đáp án đề thi lí thuyết tốt nghiệp khóa 3-điện tử công nghiệp-mã đề thi dtcn- lt (24)

CỘNG HOÀ XÃ HỘI CHỦ NGHĨA VIỆT NAM
Độc lập - Tự do - Hạnh phúc
ĐÁP ÁN
ĐỀ THI TỐT NGHIỆP CAO ĐẲNG NGHỀ KHOÁ 3 ( 2009 - 2012 )
NGHỀ: ĐIỆN TỬ CÔNG NGHIỆP
MÔN THI: LÝ THUYẾT CHUYÊN MÔN NGHỀ
Mã đề thi: ĐA ĐTCN –LT 24
Câu Nội dung Điểm
I. Phần bắt buộc
1 Ta có bảng chân lý:
Đầu vào Đầu ra
x
0
x
1
x
2
x
3
B A
1 0 0 0
x 1 0 0
x x 1 0
x x x 1
0 0
0 1
1 0
1 1

+ Theo bảng Karnaugh, nhận thấy biến x
0

trong bảng chân lý không ảnh
hưởng đến kết quả nên ta chỉ vẽ bảng Karnaugh cho 3 biến x
1
, x
2
, x
3
.
Bảng Karnaugh đối với hàm A, B như sau:
A x
1
x
2
x
3
00 01 11 10
0 0 0 0 1
1 1 1 1 1
Suy ra, hàm số
321
. xxxA
+=

B
x
1
x
2
x
3

00 01 11 10
0 0 1 1 0
1 1 1 1 1
Suy ra, hàm số
32
xxB +=
Ta có mạch điện tương ứng thực hiện mã hoá 4 → 2 dùng mã hoá ưu tiên:
0,5
0,5
0,5
0,5
x
1
x
2
x
3
A
B
2 • Biến tần dòng dùng Thyristor
oSơ đồ nguyên lý
Nguyên tắc hoạt động
Cầu chỉnh lưu điểu khiển gồm 6 Thyristor T7-T12 cầu biến tần gồm 6
thyristor T1-T6. Mỗi Thyristor được nối tiếp qua một Diode và trong mỗi
nửa cầu có 3 tụ điện.
Cầu chỉnh lưu thông qua điện cảm ĐK san bằng cung cấp cho cầu biến
tần dòng điện I
d
. Ở mọi thời điểm có hai Thyristor dẫn điện các Thyristor
được điều khiển mở theo thứ tự 1,2, ,6,1, mỗi thyristor dẫn trong khoảng

120
0
.
Dạng sóng dòng điện và điện áp ra trên một pha được trình bày như
hình sau:
1
0,5
0,5
Ñ K Ñ
T 1
T 3
T 5
T 4
T 6
T 2
T 7
T 9
T 1 1
T 1 0
T 1 2
T 8
V 1
~
D 3
D 5
D 1
D 6D 4
Ñ K
D 2
i

G1
i
G2
i
G3
i
G4
i
G5
i
G6
i
G1
T
1
T
4
T/2
T
t
t
i
A
I
d
-I
d
i
B
T

3
T
6
i
C
T
2
T
5
t
0
1
θ
2
θ
3
θ
4
θ
5
θ
6
θ
t
3
2π
3 Trình bày tổ chức bộ nhớ của 128 byte RAM trong 89C51.
Vùng RAM đa mục đích :
Bytes RAM đa dụng từ 30H đến 7FH. Bất kỳ vị trí nào trong RAM đa
dụng cũng có thể truy xuất dùng chế độ địa chỉ trực tiếp hoặc gián tiếp.

Vùng RAM định địa chỉ bit:
8051 có chứa 210 vị trí bit có thể địa chỉ hoá trong đó 128 bit ở địa chỉ
20H đến 2FH còn lại nằm trong thanh ghi chức năng đặc biệt.
Có 128 vị trí có thể địa chỉ hoá dùng chung từ byte có địa chỉ 20FH đến
2FH (8 bits x 16 bytes = 128 bits). Các địa chỉ được truy xuất khi là byte khi
là bit tuỳ thuộc vào lệnh sử dụng.
Các dãy thanh ghi:
32 vị trí thấp nhất của bộ nhớ nội chứa các dãy thanh ghi. Tập lệnh của
8051 cung cấp 8 thanh ghi, từ R0 đến R7. Trạng thái mặc định (sau khi hệ
thống khởi động) các thanh ghi này ở địa chỉ 00H-07H.
Bằng cách thay đổi các bit chọn dãy thanh ghi trong từ trạng thái
chương trình ta sẽ thay đổi mức tích cực cho dãy thanh ghi.
Viết chương trình xóa 20 ô nhớ liền kề trên RAM nội có địa chỉ bắt đầu
là 30H.
0,5
0,5
0,5
0,5
1
MOV R0, #30H
MOV R2, #20
LOOP:
MOV @R0, #00
INC R0
DJNZ R2, LOOP
Cộng ( I )
II. Phần tự chọn, do trường ra đề
3
Cộng ( II )
Tổng cộng ( I + II )

………… ,Ngày……… tháng…………năm…….
Duyệt Hội đồng thi tốt nghiệp Tiểu ban ra đề thi