BỘ KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ VIỆN KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ VIỆT NAM
CHƯƠNG TRÌNH KHCN CẤP NHÀ NƯỚC KC.01/06-10
"NGHIÊN CỨU, PHÁT TRIỂN VÀ ỨNG DỤNG CÔNG NGHỆ
THÔNG TIN VÀ TRUYỀN THÔNG"
BÁO CÁO TỔNG HỢP
KẾT QUẢ KHOA HỌC CÔNG NGHỆ ĐỀ TÀI
“NGHIÊN CỨU THIẾT KẾ, CHẾ TẠO HỆ THỐNG TRUYỀN DẪN
QUANG, THIẾT BỊ TRUY NHẬP BĂNG THÔNG RỘNG VÀ ỨNG DỤNG
VÀO MẠNG VIỄN THÔNG THẾ HỆ MỚI (NGN) Ở VIỆT NAM”
Mã số: KC.01-06/06-10
Cơ quan chủ trì đề tài: Viện Khoa học vật liệu
Chủ nhiệm đề tài: PGS.TS. Phạm Văn Hội
8189
Hà nội – 2009
BỘ KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ VIỆN KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ VIỆT NAM
CHƯƠNG TRÌNH KHCN CẤP NHÀ NƯỚC KC.01/06-10
"NGHIÊN CỨU, PHÁT TRIỂN VÀ ỨNG DỤNG CÔNG NGHỆ
THÔNG TIN VÀ TRUYỀN THÔNG"
BÁO CÁO TỔNG HỢP
KẾT QUẢ KHOA HỌC CÔNG NGHỆ ĐỀ TÀI
“NGHIÊN CỨU THIẾT KẾ, CHẾ TẠO HỆ THỐNG TRUYỀN DẪN
QUANG, THIẾT BỊ TRUY NHẬP BĂNG THÔNG RỘNG VÀ ỨNG DỤNG
VÀO MẠNG VIỄN THÔNG THẾ HỆ MỚI (NGN) Ở VIỆT NAM”
Mã số: KC.01-06/06-10
Chủ nhiệm đề tài Cơ quan chủ trì đề tài
(ký tên) (ký tên và đóng dấu)
PGS.TS. Phạm Văn Hội PGS.TS. Nguyễn Quang Liêm
Ban chủ nhiệm chương trình Bộ Khoa học và Công nghệ
(ký tên) (ký tên và đóng dấu khi gửi lưu trữ)
Hà nội – 2009
Báo cáo tổng kết đề tài cấp nhà nước mã số KC.01-06/06-10
MỤC LỤC
Trang
Mở đầu 1
Chương 1. Các kết quả nghiên cứu công nghệ chế tạo khuếch đại quang
sợi pha tạp Erbium 3
1.1. Tổng quan về các vấn đề cần nghiên cứu cho công nghệ
chế tạo khuếch đại quang sợi pha tạp Erbium (EDFA) 3
1.2. Sơ lược về tính chất quang của ion Erbium trong thủy tinh…………5
1.3. Hệ khuế
ch đại quang sợi pha tạp Erbium ………………………… 12
1.4. Tính chất quang của thủy tinh pha tạp Erbium nồng độ cao……… 19
1.5. Vai trò của thủy tinh nền và các ion đồng pha tạp ………………….22
1.6. Tạp âm trong khuếch đại quang EDFA …………………………….26
1.7. Các phương trình tính toán cho EDFA…………………………… 31
1.8. Kết quả nghiên cứu thiết kế nguồn bơm cho EDFA……………… 36
1.9. Kết quả nghiên cứu công nghệ chế tạo EDFA trong
khuôn khổ đề tài…………………………………………………….51
1.10. Kết quả thử nghiệm thiết bị EDFA trên mạng thông tin
quang thực tế……………………………………………………… 68
1.11. Tài liệu tham khảo chương 1………………………………………. 73
Chương 2. Kết quả nghiên cứu chế tạo khuếch đại quang bán dẫn 77
2.1. Tổng quan về các vấn đề cần nghiên cứu cho công nghệ
chế tạo khuếch đại quang bán dẫn (SOA) 77
2.2. Tóm tắt cơ sở lý thuyết cho khuếch đại quang trong bán dẫn 78
2.3. Nguyên lý thiết kế linh kiện khuếch đại quang bán dẫn SOA 86
Báo cáo tổng kết đề tài cấp nhà nước mã số KC.01-06/06-10
2.4. Kết quả thiết kế và chế tạo phần điện tử cho SOA 92
2.5. Kết quả thiết kế và chế tạo phần mềm điều khiển cho SOA 97
2.6. Kết quả thử nghiệm SOA trong điều kiện Phòng Thí Nghiệm 99
2.7. Kết quả chế tạo và đo đạc các thông số cơ bản của SOA 106
2.8. Tài liệu tham khảo chương 2 114
Chương 3. Các kết quả
nghiên cứu về các bộ phát và thu tín hiệu quang
tốc độ STM1-STM16 115
3.1. Sơ lược cơ sở vật lý của bộ phát tín hiệu quang trong
mạng viễn thông quang sợi 115
3.2. Thiết kế các bộ phát tín hiệu quang tốc độ từ 155Mb/s
đến 2,5 Gb/s 126
3.3. Sơ lược cơ sở vật lý của bộ thu tín hiệu quang trong mạng
viễn thông quang sợi 138
3.4.
