Nghiên cứu chế tạo khảo sát các đặc trưng của cảm biến vi cơ đo lực doc

Nghiên cứu chế tạo và khảo sát các đặc trng
Của cảm biến vi cơ đo lực

Vũ Ngọc Hùng, Nguyễn Đức Chiến, Trịnh Quang Thông

Trung tâm Quốc tế Đào tạo về Khoa học Vật liệu (ITIMS)

Đinh Văn Dũng

Khoa Vật lý, Trờng ĐHSP Hà nội 2

Tóm tắt
Các cảm biến đo lực kích thớc nhỏ chế tạo bằng công nghệ vi cơ đã đợc thiết kế
và chế tạo lần đầu tiên tại Việt nam bởi nhóm MEMS tại Trung tâm ITIMS. Cấu
trúc cảm biến này gồm một màng silic chiều dày cỡ 45 micron, ở tâm có thiết kế
thêm một tâm cứng làm điểm đặt lực. Tín hiệu cơ đợc chuyển đổi qua một cầu
điện trở hoặc điện trở 4 điện cực thành tín hiệu điện lối ra. Trong bài báo này
chúng tôi trình bày sơ đồ nguyên lý, qui trình chế tạo, và các khảo sát đặc trng
của cảm biến.

Fabrication and characterization of michromachined force sensors

Abstract
Silicon micromachined force sensors have been designed and fabricated
successfully for the first time in Vietnam by the MEMS group at ITIMS. The
structure of the sensors consists of a membrane with a stiff center: the membrane
thickness is about 45 microns, the stiff center serves as a forced point. The
mechanical signal is converted into output voltage signal by a Wheastone resistor
bridge or 4 terminal gage diffused on the membrane. In this paper, the sensor
configuration, fabrication process and characteristics have been presented.

1. Mở đầu

Các cấu trúc đo tín hiệu cơ tiêu biểu thờng có dạng các màng hoặc các
thanh dầm đợc chế tác 3 chiều từ các vật liệu khối. Chỉ có thể chế tạo các cấu
trúc này với độ chính xác cao nhờ công nghệ vi cơ (micromachining
technology). Do tính đặc thù cũng nh khả năng đặc biệt của công nghệ vi cơ,
công nghệ này đã đợc ứng dụng để chế tạo các cấu trúc và các bộ cảm biến
ứng dụng trong nhiều lĩnh vực khác nhau nh trong công nghiệp, kỹ thuật, y
tế, quân sự, Trong những năm gần đây, với sự hỗ trợ đắc lực của công nghệ
vi điện tử và công nghệ tin học, công nghệ vi cơ đã phát triển mạnh mẽ và
rộng khắp trên thế giới. Nhóm MEMS ở Trung tâm Quốc tế Đào tạo về Khoa
học Vật liệu (ITIMS) là nhóm đầu tiên ở Việt nam triển khai và thành công
trong một số loại cảm biến nhờ công nghệ này. Trên cơ sở chế tạo thành công
cảm biến áp suất với cấu trúc cơ bản là một màng phẳng, một mẫu cảm biến
mới với một tâm cứng đợc thiết kế thêm ở tâm màng đã đợc phát triển để đo
lực và đo khối lợng. Nhờ tâm cứng này, các tác dụng tập trung vào một điểm
nh tác dụng lực có thể đặt trực tiếp lên màng cảm biến. Sự uốn cong của
màng dới tác dụng của lực sẽ đợc chuyển đổi thành tín hiệu điện lối ra nhờ
một cầu điện trở hoặc điện trở 4 điện cực đã khuếch tán trên màng tơng tự
nh trong các cảm biến áp suất [1,2]. Tuỳ theo yêu cầu về phạm vi đo lực hay
đo khối lợng, bề dày màng và kích thớc cạnh màng đợc lựa chọn một cách
thích hợp khác nhau. Trong khảo sát của chúng tôi, các cảm biến lực với màng
vuông 5 x 5mm
2
, 7 x 7 mm
2
, 9 x 9 mm
2
, và 10 x 10 mm
2

, bề dày màng cỡ 45
àm đã đợc thực hiện. Trong vùng làm việc tuyến tính, các lực lớn nhất có thể
đo đợc là 0.686 N (tơng ứng với khối lợng là 70 g), lực nhỏ nhất đo đợc
là 0.013 N (tơng ứng với khối lợng là 13 mg). Độ nhạy lực đạt tới 78.63
mV/V.N (hay 0.77 mV/V.g).

