Giáo trình phân tích quy trình ứng dụng Mosfet với tín hiệu xoay chiều p8 pptx

Giáo trình Linh Kiện Điện Tử

ngõ vào thường người ta mắc ng kim loại, khi sờ tay vào, SCS dẫn điện
Led t ng ứng cháy sáng, Relais hoạt động đóng mạch báo động hoạt động.
C
c cổng hay đúng hơn là một
transistor không có cực nền. Hình sau đây mô tả cấu tạo, ký hiệu và mạch tương đương

một h u điện thế một chiều theo một chiều nhất định thì khi đến điện thế
V
BO
, DIAC dẫn điệ p hiệu thế theo chiều ngược lại thì đến trị số -V
BO
, DIAC
cũng dẫn điện, D ể hiện một điện trở âm (đ ha DIAC giảm khi dòng
điện qua DIAC tă ừ các tính chất trên, DIAC tương đương với hai Diode Zener mắc
đối đầu. Thực tế, khi không có DI ười ta có thể dùng hai D điện thế
Zener thích hợp để thay thế. (Hình 17)
rong ứng dụng, DIAC thường dùng để mở Triac. Thí dụ như mạch điều chỉnh độ
sáng c
ủa bóng đèn (Hình 18)
Ở
ươ
một miế
IV. DIA
Về cấu tạo, DIAC giống như một SCR không có cự
của DIAC.
Khi áp iệ
n và khi á
IAC th
ng). T

iện thế i đầu
AC, ng iode Zener có
T

INPUT 2
+12V
1K 1K
10K
LED
1K
INPUT 3
Relay
LED
10K
LED
10K
INPUT 1
Hình 15
Relais đóng
mạch báo
động

p
p
n
n
n
Anod 1
Anod 2
Cấu tạo

Anod 1
Anod 2
Ký hiệu
Anod 1
Anod 2
Tư đương ơng
Anod 1
Anod 2
Hình 16
Trang 136 Biên soạn: Trương Văn Tám
.
Giáo trình Linh Kiện Điện Tử
0 V
I
110V/50Hz
Bóng Đèn Bóng Đèn
VR
-V
BO
+V
BO
C
Hình 18

bán ký dương thì điện tăng, tụ nạ iện cho đến điện
BO
thì DIAC dẫn,
tạo dòng kích cho Triac dẫn điện. Hế ỳ ơng, Triac ng Đến bán kỳ âm tụ
C nạp điện theo chiều ngược lại đến điện thế -V
BO

, DIA i dẫn điện kích Triac dẫn
điện. Ta thay đổi VR để thay đổi thời hằng nạp điện của tụ C, do đó thay đổi góc dẫn của
Triac đưa đến làm thay đổi độ sáng của bóng .
V. DIOD SHOCKLEY.
Diod shockley gầm có 4 lớp bán d N (diod 4 lớp) nhưng chỉ có hai cực. Cấu
o cơ bản và ký hiệu cùng với đặc tuyến Volt-Ampere khi phân cực thuận được mô tả ở
hình vẽ sau đây:



Hình 17

Ở thế p đ thế V
ưng. t bán k dư tạm
C lạ
đèn
ẫn PNP
220V/50Hz
N
N
tạ
Anod
A
+ A

K
Catod

P
P

Hình 19
- K
I
A
-
+
V
f
I
BO
V
BO
0
V
f
Trang 137 Biên soạn: Trương Văn Tám
.
Giáo trình Linh Kiện Điện Tử
Ta thấy đặc tuyến giống như SCR lúc dòng cổng I
G
=0V, nhưng điện thế quay về
V
BO
của Diod shockley nhỏ hơn nhiều. Khi ta tăng điện thế phân cực thuận, khi điện thế
anod-catod tới trị số V
BO
thì Diod shockley bắt đầu dẫn, điện thế hai đầu giảm nhỏ và sau
đó ho

- Bán kỳ dương C nạp điện đến điện thế V
BO
thì Diod shockley dẫn điện, kích
SCR dẫn.
Bán kỳ âm, Diod shoc ưng, SCR cũng ngưng.
VI. GTO (GATE TURN – OFF SWITCH).


