Tải bản đầy đủ (.pdf) (6 trang)

Giáo trình Thực hành Điện tử - Bài 5: Transistor hiệu ứng trường pdf

Bạn đang xem bản rút gọn của tài liệu. Xem và tải ngay bản đầy đủ của tài liệu tại đây (344.02 KB, 6 trang )

Bài 5: Transistor hiệu ứng trường
35
G S
D
S
D
G
Bài 5:
TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG
I.THIẾT BỊ SỬ DỤNG:
- Đồng hồ VOM
- Các loại FET.
II.MỤC TIÊU:
- Nhận dạng, đo thử FET.
- Khảo sát đặc tuyến ngõ ra của FET.
- Khảo sát đặc tuyến truyền đạt của FET.
III.NỘI DUNG:
3.1 JFET:
3.1.1 Cấu tạo – Ký hiệu:
D: drain (cực máng)
G: gate (cực cổng)
S: source (cực nguồn)







JFET kênh N JFET kênh P





3.1.2 Các hình dạng thực tế:

Loại cs nhỏ Loại cs trung bình Loại cs lớn
3.1.3 Kiểm tra đo thử FET
3.1.3.1 Đo nguội:
- Vặn VOM thang đo Rx1K.
- Đo cặp chân (G, D) và (G, S) giống như diode.
Bài 5: Transistor hiệu ứng trường
36
S
D
G
S
D
G
S
D
G
S
D
G
S
D
G
S
D
G

- Đo cặp chân (D, S) có giá trò điện trở vài trăm Ω đến vài chục kΩ.
 Ta thử khả năng khuếch đại của FET như sau: đặt que đen vào cực D, que
đỏ vào cực S (đối với FET kênh P thì ngược lại), kích tay vào cực G, nếu
kim vọt lên và tự giữ và ở lần kích kế tiếp kim trả về là tốt (hoặc ta đưa
tuocnovit nhiễm từ lại gần và xa cực G, kim đồng hồ sẽ dao động)
3.1.3.2 Đo nóng:
- Vặn VOM ở thang đo VDC.
- Đo áp tại cực D hoặc cực S, sờ ngón tay cái vào mass hoặc nguồn V
DD
rồi
kích tay vào cực G, nếu kim thay đổi thì tốt.
3.1.3.3 Cách xác đònh chân:
- Vặn VOM ở thang đo Rx1K
- Đo 2 lần cho từng cặp chân (đảo chiều que đo), nếu cặp chân nào cả 2 lần
đo đều lên thì đó là (D, S) chân còn lại là chân G. Đặt que đen ở cực G, đỏ
ở một trong 2 chân, nếu kim lên thì đó là loại kênh N (ngược lại là JFET
kênh N).
- Đặt que đo ở 2 chân D, S rồi chạm ngón tay vào chân G, nếu kim vọt lên ½
vạch chia và tự giữ thì que đen đồng hồ nằm ở chân D (đối với JFET kênh
P thì que đỏ chỉ cực D). Chân còn lại là chân S.
3.2 MOSFET:
3.2.1 Ký hiệu – Phân loại:
- Loại liên tục (loại không cách ly):



Kênh N Kênh P
- Loại gián đoạn: (có cực cửa cách ly)




Kênh N Kênh P










Bài 5: Transistor hiệu ứng trường
37
3.2.2 Hình dạng: giống như JFET:


3.2.3 Cách đo kiểm tra MOSFET:
- Vặn VOM ở thang đo Rx10K
- Đo 2 lần (đổi que đo) tại cặp chân (G, S) và (G, D) không lên kim.
- Đo tại cặp chân (S, D) lớn hơn 5KΩ.
 Ta có thể thử độ nhạy của MOSFET như sau: giữ que đen vào D và que đỏ
vào S (loại kênh P làm ngược lại), chạm ngón tay trỏ nhẹ vào cực S, quan
sát thấy kim vọt lên và giữ luôn cho dù ta chạm ngón tay thêm lần nữa hay
nhả que đồng hồ nối với D, S ra cũng vậy. Trạng thái tự giữ của MOSFET
chỉ mất đi khi ta đổi lại cực tính que nối vào D, S.
Chú ý khi thử kích tay vào MOSFET ta nên cho bàn chân mình chạm đất hoặc
cổ tay đeo vòng nối đất để thoát tónh điện, để tránh gây hư hỏng MOSFET.

IV.CÁC BÀI THỰC TẬP

4.1 Nhận dạng, đo thử các loại FET.
Tiến hành đo thử các loại FET, rút ra nhận xét.
Nhận xét:





4.2 Khảo sát đặt tuyến ngõ ra của JFET (K30A):
- Lắp mạch như hình 4.1:
- Giữ điện áp ở chân G theo giá trò bảng 4.1, ta đo được thông số I
D
.
- Thay đổi điện áp chân G và tiến hành đo như trên.



Bài 5: Transistor hiệu ứng trường
38
0V -3V
R1
220
0
A
0V 30V
V
HI
LO
K30A










Hình 4.1: Khảo sát đặc tuyến ngõ ra của JFET
Bảng 4.1: Thông số đặc tuyến ngõ ra của K30A

U
DS
(V)
0
1
2
3
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
I
D

( U
GS
=-2V )














I
D
( U
GS
=-1V )















I
D
( U
GS
= 0V )














I
D
( U
GS
=0.5V )















- Vẽ đặc truyến ngõ ra của K30A:






































































 Nhận xét:





4.3 Khảo sát đặt trưng truyền đạt của K30A:

- Lắp mạch theo sơ đồ hình vẽ 4.2.
- Điều chỉnh biến trở để đo từng cặp giá trò I
D
và U
GS
ghi vào bảng 4.2.

Bài 5: Transistor hiệu ứng trường
39
LO
0
R1
1K
A
+12V
R2
4,7K
K30A
HI
-12V
VR
10K
V












Hình 4.2: Khảo sát đặc trưng truyền đạt của K30A.

Bảng 4.2: Thông số đặc trưng truyền đạt của K30A

U
GS
(V)
-3
-2,5
-2
-1,5
-1
-0,5
0
0,5
0,6
0,7
I
D
(mA)











- Vẽ đặc trưng tuyền đạt của K30A:




































































 Nhận xét:





4.4 Mạch đóng mở dùng MOSFET
Cấp nguồn +12v cho mạch:
Bài 5: Transistor hiệu ứng trường
40
T2-MOSFET
IRF 640
+12v
GND
LED5
R1
10K
C1
100µF

LED6LED1 LED2 LED3 LED7 LED9LED4 LED8 LED10
C1815
J3
J4
J2
J5
J1
J6
R2
100K


Lần lược ngắn mạch các J theo yêu cầu bảng 4.3, để khảo sát mạch đóng mở
dùng BJT(T1) và FET(T2), xác đònh trạng thái các Led và dòng I
B
trong mỗi
trường hợp
Bảng 4.3:Các giá trò [1] tương ứng với ngắn mạch

STT
J1
J2
J3
J4
J5
J6
Trạng thái Led
Dòng I
B


1
1

1

1



2

1
1

1



3
1


1

1


4

1


1

1


Nhận xét vai trò đóng mở của BJT và MOSFET:






×