2. Sơ đồ và nguyên lý hoạt động của cảm biến

Khác với cảm biến áp suất ở đó tác dụng cơ học đợc phân bố gần nh
đồng đều trên một màng diện tích nhỏ, cảm biến lực cần đo tác dụng lực có
tính tập trung vào một điểm (do vậy phân bố không đều trên màng). Vì vậy,
một tâm cứng ở giữa màng là cần thiết đợc thiết kế thêm trên một màng
phẳng làm điểm đặt của lực (hình 1). Tâm cứng này ngoài tác dụng làm điểm
đặt cho lực, còn có khả năng làm mở rộng vùng tuyến tính của cảm biến. Khi
màng uốn cong do tác dụng của lực, trên màng sẽ xuất hiện các ứng suất với
phân bố khác nhau trên màng. Các khảo sát cho thấy, vùng lân cận với trung
điểm các cạnh màng có phân bố ứng suất lớn nhất [3]. Điều này gợi ý rằng các
vị trí tốt nhất để đặt các áp điện trở là gần với trung điểm các cạnh màng. Có
thể sử dụng hai loại áp điện trở là các áp điện trở kiểu cầu điện trở Wheastone
nh trong hình 1b và áp điện trở kiểu điện trở 4 điện cực nh trong hình 1c.

a) b) c)

Hình 1. Sơ đồ cảm biến vi cơ đo lực và hoạt động:
a) Màng có tâm cứng và sự uốn cong màng khi có tác dụng lực
b) Chuyển đổi tín hiệu qua một cầu điện trở Wheastone
c) Chuyển đổi tín hiệu nhờ điện trở 4 điện cực
1
2 3
4
4
3
2
1
Trong cả hai sơ đồ, điện áp nuôi đều đợc đặt vào các cực 1 và 3, điện áp ra
đợc lấy trên các cực 2 và 4.
Hoạt động của cảm biến vi cơ silic đo lực dựa trên hiệu ứng áp điện trở
trong vật liệu bán dẫn. Khi màng silic bị uốn cong, các áp điện trở đợc
khuếch tán trên đó sẽ thay đổi giá trị. Đối với cầu điện trở, nếu hai điện trở
song song với cạnh màng tăng giá trị, thì hai điện trở vuông góc với cạnh
màng giảm giá trị, làm cầu điện trở mất cân bằng [4]. Đối với điện trở 4 điện
cực, đợc đặt nghiêng một góc 45
0
so với cạnh màng [110], nên sự uốn cong
màng làm sự thay đổi điện trở suất trên các vùng khác nhau của điện trở là rất
khác nhau. Theo hớng vuông góc với dòng điện đặt vào, sẽ xuất hiện một thế
hiệu khác 0 [5]. Sự thay đổi giá trị của điện trở phụ thuộc một cách định lợng
vào độ lệch màng (tức là vào lực tác dụng), nên độ lệch điện áp lối ra cũng
phụ thuộc định lợng vào lực. Bằng cách đo độ lệch điện áp lối ra, hoàn toàn
có thể xác định độ lớn của lực tác dụng. Trong trờng hợp lực tác dụng là

trọng lợng của vật đặt vuông góc với bề mặt màng cảm biến, có thể suy ra
khối lợng vật khi đã xác định đợc trong lực P nhờ công thức:
g
P
m =

Vì vậy, loại cảm biến này còn có thể sử dụng để đo khối lợng. Giá trị của gia
tốc trọng trờng g phụ thuộc vào vị trí đo trên Trái đất, nhng khác nhau
không nhiều lắm, nên trong các chỉ thị về độ nhạy cũng nh về vùng làm việc
tuyến tính, có thể chỉ thị theo đơn vị lực (N), hoặc tơng đơng theo đơn vị
khối lợng (g).

3. Qui trình chế tạo

Trên hình 2 mô tả qui trình
chế tạo cảm biến vi cơ silic đo lực.
Các phiến silic loại n, có định
hớng bề mặt (100), bề dày 380
àm, điện trở suất khoảng 5 - 10
.cm đợc sử dụng. Sau quá trình
làm sạch mẫu (SC), phiến silic
đợc ô xi hoá nhiệt để tạo ra lớp ô
xít silic SiO
2
làm vật liệu bảo vệ
mẫu trong quá trình ăn mòn. Bề
dày lớp ô xít yêu cầu khoảng 1,5
à
m. Tiếp theo, kỹ thuật quang
khắc đợc sử dụng để mở các cửa

sổ ăn mòn tạo màng (mask1). Ăn
mòn tích cực trong dung dịch
KOH đợc thực hiện để tạo ra các
màng cảm biến. Trong thiết kế
mask 1, một diện tích SiO
2
thích






















Hình 2. Qui trình chế tạo cảm biến vi cơ đo

l
ự
c và đo khối l
ợ
n
g

Phiến silic loại n,
đ
ị
nh hớn
g

(
100
)
Ô
xi hoá
Quan
g
khắc mặt sau
Ăn mòn tạo màn
g

Hàn dâ
y
và đón
g

g

ói
Quan
g
khắc tạo điện cực
Bốc ba
y
Al
Phủ tạ
p
SOD và
khuếch tán
Quang khắc
tạo điện trở
Mở cửa sổ điện cực
hợp ở tâm màng đợc giữ lại, vì vậy cấu trúc màng có tâm cứng đợc tạo ra.
Sau bớc xử lý ăn mòn, cấu trúc cơ của cảm biến đã hoàn thành. Các bớc tiếp
theo nhằm chế tạo cấu trúc điện trên cảm biến, bao gồm: quang khắc mask 2
để tạo cửa sổ điện trở, khuếch tán để tạo các điện trở, quang khắc mask 3 để
mở của sổ các tiếp xúc cho điện trở, bốc bay Al đế tạo các tiếp xúc, quang
khắc mask 4 để tạo các điện cực, và cuối cùng là hàn dây dẫn và đóng gói linh
kiện.
Kích thớc cạnh màng đợc xác định trong quá trình thiết kế mask.
Trong khảo sát của chúng tôi, các màng vuông với các kích thớc 5 x 5 mm
2
,
7 x 7 mm
2
, 9 x 9 mm
2
,10 x 10 mm

2
đã đợc lựa chọn. Các tâm cứng đợc lựa
chọn là 1 x 1 mm
2
. Bề dày màng đợc xác định nhờ khống chế thời gian ăn
mòn và đợc lựa chọn là 45
à
m với độ chính xác đạt tới

2
à
m.

4. Khảo sát các đặc trng của cảm biến

Để xác định đáp tuyến của
cảm biến theo lực tác dụng, một bộ
gia trọng chuẩn tới gam (tơng ứng
với lực chính xác tới 10
-2
N) đợc
sử dụng. Bằng cách thay đổi khối
lợng gia trọng đặt lên tâm cứng,
ta đã thay đổi độ lớn của lực tác
dụng. Màng của cảm biến sẽ uốn
cong khác nhau ứng với lực tác
dụng khác nhau, nên điện áp ra thu
đợc cũng khác nhau và phụ thuộc
vào lực tác dụng. Trên hình 3 và 4
biểu diễn một số kết quả của các

phép đo này. Dáng điệu của các
đờng đặc trng cho thấy, trong
phạm vi nhỏ của lực tác dụng, điện
áp ra là tỉ lệ thuận với lực tác dụng.
Đây là vùng làm việc tuyến tính
của cảm biến. Với các lực lớn hơn,
tốc độ thay đổi điện áp ra là thấp
dần, độ dốc của đờng đặc trng
giảm dần. Kết quả này đúng cho
tất cả các cảm biến đã chế tạo.
Với cùng một bề dày màng
và kích thớc tâm cứng, các màng
có diện tích lớn sẽ nhạy tín hiệu
lực hơn các màng diện tích nhỏ.
Nếu coi độ nhạy lực của cảm biến
đo bằng tỉ số giữa điện áp ra tơng
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
0
10
20
30
40
50
Tín hiệu ra V
out
.1000/V
in
Lực tác dụng (N)
a
0.00.51.01.52.0

0
10
20
30
40
50
60
Tín hiệu ra V
out
.1000/V
in
Lực tác dụng (N)
b
Hình 3. Đáp tuyến tín hiệu ra theo lực tác
dụng đối với cảm biến kiểu cầu điện trở:
a) Cảm biến có kích thớc màng
7x7mm
2

b) Cảm biến có kích thớc màng
9x9mm
2

đối trên cảm biến (điện áp ra /điện áp nuôi), với lực tác dụng, thì độ nhạy cảm
biến bằng hệ số góc của đờng đặc trng trong vùng làm việc tuyến tính. Từ
các đáp tuyến của cảm biến theo lực tác dụng, độ nhạy của các cảm biến với
các diện tích màng khác nhau đã đợc xác định. Các kết quả này đợc trình
bày trong bảng 1.
Cảm biến có độ nhạy cao sẽ
thích hợp trong các phép đo lực nhỏ

