Điện Tử Học - Vi Mạch Điện Tử Ứng Dụng part 6 potx

Chương 1 36
x Độ thay đổi điện áp:
9 Ví dụ: Xét Ví dụ 1a) trong phần trước. Giả sử I
Zmin
= 0.1I
Zmax
= 0.053A
Diode Zener thực tế có giá trò điện trở động: r
d
= 2:
Mạch tương đương:
Điện áp ra: V
omax
= 10 + 0.53u2 = 11.1V
V
omin
= 10 + 0.053u2 = 10.1V
9 Độ thay đổi điện áp:
%Reg = (V
omax
– V
omin
) / V
o danh đònh (nominal)
%Reg = (11.1 – 10.1) / 10 = 10%
“Never, never, never give up.”
- Winston Churchill, Sir (1874-1965)
R
i
r
d

i
L
v
o
+
_
V
Z
i
Z
Diode Zener
lý tưởng
0ҥFKÿLӋQWӱ

Chương 1 37
1.8 CÁC LOẠI DIODE KHÁC
<Xem Giáo trình và TLTK [3]>
1.9 ẢNH HƯỞNG CỦA NHIỆT ĐỘ VÀ CÁC THÔNG SỐ KỸ THUẬT
1.9.1 nh hưởng của nhiệt độ
x nh hưởng lên đặc tuyến VA
9 Điện áp ngưỡng V
J
(turn-on voltage)
)()()(
11 oo
TTkTVTVV   '
JJJ
k = 2.5 mV/
o
C

9 Dòng phân cực ngược bão hòa I
o
)(
12
12
)()(
TTK
oo
eTITI


K = 0.07 /
o
C
x Quan hệ giữa công suất và nhiệt độ của Diode <Xem TLTK [2]>
9 Đònh luật Ohm
PTT
2112
T

T
21
: Điện trở nhiệt (thermal resistance) giữa 2 và 1 (
o
C / W)
P: Công suất tiêu tán (power dissipation) tại 2 (W)
0ҥFKÿLӋQWӱ

Chương 1 38
jjccj

PTT
T

jcaac
PTT
T

T
j
d T
jmax
: Cho trước bởi nhà sản xuất
T
jc
: Hằng số, cho trước bởi nhà sản xuất
T
ca
: Có thể thay đổi được, sử dụng tản nhiệt
(heat sink) để giảm T
ca
 Giảm T
j
với cùng
công suất P
j
(T
a
= constant)
9 Đường suy giảm công suất (Derating Curve)
P

j
T
j
T
c
T
a
T
jc
T
c
0ҥFKÿLӋQWӱ

Chương 1 39
1.9.2 Thông số kỹ thuật <Xem TLTK [2], [3]>
x Diode thông thường
1. Điện áp ngược cực đại (PIV –
Peak Inverse Voltage)
2. Dòng phân cực nghòch cực đại
tại PIV
3. Điện áp phân cực thuận cực đại
4. Giá trò trung bình của chỉnh lưu
bán sóng
5. Nhiệt độ cực đại chỗ tiếp giáp
pn T
jmax
6. Đường suy giảm công suất
x Diode Zener
1. Điện áp danh đònh (nominal
reference voltage) V

ZT
2. Độ thay đổi (tolerance) giữa các
Diode
3. Công suất tiêu tán cực đại P
max
4. Dòng điện thử (test current) I
ZT
5. Điện trở động tại dòng thử R
ZT
6. Dòng điện tại điểm gối I
Zk
7. Điện trở động tại điểm gối R
Zk
8. Nhiệt độ cực đại chỗ tiếp giáp
pn T
jmax
9. Hệ số nhiệt độ (temperature
coefficient) TC, thể hiện sự thay
đổi của V
Z
theo nhiệt độ
0ҥFKÿLӋQWӱ

Chương 2 1
CHƯƠNG 2: TRANSISTOR HAI LỚP TIẾP GIÁP - BJT
2.1 Giới thiệu
2.2 Dòng chảy trong BJT
2.3 Khuếch đại dòng trong BJT
2.4 Giải tích mạch BJT bằng đồ thò
2.5 Tính toán công suất

2.6 Tụ Bypass vô hạn
2.7 Tụ ghép vô hạn
2.8 Mạch Emitter Follower
2.9 Mở rộng
“We make a living by what we get, we make a life by what we give”.
- Winston Churchill, Sir (1874-1965)
0ҥFKÿLӋQWӱ

Chương 2 2
2.1 Giới thiệu
x 1948: Transistor đầu tiên (Bell Lab)
x Các loại transistor (TST): BJT, FET
x BJT: Bipolar Junction Transistor: Transistor hai lớp tiếp giáp
2.2 Dòng chảy trong BJT
x Cấu tạo và ký hiệu
x Dòng chảy trong BJT
EB: Phân cực thuận
CB: Phân cực nghòch
CBO
E
C
III 
D
C
B
E
III 

CBO
E

B
III  )1(
D
DD
D
CBO
CB
I
II 
¸
¹
·
¨
©
§


1
Đặt:
D
D
E


1
Lưu ý: Cấu hình B chung (CB – Common Base configuration)
0ҥFKÿLӋQWӱ

Chương 2 3
2.2.1 Mối nối Emitter – Base (EB)

Xem mối nối EB như một Diode phân cưc thuận hoạt động độc lập (i
D
= i
E
; v
D
= v
EB
)
x DCLL và Đặc tuyến EB
DCLL:
e
EE
EB
e
E
R
V
v
R
i 
1
x Mạch tương đương đơn giản
v
E
= V
EBQ
= V
J
(0.7V: Silicon;

0.2V: Germanium)
r
d
= 0
e
EBQEE
EQ
R
VV
I


0ҥFKÿLӋQWӱ