Thiết kế bộ thu tín hiệu thông tin quang tốc độ STM 1
– STM4) bằng chương trình chuyên dụng 148
Chương 4. Các kết quả nghiên cứu thiết kế và chế tạo thiết bị
truy nhập toàn quang NxE1 156
4.1. Thiết kế và chế tạo thiết bị truy nhập mạng quang 4xE1 156
4.2. Thiết kế và chế tạo thiết bị truy nhập mạng quang 16xE1 167
4.3. Các kết quả nghiên cứu thiết kế và xây dựng tuyến thông tin quang
t
ốc độ STM1 (155Mb/s) có sử dụng truy nhập tòan quang 177
4.4. Tài liệu tham khảo chương 4 177
Chương 5. Kết quả đạt được của đề tài 178
Báo cáo tổng kết đề tài cấp nhà nước mã số KC.01-06/06-10
5.1. Các sản phẩm dạng 1 của đề tài 178
5.2. Sản phẩm dạng II trong đề tài 183
5.3. Các sản phẩm dạng III (công bố KHCN và đào tạo) của đề tài 184
VI. Kết luận và kiến nghị
6.1. Kết luận 185
6.2. Kiến nghị 186
Lời cảm ơn 187
Báo cáo tổng kết đề tài cấp nhà nước mã số KC.01-06/06-10
DANH MỤC CÁC KÝ HIỆU, CÁC CHỮ VIẾT TẮT
Kí hiệu Tiếng Anh Tiếng Việt
ASE Amplified Spontaneous Emission Phát xạ tự phát được khuếch đại
ESA Excited State Absorption Hấp thụ ở trạng thái kích thích
WDM Wavelength Division Multiplexing Ghép kênh phân chia theo bước sóng
DWDM Dense Wavelength Division Ghép kênh phân chia theo bước
Multiplexing sóng mật độ cao
ED Electric dipole Lưỡng cực điện
MD Magnetic dipole Lưỡng cực từ
FWHM Full Width At Half Maximum Độ bán rộng tại nửa cực đại
EDFA Erbium Doped Fiber Amplifier Bộ khuếch đại sợi pha tạp Er
EYDFA Erbium Ytterbium Doped Fiber Bộ khuếch đại bộ pha tạp Er- Yb
Amplifier
IO Integrated Optics Quang tổ hợp
MCVD Modified Chemical Vapor Lắng đọng pha hơi hóa
Deposition học cải biến
RE Rare Earth Đất hiếm
SiO
2
Silica Thủy tinh SiO
2
SiO
2
-Al
2
O
3
Silica-Alumina Thủy tinh SiO
2
-Al
2
O
3
DFB laser Distributed Feedback Laser Laser phản hồi phân bố
DBR laser Distributed Bragg Reflector Laser Laser phản xạ Bragg phân bố
SOA Semiconducter optical Amplifier Khuếch đại quang bán dẫn
Báo cáo tổng kết đề tài cấp nhà nước mã số KC.01-06/06-10
DANH MỤC CÁC BẢNG
Trang
Bảng 1.1. Chức năng và điện áp hoạt động của các chân kết nối giữa module
EDFA và mạch chủ của hệ thống thông tin quang 49
Bảng 1.2. Công suất tín hiệu ra P
ra
và hệ số khuếch đại G của sợi pha tạp
C1400 khi thay đổi công suất bơm (bơm đồng hướng) 55
Bảng 1.3. Công suất tín hiệu ra và hệ số khuếch đại khi thay đổi công suất
bơm cho sợi ISOGAIN I-6 tại bước sóng 1552 nm 57
Bảng 1.4. Công suất tín hiệu ra và hệ số khuếch đại của sợi ISOGAIN I-6
tại bước sóng 1533,5 nm và 1557,5 nm 58
Bảng 1.5. Công suất tín hiệu ra và hệ số khuếch đại của sợi HCO-4000
chiều dài 3,6 mét khi thay đổi công suất bơm 59
Bảng 1.6. Kết quả thí nghiệm thay đổi công suất tín hiệu vào trên các sợi
C1400 60
Bảng 1.7. Hệ số khuếch đại G của EDFA sử dụng sợi ISOGAIN I-6 khi
thay đổi công suất tín hiệu vào P
vào
61
Bảng 1.8. Công suất tín hiệu ra và hệ số khuếch đại của sợi HCO-4000
chiều dài 3,6 mét khi thay đổi công suất tín hiệu vào 62
Bảng 1.9. Công suất tín hiệu ASE phụ thuộc vào công suất bơm của sợi
C1400 chiều dài 6 mét 63
Bảng 1.10. Công suất ASE của sợi ISOGAIN I-6, chiều dài 12 mét 64
Bảng 1.11. Hệ số tạp âm của các EDFA sử dụng sợi pha tạp C1400 có chiều
dài L khác nhau khi thay đổi công suất bơm 66
Bảng 1.12. Các thông số chính của thiết bị EDFA
đã chế tạo 70
Bảng 3.1. Danh mục các linh kiện cho bộ phát STM16 138
Bảng 3.2. Danh mục các linh kiện điện tử cho khối thu và phát của
modul STM1,4 155
Báo cáo tổng kết đề tài cấp nhà nước mã số KC.01-06/06-10
Bảng 4.1. Các thông số của bộ truy nhập toàn quang 4 x E1 165
Bảng 4.2. Các thông số của bộ truy nhập toàn quang 16 x E1 175
Bảng 5.1. Phần Quang tử của EDFA 178
Bảng 5.2. Phần Điện tử của EDFA 179
Bảng 5.3. Phần Quang tử của SOA 179
Bảng 5.4. Phần Điện tử của SOA 180
Bảng 5.5 Các thông số chính của bộ phát tín hiệu quang STM1,4 181
Bảng 5.6. Các thông số chính của bộ thu tín hiệu quang STM1,4 181
