Transistor trường - Mosfet pot

Transistor trường - Mosfet
0 Comment Size- Size+ 21/12/2009 Other RSS
Nội dung: Giới thiệu về Mosfet, Cấu tạo, ký hiệu và nguyên tắc hoạt động của Mosfet.
1. Giới thiệu về Mosfet
Mosfet là Transistor hiệu ứng trường ( Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ) là một
Transistor đặc biệt có cấu tạo và hoạt động khác với Transistor thông thường mà ta đã biết, Mosfet có
nguyên tắc hoạt động dựa trên hiệu ứng từ trường để tạo ra dòng điện, là linh kiện có trở kháng đầu vào lớn
thích hợn cho khuyếch đại các nguồn tín hiệu yếu, Mosfet được sử dụng nhiều trong các mạch nguồn
Monitor, nguồn máy tính .
Transistor hiệu ứng trường Mosfet
2. Cấu tạo và ký hiệu của Mosfet.
Ký hiệu và sơ đồ chân tương đương giữa Mosfet và Transistor
* Cấu tạo của Mosfet.
Cấu tạo của Mosfet ngược Kênh N
• G : Gate gọi là cực cổng
• S : Source gọi là cực nguồn
• D : Drain gọi là cực máng
• Mosfet kện N có hai miếng bán dẫn loại P đặt trên nền bán dẫn N, giữa hai lớp P-N được cách điện
bởi lớp SiO2 hai miếng bán dẫn P được nối ra thành cực D và cực S, nền bán dẫn N được nối với
lớp màng mỏng ở trên sau đó được dấu ra thành cực G.
• Mosfet có điện trở giữa cực G với cực S và giữa cực G với cực D là vô cùng lớn , còn điện trở
giữa cực D và cực S phụ thuộc vào điện áp chênh lệch giữa cực G và cực S ( UGS )
• Khi điện áp UGS = 0 thì điện trở RDS rất lớn, khi điện áp UGS > 0 => do hiệu ứng từ trường làm cho
điện trở RDS giảm, điện áp UGS càng lớn thì điện trở RDS càng nhỏ.
3. Nguyên tắc hoạt động của Mosfet
Mạch điện thí nghiệm.
Mạch thí nghiệm sự hoạt động của Mosfet
• Thí nghiệm : Cấp nguồn một chiều UD qua một bóng đèn D vào hai cực D và S của Mosfet Q
(Phân cực thuận cho Mosfet ngược) ta thấy bóng đèn không sáng nghĩa là không có dòng điện đi
qua cực DS khi chân G không được cấp điện.
• Khi công tắc K1 đóng, nguồn UG cấp vào hai cực GS làm điện áp UGS > 0V => đèn Q1 dẫn =>

bóng đèn D sáng.
• Khi công tắc K1 ngắt, điện áp tích trên tụ C1 (tụ gốm) vẫn duy trì cho đèn Q dẫn => chứng tỏ không
có dòng điện đi qua cực GS.
• Khi công tắc K2 đóng, điện áp tích trên tụ C1 giảm bằng 0 => UGS= 0V => đèn tắt
• => Từ thực nghiệm trên ta thấy rằng : điện áp đặt vào chân G không tạo ra dòng GS như trong
Transistor thông thường mà điện áp này chỉ tạo ra từ trường => làm cho điện trở RDS giảm xuống .
Scribd
Upload a Document
Search Books
Search Documents
Explore
Documents
• Books - Fiction
• Books - Non-fiction
• Health & Medicine
• Brochures/Catalogs
• Government Docs
• How-To Guides/Manuals
• Magazines/Newspapers
• Recipes/Menus
• School Work
• + all categories
•
• Featured
• Recent
People
• Authors
• Students
• Researchers
• Publishers

• Government & Nonprofits
• Businesses
• Musicians
• Artists & Designers
• Teachers
• + all categories
•
• Most Followed
• Popular
• Sign Up
• |
• Log In