và độ chính xác cao. Ngợc lại, các
cảm biến độ nhạy thấp lại thích hợp
trong các trờng hợp cần xác định
lực có cờng độ lớn, khi đó rõ ràng
các sai lệch nhỏ về kết quả đo là
không quan trọng. Do có giới hạn về
độ chính xác của các thiết bị chỉ thị,
chẳng hạn các vôn kế đợc sử dụng
là loại LEADER, chính xác tới 10
-2

mV, cũng nh do các nhiễu gây ra,
các cảm biến chỉ cho phép chỉ thị tới
một độ chính xác nào đó. Đó chính
là giới hạn lực nhỏ nhất có thể xác định đợc. Trong các khảo sát của chúng
tôi, với độ chính xác không nhiễu của điện áp ra là 10
-2
mV, các giá trị nhỏ
nhất của lực đo đợc là 0.013 N cho loại màng 9 x 9 mm
2
(tơng ứng với khối
lợng 13 mg), và lớn nhất là 0.686 N cho loại màng 5 x 5 mm
2
(tơng ứng với
khối lợng 70 mg), nh trình bày trong bảng 1.

Bảng 1. Độ nhạy, vùng làm việc tuyến tính, giới hạn đo lực và khối lợng của các cảm
biến.
Loại cảm biến Độ nhạy

Vùng làm
việc tuyến
tính
Lực nhỏ nhất
đo đợc (N)
Khối lợng nhỏ
nhất đo đợc
(mg)
Màng 5 x 5 mm
2

cầu điện trở
51.06 mV/V.N
0.50 mV/V.g
0 - 0.686 N
0 - 70 g
0.019 20
Màng 7 x 7 mm
2

cầu điện trở

70.46 mV/V.N
0.69 mV/V.g
0 - 0.294 N
0 - 30 g
0.014 14
Màng 9 x 9 mm
2

cầu điện trở
78.63 mV/V.N
0.77 mV/V.g
0 - 0.147 N
0 - 15 g
0.013 13
Màng 10 x 10 mm
2

điện trở 4 điện cực
14.30 mV/V.N
0.14 mV/V.g
0 - 0.392 N
0 - 40 g
0.070 71

5. Kết Luận

Với điều kiện công nghệ hiện có ở các phòng thí nghiệm ITIMS, loại
cảm biến vi cơ kiểu áp trở đo lực và đo khối lợng đã đợc thiết kế và chế tạo
thành công. Trong công nghệ này, chúng tôi chỉ sử dụng thiết bị quang khắc
một mặt, vật liệu bảo vệ trong xử lí ăn mòn là ô-xít silic SiO
2
chế tạo theo
phơng pháp ô xi hoá nhiệt. Các khảo sát đặc trng của cảm biến đã đợc thực
0 20406080100
0
5
10
15

20
25
Tín hiệu ra V
out
.1000/V
in
Lực tác dụng (N)
10 x10, gage
Hình 4. Đáp tuyến tín hiệu ra theo lực tác
dụng đối với cảm biến kiểu điện trở 4 điệ
n
cực có kích thớc màng 10x10mm
2

hiện. Kết quả cho thấy, các cảm biến này đáp ứng tốt yêu cầu của các phép đo
lực với độ chính xác từ 0.013 N trở nên (tơng ứng với đo các khối lợng lớn
hơn 13 mg). Nhờ độ nhạy cao và chất lợng tơng đối đồng đều trong chế tạo,
loại cảm biến này có nhiều triển vọng trong ứng dụng.

Lời cảm ơn

Công trình này đợc hoàn thành dới sự tài trợ của Đề tài cấp Bộ mã số
B2001-59-02.

Tài liệu tham khảo

[1] Min Hang Bao, Wei-Jia Qi and Yan Wang, Sensors and Actuators, 12(1989) 149-156.
[2] S. K. Clark and K. D. wise, IEEE transaction on electron device, ED.26(1979) 1887-
1896.
[3] D.V. Dung, T. Q. Thong, V. N. Hung, N. D. Chien. Proceedings of the Third

International Workshop on Materials Science (IWOMS'99), Hanoi, November 2-4,
1999.
[4] V.N.Hung, N.D.Chien, D.V.Dung, T.Q.Thong, T.D.Hien, Phyics and Engineering in
Evolution, Proceeding of the third Vietnamese-German Seminar on Physics and
Engineering, Ho Chi Minh City, Vietnam, April 3-8, 2000, p.29-34.
[5] D.V.Dung, T.Q.Thong, V.N.Hung and N.D.Chien, Communications in Physics, ISSN
0868-3166, Vol.11, N. 3, September 2001, pp. 169-174.