Bảng 5.7. Các thông số chính của thiết bị NxE1: 182
Báo cáo tổng kết đề tài cấp nhà nước mã số KC.01-06/06-10
DANH MỤC CÁC HÌNH VẼ, ĐỒ THỊ
Trang
Hình 1.1. Các mức Stark của ion Er
3+
pha tạp trong thủy tinh 7
Hình 1.2. Các chuyển dời phát xạ huỳnh quang từ mức
4
I
13/2
về mức
4
I
15/2
8
Hình 1.3. Các chuyển dời hấp thụ (Absorption) từ mức
4
I
15/2
lên mức
4
I
13/2
9
Hình 1.4. Phổ tiết diện hấp thụ và phát xạ từ thực nghiệm (a) và từ lý thuyết
mở rộng thuần nhất (b) 11
Hình 1.5. Mặt cắt ngang của sợi pha tạp Er
3+
12
Hình 1.6. Cường độ hấp thụ và phát xạ theo bước sóng của sợi pha tạp Er 13
Hình 1.7. Cấu hình hệ EDFA bơm đồng hướng 14
Hình 1.8. Công suất bơm và công suất tín hiệu trong cấu hình bơm đồng hướng 14
Hình 1.9. Cấu hình hệ EDFA bơm ngược hướng 15
Hình 1.10. Công suất bơm và công suất tín hiệu trong cấu hình bơm ngược hướng 16
Hình 1.11. Cấu hình hệ EDFA bơm song công 16
Hình 1.12. Các chuyển dời chuyển đổi ngược 20
Hình 1.13. Phổ phát xạ của ion Er
3+
trong thủy tinh silica với các đồng
pha tạp khác nhau 23
Hình 1.14. Tiết diện phát xạ của các loại thủy tinh khác nhau pha tạp Er
3+
24
Hình 1.15. Sơ đồ chuyển dời giữa các mức năng lượng của ion Yb
3+
và Er
3+
25
Hình 1.16. Phổ phát xạ của Er
3+
với bước sóng kích thích λ = 975nm 26
Hình 1.17. Sự thay đổi dạng phổ ASE phụ thuộc công suất quang bơm 27
Hình 1.18. Minh họa phương pháp tính hệ số tạp âm NF bằng thực nghiệm 30
Hình 1.19. Mô hình 3 mức năng lượng của hệ EDFA 32
Hình 1.20. Sơ đồ bên trong của module laser bán dẫn họ SDLO 2564 980nm 37
Hình 1.21. Sơ đồ nguyên lý của mạch ổn định nhiệt độ 38
Hình 1.22. Sơ đồ nguyên lý của mạch điều khiển dòng điện qua diode laser 40
Hình 1.23. Sơ
đồ phần cứng của mạch điều khiển hệ EDFA 43
Hình 1.24. Sơ đồ hoạt động của chương trình hệ thống 45
Hình 1.25. Sơ đồ mạch điện của hệ điều khiển module EDFA 47
Hình 1.26. Sơ đồ mạch điện tử của bộ khuếch đại quang EDFA 48
Báo cáo tổng kết đề tài cấp nhà nước mã số KC.01-06/06-10
Hình 1.27. Sơ đồ các linh kiện quang tử trong bộ khuếch đại EDFA 48
Hình 1.28. Kết quả theo dõi các thông số của EDFA trên màn hình vi tính 50
Hình 1.29. Máy phân tích quang phổ ADVANTEST Q8384 52
Hình 1.30. Sự thay đổi công suất quang theo dòng bơm của laser SDLO 53
Hình 1.31. Phổ tín hiệu lối ra của EDFA sợi C1400 dài 5 mét 54
Hình 1.32. Hệ số khuếch đại của sợi pha tạp C1400 chiều dài 6 mét, bơm
đồng hướng tại hai bước sóng tín hiệu 1533,5 nm và 1557,5 nm 56
Hình 1.33. Phổ tín hiệu lối ra của EDFA sử dụng sợi
HCO-4000, chiều dài 3,6 mét 59
Hình 1.34. Phổ ASE của sợi C1400, chiều dài 6 mét, bơm đồng hướng với
công suất bơm khác nhau 63
Hình 1.35. Phổ tín hiệu lối ra của sợi HCO-4000, chiều dài 3,6 mét khi có
và không có tín hiệu vào 65
Hình 1.36. Hệ số tạp âm của các EDFA sử dụng sợi pha tạp C1400 với chiều dài
5 mét, 6 mét, 8 mét và 10 mét 67
Hình 1.37. Sự phụ thuộc của công suất tín hiệu ra và hệ số tạp âm vào
công suất bơm cho sợi pha tạp HCO-4000 chiều dài 3,6 mét 68
Hình 1.38. Thiết bị EDFA chế tạo đã lắp ráp trên tuyến thông tin quang 69
Hình 1.39. Thiết bị EDFA đang hoạt động trên tuyến tốc độ 2,5 Gb/s 72
Hình 1.40. Kết quả theo dõi tỷ số lỗi bit trong tuyến thông tin quang
có sử dụng EDFA 72
Hình 2.1. Sơ đồ vùng năng lượng trong chất bán dẫn có pha tạp suy biến
81
Hình 2.2. Sơ đồ chuyển tiếp p-n khi không có thiên áp (a) và khi
có thiên áp (b) 84
Hình 2.3. Sơ đồ chuyển tiếp p-n có cấu trúc dị thể ở trạng thái cân bằng nhiệt
không có thiên áp (trên) và khi có thiên áp thuận (dưới) 84
Hình 2.4. Sơ đồ mạch điện của modul SOA 93
Hình 2.5a,b. a) Sơ đồ bố trí linh kiện dùng cho lắp ráp b) Sơ đồ mạch in mặt trên
của card điện tử 94
Hình 2.6a,b. a) Sơ đồ mạch in mặt dưới của card điện tử b) Sơ
đồ lỗ chân linh
Báo cáo tổng kết đề tài cấp nhà nước mã số KC.01-06/06-10
kiện trong card điện tử 95
Hình 2.7. Mạch in chế tạo và tấm toả nhiệt cho card điện tử 96
