Chöông 6 25
Phaân tích maïch: KVL, KCL
Chương 6 26
6.6.5 Mạch tách pha (phase-splitting circuit):
Tín hiệu nhỏ: i
ds
=
s
o
d
o
R
v
R
v
21
=− ⇒
12 o
d
s
o
v
R
R
v −=
Nếu R
s
= R
d
⇒ v
o2
= - v
o1
: Mạch tách pha
Để xác đònh A
v1
, A
v2
, Z
o1
, Z
o2
: Sử dụng pp phản ánh trở kháng với v
2
= v
3
= 0
⇒
ddss
d
i
o
v
RrR
R
v
v
A
+++
−==
)1(
1
1
µ
µ
ddss
s
i
o
v
RrR
R
v
v
A
+++
−==
)1(
2
2
µ
µ
])1(//[
1 sdsdo
RrRZ ++=
µ
]
11
//[
2
+
+
+
=
µµ
dds
so
Rr
RZ
Chương 6 27
6.6.6 Mạch khuếch đại cực cổng chung (CG):
Mạch CG:
Trở kháng ngõ vào:
Phản ánh vào mạch cực S:
⇒ Z
i
= R
sg
=
1+
+
µ
dds
Rr
Trở kháng ngõ ra:
Phản ánh vào mạch cực D:
Chửụng 6 28
Z
o
= r
ds
+ (à + 1)r
i
Heọ soỏ khueỏch ủaùi:
idsd
d
i
d
v
rrR
R
v
v
A
)1(
)1(
+++
+
==
à
à
Chương 6 29
6.7 Mở rộng
6.7.1 FET kênh p:
p-channel JFET
Cấu tạo:
Đặc tuyến VA:
Chửụng 6 30
p-channel MOSFET
Caỏu taùo:
ẹaởc tuyeỏn VA:
Chương 6 31
Nhận xét: p-channel FET (i
SD
, v
SD
, v
SG
) tương tự n-channel FET (i
DS
, v
DS
, v
GS
)
6.7.2 Depletion-mode MOSFET:
So sánh:
Khi v
GS
= 0: Enhancement-mode: Không có kênh dẫn giữa D và S
Depletion-mode: Có kênh dẫn giữa D và S
⇒ Enhancement-mode: V
TN
> 0: Điện áp ngưỡng hình thành kênh dẫn.
Depletion-mode: V
TN
< 0: Điện áp ngưỡng tắt kênh dẫn.
Đặc tuyến: