Chương 2 transistor hai lớp tiếp giáp bjt
Bạn đang xem bản rút gọn của tài liệu. Xem và tải ngay bản đầy đủ của tài liệu tại đây (1.11 MB, 15 trang )
<span class="text_page_counter">Trang 1</span><div class="page_container" data-page="1">
<b>HAI LỚP TIẾP GIÁP - BJT</b>
</div><span class="text_page_counter">Trang 2</span><div class="page_container" data-page="2"><b><small>GIỚI THIỆU</small></b>
<b><small>DÒNG CHẢY TRONG BJT</small></b>
2
</div><span class="text_page_counter">Trang 3</span><div class="page_container" data-page="3">1948: Transistor đầu tiên (Bell Lab)
<small>•</small> Các loại transistor (TST): BJT, FET
<small>•</small> BJT: Bipolar Junction Transistor: Transistor hai lớp tiếp giáp
<small>•Cấu tạo: 2 lớp tiếp xúc p-n ghép đối đầu nhau</small>
<small>•Phân loại: pnp & npn</small>
<small>•Ký hiệu: 3 cực B, C &E</small>
<small>•Hoạt động phân cực: tắt, bão hịa, dẫn khuếch đại & đảo</small>
<small>Hình dạngBJT trongthực tế</small>
1. GIỚI THIỆU
<b><small>3</small></b>
</div><span class="text_page_counter">Trang 4</span><div class="page_container" data-page="4">Với BJT-npn:
<small>•</small> Với BJT-pnp:
<small>Có các dịng khuếch tán, dịng lỗ trống dịng ngược.</small>
2. DỊNG CHẢY TRONG BJT
</div><span class="text_page_counter">Trang 5</span><div class="page_container" data-page="5">2. DÒNG CHẢY TRONG BJT (tt)
<b><small>5</small></b>
</div><span class="text_page_counter">Trang 6</span><div class="page_container" data-page="6"><b><small>Lưu ý: cấu hình B chung (CB – common Base Configuration)</small></b>
2. DÒNG CHẢY TRONG BJT (tt)
</div><span class="text_page_counter">Trang 7</span><div class="page_container" data-page="7"><small>•</small> Xem mối nối EB như một Diode phân cực thuận hoạt động độc lập (i<sub>D </sub>= i<sub>E</sub>; v<sub>D </sub>= v<sub>EB</sub>)
<small>•</small> DCLL và đặc tuyến EB
<small>•</small> Mạch tương đương đơn giản
<small>v</small><sub>E </sub><small>= V</small><sub>EBQ </sub><small>= V</small><sub></sub>
<small>(0.7V: Silicon; 0.3V: Germanium)r</small><sub>d </sub><small>= 0</small>
<i><small>R</small><sub>e</sub><small>i</small></i> <small> </small> <sup>1</sup> <i><small>v</small></i>
</div><span class="text_page_counter">Trang 8</span><div class="page_container" data-page="8">2. DÒNG CHẢY (tt) – MỐI NỐI C - B
</div><span class="text_page_counter">Trang 9</span><div class="page_container" data-page="9"><i><b>Ví dụ 1:</b>Cho mạch điện như hình vẽ:</i>
<i>1, I<sub>CBO</sub></i>
<i>0; V<sub>EE</sub>= 2V; R<sub>e</sub>= 1k; V<sub>CC</sub>= 50V; R<sub>c</sub>= 20k; v<sub>i</sub>= 1sin</i>
<i>t. Tính i<sub>E</sub>và v<sub>CB</sub>.</i><small> 1.3 1.0sin</small><i><small>t</small></i> <small>(mA)</small>
<i><small>v</small><sub>CB </sub><small> V</small><sub>CC </sub><small> R</small></i>
<i><small>V V</small></i>
<i><small>v</small><sub>CB</sub></i> <small> 24 20sin</small><i><small>t</small></i> <small>(V)R</small><sub>e</sub>
<small>V</small><sub>EE</sub> <small>V</small><sub>CC</sub><small>v</small><sub>i</sub>
<small>BRC</small>
</div><span class="text_page_counter">Trang 10</span><div class="page_container" data-page="10"><i><b>Lưu ý:</b></i>
<i>của các TST cùng loại có thể thay đổi theo từng TST.</i>2. KHUẾCH ĐẠI DÒNG TRONG BJT
</div><span class="text_page_counter">Trang 11</span><div class="page_container" data-page="11"><i><b>Ví dụ 2:</b>Cho mạch điện như hình vẽ. Xác định hệ số khuếch đạidịng tín hiệu nhỏ.</i>
<small></small><i>Cấu hình E chung (CE – Common Emitter configuration)</i>
<small></small><i>Transistor npn</i>
<i><small> i</small><sub>c</sub></i>
<i>i<sub>b</sub>A </i>
</div><span class="text_page_counter">Trang 12</span><div class="page_container" data-page="12">Đặc tuyến V-Angõ ra, cấu hình E chung
<i>i<sub>C</sub></i>
<i> i<sub>B </sub></i>
2. KHUẾCH ĐẠI DỊNG TRONG BJT (tt)
</div><span class="text_page_counter">Trang 13</span><div class="page_container" data-page="13"><i><b><small>Ví dụ 3</small></b><small>: V</small><sub>CC </sub><small>= 10V, R</small><sub>b</sub><small>= 10K, R</small><sub>c</sub><small>= 1K.TST: </small></i><small></small> <i><small>= 100, V</small><sub>BE </sub><small>= 0.7V,V</small><sub>CEsat</sub><small>=0.1V.</small></i>
<i><small>Tìm điều kiện làm việc (I</small><sub>C</sub><small>và V</small><sub>CE</sub><small>) của TST khi:a) V</small><sub>BB </sub><small>= 1.5V b) V</small><sub>BB </sub><small>= 10.7V</small></i>
<small>32 </small>
2. KHUẾCH ĐẠI DÒNG TRONG BJT (tt)
<b><small>13</small></b>
</div><span class="text_page_counter">Trang 14</span><div class="page_container" data-page="14">2. KHUẾCH ĐẠI DÒNG TRONG BJT (tt)
</div><span class="text_page_counter">Trang 15</span><div class="page_container" data-page="15"><b><small>15</small></b>
</div>