1
/ 13
Search w ithin
Download this Document for Free
Ads by Google
100% Free DataSheet (PDF)
Over 20000000 DataSheet. It's Free.
Multi Fast Search System.
www.AllDataSheet.com
Calogic MOSFETs
Manufactured in the US!
Contact Us and Buy Direct
www.calogic.net
AC DC Power Supply
High Grade High Efficient Flexible
Standard and Custom Power Systems
www.digipwr.com

Mitsubishi
RF Power Modules and Transistors
for Radio Communications, Ham, CB
www.rfparts.com
Chương 6
1
CHƯƠNG 6: TRANSISTOR HIỆU ỨNG
TRƯỜNG FET
6.1 Giới thiệu
6.2 Lý thuyết hoạt động của JFET
6.3 Lý thuyết hoạt động của MOSFET
6.4 Giải tích đồ thò và phân cực
6.5 Giải tích tín hiệu lớn – Sự sái dạng
6.6 Giải tích tín hiệu nhỏ
6.7 Mở rộng
Chương 6
2
6.1 Giới thiệu
Transistor hiệu ứng trường (Field E,ect Transistor –
FET):
 JFET: Junction FET
 MOSFET: Metal-Oxid Semiconductor FET (Insulated-
Gate – IGFET)
Tính chất (Phân biệt với BJT)
 Nhạy với điện áp (voltage-sensitive)
 Trở kháng vào rất cao
6.2 Lý thuyết hoạt động của JFET
6.2.1 Cấu tạo (n-channel JFET):

Chương 6
3
6.2.2 Hoạt động:
 Giả sử S và G nối đất; vDS > 0:
⇒ Dòng iD : D→ S: Phụ thuộc vào vDS và Điện
trở kênh n (Rn-Channel)
Dòng iChannel – Gate≈ 0: Do Diode tạo bởi tiếp xúc pn
Channel-Gate phân cực nghòch
(a) Khi vDS tăng: Vùng khuyết (depletion region –
vùng gạch chéo) tăng→ Rn-Channelt ăng
(b) vDS= V po (Điện áp nghẽn: pinch-o, voltage):
Hai vùng khuyết chạm nhau: iD= I po
Ads by Google
100% Free DataSheet (PDF)
Over 20000000 DataSheet. It's Free.
Multi Fast Search System.
www.AllDataSheet.com
Calogic MOSFETs
Manufactured in the US!
Contact Us and Buy Direct
www.calogic.net
AC DC Power Supply
High Grade High Efficient Flexible
Standard and Custom Power Systems
www.digipwr.com
transistor trường FET
Download this Document for FreePrintMobileCollectionsReport Document
This is a private document.
Info and Rating
Follow

hidman86
Ads by Google
Mitsubishi
RF Power Modules and Transistors
for Radio Communications, Ham, CB
www.rfparts.com
Free IC DataSheet Site.
Download PDF Datasheets for Free.
No Registering Required.
www.DataSheet4U.com
Share & Embed
Related Documents
PreviousNext
1.
p.
p.
p.
2.
p.
15 p.
49 p.
3.
p.
p.
22 p.
4.
p.
p.
p.
5.

p.
18 p.
43 p.
6.
p.
20 p.
43 p.
7.
3 p.
7 p.
More from this user
PreviousNext
1.
125 p.
13 p.
Add a Comment
Submit
Characters: 400
Send me the Scribd Newsletter, and occasional account related communications.
Discover and connect with people of similar interests.
Publish your documents quickly and easily.
Share your reading interests on Scribd and social sites.
Email address:
Submit
Upload a Document
Search Books
Search Documents
• Follow Us!
• scribd.com/scribd
• twitter.com/scribd

• facebook.com/scribd
• About
• Press
• Blog
• Partners
• Scribd 101
• Web Stuff
• Scribd Store
• Support
• FAQ
• Developers / API
• Jobs
• Terms
• Copyright
• Privacy