Điện Tử Học - Vi Mạch Điện Tử Ứng Dụng part 15 doc

Chương 5 18
Ví dụ 7: Xác đònh tónh điểm của mạch sau. Giả sử h
fe
= 100.
Nguồn dòng T
5
: V
B5
=
3.19.2
9.2
6


= -4.14V
Giả sử I
B5
<< I
C5
 I
C5
=
K3.1
)6()7.014.4(

= 0.9 mA
Mạch đối xứng: I
C3
= I
C4
= I

C5
/ 2 = 0.45 mA
 I
C1
= I
C2
= I
C3
/ h
fe
= 4.5 PA
 I
B1
= I
B2
= I
C1
/ h
fe
= 45 nA
KVL: V
C1
= V
C2
= V
C3
= V
C4
= V
CC

– 10K(I
C3
+
I
C1
) | 7.5V
V
E1
= V
E2
= 0 – (10
5
)(45u10
-9
) – 0.7 | -0.7V
 V
E3
= V
E4
= V
E1
– 0.7 = -1.4V
V
C5
= V
E3
– 50I
C3
= -1.4 – 50(0.45u10
-3

) | -
1.4V
0ҥFKÿLӋQWӱ

Chương 5 19
5.5 Mạch khuếch đại ghép Cascode
MẠCH 1:
Cấu hình: CE – CB: Thường dùng trong các mạch tần số cao.
Phân tích tín hiệu nhỏ:
Độ lợi truyền đạt (Transfer gain):
121
21
12
1
1
2
2
//
//
)(
ie
feLfb
i
b
b
e
e
L
i
L

T
hRR
RR
hRh
i
i
i
i
i
v
i
v
A


0ҥFKÿLӋQWӱ

Chương 5 20
Phân tích DC:
Giả sử bỏ qua I
B1
và I
B2
:
V
B1
= V
CC
R
1

/ (R
1
+ R
2
+ R
3
)
 V
E1
= V
B1
- V
BE1
= V
B1
– 0.7
 I
C1
=
e
B
R
V 7.0
1

= I
C2
V
B2
= V

CC
(R
1
+ R
2
) / (R
1
+ R
2
+ R
3
)
 V
E2
= V
B2
- V
BE2
= V
B2
– 0.7
 V
CE1
= V
C1
- V
E1
= (V
E2
– R

c
I
C1
) – V
E1
V
CE2
= V
C2
– V
E2
= (V
CC
– R
L
I
C2
) – V
E2
MẠCH 2:
T
1
: CE
T
2
và T
3
: Mạch Cascode, dùng để chuyển mức
DC của (v
L

) đến 0 (level shifting) dùng trong các
mạch KĐ ghép trực tiếp (direct – coupled
amplifiers).
0ҥFKÿLӋQWӱ

Chương 5 21
Phân tích tónh điểm:
Giả sử bỏ qua I
B2
, I
B3
.
V
B3
= (-6)(2.3K) / (2.3K + 3.7K) = -2.3V
V
E3
= V
B3
- V
BE3
= -2.3 – 0.7 = -3V
 I
C3
= 3V / 3K = 1 mA
Cần phải xác đònh R
b
sao cho V
LDC
= 0.

I
B1
= (12 – 0.7) / R
b
 V
C1
= 12 – 8KuI
C1
= 12 – 8Ku[h
fe1
(12 – 0.7) / R
b
] = V
B2
V
LDC
= V
E2
– 3.3KuI
C2
= (V
B2
– 0.7) – 3.3 = V
B2
– 4
Để V
LDC
= 0  V
B2
= 12 – 8Ku[h

fe1
(12 – 0.7) / R
b
] = 4
 R
b
= h
fe1
(12 – 0.7) / 1mA
Phân tích tín hiệu nhỏ:
T
1
: Mắc CE.
T
2
: Mắc CC.
T
3
: Mắc CB.
Xác đònh v
L
/ v
c1
: Mạch tương đương tín hiệu nhỏ của T
2
: Phản ánh trở kháng E
2
o B
2
, trong đó

R
03
= 1/h
ob3
là tổng trở nhìn vào cực C của T
3
(CB).
)/1(3.3
)/1(
3222
32
1 obfefeie
obfe
C
L
hhKhh
hh
v
v
u

| 1
 Mạch Cascode (T
2
, T
3
) chỉ làm thay đổi mức DC ngõ ra mà không thay đổi độ lợi áp của mạch
KĐ T
1
(CE).

0ҥFKÿLӋQWӱ

Chương 6 1

CHƯƠNG 6: TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG FET

6.1 Giới thiệu
6.2 Lý thuyết hoạt động của JFET
6.3 Lý thuyết hoạt động của MOSFET
6.4 Giải tích đồ thò và phân cực
6.5 Giải tích tín hiệu lớn – Sự sái dạng
6.6 Giải tích tín hiệu nhỏ
6.7 Mở rộng



Chương 6 2

6.1 Giới thiệu
Transistor hiệu ứng trường (Field Effect Transistor – FET):
9 JFET: Junction FET
9 MOSFET: Metal-Oxid Semiconductor FET (Insulated-Gate – IGFET)
Tính chất (Phân biệt với BJT)
9 Nhạy với điện áp (voltage-sensitive)
9 Trở kháng vào rất cao


6.2 Lý thuyết hoạt động của JFET
6.2.1 Cấu tạo (n-channel JFET):

Chương 6 3

6.2.2 Hoạt động:
 Giả sử S và G nối đất; v
DS
> 0:
⇒ Dòng i
D
: D → S: Phụ thuộc vào v
DS
và Điện trở kênh n (R
n-Channel
)
Dòng i
Channel – Gate
≈ 0: Do Diode tạo bởi tiếp xúc pn Channel-Gate phân cực nghòch
(a) Khi v
DS
tăng: Vùng khuyết (depletion region – vùng gạch chéo) tăng → R
n-Channel
tăng


(b) v
DS
= V

po
(Điện áp nghẽn: pinch-off voltage): Hai vùng khuyết chạm nhau: i
D
= I
po