiện MMIC của mạch PHTK vào và ra được thể hiện trong

ISBN 978-604-80-5958-3

85


Hội nghị Quốc gia lần thứ 24 về Điện tử, Truyền thơng và Cơng nghệ Thơng tin (REV-ECIT2021)

Hình 3 và 4. Các phần tử thụ động L, C, TL, ghép chữ T

xuất sử dụng đoạn đường truyền ghép (CLin) với thông

và lỗ via nối đất đều là các linh kiện MMIC của NSX.

số ghép phù hợp vừa đảm bảo cách ly về mặt một chiều
thay cho tụ nối tầng Cp vừa thuận tiện cho việc phân áp
cho transistor. Sơ đồ thiết kế PHTK giữa 2 tầng khuếch
đại được thể hiện trong Hình 5. Ngồi ta việc phối hợp
theo kiểu này cịn thuận tiện cho việc điều chỉnh dải
thơng vì nhà sản xuất cho phép thay đổi các thông số
ghép của mạch CLin trên linh kiện MMIC với các giá trị
rất nhỏ.

Hình 3. Mạch PHTK vào trên linh kiện MMIC

Hình 5. Mạch PHTK giữa 2 transistor sử dụng CLin
D. Mạch phân áp và tụ ghép tín hiệu Cp
Việc cấp nguồn một chiều cho transistor được thực
hiện thông qua các cuộn chặn Lch và đoạn đường truyền
trở kháng cao TL để đảm bảo rằng tại tần số thiết kế 10
GHz trở kháng của mạch phân áp là rất lớn so với trở
kháng đường truyền, ngược lại đối với tụ ghép Cp, tại
tần số thiết kế trung tâm, trở kháng của tụ điện là rất nhỏ
so với trở kháng đường truyền. Sơ đồ mạch phân áp trên
linh kiện MMIC thể hiện trong hình 6.
Hình 4. Mạch PHTK ra trên linh kiện MMIC
C. Thiết kế mạch PHTK giữa 2 transistor
Đối với mạch PHTK giữa 2 tầng khuếch đại vẫn được
thiết kể để đảm bảo trở kháng ra của tầng một ZR1 được
phối hợp với trở kháng vào tầng hai ZV2 nhằm đảm bảo
năng lượng siêu cao tần truyền từ tầng 1 sang tầng 2
không bị phản xạ ngược lại. Ngoài ra, liên quan đến việc
cấp nguồn VDS1 cho transistor 1 và VGS2 cho transistor
Hình 6. Mạch phân áp trên linh kiện MMIC

2 nên nếu PHTK bằng phần tử L và C hay đoạn đường
truyền (ngắn hoặc hở mạch đầu cuối) thì vẫn phải chèn

Sơ đồ mạch điện toàn mạch sau khi layout được thể

thêm tụ ghép Cp vào, việc này dễ làm lệch PHTK giữa

hiện trong Hình 7. Mạch in sau layout có kích thước khá

2 transistor theo thiết kế ban đầu, nhóm nghiên cứu đề

nhỏ gọn 5.42mm x 1.02mm.

ISBN 978-604-80-5958-3

86


Hội nghị Quốc gia lần thứ 24 về Điện tử, Truyền thông và Công nghệ Thông tin (REV-ECIT2021)

III. ĐÁNH GIÁ KẾT QUẢ

Hình 7. Layout MMIC tồn mạch LNA
Hình 8 thể hiện kết quả mô phỏng các chỉ tiêu

8.6 GHz đến 11 GHz). Hệ số cách ly (S12) trong toàn

quan trọng như: hệ số KĐCS, phối hợp vào/ra và độ cách

dải thông tốt hơn -49 dB. Hệ số tạp âm của mạch được

ly của bộ LNA được thiết kế thông qua ma trận tham số

thể hiện trong Hình 9. Hệ số tạp âm trong dải thông là

tán xạ [S].

nhỏ hơn 1 dB và tại tần số trung tâm hệ số tạp âm đạt
được là 0.95 dB.

Hình 9. Kết quả mơ phỏng hệ số tạp âm
Độ ổn định của mạch LNA thiết kế được thể hiện
trong Hình 10. Trong tồn dải thơng hệ số ổn định lớn

Hình 8. Đặc tính mạch LNA được thiết kế

hơn 4, đảm bảo tính ổn định khơng điều kiện của bộ

Kết quả cho thấy phối hợp đầu ra là rất tốt trong khi

LNA được thiết kế.