Hình 2.8. Card điện tử nuôi và điều khiển cho SOA sau khi lắp ráp các linh kiện
Quang tử 96
Hình 2.9. Thiết bị SOA sau khi đã được chế tạo hoàn chỉnh 98
Hình 2.10. Phổ ASE trên lý thuyết (1) và thực nghiệm (2) 100
Hình 2.11. Sự phụ thuộc của hệ số khuếch đại SOA vào công suất quang
tín hiệu lối ra 102
Hình 2.12. Sơ đồ đo đặc trưng độ khuếch đại của khuếch đại quang bán dẫn 103
Hình 2.13. Đường đặc trưng độ khuếch đại phụ thuộc dòng bơm của module
SOA tại các giá trị tín hiệu vào 104
Hình 2.14. Độ khuếch đại phụ thuộc theo nhiệt độ hoạt động của SOA 105
Hình 2.15. Độ khuếch đại phụ thuộc theo độ ẩm của môi trường 106
Hình 2.16. Hình ảnh bên trong của module SOA trong quá trình ghép nối quang 106
Hình 2.17. Minh hoạ sơ đồ đo đặc trưng công suất ASE sử dụng máy đo Diode 109
Hình 2.18. Sơ đồ đo phổ ASE 109
Hình 2.19. Sơ đồ đo đặc trưng độ khuếch đại của khuếch đại quang bán dẫn 110
Hình 2.20. Đặc trưng công suất ASE phụ thuộc dòng hoạt động của SOA 111
Hình 2.21. Phổ bức xạ tự phát ASE của module SOA 111
Hình 2.22. Đặc trưng độ khuếch đại phụ thuộc công suất lối ra 112
Hình 2.23. Đặc trưng độ khuếch đại phụ thuộc dòng bơm 113
Hình 3.1. Cấu trúc của laser bán dẫ
n và bộ cộng hưởng Faby-Perot của laser 117
Hình 3.2. Các mode dao động trong buồng cộng hưởng của laser 118
Hình 3.3. Sơ đồ laser bán dẫn cấu trúc dị thể kép (DHL) 120
Hình 3.4. Cấu trúc laser dị thể chôn (BH-laser diode) 121
Hình 3.5. Cấu trúc laser DFB (trái) và laser DBR (phải) 122
Hình 3.6. Đường đặc trưng P-I của laser 1,3µm ở các nhiệt độ khác nhau 126
Hình 3.7. Sơ đồ khối của hệ thu phát quang trên đường trục thông tin 127
Hình 3.8. Cấu trúc của laser FP 128
Hình 3.9. Phổ phát xạ của laser FP 128
Hình 3.10. Đặc trưng IP của laser bán dẫn 129
Báo cáo tổng kết đề tài cấp nhà nước mã số KC.01-06/06-10
Hình 3.11. Điều chế trực tiếp 130
Hình 3.12. Điều chế từ bên ngoài 130
Hình 3.13. Sơ đồ điện tử của mođul phát STM1,4 131
Hình 3.14. Mạch in của modul phát STM1-4 132
Hình 3.15. Đặc trưng cấu trúc và phổ của laser DFB 133
Hình 3.16. Cấu trúc của chip laser 2MOE5816 và 4MOE5496 134
Hình 3.17. Sơ đồ khối điều khiển công suất phát laser 136
Hình 3.18. Sơ đồ khối cho mạch phát STM16 137
Hình 3.19. Bản mạch in (4 lớp) của hệ thu phát tích hợp STM16 138
Hình 3.20. Sơ đồ chuyển tiếp p-n của bộ thu quang bán dẫn 141
Hình 3.21. Hình dáng xung quang điện của bộ thu quang bán dẫn 143
Hình 3.22. Sơ đồ chuyển tiếp p-i-n của bộ thu quang bán dẫn 144
Hình 3.23. Sơ đồ của bộ thu quang bán dẫn APD 146
Hình 3.24. Sơ đồ khối của hệ thu phát quang trên đường trục thông tin 149
Hình 3.25. Sơ đồ cấu trúc của PIN – Detector 150
Hình 3.26. Cấu trúc cơ bản của đầu thu APD 151
Hình 3.27. Cấu trúc đầu thu PIN kèm khuyếch đại quang 152
Hình 3.28. Sơ đồ mạch điện tử Modul thu quang STM1,4 154
Hình 3.29. PCB – Receiver 155
Hình 4.1. Sơ đồ hệ thống E1 156
Hình 4.2. Các phân cấp PDH theo tiêu chuẩn Châu Âu và Bắc Mỹ 157
Hình 4.3. Giản đồ ghép theo thời gian 158
Hình 4.4. Cấu trúc khung chèn E2 159
Hình 4.5. Sơ đồ khối thiết bị PDH 4E1 160
Hình 4.6. Sơ đồ nguyên lý tổng thể OPTIMUX-4E1 161
Hình 4.7. Sơ đồ nguyên lý khối giao tiếp luồng OPTIMUX-4E1 162
Hình 4.8. Sơ đồ nguyên lý khối biến áp OPTIMUX-4E1 162
Hình 4.9. Sơ đồ nguyên lý khối ghép/tách luồng OPTIMUX-4E1 163
Hình 4.10. Sơ đồ nguyên lý khối xử lý E2 OPTIMUX-4E1 163
Hình 4.11. Sơ đồ nguyên lý khối thu phát quang OPTIMUX-4E1 164
Báo cáo tổng kết đề tài cấp nhà nước mã số KC.01-06/06-10
Hình 4.12. Sơ đồ nguyên lý khối nguồn OPTIMUX-4E1 165
Hình 4.13. Cấu hình mạng chung 166
Hình 4.14a,b Một số sơ đồ ứng dụng thiết bị theo cấu trúc điểm-điểm 166
Hình 4.14c. Một số sơ đồ ứng dụng thiết bị theo cấu trúc điểm-điểm 167
Hình 4.15. Giản đồ ghép theo thời gian 167
Hình 4.16. Cấu trúc khung chèn E2 168
Hình 4.17. Cấu trúc khung chèn E3 169
Hình 4.18. Sơ đồ khối thiết bị PDH 16E1 170
