ĐẠI HỌC ĐÀ NẴNG
TIỂU LUẬN MÔN HỌC
TƯƠNG THÍCH ĐIỆN TỪ
Tên tiểu luận:
GIẢM NHIỄU ĐIỆN TỪ TRÊN
BO MẠCH IN SỬ DỤNG CẤU TRÚC EBG
Học viên thực hiện: Lê Xuân Đức
Lớp: Cao học KTĐT
Khóa: K25 (2012-2014)
Người hướng dẫn khoa học: PGS.TS. TĂNG TẤN CHIẾN
Giảm nhiễu điện từ trên bo mạch in sử dụng cấu trúc EBG
Đà Nẵng, tháng 11 năm 2013
HVTH: Lê Xuân Đức
Giảm nhiễu điện từ trên bo mạch in sử dụng cấu trúc EBG
:
ĐIỆN TỪ T
tiểu luận:
.iớ
Nhữn
III. Giảm nhiễu điện từ trên bo mạch in sử dụng cấu trúc EBG.
Tài liệu tham khảo:
Electromagnetic Bandgap Structures”, IJSRET, vol.46, No4. Nov. 2014.
HVTH: Lê Xuân Đức
Giảm nhiễu điện từ trên bo mạch in sử dụng cấu trúc EBG
HVTH: Lê Xuân Đức
Giảm nhiễu điện từ trên bo mạch in sử dụng cấu trúc EBG
HVTH: Lê Xuân Đức
Giảm nhiễu điện từ trên bo mạch in sử dụng cấu trúc EBG
ĐỘ
HVTH: Lê Xuân Đức
Giảm nhiễu điện từ trên bo mạch in sử dụng cấu trúc EBG
6. Ý nghĩa khoa học và thực tiễn
HVTH: Lê Xuân Đức
EBG
surface
Antenna
no
phase
shift
λ
Giảm nhiễu điện từ trên bo mạch in sử dụng cấu trúc EBG
HVTH: Lê Xuân Đức
Giảm nhiễu điện từ trên bo mạch in sử dụng cấu trúc EBG
HVTH: Lê Xuân Đức
Giảm nhiễu điện từ trên bo mạch in sử dụng cấu trúc EBG
HVTH: Lê Xuân Đức Page
Giảm nhiễu điện từ trên bo mạch in sử dụng cấu trúc EBG
HVTH: Lê Xuân Đức Page
Giảm nhiễu điện từ trên bo mạch in sử dụng cấu trúc EBG
HVTH: Lê Xuân Đức Page
Giảm nhiễu điện từ trên bo mạch in sử dụng cấu trúc EBG
I. Giới thiệu chung:
!"""""""""""""""""""""""
#$%&$#$$'( !
""""""""""""""""
HVTH: Lê Xuân Đức Page
Giảm nhiễu điện từ trên bo mạch in sử dụng cấu trúc EBG
) #*+, !
II. Những đặc điểm và phân loại EBG:
-./01%2# !
345%,#+678
) 96#78:;<=></5
? @6A043$B></58C
III. Giảm nhiễu điện từ trên bo mạch in sử dụng cấu trúc EBG.
D3EF;G4HE
!6/G4IJK+></5= !
HVTH: Lê Xuân Đức Page
Giảm nhiễu điện từ trên bo mạch in sử dụng cấu trúc EBG
Chương I. Giới thiệu chung
1. 1 Định nghĩa cấu trúc EBG
!L+6M4IJN:F/1:0,//:3/O
P/:07F84B/14Q4I/-L/N
R. !
0 !3/#/P/:0AQ$7F84B/14Q/SO
/P/:04=4%TPQ8:BSQ$4I>2#$43L#N=
G4%T.+%O';/-J/1></5L4%T/UB
.N
></5 !=O(B>I48C#=C4IJ%
- 9=C:F=></5S. !GI%+V;M>W7
:F/=></5P-G:;<F$'X1&43$'#4G
.%./Y
HVTH: Lê Xuân Đức Page
Giảm nhiễu điện từ trên bo mạch in sử dụng cấu trúc EBG
Z
- 9=C:F=4*.! :F/;4H$$6A0*C
#78P#
HVTH: Lê Xuân Đức Page
Giảm nhiễu điện từ trên bo mạch in sử dụng cấu trúc EBG
HVTH: Lê Xuân Đức Page
Giảm nhiễu điện từ trên bo mạch in sử dụng cấu trúc EBG
1.2 Các phương pháp phân tích cấu trúc EBG:
G$'(#45(, !S=#$%&$#$
Mô hình kết hợp LC.
-.PQT$:F4&6/-6 !%:F/01
%2
Hình 1.2: Mô hình EBG với mạch cộng hưởng LC.
!#,4I6/F4I+4%TA#4>2[:\ !F
O1(<1%24%TK+4G$'(#(+6M,
!';4%TA/:F/-.4&6S%PQ]6(#^
P-(A#./-.4V4%T4&6=A$A_#F
1.2.2 Phương pháp dây truyền dẫn định kỳ.
R.)-.$%&$#$+';;<+`4Pa
HVTH: Lê Xuân Đức Page
Giảm nhiễu điện từ trên bo mạch in sử dụng cấu trúc EBG
b4=c$:F2P#4PaSd:F4I4Pa8Cc$eP$'
(++4%f+';;<+`đường cong phân táncó thể dễ dàngthu
đượcS$nhiều thông tin hơnphương pháp phần PQT$
Các %fT$sóngbề mặtSbị rò rỉchế độsóng,gbên tráivàbên phải,và
P6#+6M=GA#4+E+FJ4%f-$'#b;BS/1
P=PW$%&$#$F;:F:F/A#4#%&4%&c$FdC
# !P#
1.2.3
Phương Pháp full wave FDTD ( miền thời gian hữu hạn)
Do sựphát triển nhanh chóngtrong I(#%f4IJS<phương
pháp đã được áp dụng trong các mô phỏng :: các cấu trúc EBGS cả
phương phápmiền tần sốhibiđã được sử dụng4G$'( !