đầu vào phải hy sinh việc phối hợp để đạt được hệ số tạp
âm mong muốn. S22 tốt nhất bằng -34 dB tại tần số 10
GHz trong khi S11 tốt hơn -5 dB trong dải thông. Kết
quả này phản ánh phương pháp thiết kế là phù hợp và
chính xác vì đối với LNA thì tín hiệu vào rất nhỏ nên
việc S11 như trên là một kết quả chấp nhận được. Sau
khi qua bộ LNA tín hiệu đã lớn hơn rất nhiều nên nếu
S22 không tốt sẽ ảnh hưởng xấu tới bộ khuếch đại.
Ngoài ra hệ số KĐCS đạt được 27.5 dB tại tần số thiết
kế. Dải thông (mức giảm 3 dB) đạt được là 2.4 GHz (từ

ISBN 978-604-80-5958-3

Hình 10. Kết quả mơ phỏng hệ số ổn định K

87

Hội nghị Quốc gia lần thứ 24 về Điện tử, Truyền thơng và Cơng nghệ Thơng tin (REV-ECIT2021)

Hình 11 mơ tả kết quả mơ phỏng cấp độ tín hiệu lớn
mạch LNA trên cấu trúc mạch đề xuất. Ta thấy tại điểm
nén 1 dB, hệ số KĐCS đạt được bằng 26.5 dB trong khi
công suất ra là 18.7 dBm.
Như vậy bộ LNA về cơ bản đã có các thơng số kỹ
thuật tương đối tốt. Kết quả cho thấy phương pháp thiết
kế là đúng đắn, đạt được mục tiêu theo hướng thiết kế
ban đầu là có HSKĐ cao hơn 25 dB, tạp âm nhỏ hơn 1
dB, tổn hao đầu ra tốt. Bên cạnh đó LNA đề xuất cũng
độ cách ly tốt và ổn định khơng điều kiện trong tồn bộ

Hình 11. Kết quả mơ phỏng tín hiệu lớn tại 10 GHz

dải thơng.
Bảng 1. SO SÁNH KẾT QUẢ THIẾT KẾ VỚI MỘT SỐ BÀI BÁO NƯỚC NGOÀI
Tham khảonăm
Dải tần làm
việc (GHz)
Sơ đồ
Hệ số tạp âm
(dB)
HSKĐ (dB)
Cơng nghệ
P1dB (dBm)
Pdc (W)
S11 (dB)
S22 (dB)
Kích thước

(mm2)

[2]-2013

[3]-2016

[4]-2017

[5]-2018

[6]-2020

LNA đề xuất

9.7 ÷ 12.9

8.5 ÷ 10.5

8 ÷ 10

8 ÷ 11

8 ÷ 11

8.6 ÷ 11

2 tầng

3 tầng

3 tầng

3 tầng

2 tầng

2 tầng

<2.1

<2.5

<1.3

<1.95

<1.7

<1.0

20 ÷ 26
0.25 μm
GaN/ SiC
HEMT
34.0
2.80
-4
-35

25 ÷ 26

0.25 μm
GaN/ SiC
HEMT
16.5
1.10
-12
-36

24 ÷ 27

20.0
0.90
-24
-29

22 ÷ 30.8
0.25 m
GaN/SiC
HEMT
23.0
0.60
-20.6
-17

16.8 ữ 23
0.15 m
AlGaN/ GaN
HEMT
18.0
0.90

-18
-23

24.5 ữ 27.5
0.25 àm
AlGaN/ GaN
HEMT
18.7
0.94
-5
-34

1.36

3.26

4.50

3.60

6.44

5.53

0.25 µm
GaN HEMT

So sánh với một số thiết kế cùng sơ đồ 2 tầng khuếch

chung bộ LNA MMIC đã đạt được HSKĐ cao, tạp âm

đại [2], [6] ở Bảng 1 cho thấy bộ LNA MMIC đề xuất

nhỏ, tổn hao ngược đầu ra thấp, các chỉ tiêu kỹ thuật

so với [2] đã hơn hẳn hệ số tạp âm và công suất tiêu thụ.

khác ở mức trung bình, hồn tồn phù hợp cho rađa ở

So với thiết kế [6] bộ LNA MMIC đề xuất cũng nổi trội

băng tần thiết kế.