Hình 4.19. Sơ đồ khối giao tiếp luồng 170
Hình 4.20. Sơ đồ khối khối thu phát quang 172
Hình 4.21. Sơ đồ nguyên lý khối ghép tách kênh và xử lí tín hiệu ghép
kênh bằng FPGA 173
Hình 4.22. Sơ đồ nguyên lý khối giao tiếp luồng 173
Hình 4.23. Sơ đồ nguyên lý khối thu phát quang 174
Hình 4.24. Sơ đồ nguyên lý khối nguồn 174
Hình 4.25. Sử dụng thiết bị theo cấu hình điểm-điểm 176
Hình 4.26. Sử dụng thiết bị theo cấu hình ring có xen/rẽ 176
Báo cáo tổng kết đề tài cấp nhà nước mã số KC.01-06/06-10
1
MỞ ĐẦU
Mng thông tin quang si (TTQ) ca Vit nam hin ang c m rng và
hin i hóa rt nhanh theo tng nm. Các mng thông tin quang ng trc
ca các Hãng khai thác vin thông ln trong nc u ã nâng dung lng
truyn-thu lên hàng chc Gigabít/giây khi s dng công ngh ghép kênh theo
bc sóng WDM. Gn ây nht, mng TTQ ca VietTel ã c nâng cp lên
dung lng n 400 Gb/s s dng ghép 40 bc sóng trong mt si quang vi
tc
bít mi bc sóng t 10 Gb/s. Khi mng TTQ ng trc ã s dng
các công ngh hin i vào bc nht trên th gii, vn nghiên cu làm ch
các c ch vn hành ca mng, bo trì và sa cha các thit b s dng trong
mng và tng bc tin ti làm ch công ngh ch to các thit b và linh kin
thông tin quang phc v cho các mng nhánh s
m rng trong thi gian ti ã
tr nên rt cp thit.
tài vi mc tiêu nghiên cu công ngh ch to mt s linh kin và thit b
c bn cho các tuyn thông tin quang SDH-STM1 vi tc 155Mb/s, trong ó
thit b truy nhp toàn quang cp lung NxE1và khuch i quang là các thit b
d kin có nhu cu s dng cao trong quá trình phát trin và m rng mng
TTQ nhánh. Trong tình hình công ngh ch
to thit b TTQ trong nc cha
c phát trin, các mc tiêu nghiên cu công ngh ch to thit b ca tài
KC.01-06/06-10 có kh nng mang li hiu qu tt, c bit có ý ngha quan
trng cho các mng thông tin quang phc v an ninh quc phòng là các mng
thông tin yêu cu có bo mt cao.
tài có 4 mc tiêu c th nhm nghiên cu công ngh ch to mt s
linh
kin, thit b thu phát tín hiu quang, truy nhp mng quang và khuch i
quang s dng trong tuyn thông tin quang SDH th nghim vi tc 155
Báo cáo tổng kết đề tài cấp nhà nước mã số KC.01-06/06-10
2
Mb/s. tài ã phân công c th các ni dung nghiên cu công ngh cho các
c quan tham gia tài, c th nh sau:
+ Vin Khoa hc vt liu, Vin Khoa hc và Công ngh Vit nam chu trách
nhim nghiên cu công ngh ch to thit b khuch i quang, bao gm c
khuch i quang si pha tp Erbium (EDFA) và khuch i quang bán dn
(SOA), áp ng c các yêu cu s dng trên tuyn thông tin quang hin t
i
vi tc t 155 Mb/s n 2,5 Gb/s. Kt hp vi Cc K thut, B T lnh
Thông tin kho sát và a tuyn thông tin quang th nghim SDH-STM1(tc
155 Mb/s) vào hot ng.
+ Trung tâm Quang in t, Vin ng dng công ngh, B Khoa hc và Công
ngh chu trách nhim nghiên cu công ngh ch to mô-un thu phát tín hiu
quang tc 155-622 Mb/s s dng trong các thit b truy nh
p toàn quang,
bc u tìm hiu thit k các mô-un thu phát tín hiu quang tc 2,5 Gb/s.
+ Cc K thut, B T lnh Thông tin Liên lc, B Quc phòng chu trách
nhim nghiên cu công ngh ch to thit b truy nhp quang 4xE1 và 8xE1 s
dng trong mng toàn quang
+ Cc K thut, BTLTTLL xây dng tuyn thông tin quang th nghim SDH-
STM1 dài n 70 km, Vin KHVL kt hp kho sát và a tuyn thông tin
quang th nghi
m vào hot ng.
Báo cáo tng kt này s trình bày các kt qu nghiên cu chính ã t c
ca tài theo các ni dung ã c phân công cho các n v tham gia tài.
Các c ch vt lý và công ngh ca các thit b, linh kin quang-in t và
quang t và các nghiên cu chi tit v công ngh ch to thit b và linh kin ã
ng ký và t c s trình bày các phn chuyên s
n phm ca tài.
Báo cáo tổng kết đề tài cấp nhà nước mã số KC.01-06/06-10
3
CHƯƠNG 1
CÁC KẾT QUẢ NGHIÊN CỨU CÔNG NGHỆ CHẾ TẠO KHUẾCH ĐẠI
QUANG SỢI PHA TẠP ERBIUM
I.1. Tổng quan về các vấn đề cần nghiên cứu cho công nghệ chế tạo khuếch
đại quang sợi pha tạp Erbium (EDFA)
Nguyên lý hot ng ca các b khuch i quang nói chung u da trên các
c s vt lý sau:
• Có môi trng khuch i quang (P
ra
> P
vào
);
• Có ngun bm (in, quang…).
Hin nay có ba loi khuch i quang ang s dng trong các mng thông tin
quang si là: khuch i quang si pha tp Erbium (Erbium Doped Fiber
Amplifier – EDFA), khuch i quang bán dn (Semiconductor Optical
Amplifier – SOA) và khuch i quang s dng môi trng tán x Raman
cng bc (Raman Optical Amplifier –ROA).
Trên c s vt lý, môi trng khuch i quang u phi tuân th các yêu cu
sau ây :
+ Tc bc x c
ng bc ti bc sóng khuch i R
stim
() phi ln hn tc
hp th R
abs
() ti bc sóng ó.
+ có iu kin R
stim
() > R
abs
(), mt nguyên t N
2
trên mc nng
lng kích thích E
2
phi ln hn mt nguyên t N
1
mc nng lng c bn
E
1
. Trng thái phân b ion trong môi trng này c gi là trng thái o mt
phân b. môi trng có trng thái o mt phân b, ta phi phá v
trng thái cân bng nhit bng phng pháp s dng h 3 hoc 4 mc nng
Báo cáo tổng kết đề tài cấp nhà nước mã số KC.01-06/06-10
4
lng (trong các môi trng phân t) hoc bng phng pháp pha tp suy bin
nng trong bán dn và s dng chuyn tip p-n.
+ Các ion Erbium có h các mc nng lng
4
I
15/2
;
4
I
13/2
;
4
I
11/2
;
4
I
9/2
, trong ó
chuyn di phát x gia mc siêu bn
4
I
13/2
và mc c bn
4
I
15/2
cho hiu sut
phát x cao, phù hp vi vùng có suy hao quang thp nht trong si quang
(1550nm),vì vy ion Erbium c nghiên cu và ng dng rt rng rãi trong
khuch i quang và laser cho thông tin quang.
+ Si quang là môi trng truyn dn quang lý tng hin nay vi h s suy
hao thp ( < 0,2 dB/km ti bc sóng 1550 nm), vì vy si quang pha tp
Erbium c nghiên cu ch to t ngay thi im phát hin phát x mnh ca
ion Erbium ti vùng sóng 1550 nm (n
m 1987).
+ H s khuch i quang ph thuc vào nng các tâm hot tính quang trong
môi trng, vì vy vi nng càng cao ta nhn c h s khuch i càng
ln. Tuy nhiên, a s các ion t him trong h Lanthanide có hoà tan rt
thp trong thu tinh SiO
2
, vì vy khi pha tp mnh chúng s t ám (clustering)
và gây ra hiu ng dp tt phát x (quenching) làm gim h s khuch i ca
môi trng khuch i.
+ Xu hng tìm kim các công ngh làm tng nng Er pha tp trong thu
tinh SiO
2
nhng không có t ám ã c nghiên cu t nhng nm 90 ca th
k trc, và hin nay vn ang tip tc tin hành.
Nghiên cu công ngh ch to khuch i quang s dng trong mng thông tin
quang nói chung u phi thu c các thông s ch yu sau ây :
• H s khuch i G ca thit b;
• Bng tn khuch
i trong di bc sóng (hoc tn s ν);
• Công sut ra bão hoà P
sat
output
ca khuch i;
Báo cáo tổng kết đề tài cấp nhà nước mã số KC.01-06/06-10
5
• Thông s tp âm (Noise Figure –NF) ca b khuch i;
Ngoài ra, khuch i quang hot ng trong tuyn thông tin quang thc cn nêu
c các thông s hot ng theo yêu cu thc t sau ây:
+ n nh ca khuch i trong quá trình hot ng;
+ Thi gian hot ng (thi gian sng danh nh) ca b khuch i;
+ Kim soát và iu hành b khuch i trong mt mng thông tin chung;
+ Giá thành bo trì, sa cha, thay th và tng thích ca thit b.
Các yêu cu v khuch i quang ã nêu trên s là i tng nghiên cu chi
tit ca này này vi mc tiêu hoàn thin công ngh ch to EDFA s dng
trên tuyn thông tin quang theo tiêu chun ITU-G662.
I.2. Sơ lược về tính chất quang của ion Erbium trong thủy tinh
Do si quang ch to bng vt liu thy tinh, vì vy các nghiên cu v thy
tinh pha tp Erbium ã c quan tâm nghiên cu ngay t thi im nghiên cu
phát trin EDFA. Vn nghiên cu thy tinh không nm trong ni dung ca
tài này, tuy nhiên nghiên cu công ngh ch to EDFA có hiu qu cao
rt cn có các kin thc v tính cht quang ca ion Erbium trong thy tinh, c
bit là thy tinh SiO
2
là vt liu ch yu cho ch to si quang thông tin.
I.2.1. Các mức năng lượng của ion Er
3+
tự do
Cu hình in t ca ion Er
3+
là [Xe] 4f
11
, s in t trên lp 4f là 11, các
ion Er
3+
có bán kính qu o ca các in t lp 5s
2
và 5p
6
nm bên ngoài bán
kính qu o ca lp 4f. Tng tác ca ánh sáng vi ion Er
3+
ch liên quan n
các in t hóa tr thuc lp 4f, nhng vi s che chn ca các in t nm bên
ngoài thuc lp 5s
2
và 5p
6
nên các ion Er
3+
tng tác khá yu vi trng tinh
Báo cáo tổng kết đề tài cấp nhà nước mã số KC.01-06/06-10
6
th. T ó các ion Er
3+
có tính ion t do khá rõ rt và tính cht quang ca ion
Er
3+
ít ph thuc vào vt liu nn.