Ví dụS.1.?mô tảmột mô hìnhFDTDđể phân tíchEBGSMột lợi thếcủa
$%&$#$$'(::làtính linh hoạt vàđộ chính xáctrongphân tích
hình học EBGkhác nhau Một lợi thế quan trọng là khả năng lấy được đặc
điểmEBGkhác nhauSj0nhưtrở khángbề mặtS41:B$Sđường cong
phân tánSvà khoảng cách+6M
HVTH: Lê Xuân Đức Page
Giảm nhiễu điện từ trên bo mạch in sử dụng cấu trúc EBG
R.?$'( !h::khibi
HVTH: Lê Xuân Đức Page
Giảm nhiễu điện từ trên bo mạch in sử dụng cấu trúc EBG
Chương 2:Những đặc điểm và phân loại EBG
2.1 Mô hình mạch cộng hưởng cho các cấu trúc EBG.
G+E+F&./G&Q041, !S/18/0/-.4V
4%T4<A !>3/>8$7/1/5$j4>lP/:0S/1
4I/-
></5S#>6P/:0B></5L$NSF#:8LNO>6P/:0
></5C/5$j4R.+0>BF%O';/
R..U, !
2.1.1Mô hình tương đương với mạch tổng hợp LC.
#-8, !4%T.C><1,$:F
k411P6#O#$P/:0<,:C$4I/-Sl
84I/-mnF>#P(,8PP(%CLkoNpC>%C
=S.041, !=G%&4%&C#;Q8H
%.)
R. !
HVTH: Lê Xuân Đức Page
Giảm nhiễu điện từ trên bo mạch in sử dụng cấu trúc EBG
R.)e43%&4%&, !
9Q]6:F4I4%T.FO>6$,F16/4%T
.F+U8LNb2P#,/01%2
%
b781%24%T(#%
278$2P#c:F6/P#FqT=></5bS278c:F+
P#FqT=></5b27781%2rs^=4%T2P#F
!P-qT=></5+`4Q=/1P6#78b2P#></5#
46/>6=/5=$6A0P->46$B+`4I8L$:
+L@NN
Giá trị củacác tụ điệnđượctính toán tạo ra bởi cácđiện dungviềngiữa các tấmkim
loạiphẳnglân cận.#,4I4%T(#-*
!#,16/4%T(#-*
2.1.2 Mô hình đường truyền tải cho cấu trúc EBG với sóng phẳng.
4%f+';;<67F:F/1/-.$'(4<A4G/-6
!8C/1 ! Zi %.S2P#,/q$7
4%T(:\;Q4%f+';;<6SFF>1:F4=4%TM$
AQ$++C>l#K+:\;Q/04Pa
HVTH: Lê Xuân Đức Page
Giảm nhiễu điện từ trên bo mạch in sử dụng cấu trúc EBG
R.)) /-6/1 /-. 4%f+';;<6 , !.
HVTH: Lê Xuân Đức Page
Giảm nhiễu điện từ trên bo mạch in sử dụng cấu trúc EBG
!#4I6/BJ407F4%T(#-*
nF2P#J$74%T(-*
2.2 Đại diện đồ họa của khoảng cách băng tần
2.2.1 Mô hình FDTD
1(W414#,/1 !:FXAI,/1P6#7
8&:;<=4IJ>/b$7F;S#$%&$#$hibi4%T
K+4G.+tF(WP6#>W7V(#+XB
/1-:%CC#4<PI>B$1+$::%uX-gC
/1=A+0!4%TK+4GP((/1:F=4IJ>W
1
R.? ;/1 /-./-$p hibi: /1 3:%u+$:X -
gp >]>2# ! ./ %QF %uX 4%T
U:F <+U $'X >2.:X 4IK :Fj4* C/54
<*+% WZ /$. n(+S F , #>6$ !
4%T^.. ? b hibi /-$p >8F, #F, F #/F
, #>6$, ! :F 6# /-$pF#
HVTH: Lê Xuân Đức Page
Giảm nhiễu điện từ trên bo mạch in sử dụng cấu trúc EBG
R.?/-.hibi4G/-6P6#>W7, !O0
&v
w!Rx
Lys//N:F>%C=P-X+0w!Rxb/-$phibiS
/1/vw
ss!Rx
L//Nf04%TK+9(%C/5$W44%T
O%vwz?!Rx{z?vw!Rx1/5$j]#4%T452sS!Rxvw
P6#AJ/|$S&=4%T45>BF !<,/5
$j/P64%TQ:[$4Gvwss?!RxS%&4%&C41+F;<
nC/4(#S/1%fT$-%f}4%T$'(b%fT$
F;-%fL~DnN>3//1+';+`4IF6L@N/5$j4
F/1<4I/-Cg41+F;Fl84I/-%%fT$ !
•%2&>6 :F 4G(# F# #:X 4IK , LEBG
F ;G4H.) b0/5$j ]#. n. ! =GW5 ></5
= /1 P 2 F 4=S b%f >B F ! B ;Q
&C# %fT$ -%f G4:%T# #+0Q = ><
/5, /1 >.4%T( -*
HVTH: Lê Xuân Đức Page