ạt động như Diod bình thường.
Áp dụng thông thường của Diod shockley là dùng để kích SCR. Khi phân cực
nghịch, Diod shockley cũng không dẫn điện.
110V/50Hz
R
C
Tải
Hình 20
220V/50Hz
, tụ
kley ng
GTO là một linh kiện có 4 lớp bán dẫn PNPN như SCR. cấu tạo và ký hiệu được mô
tả như sau:



N
N
Anod

A
K
Catod
P
P
G
Cổng
G
Cổng
A
K
Catod
Hình 21
Ký hiệu
Anod
Trang 138 Biên soạn: Trương Văn Tám
.
Giáo trình Linh Kiện Điện Tử
Tuy có ký hiệu khác với SCR và SCS nhưng các tính chất thì tương tự. Sự khác biệt
cơ bản cũng là sự tiến bộ của GTO so với SCR hoặc SCS là có thể mở hoặc tắt GTO chỉ
bằng một cổng (mở GTO bằng cách đưa xung dương vào cực cổng và tắt GTO bằng cách
đưa xung âm vào cực cổng).
- So với SCR, GTO cần dòng điện kích lớn hơn (thường hàng trăm mA)
nữa c
ủa GTO là tính chuyển mạch. Thới gian mở của
GTO cũng giống như SCR (khoảng 1µs), nhưng thời gian tắt (thời gian chuyển từ trạng
thái dẫn điện sang trạng thái ngưng d hì nhỏ hơn SCR rất nhiều (khoảng 1µs ở GTO
và từ 5µs đến 30µs ở SCR). Do đó GTO dùng như một linh kiệncó chuyển mạch nhanh.
GTO thường được dùng rất phổ biến trong các mạch đế
m, mạch tạo xung, mạch điều hoà

điện sau đây là một ứng dụn
Diod Zener.




ấp điện, GTO dẫn, anod và catod xem như nối tắt. C
1
nạp điện đến điện thế
nguồn V
AA
, lúc đó V
GK
<0 làm GTO ngưng dẫn. Tụ C
1
xả điện qua R
3
=V
R
+R
2
. Thời gian
xả điện tùy thuộc vào t ng τ=R
3
C
1
. Khi V
o
<V
Z

, GTO lại dẫn điện và chu kỳ mới lại
được lập lại.


- Một tính chất quan trọng
ẫn) t
thế… mạch g của GTO để tạo tín hiệu răng cưa kết hợp với
VAA=+200V
A
K
R
2



Khi c
hời hằ

Hình 23
V
o
V
AA
V
Z
0
+Vo
R
1
VR

C1
VR
Hình 22

A
K
G
Trang 139 Biên soạn: Trương Văn Tám
Giáo trình Linh Kiện Điện Tử
VII. UJT (UNIJUNCTION TRANSISTOR – TRANSISTOR
T
chỉ có một độc nhất nối P-N. Tuy không thông dụng như BJT, nhưng UJT có một số đặc
tính đ h tạo dạng sóng và định
giờ.

đầu tạo thành
hai c
1 2
y nhôm nhỏ
đóng vai trò chất bán dẫn loại P. Vùng P này nằm cách vùng B
hoảng 70% so với chiều
dài của hai cực nền B
1
, B
2
. Dây nhôm đóng vai trò cực phát E.
Hình sau đây trình bày cách áp dụng điện thế một chiều vào các cực củ để
khảo sát các đặc tính của nó.

ĐỘC NỐI).

Transistor thường (BJT) gọi là Transistor lưỡng cực vì có hai nối PN trong lúc UJ
ặc biệt nên một thời đã giữ vai trò quan trọng trong các mạc
1. Cấu tạo và đặc tính của UJT:
Hình sau đây mô tả cấu tạo đơn giản hoá và ký hiệu của UJT
Một thỏi bán dẫn pha nhẹ loại n
-
với hai lớp tiếp xúc kim loại ở hai
ực nền B
và B . Nối PN được hình thành thường là hợp chất của dâ
1
k
a UJT


n-
p
B
2
Nền
B
1
Nền
E
Phát
E B
2
B
1
B
2

E
B
1
Hình 24
E
A
EE
B1
B2
D1
V
B2
R
BB
EE
E
V
R
B1
B1
V
R
BB
B2
Mạch tương đương của UJT
I
E
R
E
E

E
Hình 25
V
Trang 140 Biên soạn: Trương Văn Tám
.