Do ion Er
3+
tng tác yu vi vt liu nn, nên ta có th xem chúng là ion
t do và trng tinh th ca vt liu nn tham gia nh mt nhiu lon bé,
Hamiltonian ca ion Er
3+
t do là H
ion t do
= H
trng trung tâm
+ H
lc tnh in
+ H
spin –
qu o
, s hng H
lc tnh in
mô t tng tác Coulomb ca các in t lp 4f và s
hng H
spin – qu o
mô t tng tác spin - qu o ca các in t, hai s hng
H
lc tnh in
và H
spin – qu o
s quyt nh cu trúc các mc nng lng ca ion
Er
3+
t do.
Khi cha xét n trng tinh th, các mc nng lng ca ion Er
3+
t do
là
4
I
15/2
,
4
I
13/2
,
4
I
11/2
,
4
I
9/2
,
4
F
9/2
,
4
S
3/2
,
2
H
11/2
c phân b nh trên hình 1. Do s
in t trên lp 4f là l nên moment toàn phn J ca ion Er
3+
luôn luôn là bán
nguyên, suy bin ca mi mc nng lng là g = 2J+1.
Chúng ta s nghiên cu chi tit hn các chuyn di phát x gia hai mc
4
I
15/2
và
4
I
13/2
liên quan n quá trình khuch i quang trong vùng bc sóng
1550 nm.
Trc ht là chuyn di phát x do lng cc in (electric dipole: ED)
gia hai mc
4
I
13/2
và
4
I
15/2
ca ion Er
3+
là b cm, bi vì toán t lng cc in
có i xng l, trong khi ó c hai trng thái
4
I
13/2
và
4
I
15/2
u có i xng chn
do cùng có moment qu o L = 6. Tuy nhiên do tng tác ca ion Er
3+
vi
trng tinh th, vi s óng góp ca các dao ng i xng l ca mng thy
tinh và s pha trn các hàm sóng ca in t lp 4f vi in t thuc lp khác
(nh 5d), kh nng chuyn di phát x lng cc in có th xy ra nhng vi
xác sut bé.
Nh vy tng tác ca photon vi ion Er
3+
pha tp trong thy tinh s xy
ra theo các dng: phát x lng cc t (magnetic dipole: MD), phát x t cc
in (electric quadrupole: EQ) và phát x lng cc in (ED) vi xác sut bé.
Báo cáo tổng kết đề tài cấp nhà nước mã số KC.01-06/06-10
7
Hình 1.1. Các mức Stark của ion Er
3+
pha tạp trong thủy tinh.
Cng chuyn di lng cc in ln hn các chuyn di khác rt
nhiu, t l ca các cng chuyn di ED:MD:EQ là 1:10
-5
:10
-6
. Bi vì
chuyn di phát x lng cc in t mc
4
I
13/2
v mc c bn
4
I
15/2
có xác sut
bé nên thi gian sng ca ion Er
3+
nm mc
4
I
13/2
rt ln ~ 10 ms.
I.2.2. Sự tách mức do hiệu ứng Stark khi pha tạp Er
3+
trong thủy tinh
Khi pha tp ion Er
3+
vào thy tinh, tng tác ca ion vi trng tinh th
là khá yu so vi tng tác tnh in và tng tác spin – qu o. Nhiu lon do
trng tinh th làm cho các mc nng lng ca ion Er
3+
t do kh suy bin và
tách thành các mc con nm gn nhau nh s trên hình 1.1, các mc con có
nng lng cách nhau c 50 cm
-1
và thng c gi là các mc Stark.
Trong lnh vc khuch i quang vùng bc sóng 1550 nm chúng ta ch
quan tâm nghiên cu s tách mc ca hai mc
4
I
15/2
và
4
I
13/2
. Theo lý thuyt, khi
Báo cáo tổng kết đề tài cấp nhà nước mã số KC.01-06/06-10
8
pha tp ion Er
3+
trong thy tinh, mc
4
I
15/2
có th tách thành ti a là J +1/2 = 8
mc con và mc
4
I
13/2
có th tách thành J +1/2 = 7 mc con.
Tuy nhiên tùy theo tính cht i xng ca mng nn mà s kh suy bin
có th xy ra hoàn toàn hoc ch xy ra mt phn, do ó s mc Stark ca mi
mc nng lng còn ph thuc vào tính i xng ca loi vt liu nn.
S mc Stark ca mc
4
I
13/2
và
4
I
15/2
trong các loi thy tinh pha tp Er
3+
khác nhau nh silicate, fluoride, aluminosilicate và fluorophosphate ã c
kho sát bng phng pháp o ph hunh quang nhit thp.
Kt qu xác nh s mc Stark ca thy tinh aluminosilicate pha tp Er
3+
cng nh chuyn di hp th và phát x gia các mc này c trình bày nh
trên hình 1.2 và hình 1.3.
Hình 1.2. Các chuyển dời phát xạ huỳnh quang từ mức
4
I
13/2
về mức
4
I
15/2
.
Kt qu o ph hunh quang nhit thp cho thy các mc Stark có
nng lng cách nhau E c 50 cm
-1
.
iu kin nhit phòng, thc nghim cho thy rng chuyn di gia
các mc Stark s có quang ph không hoàn toàn n sc, quang ph s c
Báo cáo tổng kết đề tài cấp nhà nước mã số KC.01-06/06-10
9
m rng bi hai quá trình, ó là m rng thun nht (homogenous broadening)
và m rng không thun nht (inhomogenous broadening).
Hình 1.3. Các chuyển dời hấp thụ (Absorption) từ mức
4
I
15/2
lên mức
4
I
13/2
.