về HSKĐ và hệ số tạp âm, tổn hao ngược ở đầu ra tốt

IV. KẾT LUẬN

hơn nhưng tổn hao ngược đầu vào kém hơn. Việc này đã

Trong bài báo này, chúng tơi đã trình bày phương

được lý giải ở trên, chấp nhận hy sinh tổn hao đầu vào

pháp thiết kế một bộ khuếch đại LNA theo cơng nghệ

để có hệ số tạp âm nhỏ. Nhìn chung so với một số thiết

MMIC tại tần số trung tâm 10 GHz dải thông. Để thuận

kế tương tự, bộ LNA đề xuất đã có phần nổi bật hơn về

lợi cho việc PHTK giữa 2 tầng khuếch đại mạch ghép -

HSKĐ, hệ số tạp âm và tổn hao ngược ở đầu ra. So với

Coupled Line được sử dụng. Bên cạnh đó, cách thiết kế

các bộ LNA 3 tầng khuếch đại [3], [4], [5] bộ LNA đề

này cũng đảm bảo cách ly dịng một chiều (khơng cần sử

xuất vẫn nhỉn hơn về HSKĐ, tạp âm thấp hơn. Đánh giá

dụng tụ ghép tầng) và thuận tiện cho việc phân áp cho

ISBN 978-604-80-5958-3

88


Hội nghị Quốc gia lần thứ 24 về Điện tử, Truyền thông và Công nghệ Thông tin (REV-ECIT2021)

các transistor. Mô phỏng ở cấp độ tín hiệu nhỏ và lớn cho

[7]

kết quả tốt, so sánh với các bài báo khác có cùng sơ đồ 2

[8]

tầng và 3 tầng khuếch đại (Bảng 1) cho thấy bộ LNA đề

[9]

xuất cho hệ số khuếch đại cao hơn, hệ số tạp âm thấp hơn
và tổn hao đầu ra ở mức tốt. Tuy nhiên nhược điểm của
bộ LNA đề xuất là tổn hao ngược đầu vào cịn hơi cao,
bên cạnh đó dải thơng của bộ LNA đề xuất còn chưa bao
phủ hết băng tần X (8 GHz đến 12 GHz). Nhóm nghiên
cứu đang tiếp tục khắc phục các nhược điểm trên trong
các thiết kế tiếp theo. Phương pháp PHTK sử dụng đoạn
đường truyền ghép là một nội dung tham khảo khá tốt
trong việc thiết kế PHTK trong mạch có nhiều tầng
khuếch đại, nhóm nghiên cứu tin rằng phương pháp thiết
kế bộ LNA trong nghiên cứu này góp phần làm phong
phú thêm các phương pháp PHTK tối ưu sử dụng trong
bộ LNA nói riêng và các mạch RF nói chung.
LỜI CẢM ƠN
Nghiên cứu này được tài trợ bởi Quỹ phát triển khoa
học và công nghệ quốc gia (NAFOSTED) trong đề tài
mã số 102.04-2018.14.
TÀI LIỆU THAM KHẢO
[1]

[2]

[3]

[4]

[5]

[6]

Rowan Gilmore, Les Besser, “Practical RF circuit Design
for modern Wireless systems,” Active Circuits and
Systems, Artech House Boston, Vol. 2, pp. 88-93, 2003.
W. Chang, G. Jeon, Y. Park, S. Lee and J. Mun, “X-band
low noise amplifier MMIC using AlGaN/GaN HEMT
technology on SiC substrate,” Asia-Pacific Microwave
Conference Proceedings (APMC), Seoul, pp. 681-684,
2013.
B. Kim and W. Gao, "X-Band Robust Current-Shared GaN
Low Noise Amplifier for Receiver Applications," IEEE
Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium
(CSICS), Austin, TX, 2016.
M. Vittori, S. Colangeli, W. Ciccognani, A. Salvucci, G.
Polli, and E. Limiti, “High performance X-band LNAs
using a 0.25 um GaN technology,” 13th Conference on
Ph.D. Research in Microelectronics and Electronics
(PRIME), pp. 157-160, Jun. 12-15, 2017.
O. Kazan, F. Kocer and O. A. Civi, "An X-Band Robust
GaN Low-Noise Amplifier MMIC with Sub 2 dB Noise
Figure," 48th European Microwave Conference (EuMC),
Madrid, pp. 1202-1204, 2018.
S. Zafar, S. Osmanoglu, M. Ozturk, B. Cankaya, D.
Yilmaz, A. Kashif and E. Ozbay, “GaN based LNA
MMICs for X-Band Applications,” Proceedings of 17th
International Bhurban Conference on Applied Science &
Technology (IBCAST) Islamabad, Pakistan, pp. 699 –

702, Jan. 2020.

ISBN 978-604-80-5958-3

89

David M. Pozar, “Microwave Engineering,” John
Wiley & Sons Inc, pp. 426-436, 2011.
Jia-Sheng Hong, “Microstrip Filters for RF/Microwave
Applications,” John Wiley & Sons Inc, pp. 75-111, 2011.
URL, />