Liên kết cộng hóa trị
Thuyết liên kết hóa trị VB
Kết hợp giữa lai hóa orbital AO của VB và mơ hình
VSEPR: thể giải thích và dự đốn số phối trí và
hình dạng phân tử, nhưng khơng giải thích được từ
tính và các phổ điện tử.
Thuyết orbital phân tử MO
Thuyết MO giải thích được các tính chất điện, từ
tính; khơng dự đốn được hình dạng phân tử. MO
là kết quả của sự tổ hợp tuyến tính các AO của các
nguyên tử nằm gần nhau.
Thuyết VB tập trung vào các electron ở lớp ngoài
của vỏ nguyên tử:
Cặp electron tạo thành liên kết cộng hóa trị do
sự đóng góp electron từ hai nguyên tử tham gia
liên kết;
Hai electron của một nguyên tử chiếm giữ một
AO sẽ tạo thành cặp electron không liên kết và
chiếm giữ một phần không gian dạng thùy
quanh nguyên tử;
Hai electron của cùng một nguyên tử vẫn có thể
tham gia tạo thành một liên kết giữa hai nguyên
tử, tạo thành liên kết phối trí;
Các ngun tử có thể đóng góp nhiều hơn một
electron vào quá trình hình thành liên kết giữa
hai nguyên tử tạo thành các liên kết bội.
Một số đặc điểm của quá trình tạo thành MO:
Số lượng các MO tạo thành bằng số lượng các
AO tham gia tổ hợp;
MO liên kết có năng lượng thấp hơn AO tham
gia tổ hợp, MO phản liên kết có năng lượng cao
hơn, MO khơng liên kết có cùng mức năng
lượng với AO riêng lẻ;
MO (hoặc *) có vùng xen phủ nằm trên
đường nối tâm các nguyên tử; vùng MO
(hoặc *) không nằm trên đường nối tâm
Cấu trúc electron của tinh thể kim loại Al
Cấu trúc vùng năng lượng của Na
Năng lượng
B
C
3p
3s
A
2p
2s
1s
r’
ro
khoảng cách giữa các nguyên tử
Năng lượng
~6 eV
(a)
Na
(b)
Mg
(c)
Graphite
(d)
Si, CdS
(e)
Kim cương
Cấu trúc vùng năng lượng của (a) (b) kim loại, (c) á kim, (d) bán dẫn, và (e) cách
điện. Vùng màu đỏ: các mức năng lượng trống; vùng màu xanh: mức bị chiếm giữ.
Cấu trúc vùng năng lượng của chất bán dẫn
Vùng dẫn
e– e– e– e–
Eg
n n0 exp
kT
Vùng cấm
+
+
+
+
Vùng hóa trị
Sự hình thành các dải năng lượng của bán dẫn thuần Si
*
sp3
Vùng dẫn
sp3
Vùng cấm
Vùng hóa trị
(a)
(b)
Cấu trúc vùng năng lượng của các chất rắn vô cơ
Hợp chất III–V, II–VI và I–VII
3s, 3p của Cl– đầy,
còn của Na+ trống
Sự chồng chập các AO 3p
của Cl– tạo thành dải VB đầy
Sự chồng chập các AO 3s và 3p
của Na+ tạo thành dải CB trống
Cấu trúc vùng năng lượng của các chất rắn vô cơ
Hợp chất của kim loại chuyển tiếp
TiO:
- Cấu trúc kiểu NaCl
- Độ dẫn điện ~103 –1cm–1
NiO:
- Cấu trúc kiểu NaCl
- Độ dẫn điện ~10-14 –1cm–1
x
x
y
y
Ti
O
Ti
Ni
O
Ni
O
Ti
O
O
Ni
O
Ti
O
Ti
Ni
O
Ni
(a)
Ti2+ có cấu hình 3d2
(b)
Ni2+ có cấu hình 3d8
Độ dẫn điện
Định nghĩa
Cơng thức tổng qt tính độ dẫn điện:
ne
Chất bán dẫn có cấu trúc tinh thể kiểu kim cương và sphalerite
• Ngun tố nhóm IV gồm C, Si, Ge đều có cấu trúc mạng tinh thể kiểu kim cương.
• Các hợp chất tổ hợp của ngun tố nhóm III–V như GaAs hoặc GaP; hoặc II–VI như
CdTe cũng có cấu trúc cơ bản kiểu kim cương nhưng có sự luân phiên các nguyên tố
trong hốc tứ diện (kiểu sphalerite).
Si
Si
Si
Si
x
x
x
Si
x
Si
x
x
Ga
x
x
Si
Si
Si
x
Si
Vùng dẫn
1.1 eV
(a)
x
Si
0.1 eV
e e e
Vùng hóa trị
electron thừa
x
Vùng dẫn
0.1 eV
As
x
Si
Si
x
e
e
mức nhận
e e e e e
1.1 eV
Vùng hóa trị
(b)
(a) bán dẫn loại p Si pha tạp Ga, (b) bán dẫn loại n Si pha tạp As.
mức cho
Ví dụ 1
Ví dụ 2
(Giả thiết mỗi nguyên tử B pha tạp sẽ làm phát sinh một lỗ trống pha tạp)