I.2.3. Hiệu ứng mở rộng các mức năng lượng thuần nhất
Trong hiu ng m rông các mc nng lng thun nht (gi tt là quá
trình m rng thun nht), các mc Stark c phân b theo nhit , trng
thái cân bng nhit ng, phân b theo nng lng ca mc Stark tuân theo
phân b Bose – Einstein.
1)/)exp( −−
=
kT
g
n
i
i
i
µε
(1.1)
Vi k là hng s Boltzmann, T là nhit tuyt i, µ là hóa th ca h,
g
i
là suy bin ca mc i và
i
là nng lng. Ti nhit phòng, theo phân
b Bose – Einstein t s trng thái gia 2 mc Stark cách nhau E ~ 50cm
-1
là
exp(E/kT) = 0,78. T s này khá ln nên trng thái cân bng nhit các mc
Stark bao ph ln nhau, do ó ph chuyn di phát x và hp th gia hai mc
4
I
13/2
và
4
I
15/2
c m rng và phân b liên tc trong vùng bc sóng 1430 nm
n 1650 nm.
Báo cáo tổng kết đề tài cấp nhà nước mã số KC.01-06/06-10
10
Quá trình m rng thun nht gi nh rng cu trúc mng ca các ion
Er
3+
trong thy tinh là ging nhau, do ó các ion Er
3+
u có các mc Stark
trùng nhau. Tuy nhiên trng tinh th ti các ion Er
3+
là không ging nhau, nên
quang ph ca ion Er
3+
pha tp trong thy tinh còn có nh hng ca hiu ng
m rng không thun nht.
I.2.4. Quá trình mở rộng mức năng lượng không thuần nhất
Ph tit din hp th và tit din phát x ca thy tinh pha tp Er
3+
t
thc nghim có dng nh trên hình 4a, nhng khi s dng lý thuyt m rng
thun nht tính toán các ph này nó s có dng nhiu nh nh hình 4b. S
khác bit gia lý thuyt và thc nghim này c gii thích do s tham gia ca
mt quá trình khác, ó là s m rng không thun nht. Quá trình này do cu
trúc không ng u ca mng nn, c bit là cu trúc thy tinh, s
mt trt t
trong cu trúc mng nn làm cho nng lng các mc Stark không trùng nhau.
Vi tit din hp th và tit din phát x thc nghim ca thy tinh
aluminosilicate pha tp Er
3+
, da vào lý thuyt m rng ng nht và không
ng nht Desurvire ã tính c m rng ca các nh ph vi mng nn
này là
H
~
I
~ 11.5 nm. Các m rng này tng ng vi khong cách nng
lng xp x 50 cm
-1
, nh vy m rng thun nht
H
và m rng không thun
nht
I
u cùng c vi nng lng do tách mc Stark.
mt s loi vt liu thy tinh pha tp Er
3+
nng cao, m rng
không thun nht là khá ln. S m rng không thun nht ch ph thuc vào
tính cht ca vt liu mà không liên quan n nhit .
Vi hai dng m rng ph nêu trên, ph hp th và ph phát x ca thy
tinh pha tp erbium s phân b liên tc trong vùng bc sóng t 1430 nm n
1650 nm.
Báo cáo tổng kết đề tài cấp nhà nước mã số KC.01-06/06-10
11
Hình 1.4. Phổ tiết diện hấp thụ và phát xạ từ thực nghiệm (a)
và từ lý thuyết mở rộng thuần nhất (b).
I.2.5. Xác định giá trị thực nghiệm của tiết diện hấp thụ và tiết diện phát xạ
Tit din hp th
a
() và tit din phát x
e
() là hai thông s quan
trng tính toán quá trình khuch i quang và thng c xác nh t thc
nghim. Vic o trc tip hai giá tr tit din hp th và tit din phát x rt khó
khn, trong khi ó o ph hp th và ph phát x ca thy tinh pha tp Er
3+
theo n v tng i d dàng hn. Do ó tit din hp th và tit din phát x
thng c tính theo công thc Fuchtbauer–Ladenburg:
)(
8
)(
2
4
λ
λτπ
λ
λσ
a
a
eff
s
a
I
cn ∆
= (1.2)
Vi c là vn tc ánh sáng, n là chit sut thy tinh, là thi gian sng ca
mc kích thích,
a
eff
λ
∆ là rng hiu dng ca ph hp th, c nh ngha
Báo cáo tổng kết đề tài cấp nhà nước mã số KC.01-06/06-10
12
theo công thc
∫
=∆
λλλ
dI
a
a
eff
)( , trong ó I
a
() là ph hp th theo n v tng
i, c chun hóa v giá tr ca nh ph bng 1.
Tng t, tit din phát x cng có mi liên h vi ph phát x I
e
()
chun hóa v giá tr ca nh ph bng 1 nh trên.
)(
8
)(
2
4
λ
λτπ
λ
λσ
e
e
eff
s
e
I
cn ∆
= (1.3)
Nh vy da vào các công thc (1.2) và (1.3) chúng ta có th tính c
d dàng các tit din
a
và
e
qua vic o dng ph I
a
() và I
e
().
I.3. Hệ khuếch đại quang sợi pha tạp Erbium
I.3.1. Các thông số của sợi quang pha tạp Erbium
Cu to ca si thy tinh pha tp Erbium
Hình 1.5 Mặt cắt ngang của sợi pha tạp Er
3+
.
Các si quang pha tp erbium hin nay là loi si n mt có ng kính
lõi dn sóng 9 µm, vùng pha tp ion Er
3+
nm tâm ca si có ng kính c 3
µm (hình 1.5). Các thông s ca si thy tinh pha tp Er
3+
gm có:
- Nng pha tp, loi thy tinh và các nguyên t ng pha tp.
- hp th bc sóng bm (Absorption at Pump Wavelength), giá tr này
ph thuc vào nng pha tp ca si.